『壹』 誰知道手機內存中的RAM和ROM分別是什麼嗎
ROM是只讀存儲器,斷電後能保證數據不會丟失,一般保證比較重要的數據.
RAM是隨機存儲器,斷電後數據會丟失.
ROM和RAM指的都是半導體存儲器。本來的含義是：ROM是Read
Only
Memory的意思，也就是說這種存儲器只能讀，不能寫。而RAM是Random
Access
Memory的縮寫。這個詞的由來是因為早期的計算機曾經使用磁鼓作為內存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設備。RAM則可以隨機讀寫
現在ROM通常指非揮發的存儲器，或者說，不掉電。系統停止供電的時候它們仍然可以保持數據。所以光碟也有CD-ROM或者DVD-ROM的說法。而RAM通常都是沒電之後就沒有數據的，典型的就象計算機的內存，需要系統重新啟動的時候從硬碟重新載入數據。有的時候，如果數據可以擦寫，也會借用RAM這個概念，譬如DVD-RAM，其實只是可以擦寫的DVD光碟而已，並非真正的半導體存儲器
關於智能手機ROM和RAM的區別
存儲器分為隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩種。其中ROM通常用來固化存儲一些生產廠家寫入的程序或數據，用於啟動電腦和控制電腦的工作方式。而RAM則用來存取各種動態的輸入輸出數據、中間計算結果以及與外部存儲器交換的數據和暫存數據。設備斷電後，RAM中存儲的數據就會丟失。
對於手機而言
運行游戲、程序速度快慢看的是RAM，也就是動態內存，不是看ROM。ROM是靜態空間，用來存儲東西的，相當於手機的Z盤。RAM和ROM就好比是電腦的內存和硬碟。C盤准確的來講也不應該叫ROM只讀存儲器。C盤應該叫FLASH，因為C盤是可擦寫的，而FLASH的大小並不影響運行速度。
希望可以幫到你！
『貳』 手機的隨機讀寫和順序讀寫是什麼有什麼區別有什麼用
手機讀寫一般指中央處理器（也就是手機晶元，如麒麟990、天璣1000+）收到操作命令後從內存（RAM）和永久存儲晶元（ROM）讀取數據（後者是間接的，必須存入RAM）。如果你只用一個程序（APP），那就是順序讀取內存（RAM）中的數據，實際情況是不可能的，因為我們不可能只用一個程序（APP），基本上都是隨機讀寫數據。只有在測試的時候才是順序讀取。相當於我們常用的東西少，不常用的東西很少用，幾年都沒踫過（這是隨機讀取）；當我們整理清潔的時候，基本上所有的東西都要踫（這是順序讀取）。
『叄』 可擦寫的只讀存儲器與隨機存儲器有什麼區別嗎親身理解呀!
可擦寫的只讀存儲器寫入數據速度慢；隨機存儲器寫入數據速度快。
可擦寫的只讀存儲器擦寫次數有限制（某些晶元標稱10萬次，在實際應用中，也就能用個幾千次）；隨機存儲器寫入次數無限制。
有些型號的可擦寫只讀存儲器需要先擦寫之後才能正確寫入（FLASH、EPROM等）；隨機存儲器可以隨時寫入，不受這個限制。
可擦寫的只讀存儲器掉電後數據可保存10年以上；隨機存儲器掉電後數據丟失。
『肆』 手機存儲卡的擦寫次數最少是多少至少會用幾年
手機存儲卡是基於flash快閃記憶體技術製作的，理論上可以擦寫10萬次，這個擦寫次數是指把存儲器存滿，然後再全部刪除，這才算一次完整的擦寫次數。不過，格式化一次就相當擦寫一次。
至於使用年限的話，要看你怎麼用了，你可以根據擦寫次數去計算，如果不經常格式化的話，一張4G的SD卡，大概可以放1000張照片（照片體積按4MB/張算），然後照片存滿後刪除算一次擦寫，你照滿1000張照片大概需要多長時間？如果1小時能照1000張的話，一天就是24次擦寫動作，一年大概可以8760次，10萬次你算下大概可以用多少年？
『伍』 手機中的ram是幹啥用的
樓主你好、、很高興回答你的問題、、RAM是隨機存儲器,斷電後數據會丟、、RAM指是半導體存儲器、、RAM是Random Access Memory的縮寫。這個詞的由來是因為早期的計算機曾經使用磁鼓作為內存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設備。RAM則可以隨機讀寫 現在ROM通常指非揮發的存儲器，或者說，不掉電。系統停止供電的時候它們仍然可以保持數據。所以光碟也有CD-ROM或者DVD-ROM的說法。而RAM通常都是沒電之後就沒有數據的，典型的就象計算機的內存，需要系統重新啟動的時候從硬碟重新載入數據。有的時候，如果數據可以擦寫，也會借用RAM這個概念，譬如DVD-RAM，其實只是可以擦寫的DVD光碟而已，並非真正的半導體存儲器 關於智能手機ROM和RAM的區別 存儲器分為隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩種。其中ROM通常用來固化存儲一些生產廠家寫入的程序或數據，用於啟動電腦和控制電腦的工作方式。而RAM則用來存取各種動態的輸入輸出數據、中間計算結果以及與外部存儲器交換的數據和暫存數據。設備斷電後，RAM中存儲的數據就會丟失。 對於手機而言 運行游戲、程序速度快慢看的是RAM，也就是動態內存，不是看ROM。ROM是靜態空間，用來存儲東西的，相當於手機的Z盤。RAM和ROM就好比是電腦的內存和硬碟。C盤准確的來講也不應該叫ROM只讀存儲器。C盤應該叫FLASH，因為C盤是可擦寫的，而FLASH的大小並不影響運行速度。 希望我的建議可以幫到你、、必要時候請採納我為最佳答案
