㈠ FRAM存儲器/MB85RC16PNF-G-JNERE1元器件有什麼用途，在立創商城中的MB85RC16PNF-G-JNERE1好不好
品牌： FUJITSU(富士通）
廠家型號： MB85RC16PNF-G-JNERE1
供應商：拍明芯城
封裝規格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.000314 KG
屬性： 參數值
商品目錄： FRAM存儲器
存儲器構架(格式)： FRAM
存儲器介面類型： I2C
存儲器容量： 16Kb (2K x 8)
工作電壓 ：2.7V ~ 3.6V
存儲器類型： Non-Volatile
㈡ FRAM和EEPROM的區別,可以共用嗎
非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導體產品供應商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性FRAM器件——FM25L512，帶有高速串列外設介面(SPI)。該款器件採用8管腳微型封裝，能夠提高數據採集和存儲能力，並且削減應用成本和PCB空間，應用領域從多功能列印機到工業用電機控制器等。
Ramtron 副總裁Mike Alwais稱：「FM25L512為我們的256Kb 串列FRAM用戶在相同的小佔位面積中提供雙倍的存儲容量。這樣，系統設計人員在下一代的列印機和電機控制設計中，無需增大線路板面積便可提高數據採集能力。」
Ramtron 的FM25L512是帶有工業兼容SPI介面的512Kb非易失性FRAM，充分發揮了FRAM技術的高速寫入能力。該硬體上可以直接替代相應的EEPROM，而且性能更佳，並能以高達20MHz的匯流排速度執行無延時的讀寫操作，同時提供10年的數據保存能力，以及幾乎無限的讀寫次數和極低的工作電流。FM25L512 器件的工作電壓為3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工業溫度范圍內操作。
對於那些需要頻繁且快速寫入操作及/或低功耗工作的應用而言，FM25L512的性能凌駕同類的非易失性存儲器解決方案。這些應用包括從先進的數據採集 (該應用中讀寫壽命非常重要) 到要求嚴苛的工業控制 (該應用中較長得寫入等待時間和較短得讀寫壽命會導致數據丟失) 等各種應用。與串列EEPROM 不同，FM25L512能以匯流排速度執行無等待寫入操作，而且功耗更低。
Ramtron目前提供8管腳「綠色」/RoHS TDFN (薄型雙排引腳扁平無鉛) 封裝的FM25L512樣件，與SOIC-8封裝管腳兼容，訂購1萬片的起價為每片7.61美元。
㈢ 常見的非易失性存儲器有哪幾種
常見的非易失性存儲器有以下幾種：
一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）
其內部有行列式的鎔絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。
二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。
四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
五、快閃記憶體：Flash memory
是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。
㈣ FRAM鐵電存儲器較EEPROM有什麼優勢
FRAM與工業標准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；讀寫次數超過1萬億次（5V）、無限次（3.3V），寫速度快，沒有寫等待，按位元組操作；操作更省電，寫入功耗僅為EEPROM的1/20
㈤ FRAM和EEPROM關系
FRAM即鐵電存儲器，利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，其的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如EEPROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。
㈥ 鐵電存儲器FRAM的FRAM優勢
FRAM有三種不同的特性使其優於浮柵技術器件：
1. 快速寫入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列舉了FRAM在一些行業應用領域中與其他存儲器相比較的主要優勢：
頻繁掉電環境
任何非易失性存儲器可以保留配置。可是，配置更改或電源失效情況隨時可能發生，因此，更高寫入耐性的FRAM允許無任何限制的變更記錄。任何時間系統狀態改變，都將寫入新的狀態。這樣可以在電源關閉可用的時間很短或立即失效時狀態被寫入存儲器。
高雜訊環境
在嘈雜的環境下向EEPROM寫數據是很困難的。在劇烈的噪音或功率波動情況下，EEPROM的寫入時間過長會出現漏洞（以毫秒衡量），在此期間寫入可能被中斷。錯誤的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的寫入執行窗口少於200ns。
RFID系統
在非接觸式存儲器領域里，FRAM提供一個理想的解決方案。低功耗訪問在RFID系統中至關重要，因為，能源消耗是以距離成指數下降的。想要以最小的能耗讀寫標簽數據就必須保持標簽有足夠近的距離。通過對射頻發射機和接收機改進寫入距離，降低運動的靈敏性（區域內的時間）以及降低射頻（RF）功率需求，使需要寫入的應用（i.e.借記卡，在生產工序中使用的標簽）獲得優勢。
診斷和維護系統
在一個復雜的系統里，記錄系統失效時的操作歷史和系統狀態是非常寶貴的。如果沒有這些數據，能夠准確的解決或執行需求指令是很困難的。由於FRAM具備高耐久性的特點，可以生成一個理想的系統日誌。從計算機工作站到工業過程式控制制不同的系統，都能從FRAM中獲益。
㈦ 誰能給我講講FRAM產品是容量越大越好嗎最好能舉個例子對照著給我講！
FRAM就是鐵電存儲器，運用了鐵電效應，是一種高性能的非易失性存儲器，結合了傳統非易失性存儲器（快閃記憶體和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的優點, 在高速寫入、高耐受力、低功耗和防竄改方面具有優勢。
以富士通的V系列的FRAM產品MB85RC256V為例:
256Kb存儲容量基本能滿足很多領域的要求,不過具體選用多大容量的FRAM要看每種領域的具體要求；1012次的讀寫次數，這個是凸顯它的卓越的讀寫能力的，比較適合需要頻繁更新數據的領域, 1012 次讀寫次數基本上已經能滿足當今所有領域的要求；+85度數據能保存10年，這個應該說是FRAM的一個亮點，比較適合需要長期存儲數據的領域；每一個FRAM都會有電壓范圍，不同電壓范圍適合不同領域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作電壓范圍就比較適合工業控制領域。
當然在這里不能給你一一舉例子，相信隨著你的學習，你會發現FRAM其實是個很簡單的東西，知道原理後，做應用就會變得很容易。
㈧ 鐵電存儲器FRAM的SRAM的取代和擴展
鐵電存貯器（FRAM） 快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。
在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗, 成本, 空間，同時增加了整個系統的可靠性。最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。
典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。
㈨ 鐵電存儲器有無國產品牌
國內沒有生產線，也沒有國產的品牌。鐵電技術原來只有RAMTRON一家掌握，富士通做代工廠後取得了RANTRON鐵電的生產權。目前品牌只有RANTRON和富士通兩家。不過，RAMTRON自己沒有生產線，目前RAMTRON生產的鐵電是美國的IMB和TI代工的。2012年9月RAMTRON被塞朴拉斯收購，估計明年就不再用RAMTRON這個廠商名了。
㈩ 在立創商城中的FRAM存儲器有哪些品牌
FUJITSU(富士通)；
RAMTRON；
CYPRESS(賽普拉斯)；
他們的FRAM存儲器就這3個品牌