㈠ 測井數據處理程序
本章集中介紹平台所有裸眼井解釋評價處理模塊。孔隙度解釋程序(POR)、泥質砂岩解釋程序(SAND)、復雜岩性解釋程序(CRA)、黏土分析程序(CLASS)、多功能分析程序(PROTN)等適用於裸眼井剖面的解釋評價處理模塊。
POR程序用一種孔隙度測井資料加上泥質指示和電性資料對泥質砂岩進行模型分析的解釋程序。
CRA程序適用於骨架成分兩種以上的復雜的碳酸鹽岩剖面，並且要求至少有兩種孔隙度測井資料。
SAND程序適用於砂泥岩剖面，並且要求至少有兩種孔隙度測井資料。
PROTN程序是從油藏物理學的基本概念出發，以油、氣、水在微觀孔隙中的分布和滲流理論為依據，發展而成的多功能解釋系統。該程序以測井信息的還原為基礎，目的在於求解反映地層靜態和動態特性的一系列地質參數。
CLASS程序適用於砂泥岩剖面。方法設計思想為:在泥質砂岩儲集層中，影響儲集層參數精確度的主要因素是泥質的性質、成分、含量以及泥質存在於儲層中的結構。黏土類型如:蒙脫石、伊利石、高嶺石和綠泥石，定量確定泥岩中各種黏土的百分含量是本方法的最大優點所在，進而能精確消除泥岩對儲集層參數的影響。
此外，還有多礦物判別和計算程序。具有代表性的是Geoframe的ELAN和我國自主開發的LESS程序等。
7.3.1 孔隙度解釋程序(POR)
孔隙度解釋程序POR是美國Atlas公司的單孔隙度測井泥質砂岩分析程序。其主要特點是簡單實用，所要求輸入的測井曲線數目少，在地質情況比較簡單的情況下可以得到較好的解釋結果，且本程序的結構是目前常規測井解釋軟體的典型模式，因此目前國內仍普遍使用，或針對地區條件作了改進後使用。
下面介紹它的解釋原理，以期獲得對常規測井資料處理軟體的總體認識。
7.3.1.1 POR程序原理
(1)輸入、輸出曲線
輸入曲線為:補償中子(CNL)、體積密度(DEN)、聲波時差(AC)、自然電位(SP)、自然伽馬(GR)、井徑(CAL)、深探測電阻率(RT)、淺探測電阻率(RXO)、感應(COND)、中子測井(NEU)、中子壽命(NLL)。
值得注意的是，本模塊的地質適用條件是砂泥岩剖面;需要至少有兩種孔隙度測井資料，深淺電阻率曲線，和泥質指示曲線。
輸出曲線為:泥質含量(SH)、地層含水飽和度(SW)、有效孔隙度(POR)、含烴重量(PORH)、含烴體積(PORX)、總孔隙度(PORT)、沖洗帶含水孔隙度(PORF)、地層含水孔隙度(PORW)、微差井徑(CALC)、產能指示(PI)、累計油氣厚度(HF)、累積孔隙度(PF)、烴密度(DHYC)、滲透率(PERM)、出砂指數(BULK)。
(2)計算地層泥質含量
從各種測井方法的原理可知，幾乎所有測井方法可用來求泥質含量，但每種方法都有其有利條件和不利因素。例如，自然伽馬測井是求泥質含量的最有效方法之一，它假定地層的自然伽馬放射性是由泥質造成的，但當地層含放射性礦物和有機質時，用自然伽馬求出的泥質含量就偏高;又如自然電位對含分散泥質的水層適用，但對油氣層求出的泥質就偏高。因此，求泥質含量的基本思路是:先用盡可能多的方法單獨計算泥質含量，然後取其中最小值作為泥質含量，這是因為各種方法計算出的泥質含量反映的是泥質含量上限值。POR程序中最多可以採用五種最常用的方法:自然伽馬(GR)、自然電位(SP)、補償中子(CNL)、地層電阻率(RT)、中子壽命(NLL)計算泥質含量。
POR程序中，各種方法均統一按下面的經驗公式計算泥質含量:
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式中:R(GSHLG，i)為解釋層段內第i條曲線測井值;R(Gmin，i)為第i條曲線在純砂岩處的測井值;R(Gmax，i)為第i條曲線在純泥岩處的測井值;C(SH，i)為第i條曲線測井相對值;cGCUR為地區經驗系數，對古近－新近紀地層為3.7，對老地層為2，它也可以由本地區的實際資料統計獲得;VSHi為由第i條曲線求出泥質含量;i為任一條測井曲線，在程序中它們是按GR、SP、RT、CNL、NLL順序排列。
在進行具體計算時，可通過標識符SHFG的值來選用計算泥質含量的測井方法。例如，當只採用GR計算VSH時，則令SHFG=1;當採用GR、SP、RT三種方法時，則令SHFG=135;或令SHFG=351等任意排序法;當選用五種方法時，SHFG代表的數字不得超過雙位元組所表示的十進制數，即215－1=32767。最終程序將通過取整留余法選擇所採用各種方法求出的VSH的最小值作為最終泥質含量，即Vsh=min(Vshi)，i=1，2，…，5。
需要指出的是上述經驗公式是Atlas公司在美國海灣地區用自然伽馬相對值確定泥質含量的經驗關系，後來又推廣應用於其他測井方法。
(3)計算地層孔隙度
POR程序採用單礦物含水泥質岩石模型來計算孔隙度。用戶可以通過程序控制標識符PFG來選用三種孔隙度測井中的任一種方法計算孔隙度，在實際計算時只進行泥質校正，而未作油氣影響校正。
1)密度測井(PFG=1)。
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式中:ρb為密度測井值，g/cm3;ρf、ρma分別為孔隙流體和岩石骨架的密度值，g/cm3。
2)聲波測井(PFG=2)。
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式中:Δt為聲波時差，μs/m;Δtf、Δtma分別為孔隙流體與岩石骨架的聲波時差值μs/m;Cp為地層的壓實校正系數。
3)補償中子測井(PFG=3)。一般採用忽略骨架含氫指數的計算方法，即:
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式中:φN為補償中子測井值，%;φNsh為泥質的中子測井值，%。
當Vsh大於泥質截止值(SHCT)時，認為地層為泥岩，此時程序將計算的孔隙度再乘以系數(1－Vsh)，即φ·(1－Vsh)作為孔隙度值，以便把泥岩與砂岩區別開來。
(4)計算地層含水飽和度Sw
可通過選擇含水飽和度標識符SWOP，用下列三個公式之一計算含水飽和度。
1)SWOP=1，採用Simandoux公式的簡化形式:
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式中:Rw、Rt和Rsh分別為地層水電阻率、地層真電阻率和泥岩電阻率。
2)SWOP=2，採用Archie公式:
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式中:a為岩性系數，m為膠結指數，n為Archie公式中的飽和度指數。通常取a=1，n=2，按m=1.87+0.019/φ計算m。當φ>0.1，令m=2.1;當m>4，m=4。
3)SWOP=3，仍用Archie公式，但規定a=0.62，m=2.15，n=2。
(5)計算地層滲透率
POR程序中採用Timur公式計算地層絕對滲透率:
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式中:Swb為束縛水飽和度(%);φ為孔隙度(%);k為絕對滲透率(10－3μm2)。
(6)計算其他輔助地質參數
1)計算地層含水孔隙度φw，與沖洗帶含水孔隙度φxo:
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顯然，兩者之差(φxo－φw)=φ·(Sxo－Sw)表示地層中可動油氣孔隙度，而φ－φw則表示地層中含油氣孔隙度。
2)經驗法估計沖洗帶殘余油氣飽和度Shr:
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式中:SSRHM為殘余油氣飽和度，與含油氣飽和度相關的地區經驗系數(隱含值0.5)。
3)沖洗帶殘余油氣相對體積(Vhr)及殘余油氣質量(mhr):
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式中:ρh油氣密度，g/cm3。
計算這兩個參數的作用在於，當油氣密度可靠時可用Vhr和mhr劃分油氣界面。顯然，對油層來說，Vhr=mhr對氣層Vhr≥mhr。這里是僅就數值而言。
4)累計孔隙厚度(PF)和累計油氣厚度(HF):
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式中:Δh為測井曲線采樣間隔(通常為0.125m或0.1m);φi為第i個采樣點的孔隙度(小數)。
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式中:Swi為第i個采樣點用測井資料計算的含水飽和度。
PF和HF表示從某一深度開始累計得到的純孔隙厚度和純油氣厚度。在解釋成果圖上，通常在某些深度位置上用短線表示，每相鄰短線之間累計孔隙厚度或累計油氣厚度為1m或1ft。處理井段的短線越多，說明地層孔隙越發育或油氣越多。如處理井段共有N個，該井控制面積為S，則處理井段油氣體積Vh=N·So。
