㈠ 巨磁電阻效應是什麼
巨磁阻效應是指磁性材料友脊的電阻率，在有外磁場作用時較之無外磁場作用時，存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應，它產生於層狀的磁性薄膜結構。在室溫下具有巨磁電阻效應的巨磁電阻材料目前已有許多種類，例如，多層膜巨磁電阻材料，顆粒型巨磁電阻材料，氧化物型巨磁電阻材料，隧道結型磁電阻材宴告跡料等。
巨磁阻效應的應用
阿爾貝·費爾和彼得·格林晌並貝格爾所發現的巨磁阻效應造就了計算機硬碟存儲密度提高50倍的奇跡。單以讀出磁頭為例，1994年，IBM公司研製成功了巨磁阻效應的讀出磁頭，將磁碟記錄密度提高了17倍。1995年，宣布製成每平方英寸3Gb硬碟面密度所用的讀出頭，創下了世界記錄。硬碟的容量從4GB提升到了600GB或更高。
㈡ 什麼是巨磁電阻效應(GMR)效應產生的條件、機理及應用
所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的明薯電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象.巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構.這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成.當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻.當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大.
巨磁阻效應（Giant Magnetoresistance）是一種量子力學和凝聚態物理學現象,磁阻效應的一種,可以在磁性材料和非磁性材料相間的薄野做膜層（幾個納米厚）結構中觀察到.這種結構物質的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關,兩層磁性材料磁化方向相反情況下的電阻值,明顯大於磁化方向相同時的電阻值,電阻在很弱的外加磁場下具有很大的變化量.巨磁阻效應被成功地運用在硬碟生產上,具有重要的商業應用價值.
巨磁阻效應自從被發現以來就被用於開發研製用於硬磁碟的體積小而靈敏的數據讀出頭（Read Head）.這使得存儲單位元組數據所需的磁性材料尺寸大為減少,從而使得磁碟的存儲能力得到大幅度的提高.第一個商業化生產的數據讀取探頭是由IBM公司於1997年投放市場的,到目前為止,巨磁阻技術已經成為全世界幾乎所有電腦、數碼相機、MP3播放器的標准技術.
來自劍橋大學的一位物理學家Tony Bland介紹說：「這些材料一開始看起來非常玄妙,但是最後發現它們有非常巨大的應用價值.它們為生產商業化的大容量信息存儲器鋪平了道路.同時它們也為進一步探索新物理——比如隧穿磁阻效應（TMR:Tunneling Magnetoresistance）、自旋電子學（Spintronics）以及新的感測器技術——奠定了基礎.但是大家應該注意到的是：巨磁阻效應已經是一種非常成熟的舊技術了,目前人們感興趣的問題是如何將隧穿磁阻效應開發為未來的頌槐衡新技術寵兒.
㈢ 磁電阻和巨磁電阻如何應用於傳統磁碟讀出磁頭
利用特殊材料的電阻或世值隨磁場變化的原理來讀取碟片上的數據。根據查詢巨磁電阻應用方法顯示，磁電阻和巨磁電阻利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取碟片上的數據，巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣，巨磁阻又稱特大磁電阻，即GMR比AMR技術磁頭靈敏度高2倍以上，GMR磁頭是由4層導電材料和磁性材料薄膜構成的：一個感測層、一個非導電中介層、一個磁性的栓層和一個交衫改肢換層。殲叢
㈣ 巨磁電阻原理是什麼其與近期推出的SSD（固態硬碟）有無關系
1.巨磁電阻（GMR）效應是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在顯著變化的現象，一般將其定義為gmr＝其中兄做（h）為在磁場h作用下材料的電阻率（0）指無外磁場作用下材料的電阻率。根據這一效應開發的小型大容量計算機硬碟已得到廣泛應用。
磁性金屬和合金一般都有磁電阻現象，所謂磁電阻是指在一定磁場下電阻改變的現象，人們把這種現象稱為磁電阻。所謂巨磁阻就是指在一定的磁場下電阻急劇減小，一般減小的幅度比通常則梁磁性金屬與孫塵運合金材料的磁電阻數值約高10餘倍。簡而言之,就是電阻值對磁場變化巨敏感的一種電阻材料。
2.無論是那種硬碟,他的核心就是磁效應,只是SSD啟動快，沒有電機加速旋轉的過程。不用磁頭，快速隨機讀取，讀延遲極小。相對固定的讀取時間。由於定址時間與數據存儲位置無關，因此磁碟碎片不會影響讀取時間。
基於DRAM的固態硬碟寫入速度極快。無噪音。因為沒有機械馬達和風扇，工作時噪音值為0分貝。內部不存在任何機械活動部件，不會發生機械故障，也不怕碰撞、沖擊、振動。
工作溫度范圍更大。低容量的固態硬碟比同容量硬碟體積小、重量輕。等等著些優點但其過高的成本,近期將不會成為市場主流