① 什麼是緩存什麼是快閃記憶體
緩存：
緩存就是數據交換的緩沖區（稱作Cache），當某一硬體要讀取數據時，會首先從緩存中查找需要的數據，如果找到了則直接執行，找不到的話則從內存中找。由於緩存的運行速度比內存快得多，故緩存的作用就是幫助硬體更快地運行。
因為緩存往往使用的是RAM（斷電即掉的非永久儲存），所以在用完後還是會把文件送到硬碟等存儲器里永久存儲。電腦里最大的緩存就是內存條了，最快的是CPU上鑲的L1和L2緩存，顯卡的顯存是給顯卡運算晶元用的緩存，硬碟上也有16M或者32M的緩存。
快閃記憶體：
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種
② 緩存、內存、快閃記憶體的區別分別指什麼樣的東西
一、主體不同
1、緩存：是指訪問速度比一般隨機存取存儲器（RAM）快的一種高速存儲器
2、內存：是計算機中重要的部件之一，它是外存與CPU進行溝通的橋梁。
3、快閃記憶體：一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。
二、特點不同
1、緩存：不像系統主存那樣使用DRAM技術，而使用昂貴但較快速的SRAM技術。
2、內存：內存的運行也決定了計算機的穩定運行。內存條是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。
3、快閃記憶體：是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。
三、作用不同
1、緩存：可以進行高速數據交換的存儲器，它先於內存與CPU交換數據，因此速率很快。
2、內存：作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。
3、快閃記憶體：是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
③ 【非易失性半導體存儲器的相變機制】 什麼是半導體存儲器
非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場佔有重要的一席之地，特別是主要用於手機和其它便攜電子設備的快閃記憶體晶元。今後幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高，數據存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。
經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有快閃記憶體的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節點的新式存儲器機制和材料。
目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器（PCM）就是其中一個最被業界看好的非易失性存儲器，具有快閃記憶體無法匹敵的讀寫性能和升級能力。
在室溫環境中，基於第六族元素的某些金屬（硫族化合物）的晶態和非晶態的穩定性非常好。特別是GeSbTe合金最被看好，因為它遵守一個偽二元構成方式（在GeTe和 Sb2Te3之間），以下簡稱GST。
在爛巧枯基於硅的相變存儲器中，不飢洞同強度的電流經過加熱器（電阻），到達硫化物材料，利用局部熱焦耳效應，改變接觸區周圍的可寫入容量（圖1）。在經過強電流和快速猝滅後，材料被冷卻成非晶體狀態，導致電阻率增大。切換到非晶體狀態通常用時不足100ns，單元的熱時間常量通常僅為幾納秒。若恢復接觸區的晶體狀態，使材料的電阻率變小，需要施加中等強度的電流，脈沖時間較長。存儲單元寫入操作所用的不同電流寬褲產生了存儲器的直接寫入特性。這種直接寫入功能可簡化存儲器的寫入操作，提高寫入性能。
圖1a：PCM存儲元件的橫截面原理圖
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圖1b：寫入操作過程中的模擬溫度曲線圖
使用比寫入電流低很多的且無重要的焦耳熱效應的電流讀取存儲器，從而可以區別高電阻（非晶體）和低電阻（晶體）狀態。
PCM被業界看好是因為兩大原因。第一原因是存儲器功能性增強：這些改進之處包括更短的隨機訪存時間、更快的讀寫速度，以及直接寫入、位粒度和高耐讀寫能力。整合今天的快閃記憶體和快速動態隨機訪問存儲器（DRAM）的部分特性，PCM技術將存儲器的功能提升到一個新的水平，最終不僅可以取代快閃記憶體，還能替代DRAM的部分用處，如常用操作碼保存和高性能磁碟緩存 (
圖2) 。
圖2：存儲技術屬性比較
存儲單元小和製造工藝可以升級是讓人們看好PCM的第二大理由。相變物理性質顯示製程有望升級到5 nm節點以下，有可能把快閃記憶體確立的成本降低和密度提高的速度延續到下一個十年期。
採用一項標准CMOS技術整合PCM概念、存儲單元結構及陣列和晶元測試載具的方案已通過廣泛的評估和論證。128 Mb高密度相變存儲器原型經過90 nm製程論證，測試表明性能和可靠性良好。根據目前已取得的製程整合結果和對PCM整合細節理解水平，下一個開發階段將是採用升級技術製造千兆位（Gbit）級別河南省瑞光印務股份有限公司提供
的PCM存儲器。
【參考文獻】
1. G.Atwood and R.Bez, 「Current status of chalcogenide phase-change
memory」, Device Research Conference (DRC), Santa Barbara (CA), June 20-22, 2005.
