1. 筆記本安裝固態硬碟的三種方法
方法一
首先查看筆記本的配置說明書，或者上網搜索筆記本的配置信息，查看是否有預留介面，可連接固態硬碟的介面有M.2(又名NGFF)、MSATA、SATA等。
M.2(NGFF)分2242、2260、2280，前面的22表示寬22mm，後面的表示長度，要先在配置中查看筆記本是否預留有足夠空間支持此介面。
方法二
如果找不到筆記本的配置說明或者筆記本沒有預留固態硬碟的介面，那我們可以使用較為通用的方法，就是將光碟機取出，使用光碟機的SATA介面，因為現在的光碟機使用頻率很低，重裝系統也可以用U盤搞定，所以拆除光碟機對電腦的.使用影響不大。若要使用硬碟光碟機托架，購買時需要注意光碟機位置的尺寸。
方法三
將機械硬碟拆除，只使用固態硬碟，這雖然是個很爽的方法，但是同容量的固態硬碟價錢比機械硬碟貴得多，如果你使用的固態硬碟太小，很容易出現容量不足的情況，因此使用此法前需要認真考慮得失。
以上就是筆記本安裝固態硬碟的三種方法，比起擴展內存和升級CPU等措施，加裝固態硬碟是性價比最高的升級電腦方法，可以感受到最明顯的性能提升。
2. 筆記本擴展固態硬碟，是把dvd光碟機拆掉裝好還是轉msata好呢
筆記本擴展固態硬碟如果有msata介面的話，還是用msata比較好。
3. 筆記本如何升級固態硬碟
具體操作方法如下：
1、要打開電腦的後蓋，用十字的螺絲釘將後蓋這三個位置的螺絲卸下，螺絲都旋松後，將蓋板打開，這個螺絲是拿不出來的，旋轉到感覺鬆了就可以了。
(3)擴固態硬碟擴展閱讀：
筆記本升級固態硬碟的注意事項
一、確認需要的SSD類型
1、升級SSD最重要的就是先確定自己的筆記本能升級哪種SSD。目前市面上主要存在兩種介面的SSD，即傳統SATA介面和M.2介面。
2、二者不僅介面不同，通常M.2介面的SSD速度也要更快一些(當然也要更貴一些)。所以，如果條件允許的話還是推薦直接升級M.2介面的SSD，而如果沒有M.2介面或者預算不足的話，就只能升級SATA介面的了。
二、選購產品
在確認了自己的電腦所能升級的SSD類型後，接下來就要著手准備購買了。值得一提的是，不同SSD的性能也是有不同的。就比如MLC的一般要比TLC的壽命好，PCIE協議的一般要比SATA協議的速度快，當然性能越好額產品價格自然也就越貴，所以還是直接根據自身預算來選擇容量和型號比較好。
三、著手准備拆機
由於每台電腦的設計不一樣，所以拆機步驟也是不盡相同的，只要你的本子不是特小眾的那種，那網上一般就可以查到相關的拆機教程。而大多數國外品牌如戴爾，在其官網上也能查詢到相關的拆機手冊(用戶手冊)，解釋的也很清楚明白，只要有一點動手能力和一把螺絲刀，就可以直接完成拆機了。
四、安裝SSD
1、相比拆機，安裝就簡單多了。如果你要安裝的是M.2介面SSD的話，直接將它插在相應的介面上並且上好螺絲即可。而SATA介面的SSD安裝起來也很簡單，首先當然也是找到硬碟位，只要你仔細地將其固定螺絲一一取下便可拔下硬碟，然後將新買的SSD裝上即可。
2、需要注意的是，安裝硬碟後需要擰緊螺絲，以防硬碟脫落。同時也需要注意，SATA硬碟大多數是插拔式的，安裝時請勿從根部向上提起，以免損壞介面。
五、安裝系統
由於新安裝的硬碟裡面是沒有任何東西的，所以我們要先給它裝個系統才能正常的開機。
4. 如何擴展電腦硬碟
擴展電腦硬碟分為兩種，一種是直接再加一塊硬碟，另一種就是把老硬碟拆下來，數據拷貝到新硬碟上換新硬碟。
5. 固態硬碟如何擴展容量
現在，越來越多移動設備和電子設備連接到互聯網，據可靠的預測顯示，到2020年， 連接到互聯網的電子設備將達到500億台。這個世界因此在經歷著前所未有的數據爆炸，和設備連接到互聯網，世界正在經歷數據爆炸時代，對數據儲存的逐年增長的需要驅動著半導體行業飛速的發展。
為了跟上時代的發展，企業數據中心和終端客戶都需要有一個全新的儲存時代。在這個過程中，NAND快閃記憶體是儲存的核心。我們之前最熟悉的摩爾定律在發展到10nm左右就出現了無法延續的尷尬。傳統的2D NAND快閃記憶體，也即平面型快閃記憶體，已經無法滿足用戶對固態硬碟容量的要求。所以尋求新的突破才是正道。
不負眾望，國際儲存巨頭紛紛發布了新一代的3D NAND快閃記憶體。比如，英特爾/美光發布的基於浮柵原理的3D NAND快閃記憶體，西數/閃迪發布的BICS 3D NAND，以及三星發布的V-NAND。除了3D NAND，英特爾/美光還發布了近十年來的革新技術3D Xpoint, 威力比3D NAND還要強大數十倍。不過，我們本文不介紹3D Xpoint哦，本文主要學習一下三星的V-NAND技術。
我們先來看看V-NAND長什麼樣子以及和2D NAND之間的分別，如下圖：
上圖左邊是平面NAND的截面圖，從"平面"這個字眼，我們不難理解，NAND閃存儲存單元都是沿著平面的方向擴展，大容量的快閃記憶體顆粒就需要很大的面積。現實中，我們都知道，地皮很貴，房子貴的大家都買不起了。同樣，在攜帶型電子設備越來越多的情況下，一味的增大儲存晶元的面積，只能被時代淘汰。
上圖右是3D NAND的截面圖。之所以被稱為3D，主要是因為，儲存單元的擴展主要沿著豎直方向延伸，就像，我們蓋高樓大廈一樣，佔用很小的地皮資源，通過增加樓層就可以容納更多的人，同理，3D NAND在有限的面積上，通過增加在垂直方向增加儲存單元，就可以實現大容量的儲存，符合時代的需要，也將會被時代選擇。
與2D NAND相比，V-NAND的儲存單元間隔更大。在2D NAND中，兩個cell之間的距離一般在15nm左右，而在V-NAND中，兩個cell之間的距離可以到40nm。那這個cell之間的距離有什麼影響呢?在NAND快閃記憶體中，cell離得很近時，會帶來比較大的干擾，當cell之間距離變大之後，負面的干擾就會減少很多，這樣一來，我們也可以明白，V-NAND的可靠性要比2D NAND強。