⑴ DDR和RAM的內存區別
內存也是計算機系統里的重要配件，它的數量多少，質量好壞直接影響著整個系統的性能以及穩定性。今天，我就把關於內存的幾個主要參數給大家介紹一下，希望在大家購買和使用內存的時候能夠從中得到幫助。
同步動態隨機存儲器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133規范所廣泛使用的內存類型，它的帶寬為64位，3.3V電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它與CPU使用相同的時鍾頻率進行數據交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
雙倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又簡稱DDR，由於它在時鍾觸發沿的上、下沿都能進行數據傳輸，所以即使在133MHz的匯流排頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標准。它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系，製造成本比SDRAM略高一些，但仍要遠小於Rambus的價格，因為製造普通SDRAM的設備只需稍作改進就能進行DDR內存的生產，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與Rambus相抗衡的內存發展的一個方向。
介面動態隨機存儲器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未來內存的發展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的數據量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（不低於300MHz），但其數據通道介面帶寬較低，只有16位，當工作時鍾為300MHz時，Rambus利用時鍾的上沿和下沿分別傳輸數據，因此它的數據傳輸率能達到300×16×2/8=1.2GB/s，若是兩個通道，就是2.4GB/s。它與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數僅為普通DRAM的三分之一。
虛擬通道存儲器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多數最新的主板晶元組都支持的一種內存標准，VCM是由NEC公司開發的一種的「緩沖式DRAM」，該技術將在大容量SDRAM中採用。它集成了所謂的「通道緩沖」，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著與傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不管數據是否經過CPU處理都可以先行交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，這就是為什麼VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上的原因。
⑵ 什麼是DDR
DDR是雙倍數據速率(Double Data Rate)。DDR與普通同步動態隨機存儲器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標准DRAM有所不同。
標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（RAS）鎖存在DRAM晶元。緊隨RAS命令之後，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。
同步動態隨機存儲器（SDR DRAM)由一個標准DRAM和時鍾組成，RAS、CAS、數據有效均在時鍾脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鍾指示，可以預測數據和剩餘指令的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由於數據有效窗口的可預計性，所以可將存儲器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈沖串模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同源的數據進行再現。
DDR存儲器與SDR存儲器工作原理基本相同，只不過DDR在時鍾脈沖的上升和下降沿均讀取數據。新一代DDR存儲器的工作頻率和數據速率分別為200MHz和266MHz，與此對應的時鍾頻率為100MHz和133MHz。
⑶ FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有啥區別各有什麼作用用在那
Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。
DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。
RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存
DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存
⑷ ddr內存是什麼
內存第二代產品的簡稱
⑸ DDR內存和DIMM是什麼關系
DDR(Double Data Rate)：雙數據速率；
DIMM(Dual In-line Memory Mole)：雙面引腳內存；
就象我們越來越熟悉Rambus和PC133一樣，一個新的名詞DDR出現在我們面前。我們經常被問到："什麼是DDR？"簡單的回答就是"雙數據速率同步DRAM。它以兩倍的速度傳輸數據。"那麼，它意味著什麼呢？
DDR的歷史
在1997年，我們在JEDEC存儲器會議上第一次看到了配備DDR內存的PC。那時，DDR內存只由Samsung製造和推廣。主板上的晶元組是DDR可選的VIA M3。其數據傳輸速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了兩個小時。
雖然第一塊帶有DDR內存的主板工作的並不很好，但是它給了半導體界足夠的信心去繼續發展DDR的商業產品。DDR存儲器協會和任務組的目的就是繼續優化DDR存儲器結構。同時，Rambus內存也在此時出現來參與競爭。
什麼是DDR？
DDR非常類似常規的同步DRAM，不象Rambus是基於數據包概念工作的。普通的同步DRAM（我們稱之為SDR）是從標准DRAM演化而來的。