2. R.Bez and G.Atwood, 「Chalcogenide Phase Change Memory: Scalable
NVM for the Next Decade?」 21st IEEE Non-Volatile Semiconctor Memory Workshop, p.12, Monterey (Ca), 2006.
3. F.Pellizzer, A.Benvenuti, B.Gleixner, Y.Kim, B.Johmson, M.Magistretti,
T.Marangon, A.Pirovano, R.Bez, G.Atwood, A 90nm Phase-Change Memory Technology for Stand-Alone Non-Volatile Memory Applications, Symp. on VLSI Tech., pp. 122-123, 2006.
4. A.Pirovano, F.Pellizzer, I.Tortorelli, R.Harrigan, M.Magistretti, P.Petruzza,
E.Varesi, D.Erbetta, T.Marangon, F.Bedeschi, R.Fackenthal, G.Atwood and R.Bez, Self-Aligned µTrench Phase-Change Memory Cell Architecture for 90nm Technology and Beyond, Proc. ESSDERC 07, pp. 222-225, 2007.
5. J.E.Brewer, G.Atwood, R.Bez, "Phase change memories" in Nonvolatile
Memory Technologies with Emphasis on Flash edited by J.E.Brewer and M.Gill, IEEE Press Series on Microelectronics Systems, Wiley-Interscience, pag.707-728, 2007.
6. R.Bez, R.J.Gleixner, F.Pellizzer, A.Pirovano, G.Atwood 「Phase Change
Memory Cell Concepts and Designs」 in Phase Change Materials – Science and Applications edited by S.Roux and M.Wuttig, Springer Verlag, ISBN: 978-0-387-84873-0 e-ISBN: 978-0-387-84874-7, pag.355-380, 2008.
關於作者
Roberto Bez
恆憶研發中心技術開發部研究員，負責恆憶相變存儲技術（PCM）的研發工作。
Roberto於1987年加入意法半導體。在任職於ST的20年間，他服務於多個非易失性存儲技術部門，重點研究領域是NOR快閃記憶體、NAND快閃記憶體及相變存儲（PCM）。Roberto擁有超過25項專利，所著文章曾發表在100多種刊物上。
Roberto畢業於米蘭大學（University of Milan），獲得物理學學士學位。
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④ 東芝MQ01ABF050是什麼硬碟固態還是機械
東芝MQ01ABF050是固態混合式硬碟
混合式硬碟由SSD和機械硬碟組成，英文名：Hybrid hard drive。
混合式硬碟是加入NAND快閃記憶體的機械硬碟。其中NAND快閃記憶體作為非易失性緩存，可以實現更快的數據訪問。與混鉛枝物合動力汽車一樣，混合式硬碟採用非易失性快閃記憶體和磁碟的混合存儲形槐液式。
將非易失性快閃記憶體作為傳統硬碟的緩存，利用其恆定快速的讀取時間來改善磁碟的平均讀取時間，以達到改善磁碟性能的目的，其效能的直接體現就是操作系統的載入時間和關機時間被縮短到不足一秒。
(4)非易失性快閃記憶體緩存擴展閱讀：
硬碟中綠盤，藍盤、黑盤和紅盤的特點和適用性：
1、黑盤：高性能，大緩存，速度快。代號：LS WD Caviar Black。主要適用於企業，吞吐量大的伺服器，高性能計算應用，諸如多媒體視頻和相片編輯，高性能游戲機。
2、綠盤：SATA 硬搭握盤，發熱量更低、更安靜、更環保。節能盤，適合大容量存儲;採用IntelliPower技術，轉速為5400轉。優勢是安靜、價格低;缺點是性能差，延遲高，壽命短。
3、藍盤：普通硬碟，適合家用。優點是性能較強，價格較低，性價比高;缺點是聲音比綠盤略響，性能比黑盤略差。
4、紅盤：西數新推出的針對NAS市場的硬碟，面向的是擁有1 至5個硬碟位的家庭或小型企業NAS用戶。性能特性與綠盤比較接近，功耗較低、噪音較小、能夠適應長時間的連續工作，擁有特色技術NASware，這技術讓其兼容性更加出色，無論是針對NAS或是RAID都能夠擁有突出的兼容性表現
⑤ 什麼叫NAND快閃記憶體什麼叫NOR快閃記憶體 這兩者有什麼區別
NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存滑明戚數據。槐納它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。NOR Flash是一種非易失快閃記憶體技術，是Intel在1988年創建。
區別
1、快閃記憶體晶元讀寫的基本單位不同
應用程序對NOR晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。
應用程序對NAND晶元操作是以「塊」為基本單位。NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改NAND晶元中一個位元組，必須重信陵寫整個數據塊。
2、應用不同
NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據。
3、速度不同
N AN D快閃記憶體晶元因為共用地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而NOR晶元可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。
⑥ 常見的非易失性存儲器有哪幾種
常見的非易失性存儲器有以下幾種：
一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）
其內部有行列式的_絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，_絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。
二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。
四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封亮大攜裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
五、快閃記憶體：Flash memory
是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤敬伏。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體仿旁進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。
⑦ 為什麼SSD測試的時候只有4K讀取速度特別慢呢
估計是接到SATA2.0介面上，也有可能你的電腦主板只支持SATA2.0，雖然硬碟是SATA3.0，但只能運行SATA2.0的速度上。
去掉RAPID加速，這個玩意是直接讀寫主機內存，和SSD無關，然後再跑測試就正常了。這個是三星專門為ASSSD測試軟體進行的優化，無任何實際用途。
而且4K單線程讀取是隨機獲取，既然必須是從磁碟中隨機且讀的是小文件，所以就任何加速方法都無效，4K單線程寫入也是RAPID加速將內容寫入主機內存中了。
(7)非易失性快閃記憶體緩存擴展閱讀
和其他所有的DIY硬體一樣，固態硬碟行業在發展的這幾年裡，也逐漸從魚龍混雜的混沌局面慢慢開始呈現品牌化的趨勢，出現了諸多聲名拿早塵在外的大型固態硬碟存儲廠商。
在我們挑選固態硬碟的時候，不妨先看看這些在固態硬碟行業內部已經確立地位的大品牌的最新產品。目前，固態硬碟行業的品牌化十分明顯，特別是消費級存儲市場，有著許多大廠可供選擇。
主要的一線大廠有閃迪、東芝、三星、Intel等有著自己的晶圓廠和研發中心的國際化存儲品牌，它們在存儲行業數十年的研發經驗，以及自身在固態硬碟主要原料快閃記憶體顆粒上的生產優勢，讓這些大廠在固態硬碟行業發展初期就奠定了品牌優勢。
接下來，還有一些長期和東芝、Intel、三星等手握原廠晶圓的廠商進行深入合作的存儲廠商，由於能夠拿到一線原廠的快閃記憶體顆粒，以及多年在消費級存儲市場的開拓，讓這些廠商能夠保證相當的產品品質，和產品性能。這一類的主要品牌有台系的浦科特，影馳，威剛等主流廠商。
以上舉例的這些廠商，無論是在快閃記憶體顆粒的生產上，還是產品研發和品牌營造上，可以說是當下固態硬碟行業的佼佼者，購買它們旗下的固態硬碟產品，至少在品質上可以放心。
固態硬碟作為新近流行的DIY硬體，它的內部結構非常簡單，主要是由主控晶元、快閃記憶體顆粒以及緩存晶元所組成，並利用一塊PCB板作為載體，通過光電轉換的方式進行數據的讀取和寫入。
其中，最為核心、生產成本最高的內部控制項便是起到關鍵性存儲功能的快閃記憶體顆粒了。
所謂快閃記憶體，本質上是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。
正是快閃記憶體顆粒的非易失性，讓快閃記憶體顆粒成為了存儲行業新的介質，由此開創了一消禪個以快閃記憶體顆粒為核心的新的存儲時代。
除了非易失性之外，快閃記憶體顆粒因其利用的是電子的寫入和讀取進行存儲，在性能上和穩定性上遠遠超過傳統機械硬碟利用機械手段進行存儲的老舊模式，成為了當下和未來最具價值的存儲產品。
在固態硬碟領域中，根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別.