5)出砂指數(BULK)
這是用來表示砂岩強度和穩定性的參數，其計算方法出下式給出:
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式中:ρb為密度測井值(g/cm3);Δt為聲波測井值(μs/ft);Ibulk為出砂指數(106lb/in2或≈7.04×108kg/m2)，數值范圍一般在1～10之間。
該參數用於指導採油作業，經驗表明:當Ibulk≥3時，正常求產方式下採油不出砂;否則就會出砂，這時應減小油嘴生產，可不出砂或少出砂。
上述整個POR分析程序的處理過程可用圖7.3.1中的計算框圖指示。
圖7.3.1 POR程序的計算框圖
7.3.1.2 成果顯示
圖7.3.2為測井數據處理成果圖，此圖實際上是一張隨深度變化的岩石物理參數曲線圖，通常由以下幾部分組成。
(1)深度標識區
這部分用於列印深度標記和解釋結論。
(2)地層特性
在泥質砂岩地層中，通常用泥質含量和滲透率的變化說明砂泥岩的地層特性。曲線顯示位於左側第一道。泥質含量曲線一般採用線性刻度，左值為0，右值為100%;滲透率曲線一般採用對數刻度，左值為10000，右值為0.1。
圖7.3.2 POR程序處理成果圖
(3)油氣分析
油氣分析位於成果圖上第二道內。主要包括地層水飽和度曲線、殘余油氣體積和殘余油氣質量。它們均採用線性刻度。三者結合可劃分油、氣、水界面和識別油、氣、水層。POR程序中殘余油氣體積和殘余油氣質量雖能夠被計算出來，但這兩條曲線的應用效果取決於以參數形式提供油氣密度的准確性。因此，有的POR數字處理成果圖上乾脆不顯示這兩條曲線。
(4)孔隙度分析
孔隙度分析也叫流體分析，位於成果圖上第三道，通常包括地層孔隙度φ，含水孔隙度φw和沖洗帶含水孔隙度φxo三條曲線。三者重疊可顯示地層水、殘余油氣和可動油氣的含量。通常殘余油氣塗黑表示，它代表φ－φxo的幅度差;可動油氣打點顯示，它代表φxo－φw的幅度差。
(5)地層體積分析
地層體積分析也叫岩性分析，通常位於數字處理成果圖上第四道。本道通過顯示地層孔隙度、泥質含量和各種骨架礦物的相對體積來表示地層孔隙度和岩性隨地層變化的情況，本道同時應用曲線重疊技術把地層岩性用特定的岩性符號在圖上區分開來。如泥質砂岩剖面上，POR程序用Vsh、Vsand和φ三條曲線重疊就可表示出地層中泥質、砂岩和孔隙相對體積的變化。
7.3.2 復雜岩性分析程序(CRA)
砂泥岩剖面測井分析程序PORP等都是只採用一種孔隙度曲線加上其他有關資料對泥質砂岩進行分析，所以只能求得一種礦物(即石英)成分，剖面上也只能顯示出POR和SH兩條曲線。復雜岩性分析模塊，是基於兩種孔隙度測量資料交會於理論圖版上，可以判斷出岩性含量，從而計算出孔隙度(圖7.3.3)。例如，用A點到灰岩線的距離與在A點處灰岩線到白雲岩線距離的比值，確定A點的白雲岩含量;同理計算出灰岩含量。根據兩條岩性的孔隙度刻度，判斷出孔隙度值。
圖7.3.3 CRA中利用中子－密度交會識別岩性孔隙度
一個理想的兩種骨架成分組成的模型，總的含量應該是:礦物1+礦物2+孔隙度+泥質含量=1。
CRA程序適用於骨架成分兩種以上的復雜的碳酸鹽岩剖面，並且要求至少有兩種孔隙度測井資料。它能計算出兩種或兩種以上的礦物成分和孔隙度、泥質含量、含水飽和度等儲層參數。它除了能計算出一般的砂岩、灰岩、白雲岩和硬石膏之外，還可以加入四種附加礦物，能處理出八種分離礦物。
CRA程序本身還具有編輯功能，並對測井儀器進行校正。用五種方法求孔隙度和礦物體積，用六種方法計算含水飽和度，並有一套較完善的油氣校正方法。
7.3.2.1 CRA程序基本原理
(1)輸入、輸出曲線
程序中最多可以輸入17條曲線，即補償中子(CNL)、體積密度(DEN)、聲波時差(AC)、自然伽馬(GR)、釷(THOR)、鉀(K40)、鈾(UR)、能譜測井總計數率(TC)、井壁中子(PORS)、自然電位SP、深探測電阻率(RT)、淺探測電阻率(RXO)、中子壽命(SGMA)、中子壽命測井(G2)、中子壽命短/長之比(RATO)、釷－鉀指數(TPI)、井徑(CAL)。
值得注意的是:CRA程序在地質方面適合於兩種以上骨架成分，在資料方面要求至少有兩種孔隙度測井資料、一種泥質指示和電阻率資料。
輸出曲線共28條:砂岩體積(SAND)、石灰岩體積(LIME)、白雲岩體積(DOLO)、硬石膏體積(ANHY)、視顆粒密度值(DGA)、視骨架聲波時差值(TMA)、泥質含量(SH)、總孔隙度(PORT)、有效孔隙度(POR)、沖洗帶含水孔隙度(PORF)、PORW地層含水孔隙度、次生孔隙度(POR2)、滲透率(PERM)、平均含烴體積(HYCV)、地層平均含烴重量(YCW)、地層含水飽和度(SW)、沖洗帶含水飽和度(SXO)、微差井徑(CALC)、視地層水電阻率(RWA)、視泥漿濾液電阻率(RMFA)、累計井眼體積(IBV)、釷－鉀指數(TPI)、中子的最終校正值(CNEU)、密度的最終校正值(CDEN)。
(2)主要解釋方程
1)計算孔隙度和礦物體積:
A.用交會方法求孔隙度。對三孔隙度測井曲線進行泥質校正，其校正公式為:
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用交會法計算孔隙度和礦物體積。當PRFG=1時，用中子－密度交會(D/N);當PRFG=2時，用中子－聲波交會(A/N)。
B.用單條測井曲線計算POR。當PRFG=3時，用DEN計算POR:
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當PRFG=4時，用AC計算POR:
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當PRFG=5時，用CNL求POR:
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2)計算地層含水飽和度。當SWOP=1時:
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當SWOP=2時:
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當SWOP=3時，用計算的M值:
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當SWOP=4時:
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當SWOP=5時，用印度尼西亞方程。
當SWOP=6時，用Borai方程。
3)計算滲透率PERM:
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4)計算次生孔隙度:
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5)計算油氣體積和重量
A.油氣相對體積HYC:
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B.油氣相對重量HYCW:
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6)累計油氣體積和孔隙體積:
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圖7.3.4 CRA程序計算實例
7.3.2.2 成果顯示及實例
如圖7.3.4為我國川東北南門場地區的一口井，目的層為嘉陵江組碳酸鹽地層，其岩性主要為灰岩、白雲岩和石膏，故選擇CRA程序進行數據處理。測井響應特徵為:電阻率為200Ω·m，三孔隙度曲線表現為中子值增大，密度值減小，聲波值增大，為氣層響應特徵。用中子－密度交會識別岩性和計算孔隙度，計算的孔隙度約為6.0%～12.0%，滲透率約為20×10－3μm2。因此，解釋以Ⅱ、Ⅲ類氣層。
圖7.3.5 SAND程序計算實例
7.3.3 泥質砂岩分析程序(SAND)
砂泥岩分析模塊，是用兩種孔隙度測井曲線交會，根據各測井資料的砂岩骨架點、黏土點和水點所確定的三角形，凡是落在三角形內的交會點，都可以分析出該點的黏土含量和含水孔隙度，經過油氣校正可以得到地層孔隙度。
SAND程序主要是針對泥質砂岩地層進行分析，通過對骨架點、黏土點和水點的確定，計算出三角形內任意點的含水孔隙度和黏土含量，在計算過程中對泥質和油氣影響進行校正，得到地層孔隙度。還計算出泥質含量、粉砂指數、含水飽和度、滲透率、含烴重量、含烴體積，該程序能判斷煤層。
7.3.3.1 SAND基本原理
(1)輸入、輸出曲線