標准DRAM接收兩個字的地址命令。它以復用方式節省輸入管腳。第一個地址字由行地址選通信號（RAS）存貯在DRAM晶元中。隨後是列地址選通信號（CAS）以存貯第二個地址字。緊接著Ras和Cas選通，所存儲的數據就可以被讀取了。
SDRAM將時鍾加入到標准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和數據有效都發生在每個時鍾周期的上升沿。由於時針周期，數據的位置和其它的信號都可以被預測。因此，數據讀取指針就可以被非常精確的定位。因為數據的有效窗口很容易被預知，所以內存也被分為四個存儲體以便內部單元預充電和預讀取。同時，它還可以用突發模式進行連續地址讀取而不必重復Ras選通信號。只需用連續的Cas選通信號就可以把同一行中的數據順序讀出。
除了數據在時鍾的上升沿和下降沿都可以讀取以外，DDR內存的工作模式與SDR很相似。因此，單一時鍾頻率可以使數據傳輸的速率兩倍於時鍾頻率。新一代的DDR內存將工作在200 Mhz和266 Mhz的數據速率。
DDR DRAM的設計
第一代的DDR內存（通常稱為DDR 1）有很多新特性。
它的標準是4個內部存儲體以減少時延（隨機存取訪問的建立時間）。
它的雙數據傳輸結構是2倍的預讀取設計，可以在每個時鍾周期內傳輸2 個數據字。
DQS指針在讀周期由DDR發送，而在寫周期由控制器發送，它應用於對齊數據。輸入輸出數據均參照DQS信號。
DDR DRAM以差動時鍾信號工作，以使噪音干擾最小。
突發（連續數據輸出）模式可以被編程為2、4或8個突發長度。
晶元中包括一個DLL（數據瑣向環）以幫助鎖定和調整內部時鍾。
I/O介面工作在2.5V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref參考電壓。
一些早期的DDR產品工作在3.3V的VDD電壓，當低電壓技術成熟時，它最終將改變成2.5V，以達到節能的目的。
機械封裝
標準的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封裝，類似於標准SDRAM封裝。管腳間距為0.65mm。這使得它可以適用於常規的PCB裝配板，而無需特殊的組裝設備。64Mbit晶元、128 Mbit晶元、256 Mbit晶元和512 Mbit堆積式晶元是管腳兼容設計，這樣可方便地應用統一的DIMM PCB。
DDR模塊和選項
標準的DDR內存條是184 pin DIMM。它很象標準的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一個凹槽而不是SDR上的2個凹槽。組件的長度也是5.25英寸以節省寶貴的主板空間。
標准化協會定義了兩種不同配置的DDR內存條。第一種是無緩沖DDR DIMM，它成本低，可應用在PC和Internet設備上。第二種是緩沖DDR DIMM，它將板上PLL與緩存結合在一起，應用於較高存儲密度的伺服器應用。
DDR的設計中還包括了可用於內存條上FET開關的可選控制信號。這種設計用於高存儲密度工作站中存儲器輸出的雜訊隔離。
工業標准也規定了貯存在EEPROM晶元中的特定的SPD。
將來會出現支持特殊市場的200針SODIMM模塊和232針模塊，無論怎樣，基本特點和功能是相同的。
DDR的價格
談到價格，DDR在開始階段會比SDR高10%~15%，然而，由於幾乎相同的晶片(DIE)尺寸和結構，很快就會實現價格齊平。我們會發現存儲器廠商會將 DDR和SDR設計 在相同的晶片上 。那時，價格差異將非常小。
至於DDR模塊，由於無需特殊的組裝與測試設備，184針非緩沖模塊的出廠價和銷售價都會相對較低，額外售價會對緩沖模塊和特殊配置模塊收取。
結語
由於DDR是具有突出性能和低價格的演進產品，計算機行業會很快採用它。從今夏至2003年，它都會在業界盛行，直至下一代存儲器出現。
⑹ DDR、RAM和DRAM都是指的內存，那麼它們三者有什麼聯系嗎怎麼會有這三種說法
ram是隨機存儲器。dram是動態隨機存儲器（這和前者沒什麼不同）或者直接隨機存儲器（直接是指和CPU某種程度上直聯）。ddr 是指雙通道的ram。
隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
存儲器是數字系統中用以存儲大量信息的設備或部件，是計算機和數字設備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。
⑺ FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有什麼區別各有什麼作用
Flash存儲器：
它屬於內存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
DDR存儲器：
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
RAM存儲器：
存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(英文:Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器(英文Dynamic RAM，DRAM)。
SRAM存儲器：
是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。
DRAM存儲器：
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
⑻ SDRAM與DDR有什麼區別
SDRAM和DDR的具體區別如下：
1、傳輸速率存在差異：
傳統的sdram只能在信號的上升沿傳輸數據，而ddr只能在信號的上升沿和下降沿傳輸數據,因此，ddr存儲器在每個時鍾周期內數據傳輸量是sdram的兩倍，這也是ddr雙數據率、雙數據率的含義。
2、外觀槽存在差異：
ddr在形狀和體積上與sdram區別較小，它們有相近的尺寸和針距，標准DDR內存模塊是一個184針的DIMM（雙面針內存模塊）。ddr與標準的168針sdram非常相似，最大的區別是ddr只使用一個槽，而sdram使用兩個槽。
3、設計存在差異：
與sdram相比，ddr採用了更先進的同步電路，使得指定地址和數據的發送和輸出的主要步驟不僅獨立，而且與cpu完全同步。
DDR使用延遲鎖定循環技術，當數據有效時，存儲控制器可以使用此數據濾波信號精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同內存模塊的數據。
⑼ ddr是什麼東西啊
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
⑽ DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有啥區別有什麼作用這些在立創都可以買到嗎
RAM包括SRAM和DRAM，即靜態存儲器和動態存儲器，現在電腦中用的是動態RAM，價格便宜，但需要不斷刷新，DDR是DRAM的一種,單片機系統中常用的是靜態RAM，容量小。