Ⅰ 計算機存儲器中，讀寫速度最快的是
通常來說，內存速度最快，但不排除特殊情況，比如nvme固態硬碟要比幾年前ddr2內存還快，不過nvme固態延遲ms級，內存延遲是nm級，固態還是不能取代內存的。
其次磁帶存儲器的記錄方式主要以形成不同寫入電流波形的方式記錄，所以訪問速度最快。而且能驅動磁帶相對磁頭運動，用磁頭進行電磁轉換，在磁帶上順序地記錄或讀出數據。
Ⅱ 在計算機中,訪問速度最快的存儲器是什麼
在計算機的各種存儲器中，訪問速度最快的是磁帶存儲器
磁帶存儲器：以磁帶為存儲介質，由磁帶機及其控制器組成的存儲設備，是計算機的一種輔助存儲器。磁帶機由磁帶傳動機構和磁頭等組成，能驅動磁帶相對磁頭運動，用磁頭進行電磁轉換，在磁帶上順序地記錄或讀出數據。磁帶存儲器是計算機外圍設備之一。磁帶控制器是中央處理器在磁帶機上存取數據用的控制電路裝置。磁帶存儲器以順序方式存取數據。存儲數據的磁帶可離線保存和互換讀出。
(2)計算訪問速度最快的存儲器擴展閱讀：
磁帶存儲器物理特性
磁性材料被磁化以後，工作點總是在磁滯回線上。只要外加的正向脈沖電流(即外加磁場)幅度足夠大，那麼在電流消失後磁感應強度B並不等於零，而是處在+Br狀態(正剩磁狀態)。反之，當外加負向脈沖電流時，磁感應強度B將處在-Br狀態(負剩磁狀態)。
當磁性材料被磁化後，會形成兩個穩定的剩磁狀態，就像觸發器電路有兩個穩定的狀態一樣。如果規定用+Br狀態表示代碼1，-Br狀態表示代碼0，那麼要使磁性材料記憶1，就要加正向脈沖電流，使磁性材料正向磁化；要使磁性材料記憶0，則要加負向脈沖電流，使磁性材料反向磁化。磁性材料上呈現剩磁狀態的地方形成了一個磁化元或存儲元，它是記錄一個二進制信息位的最小單位。
Ⅲ 微機中訪問速度最快儲存器是什麼
微機中訪問速度最快的存儲器是內存。中央處理器(CPU)直接與內存打交道,即CPU可以直接訪問內存。而外存儲器只能先將數據指令先調入內存然後再由內存調入CPU,CPU不能直接訪問外存儲器。CD-ROM、硬碟和U盤都屬於外存儲器,因此,內存儲器比外存儲器的訪問周期更短。
硬碟的特點是存儲容量大、存取速度快。硬碟可以進行格式化處理,格式化後,硬碟上的數據丟失。每台計算機可以安裝一塊以上的硬碟,擴大存儲容量。
CPU只能通過訪問硬碟存儲在內存中的信息來訪問硬碟。斷電後,硬碟中存儲的數據不會丟失。
內存是計算機寫入和讀取數據的中轉站，它的速度是最快的。存取周期最短的是內存，其次是硬碟，再次是光碟，最慢的是軟盤。
中央處理器(CPU)直接與內存打交道,即CPU可以直接訪問內存。而外存儲器只能先將數據指令先調入內存然後再由內存調入CPU,CPU不能直接訪問外存儲器。
Ⅳ 在微型計算機中，訪問速度最快的存儲器是什麼
在微型計算機中，訪問速度最快的存儲器是內存。
內存就是存儲程序以及數據的地方，比如在使用WPS處理文稿時，當在鍵盤上敲入字元時，就被存入內存中，當選擇存檔時，內存中的數據才會被存入硬（磁）盤。
內存的讀寫速度是最快的，常見的內存條讀寫速度一般都在1000MB/s以上，高性能的內存條甚至可以達到10GB/s。
(4)計算訪問速度最快的存儲器擴展閱讀：
內存其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。
內存是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。
內存唯一缺點就是，如果一旦斷電，內存里的數據就會全部清空，因此只要是儲存在儲存器的數據需要隨時保存。一般來說內存越大，數據交換也越快，因此很多人在使用電腦時，會存在電腦卡，很有可能就是電腦本身硬碟儲存太慢，而外部的內存又沒地方儲存了。
Ⅳ 計算機以下幾個存儲設備中訪問速度最快的是 A、硬碟 B、軟盤 C、光碟 D、RAM
計算機以下幾個存儲設備中訪問速度最快的是隨機存儲器；
隨機存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
內存儲器用來存放計算機當前正在執行的程序和數據，也就是說，計算機執行的所有程序和操作的數據都要先調入內存。因此，內存的工作速度和存儲容量對系統的整體性能、系統所能解決問題的規模和效率都有很大的影響。
內存是採用大規模集成電路製成的半導體存儲器，可分為隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM兩種。
(5)計算訪問速度最快的存儲器擴展閱讀：
RAM中的信息可隨機地讀出或寫入，但信息不能持久保存，一旦關機（斷電）後，RAM中的信息不再保存。隨機存取存儲器所採用的存儲單元工作原理的不同又分為靜態隨機存儲器SRAM和靜態隨機存儲器DRAM。
