㈠ 有人知道：紫光國芯 跟 長鑫存儲是什麼關系嗎，懂內存的來
西安紫光國芯一直專注於存儲器領域，尤其是DRAM存儲器的研發和技術積累。該公司在DRAM產品定義、設計、測試、量產和銷售上建立了完整成熟的體系，累計二十餘款晶元產品和四十餘款模組產品，實現了全球的量產和銷售。
紫光內存已經上架兩個系列三款型號，其中台式機內存單條容量4GB、8GB，筆記本內存單條容量4GB，均為無馬甲普條，頻率2400MHz，延遲時序17-17-17，電壓1.2V。4GB DDR4 2400 台式機版本售價129元，8GB售價219元，筆記本4GB DDR4 2400售價129元。
長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來製造4GB和8GB的DDR4內存晶元，目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年製造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。
採用長鑫國產DDR4內存晶元/顆粒的光威弈PRO內存條現已在光威官網上架。這款光威弈PRO系列DDR4 3000台式機內存條採用了長鑫DDR4內存晶元，時序為16-18-18-38，有8G/16G兩種容量版本。值得注意的是此前長鑫國產DDR4晶元/LPDDR4X晶元/內存模組也已經上線，官方也開通了銷售資訊通道。
㈡ 兆易創新：錯失的大牛股！提升認知吧
1、這只股票去年5月份買入，並且在公眾號發文推薦這只股票。結果在股價160元左右，我覺得估值太高了，減倉了。結果，去年最高漲到428元，現在277元。略表遺憾，哈哈。但是， 如果讓我從新選一次，我還是會這樣操作。因為對DRAM的認知不足，貪不得。
2、2019年業績可謂亮麗：營業收入 32.03億元，同比增長 42.62%；歸屬於上市公司股東的凈利潤 6.07億元，同比增長 49.85%；經營現金流凈值9.67億，同比增長56.11%。其中，營收增長主要來源於儲存晶元的增長（+7.17億）。另外，合並報表的思立微也貢獻了2.03億的收入。2020年Q1季報，營收8.05億元，同比增長76.51%；歸母凈利潤1.68億元，同比增長323.24%。經營現金流-7.08億。
3、兆易創新2015年營收11.89億，至2019年，復合年營收增長28.11%，去年是近幾年營收增長最快的一年；2015年利潤1.58億，至2019年，復合利潤增長40%。完完全全對得起「高增長」三個字。
4、儲存行業在2019年有了一個上升勢頭，但是疫情大大打擊了下游產品的需求，預估原來的上升勢頭會延後到2021年，今年就不要期待有業績增長了。受益於TWS耳機的需求，公司的NOR Flash出貨躍居全球第三，這個是重要看點，去年我看輕了TWS的威力，可惜。後期，對其他創新型消費電子的爆發，也比較期待。 汽車 行業的不景氣，讓公司MCU產品需求疲軟。
5、兆易的重中之重，是看DRAM。如果它的DRAM沒有搞出個名堂，現在900億的市值是非常貴的。如果DRAM能夠在世界佔有一席之地，估值天花板就極高了。現在我沒有持有兆易，因為我還在學習DRAM。另外，收集了一些DRAM的文章，公眾號回復「兆易」可看。共同學習！求業內人士交流！
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（資料更新至2020一季度報，也將持續跟蹤）
NOR Flash 累計出貨量已經超過 100 億顆。2019年公司推出新一代高速 4 通道產品系列(GD25LT)， 是業內首款高速 4 通道 NOR Flash 解決方案，傳輸速率達 200MB/s;以及兼容 xSPI 規格的 8 通 道 SPI NOR Flash 產品系列(GD25LX)，傳輸速率達 400MB/s，是業內最高性能的 NOR Flash 解決方案之一。