輸入曲線為:補償中子(CNL)、體積密度(DEN)、聲波時差(AC)、自然電位(SP)、自然伽馬(GR)、井徑(CAL)、深探測電阻率(RT)、淺探測電阻率(RXO)、感應(COND)、井壁中子(SWN)、中子測井(NEU)、來自中子壽命測井的比值曲線(RAT)、中子壽命(NLL)、能譜曲線(SPEC)、泥岩基線(SBL)、用來計算泥質體積的任一測井曲線(SLOG)。
值得注意的是，本模塊的地質適用條件是砂泥岩剖面;需要至少有兩種孔隙度測井資料，深淺電阻率曲線，和泥質指示曲線
輸出曲線為:泥質含量(SH)、地層含水飽和度(SW)、有效孔隙度(POR)、含烴重量(PORH)、含烴體積(PORX)、總孔隙度(PORT)、沖洗帶含水孔隙度(PORF)、地層含水孔隙度(PORW)、微差井徑(CALC)、產能指示(PI)、累計油氣厚度(HF)、累積孔隙度PF、烴密度(DHYC)、碳的體積(CARB)、滲透率(PERM)、地層溫度(TEMP)、分散黏土占總孔隙度百分比(Q)、黏土體積(CL)、煤指示(CI)(等於1時是煤的指示)。
(2)解釋方法
1)計算泥質含量SH。
A.通用方法:
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式中:Glog為由SHFG指定的任一種計算SH的曲線值;Gmax、Gmin為相應曲線的極大值和極小值。
B.選用GR計算泥質時極大值和極小值的深度漂移校正。
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C.選用SP計算時有另外兩種方法。
用輸入的靜自然電位(SSP)和泥岩基線(SBL):
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用輸入的SBL1和SBL2作為泥岩基線:
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D.交會圖法求泥質含量。
當SHF1=0，SHF2=1用NEU－AC交會;
當SHF1=0，SHF2=2用DEN－AC交會;
當SHF1=0，SHF2=3用DEN－NEU交會;
當SHF1=0，SHF2=4用Q求SH。
2)計算孔隙度(POR)和黏土含量(CL)。
採用密度－中子交會的方法來計算地層孔隙度和黏土含量，在計算的過程中用迭代法對輕烴的影響進行了校正。當黏土含量VCL>=37%時，對孔隙度進行泥質校正。
用迭代方法對中子、密度進行反復的泥質、輕烴校正，當視流體密度(DF)=1時，認為已經消除了輕烴的影響，此時的孔隙度用DEN計算即可。
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3)計算地層含水飽和度Sw。
A.當SWOP=1時，用阿爾奇公式，選固定參數值A、M、N值作為輸入參數值。
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B.當SWOP=2時，用Fertl公式:
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式中:b為輸入參數。
C.當SWOP=3時，用阿爾奇公式，參數值這樣選擇:
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如果φ>0.1，m=2.1;如果m>4，m=4;a=1，n用輸入的參數值。
D.SWOP=4時，用如下:
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4)計算滲透率PERM。
A.當PRFL=1時:
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B.當PRFL=2時:
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C.當PRFL=3時
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D.當PRFL=4時:
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E.當PRFL=5時:
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F.當PRFL=6時:
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G.當PRFL=7時:
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H.當PRFL=8時:
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5)計算油氣相對密度和重量。
A.油氣相對密度(DHYC):
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B.油氣相對重量PORH:
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6)累計油氣體積和孔隙體積。
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7.3.3.2 成果顯示及實例
如圖7.3.6為厄瓜多Dorine區塊的一口井。該區塊地層為薄互層泥質砂岩，測井資料又有用中子、密度測井資料，故採用雙礦物交會技術識別岩性和計算地層孔隙度。採用的參數:岩性骨架密度(DG)=2.64g/cm3;流體密度(DF)=0.95g/cm3。圖中最右道為ELANGeoframe的多礦物分析模塊ELAN處理結果和岩心實驗數據(離散數據)。可以看出，SAND計算結果與岩心分析和ELAN處理結果是一致的。
圖7.3.6 SAND程序計算實例1ft≈0.3048m
7.3.4 多功能解釋程序(PROTN)
多功能解釋程序(PROTN)是從油藏物理學的基本概念出發，以油、氣、水在微觀孔隙中的分布和滲流理論為依據，發展而成的多功能解釋系統。該程序以測井信息的還原為基礎，目的在於求解反映地層靜態和動態特性的一系列地質參數，因此，它是多種測井解釋方法的組合。
7.3.4.1 PROTN程序原理
多功能解釋程序PROTN在測井評價方法中引入了一個新的理論———多相流體在微觀孔隙中滲流理論。這一理論認為地層的產液性質主要取決於油、氣、水在孔隙中各自(或相對)的流動能力。也就是說，對一個含油儲集層到底是產油還是產水或是油水同出，完全取決於儲層中油、氣、水的相對滲透率的大小，即取決於油、氣、水在地層孔隙中的相對流動能力。
目前，改程序主要應用於砂泥岩剖面的裸眼井解釋，整個解釋過程採用的仍然是常規測井系列，具有以下三個方面的解釋功能:
1)可用於探井、開發井和調整井全過程的油氣評價。定量確定地層的產液性質、預測其產水率、產油(氣)率和生產能力。
2)可定量描述產層的水淹狀況和剩餘油分布。其中包括定量確定產層的水淹部位、厚度和水淹程度，求解產層的剩餘油飽和度、驅油效率和產水率，揭示它們在層內和層間的分布特點。
3)提供一種有利於全面評價產層，並進一步開展油藏工程研究的測井解釋系統。應用現有的測井信息，目前能夠比較全面地求解9種類型23種地質參數。其中包括:反映儲集層岩性特點的粒度中值和粉砂含量;反映地層產液性質的束縛水飽和度、可動水(或水淹)飽和度、剩餘油飽和度、可動油飽和度、產油率和產水率;反映相滲透率特性的油水相滲透率和有效滲透率;反映油氣層產能的每米採油指數;反映採收程度的驅油效率以及垂直和水平方向的滲透率與其他常規的地質參數。
經過二次開發，PROTN程序還具備自動判別解釋結論的功能。
(1)輸入、輸出曲線
程序要求必須有中子、密度測井曲線、一條泥質指示曲線和電性曲線輸入，有能譜測井曲線時處理結果可以更精確。允許作為輸入的曲線有:自然伽馬測井(GR)、補償中子測井(CNL)、自然電位測井(SP)、密度測井(DEN)、聲波測井(AC)、深電阻率測井RT、電導率(COND)、沖洗帶電阻率(RXO)、井徑(CAL)中子壽命測井(NLL)。
輸出曲線有:有效孔隙度(POR)、含水孔隙(PORW)、沖洗帶含水孔隙度(PORF)、總孔隙度(PORT)、流體孔隙度(PORX)、油氣重量PORH、累計含烴量(HF)、累計孔隙度(PF)、滲透率(PERM)、含水飽和度(SW)、泥質含量(SH)、微差井徑(CALC)、黏土含量(CL)(其值等於SH)、殘余烴密度(DHY)、沖洗帶含水飽和度(SXO)、束縛水飽和度(SWIR)、水的有效滲透率(PERW)、油的有效滲透率(PERO)、水的相對滲透率(KRW)、油的相對滲透率(KRO)、產水率(FW)、泥質和粉砂含量(SHSI)。
(2)主要解釋方程
1)計算泥質體積VSH
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式中: ，SSHLG為SHFG所指定的任一種計算SH的曲線值Gmax、Gmin為相應曲線的極大值和極小值。