SLC(單層式存儲）單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命睜仔長，讀寫次數在10萬次以上，造價高，多用於企業級高端產品。
MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，多用民用高端產品，讀寫次數在5000左右。
TLC（三層式存儲），是MLC快閃記憶體延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低， 使命壽命低，讀寫次數在1000~2000左右，是當下主流廠商首選快閃記憶體顆粒。
當前，主流的所謂原廠快閃記憶體顆粒廠商有toshiba東芝、samsung三星、Intel英特爾、micron美光、skhynix海力士、sandisk閃迪等六家晶圓廠，它們及其下屬的子公司生產的快閃記憶體顆粒幾乎占據了全球市場的近九成份額。
⑧ 蘋果手機快閃記憶體是什麼
問題一：蘋果手機開機一直顯示清空快閃記憶體是什麼山蔽意思啊 你好！
這是手機運行內存RAM不足。
手機內存，分為運行內存RAM和機身儲存內存ROM，手機默認是按運行內存、機身儲存內存順序來分別進行儲存的，這就是為什麼手機內存還有空間，但仍提示內存不足的原因。
手機使用時間長了，特別是用微信、Q Q和在線看視頻，就會產生很多緩存，有的緩存又不能自動消失，時間久了就形成了很多垃圾；軟體安裝過多，也會佔用很多內存，造成手機內存RAM不足,手機的內存不足時，解決辦法只有清理：
（1）調出媒體存放的文件夾，將照片、視頻轉移到電腦上；
（2）到已經看過沒有再保存價值的文件，要刪的就刪；
（3）清理內存。下載安裝手機管理軟體，如獵豹清理大師、或91手機助手，對緩存、系統、卸載殘留實現進一步清理。
希望能幫到你，望採納！
問題二：128G快閃記憶體是什麼意思 意思是存儲卡128G。
快閃記憶體是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固績的區塊為單位。
快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，快閃記憶體與EEPROM不同的是：
EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫；
而快閃記憶體的大部分晶元需要塊擦除。
快閃記憶體卡是利用快閃記憶體技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。
根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、pact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。
問題三：也不知道蘋果手機的梁孫快閃記憶體是什麼做的 現在一個256g的u盤也就500塊錢左右吧！ 這就是品牌的價值，沒辦法。
問題四：蘋果手機上的內存和儲存有什麼區別？ 20分 一個是機身內存，一個是運行內存，機身內存是用來逗渣州存數據，軟體的，也就是說你下載的東西，運行內存是運行軟體的內存，運行內存小，後台程序開得多就會卡，而且後台能運行的程序也少，運行內存大東西開得也多不會卡
問題五：蘋果手機內存大小有什麼區別 越大的處理器也就越高。比如說16G的內存裝到10G就開始卡了。32G的裝到26G才卡。處理器好。
問題六：蘋果手機內存大有什麼好處 不用總是擔心內存不夠用啊 不用總是清緩存啊 可以下好多游戲和電影啊 不用擔心手機卡啊
問題七：快閃記憶體是什麼?解釋簡單點?128G快閃記憶體大嗎？ 快閃記憶體就是Flash Memory，斷電也可以保存數據，相當於一組晶元，硬碟就相當於我們目前在用的電腦上的盤了嘿嘿。我不會用專業術語了。
不過我可以非常精確地告訴你，將來硬碟將被閃盤取代，就是說。快閃記憶體存取比較快速，無噪音，散熱小。你買的話其實可以不考慮那麼多供同樣存儲空間買快閃記憶體。如果硬碟空間大就買硬碟，也可以滿足你應用的需求。
128G快閃記憶體算比較大的。
問題八：蘋果手機RAM是指什麼內存容量 全部數碼設備的RAM統稱為「運行內存」
問題九：蘋果手機ic什麼內存不夠了什麼意思，怎麼處理呢？ 15分 這是蘋果的icloud雲空間，免費5G，用來在線備份資料的，你可以買大容量的，也可以去設置里關閉自動備份或者刪除icloud雲空間的資料
問題十：蘋果手機的內存容量指的是什麼？ 就是可以用來裝app軟體或者你存儲東西的大小，如果說是ram，就相當於電腦的內存，越大理論上就越快，能同時處理更多的信息