目前公司 NOR Flash 產品工藝處於行業內主流技術水平，工藝節點主要為 65nm，同時有少量 55nm 工藝節點產品。2020 年公司將在現有基礎上著力推進 55nm 先進工藝節點系列產品。總體看它的產品還是中低端為主。
特別說明。TWS耳機大大拉動了需求！
根據 CINNO Research 產業研究，公司 NOR Flash 全球市場份額在第二季度實現突破，上升至全球第四，並在第三季度躍居全球第三。 發展速度較快。
累計出貨數量已超過 2 億顆，客戶數量超過 2萬家，目前已擁有 320 余個產品型號、22 個產品系列及 11 種不同封裝類型。目前，進一步擴展 MCU 產品組合，針對高性能、低成本和物聯網應用分別開發新產品。更低功耗和成本的 M4 和 M23 系列產品推出，繼續保持 M3 和 M4 產品市場的領先優勢。2019年8月推出的全球首顆基於RISC-V內核的32位通用MCU 產品。 GD32 作為中國 32 位通用 MCU 領域的主流產品，以 24 個系列 320 餘款產品選擇，覆蓋率穩居 市場前列，產品廣泛應用於工業和消費類嵌入式市場，適用於工業自動化、人機界面、電機控制、 光伏逆變器、安防監控、智能家居家電及物聯網等領域。
依據 IHS Markit 報告，在中國 Arm Cortex-M MCU 市場,2018 年公司銷售額排名為第三位，市場佔有率 9.4%。
公司通過對上海思立微電子 科技 有限公司收購進入感測器市場。在 2019 年公司提供嵌入式生物識別感測晶元，電容、超聲、光學模式指紋識別晶元以及自、互容觸控屏控制晶元。 感測器主要產品包括電容觸控晶元、指紋識別晶元，廣泛應用於新一代智能移動終端的感測 器模組，也適用於工業自動化、車載人機界面及物聯網等需要智能人機交互解決方案的領域。
在光學指紋感測器方面，積極優化 透鏡式光學指紋產品，並推出 LCD 屏下光學指紋、超小封裝透鏡式光學指紋產品、超薄光學指 紋產品、大面積 TFT 光學指紋產品，成為全行業唯一一家擁有指紋全部品類的公司。在 MEMS 超聲指紋感測器研發方面也取得了階段性進展。 依據賽迪數據，2018 年公司感測器業務(思立微)中，觸控晶元全球市場份額為 11.40%，排名第四；指紋晶元全球市場份額為 9.40%，排名第三。
目前中國大陸 DRAM 產業技術仍處發展階段，三星電子、SK 海力士和美國的美光 科技 ，占據全球 95%以上的市場份額。
2019 年 4 月 26 日，公司與合肥產投、 合肥長鑫集成電路有限責任公司簽署《可轉股債權投資協議》，約定以可轉股債權方式對項目投資 3 億元，並繼續研究商討後續合作方案。業務方面，公司將與合肥長鑫發揮優勢互補，探討在 DRAM 產品銷售、代工、以及工程端的多種合作模式。
長鑫底層技術來自奇夢達（Qimonda），後者自2006年從母公司英飛凌剝離後一路開掛，DRAM產品銷量並穩居全球第二，300mm晶圓領導者和PC及伺服器DRAM產品市場最大的供應商之一，戲劇化的是三年後其申請破產。長鑫通過與奇夢達的合作，共將一千多萬份DRAM相關的技術文件（大小約2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6萬項專利申請，據悉長鑫方面隨後對部分技術細節進行修改，以規避美國方面的實體名單出口制裁。
長鑫存儲於 2019 年 9 月亮相其 19納米工藝的 8Gb DDR4 晶元產品，實現中國 DRAM 技術的突破。同時這也是與世界主流產品同步的技術。目前長鑫官網上已經開始對外供應DDR4晶元、LPDDR4X晶元及DDR4模組。預計今年底擴展到4萬片晶圓/月，產能大約能佔到全球內存產能的3%。