2)計算孔隙度φ:
A.用DEN計算:
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B.用AC計算:
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C.用CNL計算:
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3)計算飽和度SW。
飽和度的計算方法有三種:
A.
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B.用計算的M值計算Sw:
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C.用輸入的M值計算Sw:
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4)計算束縛水飽和度Swb:
φ>=0.2時:
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式中:Md為粒度中值。
5)計算相對滲透率(KRO)和(KRW)。
A.一種比較普遍的形式:
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式中:m、n、h是與地層的岩性和固結程度有關的經驗系數，同時也受岩石的潤濕性和
流體的黏度比的影響，它們各自的變化范圍為:
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B.瓊斯方程:
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C.彼爾遜方程:
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D.乘方法:
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6)計算有效滲透率PERO和PERW:
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式中:C為修正系數，其值約為0.6～0.9。
圖7.3.7 PROTN數據處理實例
7)計算絕對滲透率PERM:
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8)計算產水率Fw:
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7.3.4.2 成果顯示及實例
如圖7.3.7為勝利油區孤島油田館陶組的一口井。該段岩性以粉砂岩為主，夾含礫砂、細砂及泥岩。儲層較發育，單層厚度一般在0.9～17.3m，儲層測井響應特徵為:自然電位負異常較大，自然伽馬數值在60～105API左右，深感應電阻率數值在2.0～10Ω·m之間，泥岩電阻率一般為1.0～2Ω·m。3號層(1044.0～1050.1m)，電導率的凸起方向與自然電位負異常呈反向對應關系，氣層特徵明顯，用PROTN數字處理計算的平均孔隙度為38.8%，平均滲透率為3693.0×10－3μm2，含氣飽和度約54.4%，解釋該層為氣層，厚度6.1m。4號層(1139.3～1148.6m)，電導率的凸起方向與自然電位負異常呈反向對應關系，水淹層特徵明顯，用PROTN處理計算的平均孔隙度為35.2%，平均滲透率為1518.5×10－3μm2，含油飽和度約64.8%，綜合分析認為該層為水淹層。
㈡ 自然電位測井
自然電位測井是沿井身測量岩層或礦體在天然條件下產生的電場電位變化的一種測井方法。自然電位測井誕生於1931年，是世界上最早使用的測井方法之一，測量簡便且實用意義很大，所以至今依然廣泛應用。
在生產實踐中人們發現，將一個測量電極放入裸眼井中並在井內移動，在沒有人工供電的情況下，仍能測量到電場電位變化。這個電位是自然產生的，所以稱為自然電位。
1.1.1 井中自然電位的產生
研究表明，井中自然電位包括擴散電位、擴散吸附電位、過濾電位和氧化還原電位等幾種。鑽井泥漿濾液和地層水的礦化度(或濃度)一般是不相同的，兩種不同礦化度的溶液在井壁附近接觸產生電化學過程，結果產生擴散電位和擴散吸附電位;當泥漿柱與地層之間存在壓力差時，地層孔隙中產生過濾作用，從而產生過濾電位;金屬礦含量高的地層具有氧化還原電位。
在石油井中，自然電位主要由擴散電位和擴散吸附電位組成。
1.1.1.1 擴散電位
首先做一個電化學實驗，實驗裝置如圖1.1.1所示。用一個滲透性隔膜將一個玻璃缸分隔成左右兩部分，分別往玻璃缸兩邊注入濃度不同的NaCl溶液(濃度分別為Cw和Cm，且Cw>Cm)，然後在兩種溶液中各插入一個電極，用導線將這兩個電極和一個電壓表串聯起來，我們可以觀察到電壓表指針發生偏轉。
玻璃缸左右兩邊溶液的濃度不同，那麼高濃度溶液中的離子受滲透壓的作用要穿過滲透性隔膜遷移到低濃度溶液中去，這種現象稱為擴散現象。對於NaCl溶液來說，由於Cl－的遷移率大於Na+的遷移率，因此低濃度溶液中的Cl－相對增多，形成負電荷的富集，高濃度溶液中的Na+相對增多，形成正電荷的富集。於是，在兩種不同濃度的溶液間能夠測量到電位差。雖然離子繼續擴散，但是Cl－受到高濃度溶液中的正電荷吸引和低濃度溶液中的負電荷排斥作用，其遷移率減慢;Na+則遷移率加快，因而使兩側的電荷富集速度減慢。當正、負離子的遷移率相同時，電動勢不再增加，但離子的擴散作用還在進行，這種狀態稱為動態平衡。此時接觸面處的電動勢稱為擴散電動勢或擴散電位。
圖1.1.1 擴散電位產生示意圖
在砂泥岩剖面井中，純砂岩井段泥漿濾液和地層水在井壁附近相接觸，如果二者的濃度不同，就會產生離子擴散作用。假設泥漿濾液和地層水只含NaCl，應用電化學知識，可由Nernst方程求出井壁上產生的擴散電位:
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式中:Ed為擴散電位，mV;l+、l－分別為正、負離子遷移率，S/(m·N);R為摩爾氣體常數，等於8.313J/(mol·K);T為熱力學溫度，K;F為法拉第常數，等於96500C/mol;Cw、Cmf分別為地層水和泥漿濾液的NaCl質量濃度，g/L。
在溶液濃度比較低的情況下，溶液的電阻率與其濃度成反比，因此，式(1.1.1)可改寫為:
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式中:Rw、Rmf分別為地層水和泥漿濾液的電阻率，Ω·m。令:
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稱Kd為擴散電位系數，mV。則式(1.1.2)可簡寫為:
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利用式(1.1.3)可以計算溶液的Kd值。當溫度為18℃時，NaCl溶液的Kd值為－11.6mV。
通常情況下，地層水的含鹽濃度大於泥漿濾液的含鹽濃度，即Cw>Cmf，因此擴散結果是地層水中富集正電荷，泥漿中富集負電荷。
1.1.1.2 擴散吸附電位
如果用泥岩隔膜替換上述實驗中的滲透性隔膜，而不改變其他條件，重新進行實驗，會出現什麼現象呢?通過觀察，發現電壓表指針朝相反方向偏轉，表明濃度大的一側富集了負電荷，而濃度小的一側富集了正電荷(圖1.1.2)。
圖1.1.2 擴散吸附電位產生示意圖
用泥岩隔膜將兩種不同濃度的NaCl溶液分開，兩種溶液在此接觸面處產生離子擴散，擴散總是從濃度大的一方向濃度小的一方進行。由於黏土礦物表面具有選擇吸附負離子的能力，因此當濃度不同的NaCl溶液擴散時，黏土礦物顆粒表面吸附Cl－，使其擴散受到牽制，只有Na+可以在地層水中自由移動，從而導致電位差的產生。這樣就在泥岩隔膜處形成了擴散吸附電位。
在砂泥岩剖面井中，泥岩井段泥漿濾液和地層水在井壁附近相接觸，產生的擴散吸附電位可以表示為:
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式中:稱Kda為擴散吸附電位系數，它與岩層的泥質陽離子交換能力Qv有關。在Qv接近極限值的情況下，岩石孔隙中只有正離子參加擴散，可看作Cl－的遷移率為零，因此由式(1.1.3)得到Kda:
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在溶液濃度比較低的情況下，式(1.1.5)可改寫為:
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1.1.1.3 過濾電位