SRAM採用穩態電路（如觸發器）作為存儲單元，在正常工作狀態下信息存入，能夠穩定保持，可供多次讀取，存取速度比DRAM快，但因單元電路比較復雜，集成度比DRAM低，價格也較高。
DRAM採用電容的充電原理電路作為存儲單元，其結構非常簡單，集成度高，價格低，但在正常工作狀態下，為使寫入的信息保持不變，需要定期刷新。主存儲器一般採用動態存儲器DRAM。
Ⅵ 在計算機中，訪問速度最快的存儲器是 A硬碟B U盤C光碟D內存
在計算機中，訪問速度最快的存儲器是：D內存
Ⅶ 在計算機的各種存儲器中，訪問速度最快的是( )。
選擇D，磁帶存儲器。
磁帶存儲器的記錄方式主要以形成不同寫入電流波形的方式記錄，所以訪問速度最快。而且能驅動磁帶相對磁頭運動，用磁頭進行電磁轉換，在磁帶上順序地記錄或讀出數據。
磁帶存儲器可以通過磁帶控制器模型大型機所共享。磁帶存儲器可以處理最多4Gbps傳輸速度的光纖連接裝置——這是大型機光纖連通道連接專利。磁帶存儲器控制器也能夠支持磁碟驅動或者是光纖通道交換機多達4個標準的8 Gbps傳輸速度的光纖通道連接。
如果磁帶存儲器沒有足夠的FICON與合適長度和類型的光纖通道布線，各驅動、大型機以及存儲網路之間的連通性將不能實現。磁帶存儲器以及控制器也需要軟體升級和許可支持。這取決於數據中心當前的操作系統和許可模式。
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磁帶機結構原理：
普遍使用的磁帶機是快啟停式磁帶機。它由主動輪和帶盤驅動機構、磁帶導向和緩沖機構、磁頭、讀寫和驅動控制電路等組成。
磁帶傳動：以真空緩沖箱式磁帶機為例，磁帶由供帶盤經右緩沖箱、磁頭、主動輪、左緩沖箱到卷帶盤。
磁帶讀寫：磁帶運動時與磁頭接觸。磁頭線圈中通有電流時，磁頭間隙附近產生磁場，將磁帶上一個很小區域磁化。
數據組織：一盤磁帶有始端標記(BOT)和尾端標記(EOT)，中間可記若干個文件。每個文件由1至若干個數據塊組成，兩個文件之間有帶標隔開。
磁帶控制器：一個磁帶控制器可聯數台磁帶機，控制磁帶機執行寫、讀、進退文件、進退數據塊等操作。
參考資料來源：網路-磁帶存儲器
Ⅷ 計算機存儲器中，讀寫速度最快的是
磁帶存儲器的記錄方式主要以形成不同寫入電流波形的方式記錄，所以訪問速度最快。而且能驅動磁帶相對磁頭運動，用磁頭進行電磁轉換，在磁帶上順序地記錄或讀出數據。
磁帶存儲器可以通過磁帶控制器模型大型機所共享。磁帶存儲器可以處理最多4Gbps傳輸速度的光纖連接裝置——這是大型機光纖連通道連接專利。磁帶存儲器控制器也能夠支持磁碟驅動或者是光纖通道交換機多達4個標準的8Gbps傳輸速度的光纖通道連接。
(8)計算訪問速度最快的存儲器擴展閱讀：
磁帶驅動結構原理：
廣泛使用的磁帶機是快速啟動－停止式磁帶機。它由驅動輪和磁帶驅動機構、導帶機構和緩沖機構、磁頭、讀寫和驅動控制電路等組成。
磁帶機：以真空緩沖盒式磁帶機為例，磁帶從送料盤經過右側緩沖盒、磁頭、驅動輪、左側緩沖盒到磁帶盤。
讀和寫磁帶：磁帶在移動時與頭部接觸。當電流流過磁頭的線圈時，磁頭之間的間隙附近就會產生磁場，磁化磁帶上的一小塊區域。
數據組織：磁帶有開始標記（BOT）和結束標記（EOT），中間可以記住幾個文件。每個文件由1到一定數量的數據塊組成，兩個文件用一個頻帶標記分隔。
磁帶控制器：磁帶控制器可以連接多個磁帶機，控制磁帶機進行寫、讀、推進和後退文件、推進和後退數據塊等操作。
Ⅸ 計算機中訪問速度最快的存儲器是
內存
瑞薩發布世界上速度最快的快閃記憶體存儲器
目前，瑞薩科技公司宣布開發出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型快閃記憶體存儲器，可以提供世界上最快的10 M位元組/秒編程速度，用於電影和類似應用中的大容量數據的高速記錄。在2004年9月，將從日本開始樣品發貨，隨後在12月將開始批量生產。
R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有´8和´16位配置，可以提供下面的主要性能。
(1) 世界上最快的4千兆位快閃記憶體存儲器（晶元）
作為實現了多級單元技術*2和高速度的第二階段AG-AND型快閃記憶體存儲器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能達到10 M位元組/秒的快速編程速度。復制一個2小時的MPEG-4格式的電影，大約需要2分鍾就可以完成錄制。
(2) 小型晶元尺寸
由於使用90 nm工藝和改進的AG-AND快閃記憶體存儲器單元設計，實現了世界上最小的存儲單元。與1千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器相比，每千兆位的晶元面積大約縮小了三分之二。