2020 年繼續推進公司非公開發行股票事項，擬募集資金不超過約 43 億元，用以設計和開發 DDR3、 LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 晶元。預計，2021年實現量產。對了，長鑫存儲的董事長兼首席執行官是兆易的控制人朱一明，長鑫如果成了，兆易可以收購。
2019 年公司研發投入達到 3.78 億元，占營業收入 11.8%，相比 2018 年同期增長 64.33%。 公司在推出具備技術、成本優勢的全系列產品的同時，積累了大量的知識產權專利。截止 2019 年末，在涵蓋 NOR Flash、NAND Flash、MCU、指紋識別等晶元關鍵技術領域，公司已積累 1,195 項國內外有效的專利申請，其中 2019 年已提交新申請專利 201 項，新獲得 156 專利授權。
根據中國海關統計數據，2019 年中國集成電路進 口金額 3055.5 億美元，同比下降 2.1%;集成電路進口數量 4451.3 億個，同比增長 6.6%。2019 年中國集成電路出口金額 1015.8 億美元，同比增長 20.1%;集成電路出口數量 2187 億個，同比 增長 0.7%。 目前集成電路已經成為中國第一大進口商品，在當前中美貿易摩擦的情形下，集成電路產業國產替代大有可為。
2018 年 3 月，十三屆全國人大一次會議政府工作報告中，集成電路被列入加快製造 強國建設需推動的五大產業首位。根據《中國製造 2025》規劃目標，到 2020 年集成電路產業與 國際先進水平的差距逐步縮小，半導體產業自給率達到 40%。自 2016 年以來，國內開始出台了 大量政策，包括中央、地方促進第三代半導體產業的發展。在國家集成電路產業投資基金之外， 十幾個省市也已成立地方性產業基金。
1、NAND Flash 快閃記憶體 ：企業級 SSD 和智能手機成為兩大主力需求 ，需求量乏力，預估2020年市場也不樂觀。
2、NOR Flash 快閃記憶體：物聯網、5G 基站、 汽車 智能化、TWS 耳機等等都是需求來源，需求相當旺盛；根據 Morgan Stanley 研究報告評估，預計 2020 年 NOR Flash 全球營收較 2019 年相比將迎來 3%的增長 。
3、MCU 產品 ： 汽車 應用仍然是 MCU 產品最大的終端用戶市場，由於 汽車 市場的衰退，MCU市場相當慘淡，2019 年 MCU 營收較 2018 年預計下降 5.8% 至 165 億美元，全球 MCU 單位出貨量從 2018 年的 281 億顆下降至 269 億顆。 2020年還是看 汽車 市場。
4、指紋感測器晶元 ：2019 年指紋感測器的 出貨量將達到 9.9 億顆，同比增長約 12.5%。 雖然手機市場疲軟，但是指紋感測器應用實在上升期，未來需求也是增長狀態。預估至 2024 年，整體屏下指紋手機出貨量將達 11.8 億台，年 均復合增長率 CAGR 達 42.5%。
5、DRAM 晶元：DRAM 市場需求增長主要依靠手機和 Server 兩大市場，由於 PC、伺服器與智能手機等終端產品需求疲軟 ，根據 SIA(美國半導體行業協會)數據統計，與 2018 年相比，DRAM 產品 2019 年銷售 額下降了 37.1%。 2020年，這部分需求也不容樂觀。
公司是目前中國大陸領先的快閃記憶體晶元設計企業。據 TrendForce 數據統計，按營業收入計算， 公司 2018 年保持中國 IC 設計行業收入排名前十。
據 CINNO Research 對 2019 第三季度存儲產業研究報告顯示，公司 Nor Flash 市場份額提升到18.3%，超越賽普拉斯排名全球第三，前二名分別為華邦電子和旺宏電子。