溶液通過毛細管時，毛細管壁吸附負離子，使溶液中正離子相對增多。正離子在壓力差的作用下，隨同溶液向壓力低的一端移動，因此在毛細管兩端富集不同符號的離子，壓力低的一方帶正電、壓力高的一方帶負電，於是產生電位差，如圖1.1.3所示。
圖1.1.3 過濾電位形成示意圖
岩石顆粒與顆粒之間有很多孔隙，它們彼此連通，形成很細的孔道，相當於上述的毛細管。在鑽井過程中，為了防止井噴，通常使泥漿柱壓力略大於地層壓力。在壓力差的作用下，泥漿濾液向地層中滲入。由於岩石顆粒的選擇吸附性，孔道壁上吸附泥漿濾液中的負離子，僅正離子隨著泥漿濾液向地層中移動，這樣在井壁附近聚集大量負離子，在地層內部富集大量正離子，從而產生電位差，這就是過濾電位。根據Helmholz理論，可以得出估算過濾電位的表達式:
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式中:Rmf為泥漿濾液電阻率，Ω·m;μ為泥漿濾液的黏度，10－3Pa·s;Δp為泥漿柱與地層之間的壓力差，101325Pa;Aφ為過濾電位系數，mV。Aφ與溶液的成分、濃度有關。一般認為，在泥餅形成之前，當泥漿柱與地層之間壓力差很大時，才能產生較大的過濾電位。由於油井泥漿柱與地層之間壓力差不是很大，而且在測井時已形成泥餅，泥餅幾乎是不滲透的，上述壓力差降落在泥餅上，因此Eφ常忽略不計。
1.1.1.4 氧化還原電位
由於岩體的不均勻性，當它與泥漿接觸而發生化學反應時，某一部分會因失去電子而呈正極性，另一部分則會因得到電子而顯負極性，因此，二者之間便產生電位差，稱為氧化還原電位。氧化還原電位僅產生於電子導電的固相礦體中，例如煤層和金屬礦。沉積岩中基本沒有氧化還原電位。
1.1.2 自然電位測井原理與曲線特徵
1.1.2.1 自然電位測井原理
自然電位測井使用一對測量電極，用M、N表示，見圖1.1.4。測井時，將測量電極N放在地面，電極M用電纜送至井下，沿井軸提升電極M測量自然電位隨井深的變化，所記錄的自然電位隨井深的變化曲線叫自然電位測井曲線，通常用SP表示。
自然電位測井極少單獨進行，而是與其他測井方法同時測量。例如，自然電位測井可以和電阻率測井同時測量。
1.1.2.2 井中自然電場分布與自然電位幅度的計算
以砂泥岩剖面井為例來說明井中自然電場分布特徵。通常情況下，鑽井過程中採用淡水泥漿鑽進，泥漿濾液的濃度往往低於地層水的濃度。此時，在砂岩層段井內富集有負電荷，而在泥岩層段井內富集正電荷。由擴散電位和擴散吸附電位形成的自然電場分布如圖1.1.5所示。
圖1.1.4 自然電位測井原理圖
圖1.1.5 井中自然電場分布示意圖
在砂岩和泥岩接觸面附近，自然電位與Ed和Eda都有關系，其幅度可由圖1.1.6(a)所示的等效電路求得。在此等效電路中，Ed和Eda是相互疊加的，這就是在相當厚的砂岩和泥岩接觸面處的自然電位幅度基本上是產生自然電場的總電位E總的原因，其值為:
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式中:K為自然電位系數，mV。通常把E總稱為靜自然電位(SSP)，運算時寫為USSP。此時Ed的幅度稱為砂岩線，Eda的幅度稱為泥岩線。
為了使用方便，實際自然電位測井曲線不設絕對零線，而是以大段泥岩對應的自然電位曲線作為其相對基線(即零線)。這樣，巨厚的純砂岩部分的自然電位幅度就是靜自然電位值USSP。而實際上，在井中所尋找的砂岩儲集層大部分是夾在泥岩層中的有限厚的砂岩，如圖1.1.6(b)所示。此時，砂岩層處的自然電位異常幅度不等於SSP，用ΔUSP表示。假設自然電流I所流經的泥漿、砂岩、泥岩各段等效電阻分別是rm、rsd、rsh，由Kirchhoff定律得:
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所以，自然電流為:
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對於厚度有限的砂岩井段，其自然電位幅度ΔUSP定義為自然電流I在流經泥漿等效圖1.1.6 計算USSP、ΔUSP值的等效電路圖
電阻rm上的電位降，即ΔUSP=Irm，從而得到:
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整理得:
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對於巨厚層，砂岩和泥岩層的截面積比井的截面積大得多，所以rmrsd，rmrsh，因此ΔUSP≈USSP。而對於一般有限厚地層則ΔUSP<USSP。
1.1.2.3 自然電位測井曲線特徵
針對目的層為純砂岩、上下圍岩為泥岩的地層模型，計算得到一組自然電位理論曲線，如圖1.1.7所示，它是一組曲線號碼為 (地層厚度/井徑)的ΔUSP/USSP隨深度變化的關系曲線。
理論曲線具有以下特點:曲線相對於地層中點對稱;厚地層(h>4d，d為井徑)的自然電位曲線幅度值近似等於靜自然電位，且曲線的半幅點深度正對著地層界面深度，參見曲線號碼 的曲線，與橫坐標ΔUSP/|USSP|=0.5的直線相交的兩點(即半幅點)正好和對應地層的界面深度一致;隨著地層厚度的變薄，對應界面的自然電位幅度值離開半幅點向曲線的峰值移動;地層中點取得曲線幅度的最大值，隨著地層變薄極大值隨之減小(ΔUSP/|USSP|值接近零)，且曲線變得平緩。
實測曲線與理論曲線的特點基本相同，但由於測井時受井內環境及多方面因素的影響，實測曲線不如理論曲線規則。在早期的測井曲線圖上，自然電位測井曲線沒有絕對零點，而是以大段泥岩處的自然電位測井曲線作基線;曲線上方標有帶極性符號(+，－)的橫向比例尺，它與曲線的相對位置不影響自然電位幅度ΔUSP的讀數。自然電位幅度ΔUSP的讀數是基線到曲線異常極大值之間的寬度用橫向比例尺換算出的毫伏數。現在採用計算機繪制測井曲線圖，與其他常規測井曲線一樣，自然電位測井曲線也具有左右刻度值，見圖1.1.8。
圖1.1.7 自然電位測井理論曲線
圖1.1.8 自然電位測井曲線實例
在砂泥岩剖面井中，鑽井一般用淡水泥漿(Cw>Cmf)，在砂岩滲透層井段自然電位測井曲線出現明顯的負異常;在鹽水泥漿井中(Cw<Cmf)，滲透層井段則會出現正異常。因此，自然電位測井曲線是識別滲透層的重要測井資料之一。
1.1.3 影響自然電位的因素
在砂泥岩剖面井中，自然電位曲線的幅度及特點主要決定於造成自然電場的總自然電位和自然電流的分布。總自然電位的大小取決於岩性、地層溫度、地層水和泥漿中所含離子成分和泥漿濾液電阻率與地層水電阻率之比。自然電流的分布則決定於流經路徑中介質的電阻率及地層的厚度和井徑的大小。這些因素對自然電位幅度及曲線形狀均有影響。
1.1.3.1地層水和泥漿濾液中含鹽濃度比值的影響
地層水和泥漿濾液中含鹽量的差異是造成自然電場中擴散電位Ed和擴散吸附電位Eda的基本原因。Ed和Eda的大小決定於地層水和泥漿濾液中含鹽濃度比值 。以泥岩作基線，當Cw>Cmf時，砂岩層段則出現自然電位負異常;當Cw<Cmf時，則砂岩層段出現自然電位的正異常;當Cw=Cmf時，沒有自然電位異常出現。Cw與Cmf的差別愈大，曲線異常愈大。
1.1.3.2岩性的影響
在砂泥岩剖面井中，以大段泥岩處的自然電位測井曲線作基線，在自然電位曲線上出現異常變化的多為砂質岩層。當目的層為較厚的純砂岩時，它與圍岩之間的總自然電位達到最大值，即靜自然電位，此時在自然電位曲線上出現最大的負異常幅度。當目的層含有泥質(其他條件不變)時，總自然電位降低，因而曲線異常的幅度也隨之減小。此外，部分泥岩的陽離子交換能力減弱時，會產生基線偏移，滲透層的自然電位異常幅度也會相對降低。
1.1.3.3溫度的影響
同樣岩性的岩層，由於埋藏深度不同，其溫度是不同的，而Kd、Kda都與熱力學溫度成正比例，這就導致埋藏深度不同的同樣岩性岩層的自然電位測井曲線上異常幅度有差異。為了研究溫度對自然電位的影響程度，需計算出地層溫度為t(℃)時的Kd或Kda值。為計算方便，先計算出18℃時的Kda值，然後用下式可計算出任何地層溫度t(℃)時的Kda值:
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式中:Kda|t=18為18℃時的擴散吸附電動勢系數，mV;t為地層溫度，℃。Kd的溫度換算公式與Kda的形式完全相同。1.1.3.4 地層水和泥漿濾液中所含鹽的性質的影響
泥漿濾液和地層水中所含鹽類不同，則溶液中所含離子不同，不同離子的離子價和遷移率均有差異，直接影響Kd或Kda值。
在純砂岩井段中，地層水中所含鹽類改變時，Kd也隨之改變，見表1.1.1。因此，不同溶質的溶液，即使在其他條件都相同的情況下，所產生的Ed值也有差異。
表1.1.1 18℃時幾種鹽溶液的Kd值
1.1.3.5 地層電阻率的影響
當地層較厚並且各部分介質的電阻率相差不大時，式(1.1.12)中的rsd、rsh與rm相比小得多，此時對於純砂岩來說ΔUSP≈USSP。當地層電阻率增高時，rsd、rsh與rm比較，則不能忽略，因此ΔUSP<USSP。地層電阻率越高，ΔUSP越低。根據這個特點可以定性分辨油、水層。
