1. HY57V561620 HY57V641620區別 晶元命名原則是什麼 好多晶元就差幾個數字而已 功能有什麼差別嗎
30.海力士內存以「HY5」為前綴的顆粒是怎樣編號的？
答：韓國Hynix（海力士）原來是現代（Hyundai）公司所屬的一個內存生產廠，當時生產的內存顆粒編號都是以「HY」為前綴的。後來Hynix成了一個獨立的內存生產廠，其顆粒編號也改為以「H」為前綴了。因此，一般把以「HY」為前綴的內存顆粒稱為「現代」內存；而把以「H」為前綴的顆粒成為「海力士」內存。其實都是Hynix的產品。
以「HY5」為前綴的內存顆粒都是比較早期的內存，在計算機用的內存中，DDR2和DDR3內存沒有再使用「HY」為前綴為編號。但是，在Consumer Memory(用於電視機機頂盒或攝像機等用的內存)中，仍然繼續使用了一段時間。2007年決定所有海力士內存的前綴都用「H」代換「HY」。現在舉例說明以「HY5」為前綴的內存的命名方法，見下表所示（根據廠家網站資料，按我的理解歸類的）。
以「HY5」為前綴的海力士內存顆粒的編號規律
含義 類型 電壓 密度 位寬 BANK 介面 版本 功耗 封裝 - 速度 溫度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M
注；其中的速度，對SDRAM來說：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；
K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；
15: 15ns(66MHz)。
對DDR來說：有過變動，「D4」代表DDR400，時序為3-4-4；「D43」代表DDR400，時序為3-3-3；「J」代表DDR333；「M」、「K」和「H」都代表DDR266，只是時序不同；「L」代表DDR200；「4」代表250MHz；「5」代表200MHz。
其他項的解釋：
類型：「HY」現代的意思；「5」和「57」都代表SDRAM內存；「5D」代表DDR1內存；
電壓：是指處理工藝和供電電壓（PROCESS & POWER SUPPLY）：對SDRAM和DDR1：
空白是5V;「V」代表CMOS,3.3V；「U」代表CMOS,2.5V；
密度：是指顆粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：
對SDRAM來說，「64」和「65」都是64Mb;「26」和「28」都是128Mb；「56」和「52」都是256Mb。
對DDR1來說，「28」是128Mb；「56」是256Mb;「12」是512Mb 。
根據密度和模組顆粒數就可以知道模組的容量。例如，密度標以「12」時，如果有8個顆粒，模組容量就是512MB；如果有16個顆粒，容量就是1GB。
位寬：是指顆粒的位寬（datawidth）：
「4」代表「×4」；「8」代表「×8」;「16」代表「×16」；「32」代表「×32」。
BANK：是指每個顆粒的邏輯BANK數。「1」代表2BANK；「2」代表4BANK；「3」代表8BANK。
介面：是指顆粒的電氣介面（Interface）。「0」代表LVTTL;「1」代表SSTL;「2」代表SSTL_2；
版本：是指顆粒出廠的版本。空白代表第1版；二版後依次用A、B、C、D等表示；
功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗電；「L」表示低功耗；
封裝：晶元發封裝方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；
速度；速度（speed）是指顆粒的頻率，說明見表注。
溫度：溫度（Temperature），「I」是工業溫度；「E」是擴展溫度。但是，在編號中經常沒有這一項。
2. 我的內存上的編號為HY57V561620FTP-H內存容量是多少
HY 開頭內存的是海力士內存.一般看第6,7位數看容量.
28是128MB
56是256MB
1G是1GB
你的應該是64M內存.
此答案是正確的.如果誰認為不對,可以向我技術交流.