『陸』 什麼叫手機快閃記憶體
快閃記憶體
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，快閃記憶體與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而快閃記憶體的大部分晶元需要塊擦除。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。
概念
快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。
技術特點
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。
單片機快閃記憶體
這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟（其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性），它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。
快閃記憶體存取比較快速，無噪音，散熱小。用戶空間容量需求量小的，打算購置的話可以不考慮太多，同樣存儲空間買快閃記憶體。如果需要容量空間大的（如500G），就買硬碟，較為便宜，也可以滿足用戶應用的需求。
分類
按種類分
U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe快閃記憶體卡
按品牌分
金士頓、索尼、LSI、閃迪、Kingmax、鷹泰、創見、愛國者、紐曼、威剛、聯想、台電、微星、SSK。
【NAND型快閃記憶體】內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組）。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗信息，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資
Sandisk
料當中看到「（512+16）Byte」的表示方式。2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是（512+16）位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到（2048+64）位元組。
NAND型快閃記憶體以塊（sector）為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁（page），容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。
定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址（頁面中的起始操作地址）、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要佔用更多的時鍾周期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。
[1] 而比我們平常用的U盤存儲量更大，速度更快的快閃記憶體產品要屬PCIe快閃記憶體卡了，它採用低功耗，高性能的快閃記憶體存儲晶元，以提高應用程序性能。由於它們直接插到伺服器中，數據位置接近伺服器的處理器，相比其它通過基於磁碟的存儲網路路徑來獲取信息大大節省了時間。企業正在轉向這種技術以解決存儲密集
型工作負載，比如事務處理應用。在PCIe快閃記憶體卡方面，LSI公司新的Nytro產品，擴大其基於快閃記憶體的應用加速技術到各種規模的企業。LSI推出了三款產品，到一個正變得越來越擁擠的PCIe快閃記憶體適配器卡市場。LSI Nytro產品戰略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，採用快閃記憶體存儲、LSI的SAS集成控制器和來自公司收購的快閃記憶體控制器製造商SandForce的技術。其第二代基於PCIe的應用加速卡容量從200GB到3.2TB不等。Nytro XD應用加速存儲解決方案的軟體和硬體的組合。它集成了WarpDrive卡與Nytro XD智能高速緩存軟體，以提高在存儲區域網路(SAN)和直接附加存儲(DAS)實現中的I/O速度。最後，還有Nytro MegaRAID應用加速卡，它結合了MegaRAID控制器與板載快閃記憶體和緩存軟體，LSI公司將Nytro MegaRAID的定位面向低端，針對串列連接SCSI(SAS)DAS環境的性能增強解決方案。