1.1.3.6 地層厚度的影響
從圖1.1.7所示的自然電位理論曲線上可以看出，自然電位幅度ΔUSP隨地層厚度的變薄而降低，而且曲線變得平緩。由於地層厚度變薄後，自然電流經過地層的截面變小，式(1.1.12)中的rsd增加，使得ΔUSP與SSP差別加大。
1.1.3.7井徑擴大和泥漿侵入的影響
井徑擴大使井的截面加大，式(1.1.12)中rm相應減小，因此ΔUSP降低。
在有泥漿侵入的滲透層井段所測的自然電位幅度ΔUSP比同樣的滲透層沒有泥漿侵入時所測得的ΔUSP要低。這是由於泥漿侵入使地層水和泥漿濾液的接觸面向地層內部推移的緣故，相當於產生自然電場的場源與測量電極M之間的距離加大，而測量的自然電位下降。侵入越深，測得的ΔUSP越低。
1.1.4 自然電位測井的應用
自然電位測井是一種最常用的測井方法，有著廣泛的用途。
1.1.4.1 劃分滲透性岩層
一般將大段泥岩層的自然電位測井曲線作為泥岩基線，偏離泥岩基線的井段都可以認為是滲透性岩層。滲透性很差的地層，常稱為緻密層，其自然電位測井曲線接近泥岩基線或者曲線的幅度異常很小。
識別出滲透層後，可用自然電位測井曲線的半幅點來確定滲透層界面，進而計算出滲透層厚度。半幅點是指泥岩基線算起1/2幅度所在位置。對於岩性均勻、界面清楚、厚度滿足 的滲透層，利用半幅點劃分岩層界面是可信的。如果儲集層厚度較小，自然電位測井曲線異常較小，利用半幅點求出的厚度將大於實際厚度，一般要與其他縱向解析度較高的測井曲線一起來劃分地層。
1.1.4.2 地層對比和研究沉積相
自然電位測井曲線常常作為單層劃相、井間對比、繪制沉積體等值圖的手段之一，這是因為它具有以下特點，見圖1.1.9。
1)單層曲線形態能反映粒度分布和沉積能量變化的速率。如柱形表示粒度穩定，砂岩與泥岩突變接觸;鍾形表示粒度由粗到細，是水進的結果，頂部漸變接觸，底部突變接觸，漏斗形表示粒度由細到粗，是水退的結果，底部漸變接觸，頂部突變接觸;曲線光滑或齒化程度是沉積能量穩定或變化頻繁程度的表示。這些都同一定沉積環境形成的沉積物相聯系，可作為單層劃相的標志之一。
2)多層曲線形態反映一個沉積單位的縱向沉積序列，可作為劃分沉積亞相的標志之一。
3)自然電位測井曲線形態較簡單，又很有地質特徵，因而便於井間對比，研究砂體空間形態，後者是研究沉積相的重要依據之一。
4)自然電位測井曲線分層簡單，便於計算砂泥岩厚度、一個沉積體的總厚度、沉積體內砂岩總厚度、沉積體的砂泥比等參數，按一個沉積體繪出等值圖，也是研究沉積環境和沉積相的重要資料。如沉積體最厚的地方指出盆地中心，泥岩最厚的地方指出沉積中心，砂岩最厚和砂泥比最高的地方指出物源方向，沉積體的平面分布則指出沉積環境。
圖1.1.9 自然電位測井曲線形態特徵
1.1.4.3 確定地層水電阻率
在評價油氣儲集層時，需要用到地層電阻率資料。利用自然電位測井曲線確定地層水電阻率是常用的方法之一。
選擇厚度較大的飽含水的純砂岩層，讀出自然電位幅度ΔUSP，校正成靜自然電位USSP，並根據泥漿資料確定泥漿濾液電阻率Rmf。對於低濃度的地層水和泥漿濾液來說，利用式(1.1.8)可以求出地層水電阻率Rw。在濃度較高的情況下，溶液的濃度與電阻率不是簡單的線性反比例關系，此時可以引入「等效電阻率」的概念，即不論溶液濃度如何變化，溶液的等效電阻率與濃度之間保持線性反比例關系。式(1.1.8)可以改寫為:
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式中:Rmfe為泥漿濾液等效電阻率，Ω·m;Rwe為地層水等效電阻率，Ω·m。
利用上式可以求出地層水等效電阻率，再根據溶液電阻率與等效電阻率的關系圖版可以求出地層水電阻率。
1.1.4.4 估算泥質含量
自然電位測井曲線常被用來估算砂泥岩地層中的泥質含量，估算方法有以下幾種。
方法一。利用經驗公式估算，當砂泥岩地層中所含泥質呈層狀分布形成砂泥質交互層，且泥質層與砂質層的電阻率相等或差別不大時，地層的泥質含量可用下式求得:
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式中:UPSP為含泥質砂岩的自然電位測井曲線幅度，mV。
方法二。利用岩心分析資料和數理統計方法，找出自然電位與泥質含量之間的關系，建立泥質含量計算模型，然後利用這種模型來求取泥質含量。該方法適合於具有較多岩心分析資料的地區。
1.1.4.5 判斷水淹層
在油田開發過程中，常採用注水的方法來提高油氣採收率。如果一口井的某個油層見到了注入水，則該層就叫水淹層。油層水淹後，自然電位測井曲線往往發生基線偏移，出現台階，見圖1.1.10。因此，常常根據基線偏移來判斷水淹層，並根據偏移量的大小來估算水淹程度。
圖1.1.10 水淹層自然電位測井曲線示意圖
㈢ 關於c語言表達式值的判斷
常見的筆記本故障大全筆記本電腦由於其結構的特殊性，決定了其維修的復雜性。但筆記本電腦終究是電腦的一種，它的維修原理與普通台式機是基本相同的。如果你是一位筆記本電腦用戶，而且對它的維修方面的知識感興趣，那麼你可以參看本文，這里列舉了一些解決筆記本電腦故障的分析處理過程，也許會使你得到一些幫助。
筆記本常見故障-開機不亮-硬體判斷
－－－筆記本電腦主板BIOS出現故障會引起開機不亮
－－－筆記本電腦CPU出現故障筆記本液晶屏無反應,也是開機不亮的原因。
－－筆記本電腦信號輸出埠出現故障會引起開機不亮
－－－筆記本電腦主板顯卡控制晶元出現故障會引起開機不亮
－－－筆記本電腦顯卡出現故障會引起開機不亮
－－－筆記本電腦內存出現故障會引起開機不亮
筆記本電池充不進電-硬體故障判斷
－－－筆記本電腦電源適配器出現故障會引起電池充不進電
－－－筆記本電腦電池出現故障會引起電池充不進電。
－－－筆記本電腦主板電源控制晶元出現故障會引起電池充不進電
－－－筆記本電腦主板其它線路出現故障會引起電池充不進電
筆記本不認外設-硬體故障判斷
－－－筆記本電腦相關外設硬體出現故障會引起筆記本不認外設
－－－筆記本電腦BIOS出現故障設置出錯會引起筆記本不認外設。
－－－筆記本電腦主板外設相關介面出現故障會引起筆記本不認外設
－－－筆記本電腦主板出現故障也會引起筆記本不認外設沒同時筆記本電腦不開機。
筆記本主板出現故障會引發如下現象特徵
－－－筆記本電腦開機後不認筆記本硬碟。
－－－筆記本電腦開機後不認筆記本光碟機。
－－－筆記本電腦電池不充電。
－－－筆記本電腦定時或不定時關機。
－－－筆記本電腦鍵盤不靈。
－－－筆記本電腦開機時有時會掉電。
－－－筆記本電腦定時死機
以上這些故障現象都與筆記本主板相關
筆記本電源適配器引起的故障現象
－－筆記本電腦開機不亮。
－－－筆記本電腦間斷性死機。
－－筆記本電源適配器發熱。
－－筆記本電腦光碟機讀DVD或容易死機或掉電。
－－筆記本電腦運行大行程序容易死機或掉電。
以上這些故障現象都與記本電源適配器相關
筆記本光碟機介紹
筆記本光碟機──機械驅動部分。
筆記本光碟機──激光頭組件。
筆記本光碟機故障主要來自這兩個部位（筆記本光碟機）。
一、驅動機械部分主要由3個小電機為中心組成：碟片載入機構由控制進、出盒倉（載入）的電機組成，主要完成光碟進盒（載入）和出盒（卸載）；激光頭進給機構由進給電機驅動，完成激光頭沿光碟的半徑方向由內向外或由外向內平滑移動，以快速讀取光碟數據；主軸旋轉機構主要由主軸電機驅動完成光碟旋轉，一般採用DD控制方式，即光碟的轉軸就是主軸電機的轉軸。
二、激光頭組件各種光碟機最重要也是最脆弱的部件，主要種類有單光束激光頭、三（多）光束激光頭、全息激光頭等幾類。它實際是一個整體，普通單光束激光頭主要由半導體激光器、半透棱鏡/準直透鏡、光敏檢測器和促動器等零部件構成
筆記本光碟機常見故障解析
筆記本光碟機最常見的故障是機械故障，其次才是電路方面故障，而且電路故障中由用戶調整不當引起的故障要比元器件損壞的故障多得多，所以在拆解或維護光碟機設備時不要隨便調整筆記本光碟機內部各種電位器
筆記本光碟機常見故障主要有三類：操作故障、偶然性故障和必然性故障。
1、操作故障例如驅動出錯或安裝不正確造成在Windows或DOS中找不到筆記本光碟機；筆記本光碟機連接線或跳線錯誤使筆記本光碟機不能使用；CD線沒連接好無法聽CD；筆記本光碟機未正確放置在拖盤上造成光碟機不讀盤；光碟變形或臟污造成畫面不清晰或停頓或馬賽克現象嚴重；拆卸不當造成光碟機內部各種連線斷裂或松脫而引起故障等。
2、偶然性故障筆記本光碟機隨機發生的故障，如機內集成電路，電容，電阻，晶體管等元器件早期失效或突然性損壞，或一些運動頻繁的機械零部件突然損壞，這類故障雖不多見，但必須經過維修及更換才能將故障排除，所以偶然性故障又被稱為"真"故障。
3、必然性故障筆記本光碟機在使用一段時間後必然發生的故障，主要有：激光二極體老化，讀碟時間變長甚至不能讀碟；激光頭組件中光學鏡頭臟污/性能變差等，造成音頻/視頻失真或死機；機械傳動機構因磨損、變形、松脫而引起故障。