這些新產品的發布使得電影和音樂等大容量內容的快速下載和傳送成為可能。相應地，其應用領域也從過去僅局限於數碼相機和個人計算機，現在可以擴展到移動終端和數字家用設備，擴大了使用快閃記憶體存儲器作為存儲介質的系統解決方案的應用范圍。
產品背景 >
高密度快閃記憶體存儲器作為一種橋接介質，正在溶入我們的生活之中，尤其是在移動應用方面，可以用作數碼相機和行動電話的圖像存儲存儲器、USB存儲器用作軟盤的替代物。下一代的快閃記憶體存儲卡需要更高的密度和更快的編程速度以處理快速數據下載，可以為大容量、高質量的動畫數據如電影提供便攜性。
為滿足這些需要，目前瑞薩科技大量生產130 nm工藝1千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器，通過使用輔助門(AG)防止單元間的干擾，以及使用公司在常規AND型快閃記憶體領域開發的多級單元技術，可以提供更小的單元面積和高達10 M位元組/秒的高編程速度。
為滿足更高密度的需要，同時又實現高速度，在2003年12月瑞薩科技開發出了第二代AG-AND型快閃記憶體存儲單元，通過改進第一代AG-AND型快閃記憶體存儲器單元的設計和使用90 nm工藝，使存儲器單元面積大約縮小了三分之一。現在瑞薩科技已經完成了R1FV04G13R和R1FV04G14R的商用開發，它們是世界上速度最快的 4千兆位小型AG-AND型快閃記憶體存儲器，使用第二代存儲器單元。
產品詳情 >
使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在單個晶元上配置512M位元組的記錄介質，提供的存儲能力大約相當於160分鍾的MPEG-4電影數據，大約等同於130個磁軌的MP3音樂數據，或大約500張4兆象素的數碼相機相片。
R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結如下。
(1) 世界上編程速度最快的4千兆位快閃記憶體存儲器（晶元），速度高達10 M位元組/秒。
和1千兆位產品一樣，使用熱電子注入編程方法*3和在單個晶元內同時進行4組編程操作，通過使用多級單元技術，實現了高達10 M位元組/秒的編程速度。
(2) 小型晶元尺寸
通過使用90 nm工藝和改進的第一代AG-AND型快閃記憶體存儲器源－漏*4結構，實現了世界上最小的0.016 μm2存儲單元面積。
與1千兆位 AG-AND型快閃記憶體存儲器相比，每千兆位晶元面積大約縮小了三分之二。
* 源－漏結構的改進：
使用了一種新結構，在AG上加電壓時，硅襯底上形成的逆溫層*5構成了存儲單元晶體管的源和漏。在常規的擴散層*6結構中，源和漏趨向於橫向擴散，但是，由於逆溫層僅在AG下面的襯底的極淺區域形成，因此可以縮小存儲單元的面積。
(3) 支持加電讀出功能（2K位元組大小）
系統加電時，不需要命令或地址輸入，通過控制兩個控制線（/CE 針和/RE針）就可以讀出多達2K位元組的數據。
(4) 在編程操作過程中具有高速緩沖存儲器編程功能，在擦除操作過程中，具有可編程數據輸入功能。
在器件編程過程中，可以對下一步2 K位元組的數據進行高速緩沖存儲器編程的功能，最多可以進行兩次（4 K位元組）。這使得系統可以很容易地分配匯流排進行下一個任務。在器件擦除過程中，可以進行一次高達2 K位元組的下一步數據輸入的功能。
(5) NAND介面
在命令級，R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型快閃記憶體存儲器兼容，因此，對目前使用NAND型快閃記憶體存儲器的系統進行很少的軟體修改，就可以使用它們。
電源電壓是3.3 V，使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝，與1千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器的封裝尺寸相同。
未來的計劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開發控制器，面向高速快閃記憶體卡的應用開發，以及開發2千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器產品和使用新型存儲單元的1.8 V低壓產品。
我們也計劃開發具有兩個層迭4千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器的大容量8千兆位產品，使用新的封裝形式（WFLGA: 超細節距柵格陣列），在2004年12月將開始高密度安裝。