依據 IHS Markit 報告，在中國 Arm Cortex-M MCU 市場,2018 年公司銷售額排名為第三位，市場佔有率 9.4%，前兩位分別為意法半導體(STMicroelectronics)和恩智浦半導體(NXP)。
依據賽迪數據，2018 年 公司感測器業務(思立微)中，觸控晶元全球市場份額為 11.40%，排名第四；指紋晶元全球市場份額為 9.40%，排名第三，前二位分別為匯頂 科技 、FPC。
1、該公司的NOR Flash技術相對低端，是大廠忽略、不做的市場，它是兆易當前的主業，未來應該是DRAM；
2、公司在快速擴張，橫向（收購思立微），縱向（DRAM研發）都在發力。DRAM或許能夠殺出一條出路，個人還需深入了解，歡迎業內人士交流；
㈢ 武漢弘芯項目爛尾背後：武漢合肥半導體產業優勢對比與風口的思考
自中興、華為事件發生後集成電路的地位不斷提升， 社會 與資本對集成電路產業的認識也不斷加深。發展集成電路產業的初衷確實是為了實現國產替代、自主可控，雖然這種思路沒錯但格局著實有點狹隘。當然如果將中國集成電路產業放到實現國家戰略安全的地位，對產業的認識也會更深刻一些。
頂層設計的確瞄向了國家戰略安全這一方向，但落腳到這個產業中，產業和資本的高度還是無法達成統一，因為各自的訴求不同。以中微公司創始人尹志堯為代表的產業從業者固然可以做到十年磨一劍，將刻蝕設備做到全球一線水平，但狂熱資本的不斷湧入，更多的是看到科創板、注冊制等的實施帶來的短期套利空間，畢竟相比以往如今上市的門檻和難度大幅降低。
集成電路是一個技術密集型、知識密集型和資本密集型的產業，如果放到國產替代和國家安全的角度還是一個政策密集型的產業，如果將這四種重要的要素實現深度整合，當然是最理想的狀態，但如果這四種要素中任何一個對集成電路產業的理解與認知出現偏差甚至誤區，則會出現很大的問題，20年前的"漢芯一號"造假事件如此，武漢弘芯項目爛尾也是如此。
武漢弘芯一開始就對這個行業的理解有所誤區，比如一開始就定下的不切實際的目標。武漢弘芯項目原計劃投資1280億元，主要投資目標是建成一條月產能3萬片的14nm邏輯工藝生產線、月產能3萬片的7nm及以下邏輯工藝生產線以及相應的晶圓級先進封裝生產線，但在2017年國內最好的晶圓代工廠中芯國際剛搞定28nm HKMG工藝不久，直到2019年才在梁孟松的帶領下搞定了14nm FinFET工藝。
2017年全球晶圓廠中有能力量產14nm及以下FinFET工藝的也就台積電、英特爾、三星和格芯，其中台積電和三星將技術節點推進到10nm，格芯是12nm，英特爾是14nm++ FinFET工藝，與格芯的12nm相當：
行業龍頭也剛推進到14-10nm，武漢弘芯一開始就要上馬14nm，就當是國內集成電路的產業基礎，可能嗎？
2017年國內技術達不到，資本目的不純，政府對集成電路產業認知較淺，武漢弘芯項目如何推進？
可惜了蔣尚義的一腔熱血。
武漢的集成電路產業基礎還是相當薄弱，更沒法與江蘇和上海這兩個產業集聚地相比，將之比喻為荒漠中的綠洲也不為過。
按申萬行業分類，目前在A股上市的湖北半導體企業有盈方微和台基股份兩家，其中台基股份主要從事大功率半導體器件的生產與銷售，是一家功率半導體企業。但盈方微在湖北荊州，台基股份在湖北襄陽，均不在武漢。
在新三板上掛牌的湖北半導體企業是思存 科技 （839113.OC），公司主要研發與銷售多種類別的Wi-Fi模塊及相關解決方案。公司在技術上得到高通的支持， 2019年營收與凈利潤分別達到2.50億元和0.08億元，業務規模與盈利能力較弱。