需要說明的是必然性故障的維修率不僅取決於產品的質量，而且還取決於用戶的人為操作和保養及使用頻率與環境。
常見故障的判斷
1、開機檢測不到光碟機先檢查一下光碟機跳線跳正確與否；然後檢查光碟機IDE介面是否插接不良，如沒有，可將其重新插好、插緊；最後，有可能是數據線損壞
2、進出盒故障表現為不能進出盒或進出盒不順暢，可能原因及排除方法是，進出盒倉電機插針接觸不良或電機燒毀--可重插或更換；進出盒機械結構中的傳動帶（橡皮圈）松動打滑
3、激光頭故障故障現象表現為挑盤（有的盤能讀，有的盤不能讀）或者讀盤能力差。光碟機使用時間長或常用它看VCD或聽CD，激光頭物鏡變臟或老化。
★敬告大家千萬不要使用市面上銷售的一些低價劣質光頭清潔盤，因為這些盤的刷毛太硬，反而會刮花物鏡，並且還有可能引起靜電危害，縮短光碟機使用壽命。
4、激光信號通路故障指的是激光頭與電路板之間的連接線，是激光頭與其他電路信息交換的通道。此處產生故障較多。。
5、主軸信號通路故障一般情況下，主軸電機與其驅動電路是合二為一的，稱為主軸信號通路，此電路也由一條與激光信號通路連線一樣的連接線連接，只不過股數不一樣罷了。由於它與激光頭信息通路都是由伺服電路進行信息溝通的。因而，在故障現象上有許多相似的地方，但由於激光頭信息通路在進出盒時，其連接線易被拉折而損壞，所以在遇到相同故障現象時應先考慮激光頭信息通路故障，再考慮主軸信號通路故障。
筆記本鍵盤如果出現故障引起的故障現象
筆記本電腦使用的故障主要有開不了機。
筆記本在使用過程中時而出現死機。
筆記本鍵盤的某個鍵出現使用不靈。
硬體故障現象
一、不加電 (電源指示燈不亮)
1. 檢查外接適配器是否與筆記本正確連接，外接適配器是否工作正常。
2. 如果只用電池為電源，檢查電池型號是否為原配電池；電池是否充滿電；電池安裝的是否正確。
3. 檢查DC板是否正常；
4. 檢查、維修主板
二、電源指示燈亮但系統不運行，LCD也無顯示
1. 按住電源開關並持續四秒鍾來關閉電源，再重新啟動檢查是否啟動正常。
2. 外接CRT顯示器是否正常顯示。
3. 檢查內存是否插接牢靠。
4. 清除CMOS信息。
5. 嘗試更換內存、CPU、充電板。
6. 維修主板
三、顯示的圖像不清晰
1. 檢測調節顯示亮度後是否正常。
2. 檢查顯示驅動安裝是否正確；解析度是否適合當前的LCD尺寸和型號。
3. 檢查LCD連線與主板連接是否正確； 檢查LCD連線與LCD連接是否正確。
4. 檢查背光控制板工作是否正常。
5. 檢查主板上的北橋晶元是否存在冷焊和虛焊現象。
6. 嘗試更換主板。
四、無顯示
1. 通過狀態指示燈檢查系統是否處於休眠狀態，如果是休眠狀態，按電源開關鍵喚醒。
2. 檢查連接了外接顯示器是否正常。
3. 檢查是否加入電源。
4. 檢查LCD連線兩端連接正常。
5. 更換背光控制板或LCD。
6. 更換主板。
五、電池電量在Win98 / Win Me中識別不正常
1. 確認電源管理功能在操作系統中啟動並且設置正確。
2. 將電池充電三小時後再使用。
3. 在Windows 98 或Windows Me中將電池充放電兩次。
4. 更換電池。
六、觸控板不工作
1. 檢查是否有外置滑鼠接入並用MOUSE測試程序檢測是否正常。
2. 檢查觸控板連線是否連接正確。
3. 更換觸控板
4. 檢查鍵盤控制晶元是否存在冷焊和虛焊現象
5. 更換主板
七、串口設備不工作
1. 在BIOS設置中檢查串口是否設置為「ENABLED」
2. 用SIO測試程序檢測是否正常。
3. 檢查串口設備是否連接正確。
4. 如果是串口滑鼠，在BIOS設置檢查是否關閉內置觸控板；在Windows 98 或Me的設備管理器中檢查是否識別到串口滑鼠；檢查串口滑鼠驅動安裝是否正確。
5. 更換串口設備。
6. 檢查主板上的南橋晶元是否存在冷焊和虛焊現象。
7. 更換主板。
八、並口設備不工作
1. 在BIOS設置中檢查並口是否設置為「ENABLED」。
2. 用PIO測試程序檢測是否正常。
3. 檢查所有的連接是否正確。
4. 檢查外接設備是否開機。
5. 檢查列印機模式設置是否正確。
6. 檢查主板上的南橋晶元是否存在冷焊和虛焊現象。
7. 更換主板。
九、USB口不工作
1. 在BIOS設置中檢查USB口是否設置為「ENABLED」。
2. 重新插拔USB設備， 檢查連接是否正常。
3. 檢查USB埠驅動和USB設備的驅動程序安裝是否正確。
4. 更換USB設備或聯系USB設備製造商獲得技術支持。「ENABLED」
5. 更換主板。
十、音效卡工作不正常
1. 用AUDIO檢測程序檢測是否正常。
2. 檢查音量調節是否正確。
3. 檢查聲源（CD、磁帶等）是否正常。
4. 檢查音效卡驅動是否安裝。
5. 檢查喇叭及麥克風連線是否正常。
6. 更換音效卡板
7. 更換主板。
十一、風扇問題
1. 用FAN 測試程序檢測是否正常，開機時風扇是否正常
2. FAN線是否插好?
3. FAN是否良好?
4. M/B部分的CONNECTER是否焊好?
5. 主板不良
十二、KB問題
1. 用KB測試程序測試判斷
2. 鍵盤線是否插好?
3. M/B部分的CONNECTER是否有針歪或其它不良
4. 主板不良
軟體故障的分類
十三、驅動程序類
1. 顯示不正常；
2. 音效卡不工作；
3. Modem，LAN不能工作
4. QSB不能使用
5. 某些硬體因沒有載入驅動或驅動程序載入不正確而不能正常使用
十四、操作系統類
1. 操作系統速度變慢
2. 有時死機
3. 機型不支持某操作系統
4. 不能正常關機
5. 休眠死機
十五、應用程序類
1. 應用程序沖突導致系統死機
2. 應用程序導致不系統不能正常關機
3. 應用程序沖突導致不能正常使用
一．電池使用問題
1、新電池需要像手機一樣充電12小時么？
雖然筆記本電腦的電路設計要比手機完善許多，但是為了讓新電池能夠以更好的狀態投入工作，電池的激活和校準工作還是需要進行的，廠商通用的做法是新筆記本在第一次開機時電池應帶有3％的電量，此時，應該先不使用外接電源，而是把電池裡的余電用盡，直至關機，然後再用外接電源充電。然後還要把電池的電量用盡後再充，充電時間一定要超過12小時，反復做三次，以便激活電池。
2、為什麼電池沒用使用電量也減少了？
由於環境濕度和非絕對絕緣環境的影響，電池都存在自然消耗的現象，視電池的新舊程度和品質，3-4天會下降1％左右，所以只要不是大幅度的下降都屬於正常現象。
3、使用電源需要把電池取下么？
一般筆記本電腦的充電設計都是在電量低於95%才會充電的，而且由於自然損耗的存在，所以對於電池的損耗，取下與不取下基本都是相同的，因此是否取下視習慣而定，如果取下建議將電池包裹在保鮮膜內並放置於乾燥陰涼處，且記得1個月左右至少使用一次電池並充電，以避免電池失去活性。
4、電池沒有完全用完就充電是否會減少壽命？
電池的壽命一般按照完全充電次數計算，Li電池一般為300-400次。當然你不必擔心接通電源對電池進行一次充電，哪怕只有一點就會被計算一次，電池的充電次數一般只有當電量累計充至80－90％才會增加一次，所以不用擔心。在此還要說下，筆記本電池通常用的是鋰電池，所以要避免在高溫環境下使用鋰電池，專家研究，高溫狀態下會加速鋰電池的老化過程，並且同樣的不要在極端的低溫環境下使用。低溫環境會降低鋰電池的活性，降低筆記本電池的壽命。定期為鋰電池進行激活處理，就是完全充電和放電，讓鋰電池恢復最大容量。做法就是，關閉所有電源管理，讓筆記本慢慢的放電直至完全沒電，然後在完全充電，重復兩到三次即可。炎熱的天氣里，盡可能的維護好自己的自己的筆記本電池，才能讓筆記本電腦更好的發揮自身的作用。
二．筆記本散熱問題
目前筆記本散熱一般都採用的散熱管散熱、鍵盤對流散熱、溫控風扇三級散熱方式。個人認為技術比較先進的還是IBM和東芝，雖然東芝的本本不被很多人看好。
1、為什麼風扇在開機的時候轉一下就再也不轉了？
由於筆記本電腦的溫控設計，所以開機風扇自檢後就會停止旋轉，只有當機內達到一定溫度時才會加速旋轉，這也是為什麼當你進行高負荷工作，諸如播放高解碼率視頻，3D游戲等時風扇高速旋轉的原因。
2. 使用筆記本應注意周圍環境嗎？
使用筆記本的時候，要注意周圍環境的整潔，通常筆記本最理想的工作溫度是在10℃~35℃，且濕度不要太大。尤其在炎熱的夏季，要保持周圍環境的通風良好, 盡量在空調間里使用筆記本。電腦外殼上的凹槽和開口是用來通風的。為了確保電腦能可靠的工作並防止過熱，請勿阻塞或遮蓋這些開口。請勿將電腦擺放在腿上、床上或者沙發上，這些都是不可取的，柔軟的東西都將筆記本底部的散熱孔堵住，使得筆記本的熱量無法順利導出從而出現故障。可以在機器的底部從後端墊些書本之類的東西（偶用的是紅茶的瓶子蓋），讓筆記本的底面與桌面保持一些空間，筆記本的底部就不會緊貼在桌面上。這樣會有更多的熱量從底部散發出去，或者你也可以加一個散熱的底座來加大筆記本底部風流速度。市場上還出現了一些散熱的外置裝備，類似於U盤之類的或者內置的散熱模塊，不過偶還沒有用過。
