『壹』 Keil C51 選擇COMPAC存儲器模式是否需要擴展片外RAM
不一定，取決於你所用的51單片機。當今的51單片機有很多都在片內擴展了SRAM。如果實在沒有也可以擴展片外SRAM。
至於如何擴展，任何一本講述51單片機的教材或培訓書籍都有，網上也有大把大把的資料。
『貳』 三星I699，連接上數據線以後顯示僅能充電，怎麼設置為大容量存儲器模式在哪兒設置啊
需要下載驅動；
把手機與電腦連接後在「我的電腦」中會顯示可移動磁碟即可使用；
若仍無法連接，可通過Kies軟體工具-重裝設備驅動嘗試；通過手機屏幕頂簾下拉選擇MTP設備。
『叄』 存儲器的分類
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
根據組成元件的不同，ROM內存又分為以下五種：
1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。
5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
『肆』 硬碟dma，ahci，ide等模式應該怎麼選擇
DMA是直接內存訪問Direct Memory Access（存儲器直接訪問）。這是指一種高速的數據傳輸操作，允許在外部設備和存儲器之間直接讀寫數據，既不通過CPU，也不需要CPU干預。整個數據傳輸操作在一個稱為"DMA控制器"的控制下進行的。DMA是快速的傳輸模式，開啟後能增加硬碟或光碟機的讀取速度。如果硬碟支持DMA模式，就應該打開該模式。
IDE模式屬於並口傳輸模式，也就是ATA模式，廣泛運用與2004年之前，理論上最大傳輸數據的速度為133mb/秒，
AHCI模式屬於新技術，屬於串口傳輸模式，也就是SATA模式，傳輸速度也很快，理論上可以達到300MB/秒。AHCI模式，就是一種新型的硬碟演算法，它可以提高機械硬碟的性能，使系統的運行速度更快。比IDE更先進的是它可以提供和支持更多的功能。
『伍』 進入手機設置里，選擇連接，選擇數據連接，在USB模式里選擇大容量存儲器
你是想說，手機USB連接電腦後，無法與電腦正常連接，看不到內存卡中信息，對嗎？
如果你是I9308的手機，那就是安卓的系統：請按照一下步驟。
1、在手機設置中，勾選USB調試選擇項。
2、下載360手機助手。
3、連接手機，打開360手機助手，自動安裝手機驅動程序。
4、等待安裝完成，直到在360手機助手工具界面上看到你的手機界面。則成功！
『陸』 如何在keil軟體中設置單片機系統的存儲器模式
新建工程，點擊 Options for Target xxx，在 Target 標簽頁下，有 Memory Model（存儲器模式）下拉菜單。
可選 Small、Compact 和 Large 三種模式，分別會把變數默認聲明到 data 區、pdata 區以及xdata 區。
『柒』 cf卡中io mode和memory mode有什麼區別
CF卡有3種工作模式可供選擇：I／O模式、存儲器模式和IDE模式。CF卡的默認模式是存儲器模式，使用也最為普遍。如果使用存儲器模式則不需要配置任何寄存器。每一種模式的電路連接各不相同。在I／O模式和存儲器模式下，可以採用8位的訪問方式，也可以採用16位的訪問方式。
『捌』 C51 選擇COMPAC存儲器模式是否需要擴展片外RAM
只有老式只有內部data ram的單片機需要擴展，
隨著技術的發展，現在大都單片機並不需要擴展，已經包括了大容量CODE flash ，和超過256 byte 的ram memory ,選擇COMPACT 和LARGE存儲器模式，只要符合晶元的容量即可。
你可參考宏晶單片機 等來實現。
『玖』 什麼是平坦定址存儲器模式
WINDOWS系統下的32位程序在內存中的布局被稱為平坦內存模式，這種模式雖然只有一個段，卻同時包了含代碼和數據。但是，這種模式只能運行在386或更高的處理器上。
早期的16位程序，由不同的段組合而成，且每個段的地址重定位有64K的限制。而平坦內存模式下，程序無需進行地址重定位，內存訪問范圍達到4G寬度。其優點是，匯編程序更容易編寫，且代碼執行速度更快。
在32位WINDOWS程序中，所有的段寄存器依然存在，但是都被設置成了同一個值，這表明，段寄存器和地址重定位已經無須使用了。
對於那些DOS程序員來說，可以發現32位WINDOWS PE程序其實和DOS的COM程序很類似，區別是PE只有一個段，段里同時包含了代碼和數據，而COM程序在只有一個段的時候，也不進行地址重定位，和PE一樣，直接使用偏移地址就可以正常運行了。
平坦內存模式下，無論是代碼還是數據的地址，在整個4G范圍內，默認都是NEAR的。
還有兩個段寄存器是FS和GS，通常在程序中時不使用，只有涉及到操作系統指令時才用到。
『拾』 求助：關於keil C51軟體存儲器模式問題
這個問題很多變的啦，small存儲模式的數據存儲在DATA區裡面，compact存儲模式的數據存儲在IDATA里，large存儲模式的數據存儲在XDATA里，一般默認的都是small模式，因為單片機在不加外擴RAM的時候變數區就那麼大，假設你將small存儲模式改為large存儲模式，但是沒有外擴RAM，因為samll和large的對變數的匯編訪問方式不同，程序不就亂了。
我是這么理解的額。