東芯通信（430670）是位於合肥市的一家從事LTE基帶晶元研發、銷售及提供解決方案的供應商，但目前由於4G網路已經成為過去，公司業績也一落千丈，2019年營收僅有0.15億元，凈利潤虧損0.12億元，已經連續四年虧損。
過去的終究要過去。
在光模塊及光晶元領域武漢具有一定優勢，光迅 科技 、華工 科技 具有較強的技術實力，其中光迅 科技 是國內少有的業務涉及光晶元、光器件和光模塊產業鏈的企業，而且公司依靠大股東烽火集團旗下的烽火 科技 ，產品可以很好的切入終端。但是在目前火熱的高通量光模塊領域公司相比中際旭創和新易盛有所滯後，相比已經研發出1000G光模塊的華為以及Finisar等國外巨頭差距更是明顯：
合肥與武漢在存儲器領域的競爭優勢相當明顯。武漢長江存儲在3D NAND領域已經形成一定規模，技術上4月份推出的X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶元容量的存儲器件。技術上與海力士、三星、鎧俠等差距也就1-2代，如果公司能及時推出196層甚至256層3D NAND，技術上的差距已經相當小了。另外武漢新芯（XMC）除了Nor Flash等存儲器件，自有晶圓廠也可以為客戶提供55nm製程的低功耗邏輯和射頻等工藝。
在DRAM領域合肥長鑫實現了重大突破，公司現有產品主要有DDR4內存晶元、LPDDR4X和DDR4模組，而且在中低端消費電子領域實現商業化。不過目前三星、海力士等已經將技術延伸到DDR5，在技術上還有一代的差距。
在半導體設備領域領域，武漢精測電子和合肥芯碁微是具有代表性的企業。精測電子是從事TFT-LCD/OLED等平面顯示信號測試技術研發、開發、生產與銷售的企業，在平面顯示信號測試領域位於國內領先水平。不過公司目前將業務向半導體檢測延伸，未來公司有望形成平面顯示+集成電路檢測雙主業格局。
合肥芯碁微主要從事以微納直寫光刻技術為核心的直接成像設備及直寫光刻設備研發、製造及銷售，但目前公司的直寫光刻機主要用於PCB，在平面顯示領域有一定布局。由於技術自身局限，合肥芯碁微的直接成像技術還不能很好的應用於硅基半導體器件深亞微米節點的製造。
綜上所述，從目前集成電路產業布局來看，除了長江存儲和合肥長鑫的存儲器件，武漢和合肥的集成電路產業發展水平總體遜於江蘇和上海，但以光迅 科技 為代表的光模塊企業、以精測電子、合肥芯碁微為代表的設備製造企業在個別領域具有一定規模。
除了合肥長鑫，合肥的集成電路產業亮點不多，但如果從產業鏈布局來看，合肥的產業基礎要略好於武漢。
集成電路產業鏈主要分為設計、製造和封測，目前武漢和合肥在設計領域存在明顯短板。武漢昊昱微電子是從事功率半導體及模擬半導體設計的企業，公司基於CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工藝開發了HYM533低功耗8位四路DAC、音頻功放IC等器件；合肥比較具有代表性的設計企業有合肥芯谷微電子、合肥恆爍半導體等設計企業，而且這些企業由"最牛風投機構"合肥市政府投資，部分設計企業頗具特色，但相比聖邦股份、兆易創新等企業，差距太明顯。
在封測領域合肥的基礎要好得多，而武漢則一片空白。封測領域合肥目前擁有合肥合晶和合肥速芯兩家封測企業，其中成立於2000年的合肥合晶覆蓋TO、SOT和DIP封裝技術；成立於2018年12月的合肥速芯是集成電路行業咨詢公司摩爾精英旗下封測企業，擁有QFN、BGA、SiP等封裝技術：
當然合肥速芯的競爭力還來自於摩爾精英在集成電路行業中的資源整合能力，這一點可能是合肥合晶所不擁有的。
在製造領域武漢和合肥均有晶圓廠，其中合肥長鑫和長江存儲各有一座300mm晶圓廠，主要是這兩家企業均採用了IDM模式，這也是三星和海力士等存儲器龍頭的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武漢新芯）分別在合肥和武漢擁有一座300mm晶圓廠，產能較小，而且主要以成熟節點為主。