3. 關閉筆記本：
當你完成了工作，關閉筆記本，盡量讓你的筆記本好好休息。
不要讓你的筆記本開著的時候放在包包里
。經常清潔通風口，筆記本內置的風扇都有一個通風口。過了一段時間，通風口就會積聚著灰塵，這些灰塵會堵塞通風口。
同時必要的時候你可以用診斷工具測試筆記本的風扇是否工作正常。如果有專門的工具，你也可以打開風扇的地方，清除灰塵。
4. 升級筆記本的BIOS：
有時候，發熱意味著計算機風扇的控制器需要BIOS升級。新版本的BIOS可以使得筆記本風扇工作得更有效率。如果你覺得你的筆記本變得越來越熱，你不妨到網站上查看是否有新的BIOS提供。
筆記本的散熱至今還沒有很完美的，隨著功能的強大，產熱量會越大，這樣的也給散熱系統帶來了壓力，一般的筆記本問題用專業軟體檢測，像現在的這個天氣（室溫在30度左右）CPU和硬碟的溫度大約在60度以上也屬於正常。
三．屏幕問題
1.亮點和壞點
所謂壞點，是指LCD液晶顯示器屏幕上無法控制的恆亮或恆暗的點。壞點的造成是LCD面板生產時因各種因素造成的瑕疵，如可能是某些細小微粒落在面板裡面，也可能是靜電傷害破壞面板，還有可能是製程式控制制不良等等。
壞點分為兩種：亮點與暗點。亮點就是在任何畫面下恆亮的點，切換到黑色畫面就可以發現；暗點就是在任何畫面下恆暗的點，切換到白色畫面就可以發現。一般剛買回來的筆記本或者在買的時候，用軟體檢測下屏幕的亮點或者壞點，一般根據品牌不同，對這個的標准不同德，一般不能多於三個。檢測軟體用MonitorTest就可以了。同時，平時要減少屏幕在日光下暴曬的可能，白天使用，盡量拉上窗簾，以防屏幕受日照後，溫度過高會加快老化
2.如何擦屏幕
如果僅僅是灰塵，那麼可以先用氣吹將灰塵盡量吹去，然後再用濕潤的軟布擦拭，軟布要擰干，否則水可能會順著屏幕表面流入高壓包中造成屏幕損壞。如果是油污或者較難去除的污漬可以購買液晶屏幕專用清潔劑清除，切記不要使用沒有質量保障的清潔劑，否則其中的醇類等腐蝕性化學成分會對屏幕造成損傷。中關村一般賣筆記本帶的是亮潔的清潔套裝，用這個就可以。切忌：勿用手或者硬東西擦拭屏幕。
3是否要貼膜？
本人不建議貼膜，雖說屏幕膜會對它起一個保護作用，但是這個位置一般是傷不到的，貼膜本身的成分會對屏幕有一定得傷害，還會影響散熱。
4.有時候使用電池的時候屏幕會發出吱吱的聲音
一般最新的筆記本沒有這個問題了，老些的電腦或者質量部好的會有這個問題，就這個問題需要從兩方面來解釋：其一，在電池供電的時候，由於筆記本電腦節能特性的作用，整個筆記本電路的電壓是在不斷的變化的，這時通過屏幕高壓包中的通電線圈的電流是處在不斷的變化中的，而這個時候高壓線圈發出的變頻聲也是中學物理知識所涉及的。如果筆記本電腦的電磁屏蔽較差，這種聲音就會被用戶聽到，因此我們說這種現象在一些技術功底較弱的品牌的筆記本電腦中較為常見，實際很多朋友反應電源適配器會發生聲音也是這個原因造成的。其二，這種聲音也可能是高頻噪音，這種聲音和其一所述的聲音最大的不同是高頻噪音是一種會令人抓狂的聲音，相信聽過這種聲音的朋友都會有所體會。一般這種聲音屬於主板設計缺陷，如果情況比較普遍，廠商都會發布解決此問題的BIOS更新文件，比如近期的IBM T40、HP NC6000都不同程度存在這個問題，廠商也已經發布了新的BIOS以供解決。
2012-7-22 18:14:02z股
㈣ 自然電位曲線的應用
（一）劃分滲透性岩層
井內泥漿和地層水的礦化度有較明顯的差別時，滲透性地層在自然電位曲線上一般都有明顯的異常顯示，從砂泥岩剖面上可劃分出滲透性地層。
砂岩層的滲透性好壞和岩石中含泥質多少有直接關系，而自然電位曲線也受岩石中泥質含量的影響。一般滲透性好的地層（岩粒粗、分選好、含泥少），在地層水礦化度大於泥漿礦化度的情況下，自然電位為較大的負異常；滲透性差、緻密的地層（岩粒細、分選差、含泥多），自然電位為較小的負異常。因此根據自然電位曲線可以粗略判斷岩層的滲透性。
砂岩層含有泥質夾層，自然電位曲線能清楚地反映出來。所以，不僅利用自然電位曲線定性地劃分滲透性地層，還可以綜合利用自然電位曲線和微測井曲線，確定儲層有效厚度。
（二）確定地層水電阻率
確定地層水電阻率時，要選擇地層厚度足夠大、泥漿侵入不明顯、泥質含量低的含水砂層。根據岩層電阻率、地層厚度和井徑等數據，把自然電位值校正到靜自然電位（USSP≈Eda），然後利用關系式，在已知Kda、Rmf值情況下，求出地層水電阻率Rw。
步驟歸納如下。
1）從自然電位曲線上讀出幅值USP，然後利用圖1-53按已知地層厚度h、岩層電阻率Rt和泥漿電阻率Rm，求出校正系數α（自然電位/靜自然電位），則靜自然電位SSP（或擴散吸附電動勢）為
地球物理測井
2）根據已知的地層溫度和擴散吸附電動勢系數，計算地層溫度下的擴散吸附電動勢系數：
地球物理測井
3）根據按式求出比值。這一步可按圖1-56所示圖版進行。圖版的橫坐標為靜自然電位，縱坐標為，曲線模數為溫度。根據已知的SSP值，在縱坐標軸上找出對應的點，由該點引垂線向上交於模數為已知溫度的線上，由該交點引水平線交於橫坐標軸一點，則該點讀數即為。
4）根據本地區Rm與Rmf關系數據表讀出Rmf；則地層水電阻率為
地球物理測井
在濃度高或其他水型時，濃度和電阻率就不保持准確的反比關系。因此，Rw和Rmf都是某一等效值（Rw）e和（Rmf）e，按上面求得的比值為。
地球物理測井
根據泥漿電阻率求出的Rmf，如果大於0.1 Ω·m，則根據經驗可以取（Rmf）e=0.85Rmf。如果小於0.1 Ω·m，則利用圖1-57實線部分由Rmf找出（Rmf）e。由（Rmf）e按下式求出（Rw）e：
地球物理測井
最後利用圖1-58求出Rw。
（三）計算泥質含量
砂岩儲集層中泥質是影響油氣層滲透性和孔隙性的關鍵因素之一，同時又是其沉積環境的指示標准。因此，在進行測井定量解釋時，首先要計算出地層泥質含量。從自然電位測井方法的原理可知，其受到泥質含量的影響，因而可用來求泥質含量。求泥質含量的基本思路是：利用實驗直接建立起自然電位（經岩層厚度和電阻率校正）和泥質含量的關系或泥質地層與砂岩地層自然電位比值和泥質含量的關系。根據這種關系，不難建立起自然電位曲線確定泥質含量的經驗公式。
1.自然電位減小系數法
自然電位減小系數α：
地球物理測井
式中UPSP為假靜自然位，即解釋地層相當厚時的自然電位幅度，或在經厚度校正的薄層的USP值。則泥質含量Vsh經驗公式：
圖1-56 根據靜自然電位確定視地層水電阻率
圖1-57 鹽水泥漿的Rmfe關系曲線
地球物理測井
其中USSP為純厚砂岩的靜自然電位。
2.自然電位曲線異常幅度相對值法
自然電位曲線異常幅度的相對值求泥質含量方法，首先用岩心資料建立自然電位曲線異常幅度相對值TSP與含泥量Vsh的關系，即
地球物理測井
式中USP為經過層厚和電阻率校正的解釋地層的自然電位異常幅度；USP，max為標准層（純砂岩或含泥量在區域內穩定的地層）的自然電位異常幅度。比值TSP與Vsh的關系由實驗確定，當已知TSP之後便可以求出泥質含量。
用自然電位測井方法計算泥質含量，影響因素很多，所估計出的Vsh值反映的是泥質含量的上限值。為此，應盡可能多地採用幾種測井方法單獨計算泥質含量，然後取其中最小值作為泥質含量參數。例如，在砂泥岩剖面中，最多可採用五種常規測井方法計算泥質含量，即自然伽馬（GR）、自然電位（SP）、補償中子（CNL）、地層電阻率（RT）、中子壽命（NLL）。各種測井方法統一按以下經驗公式計算泥質含量：
地球物理測井
圖1-58 等效電阻率圖版
地球物理測井
式中：CSHLG為解釋層第i種測井曲線讀數；CGMIN為純砂岩層第i種測井曲線讀數；CGMAX為純泥岩層第i種測井曲線數值；LSH為解釋層第i種測井曲線相對值；G為地區經驗系數，由實驗資料統計獲得；Vshi為由第i種測井方法求出的泥質含量。
㈤ 用等電位法求解等效電路
等效電阻法是最常用的方法。串聯電路的等效電阻等於各串聯電阻之和。如兩個電阻串聯，有R=R1+R2。理解：把n段導體串聯起來，總電阻比任何一段導體的電阻都大，這相當於增加了導體的長度。
並聯電路的等效電阻的倒數等於各支路電阻的倒數之和。如兩個電阻並聯，有1/R=1/R1+1/R2。理解：把n段導體並聯起來，總電阻比任何一段導體的電阻都小，這相當於增加了導體的橫截面積。
(5)自然電位計算電阻率c語言程序擴展閱讀：
任何一個有源線性二端網路，對外電路來說，都可以用一個等效電流源來代替。等效電流源的源電壓等於有源二端網路的短路電流。
等效內阻等於有源二端網路所有電源作用等於零（理想電壓源短接，其源電壓為零；理想電流源開路，其源電流為零）後所得無源二端網路a,b間的等效內阻，這就是諾頓定理。
當用兩個電源分別對同一電路或負載供電時，兩個電源輸出的電流及端電壓完全相同，則說這兩個電源作用等效。如果兩個電流源為電流源和電壓源，兩者可以互換。電流源與電壓源轉換遵從以下原則：US=ISR0 (電流源內阻等於電流源內阻)。