微軟的SQL Server產品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的快閃記憶體產品在微軟伺服器環境中的未來。因為 LSI的快閃記憶體產品Nytro MegaRAID可以幫助微軟SQL實現了每秒交易的10倍增長，
[1] 「快閃記憶體存儲技術，如LSI的Nytro應用加速產品組合，可以用來加速關鍵業務應用，如SQL Server 2012」，Lorenson在一份公司的聲明中表示「隨著微軟將在Windows Server 8中提供的增強，這些技術的重要性將繼續增長。」
存儲原理
要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞），常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。
快閃記憶體的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
總體來說就是可以存儲的設備
以上參考：http://ke..com/view/1371.htm?fr=aladdin
『柒』 關於手機內存RAM ROM 的問題
RAM是指內存，是隨機儲存器，帶電的時候能存東西，沒電時數據丟失，一般是做CPU處理數據時臨時儲存用的， ROM是只讀儲存器，但現在特指快閃記憶體，能夠讀寫，相當於硬碟，所以你的手機里能儲存128兆的東西。不可擦洗的ROM現在很少見了，象普通光碟和一次性刻錄盤都屬於不可擦洗的ROM，快閃記憶體一般能夠反復擦寫10萬次左右，可放心使用！
『捌』 手機上的ROM是可擦寫的么還有RAM小對手機有什麼影響
ROM不可擦寫，RAM小會影響多進程運行，但這影響主意存在與安卓系統手機，如果是你說的WP系統則影響不大。如果預算不太充足的話，建議你買個國產安卓手機，絕對能滿足你的要求。
『玖』 RAM和ROM的區別
區別如下：
1、概念
RAM（random access memory）即隨機存儲內存，這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。ROM（Read-Only Memory）即只讀內存，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。
(9)手機存儲是隨機擦寫的嗎擴展閱讀：
運行內存
運行內存是指手機運行程序時的內存，也叫RAM（簡稱運存）。而另一個內存是用來存儲東西的內存,就像8G的MP4一樣,它擁有8G的存儲空間,這種內存為一般叫的手機內存。
用電腦比較的話手機的運行內存就是電腦的內存，是不可以作為儲存數據的介質的。
手機的「內存」通常指「運行內存」及「非運行內存」。手機的「運行內存」相當於電腦的內存，即RAM。而手機的「非運行內存」，相當於電腦的硬碟，廠家常直接稱其為手機內存，也就是所謂的ROM。RAM越大，手機能運行多個程序且流暢；ROM越大，就像硬碟越大，能存放更多的數據。
擁有更大的運行內存的話手機可以打開更多的程序，如果本身容量足夠的話並不能提升多少運行程序的速度，只能說更大的運行內存能更好的保證手機的正常運行。
手機的運行內存是指運行程序時存儲或者暫時存儲的地方，而CPU是用來計算的。
『拾』 U盤屬於外儲存器嗎RAM還ROM
U盤是屬於外部儲存設備
RAM（random
access
memory）即隨機存儲內存，這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。ROM（Read-Only
Memory）即只讀內存，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。
對比
手機中的RAM和ROM分別對應電腦的內存和硬碟，內存負責程序的運行以及數據交換，有了它，電腦中的軟體才能運行，並有了進程；而硬碟就是一塊存儲空間，可以存儲各種各樣的文件，包括視頻、照片、音樂、軟體等。
手機
RAM
手機中的RAM和ROM與電腦類似，由於RAM被稱為隨機存取內存，也就是運行內存，它支撐的是手機軟體的運行，存放手機軟體運行後進行的數據交換等工作。也就是，RAM決定了手機可以開多少後台程序，當然，RAM越大，手機的運行速度就越快。一旦手機關機，RAM中的數據就丟失，開機後也不會恢復。
手機
ROM
ROM被稱為只讀內存，即只能讀不能隨意寫，也就是只能讀取裡面的數據，而不能隨意修改和刪除裡面的數據，就像安卓系統Root前是無法修改系統文件的，這都是一個道理。但是，為什麼可以在裡面存儲照片呢？其實，現在ROM的概念也包含了可以「寫」（刪除、修改文件）的概念，尤其在安卓系統中。所以ROM包含了一部分手機系統占據的空間，剩餘的空間就可以用來存儲您的視頻、照片、音樂等，並且可以隨意刪除和修改。
手機
RAM
和
ROM
在安卓手機中，ROM包含了安卓系統、手機軟體、用戶文件（照片、視頻等）。而用戶存儲的文件只佔據ROM空間，是不影響RAM空間的。其次，ROM空間的大小對系統運行速度的影響是微乎其微的；影響手機運行速度的最主要因素是RAM。