合肥集成電路產業的優勢是打通了設計、製造和封測，武漢雖然有武漢新芯這樣的晶圓代工廠，但封測還有短板。
當然在光模塊等領域武漢有獨特的競爭優勢。
有人曾將中國半導體投資者歸納為無知者無畏型、無恥者無畏型和既無知又無恥型三類，其中無知者無畏型主要是地方政府，出於各種目的往往會出現"義和團"式的"造芯運動"，典型代表就是武漢弘芯這個爛尾項目。無恥者無畏型主要是產業內企業"杠桿"式的"堵芯"，懷著撞大運的心理借著主業的成功賭博式發展集成電路這個副業。既無知又無恥型就是那些暴躁狂熱的資本，他們對產業規律視而不見，搞跨界投機式的"騙芯"。
一級市場如此，二級市場同樣炒作投機之風盛行，最典型的就是中芯國際上市前後的炒作以及半導體板塊的暴漲暴跌，讓一眾投資者吃了悶癟。
集成電路行業是一個大投資、重積累、長周期、慢回報和高風險的行業，科創板和注冊制的推出只是解決了一個資本順利退出的通道，但產業本身特徵是無法在資本加持下能改變的，如果只是抱著投機甚至賭或騙的心態悶頭扎入集成電路行業，可能自己怎麼沒的都不知道。
65nm製程的SoC晶元設計及流片成本2850萬美元，16nm的設計及流片費用高達1.06億美元，足可以讓很多中小型設計企業倒閉好多次了。
㈣ 長鑫存儲顆粒是誰的
朱一明
兆易創新創始人朱一明創建的（長鑫存儲）由合肥國資委華為大國家基金小米半導體基金中興資本紅杉資本還有603986兆易創新資本領投100億。
㈤ 長鑫存儲股票代碼是什麼
經查詢，該企業為有限責任公司，未進行過股改，即沒有上市，且在可以預見的一兩年間不具備上市條件。查詢上市公司的股票代碼，登陸證券類網站進行查詢即可。查詢時股票XD表示股票除息，股票XD表示從當日買帶有XD字樣的股票，自當日起不會再享有派息的權利。一個公司的股票估值，可以認為跟是否上市沒有關系，該值多少錢，還是多少錢，上市只是增加了流動性。況且牛市會溢價，熊市會負溢價。股票代碼前需加上XD字樣，股票XD是Ex-Dividend的縮寫，股票XD表示股票除息，股票XD表示從當日買帶有XD字樣的股票，自當日起不會再享有派息的權利。在股票除息日的當天，股價的基準價要比前一個交易日的收盤價要低，原因是從中扣除了利息這一部分的差價。
拓展資料：
1、長鑫存儲技術有限公司公布其最新的DRAM技術路線圖，將採用19nm工藝生產4Gb和8GbDDR4，長鑫月產能約為2萬片，規劃到2020年底晶圓月產能將達12萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。從長鑫存儲DRAM技術發展的路線規劃來看，其研發的產品線包括DDR4，LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6，產品發展線路與三星、SK海力士、美光等國際大廠DRAM發展大體一致。天風證券潘_認為，5G的快速發展為半導體行業帶來巨大發展機遇，車用半導體、IoT和攝像頭帶來新增長點。另外，整機廠商供應鏈的國產化，也為半導體產業帶來市場空間。
2、長鑫存儲技術有限公司於2017年11月16日成立。法定代表人趙綸,公司總部在合肥，公司經營范圍包括：存儲技術服務；集成電路設計、製造、加工、技術開發、技術轉讓、技術咨詢、技術服務、技術培訓及技術檢測；電子產品銷售並提供售後服務及技術服務；半導體集成電路晶元研發、設計、委託加工、銷售；計算機軟硬體及網路軟硬體產品的設計、開發；計算機軟硬體及輔助設備、電子元器件、通訊設備的銷售；設備、房屋租賃；產業並購；股權投資；自營和代理各類商品和技術的進出口業務（但國家限定企業經營或禁止進出口的商品和技術除外）等。
㈥ 合肥晶合為啥沒長鑫厲害呢
五百強。
1、合肥晶合集成電路有限公司於2015年5月19日在合肥市新站區市場監督管理局登記成立。法定代表人陸禕，公司經營范圍包括集成電路相關產品、配套產品研發、生產及銷售等。
2、長鑫存儲公司位於合肥經開區空港工業園，由合肥市政府與兆易創新於2016年5月合資成立，屬於世界五百強企業，國家半導體大基金也有參與投資，項目總投資超過2000億元。所以合肥晶合集成電路有限公司沒有長鑫存儲公司厲害。
㈦ 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
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理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
㈧ 合肥長鑫斥資 72 億美元建廠靠的是什麼
2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣布，預計由合肥長鑫投資72億美元，興建12吋晶圓廠以發展DRAM產品，未來完成後，預計最大月產將高達12.5萬片規模。
之前合肥長鑫也不斷招募台灣華亞科的員工。由於華亞科在 2016 年被美光完全收購前，是全球繼三星、美光、SK海力士之外，第 4 家有能力發展20納米製程DRAM的企業。根據之前的媒體報導，合肥長鑫已從華亞科挖走不少員工，甚至華亞科前資深副總劉大維也成了這家公司的員工。
國家曾對中國半導體企業由這么一份通牒：自給自足。然而近幾年，我國半導體製造商似乎都在「曲解」：用兩、三倍價格挖來列強的員工，填補自己的技術漏洞。也就是說，用商業手段解決學術問題。雖然這不失為一種解決辦法，但是對未來長期發展來說，存在或多或少的影響。
目前國際上已經起草了相關防半導體廠商員工跳槽、挖角的草案，中國企業遭到了針對。據了解，廠鑫受到了列強的圍追堵截，若廠鑫想要達到預期產能，勢必會走上一條坎坷的道路。
㈨ 長鑫存儲公司的股票代碼是多少
經查詢，該企業為有限責任公司，未進行過股改，即沒有上市，且在可以預見的一兩年間不具備上市條件。
拓展資料：
1.查詢上市公司的股票代碼，登陸證券類網站進行查詢即可。例如國海證券金探號——國海證券手機APP，輸入你要查詢的公司的股票首字母即可。詳情請看圖。
第一步：打開國海證券金探號app，進入首頁點擊查詢框
第二步：在查詢框輸入您想要查詢的股票代碼，輸入之後點擊「搜索」即可查詢
2.一個公司的股票估值，可以認為跟是否上市沒有關系，該值多少錢，還是多少錢，上市只是增加了流動性。況且牛市會溢價，熊市會負溢價。
每股收益是7000/1600=4.3元，按靜態市盈率15，價值66元人民幣。
2011年盈利7000*120%*120%=10080萬元，按靜態市盈率15，價值100080/1600*15=94.5元人民幣。如果按照另外一個指標，算出來更多。
但是前提條件是：
（1）股本規模不變
（2）保持20%年增長率。這個增長率，到了後面，很難保證。
（3）美國股市穩定。
最大的風險，是在納斯達克能否順利上市。
3.股票代碼前需加上XD字樣，股票XD是Ex-Dividend的縮寫，股票XD表示股票除息，股票XD表示從當日買帶有XD字樣的股票，自當日起不會再享有派息的權利。在股票除息日的當天，股價的基準價要比前一個交易日的收盤價要低，原因是從中扣除了利息這一部分的差價。
和除息日相對的就是除權日，即在股票代碼前加XR字樣，它表示在除權日當天，股價比前一交易日的收盤價低，原因是股數擴大，股價被攤低;若在股票代碼前出現DR的字樣，說明了當天是該股票的除息、除權日。因為有些上市公司在分配的時候，不僅派息而且還送轉紅股或者是配股，所以會同時出現除息又除權的現象。