❶ 快內存儲器單元三極體能夠存儲數據是因為
能存儲的二進制數的位數。
半導體三極體也稱雙極型晶體管，晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。
❷ 當前計算機內存儲器使用的是什麼材料
晶圓
由於是晶體材料，其形狀為圓形，所以稱為晶圓。襯底材料有硅、鍺、GaAs、InP、GaN等。由於硅最為常用，如果沒有特別指明晶體材料，通常指硅晶圓。
在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。
(2)存儲器單元用的什麼晶體管擴展閱讀
經常會看到有些以尺寸表示的晶圓廠，如12英寸晶圓廠，8英寸晶圓廠。12英寸指的是晶圓的直徑，差不多相當於300mm，晶圓尺寸越大，製造難度越高，切割的出來的晶元也會更多。隨著晶元尺寸越來越小，一塊晶圓上可以切割出數千個晶元。
12英寸目前是市場的主流，將近七成的晶圓產能為12英寸，8英寸的產能逐漸減少。接下來就是包括光刻，製作晶體管，晶圓切割，測試，封裝等一系列復雜工序，最後得到晶元成品。
❸ 存儲器名詞解釋
電子計算機中用來存儲信息的裝置。有內存儲器和外存儲器之分。根據存儲媒體性質的不同，又可分半導體存儲器、磁存儲器和光存儲器等。
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器。
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構成存儲器的存儲介質主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數據存儲器互相獨立，物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數據存儲器為隨機存取存儲器。
從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器，I/O介面與外部數據存儲器統一編址。
❹ 計算機存儲器的分類
計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類：
一、易失性存儲器（Volatile memory)是指當電源供應中斷後，存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型：
1、動態隨機訪問存儲器，英文縮寫寫作DRAM，一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成（後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬）。
特點是單元佔用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上，DRAM以內存條的方式出現，DRAM顆粒多為4位或8位位寬，而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。
2、靜態隨機存取存儲器，英文縮寫寫作SRAM，一般每個單元由6個晶體管組成，但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。
二、非易失性存儲器（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲器中的數據。 主要種類如下：
1、只讀存儲器：可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器
2、快閃記憶體
3、磁碟：硬碟、軟盤、磁帶
(4)存儲器單元用的什麼晶體管擴展閱讀：
存儲器以二進制計算容量，基本單位是Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根據電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)的標准，二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」，以避免與SI Unit國際單位制混淆。
但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用，標示為4GB的內存實際上已經是4GiB，但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。
對於32位的操作系統，最多可使用232個地址，即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器，發展64位處理器則是根本的解決方法，但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。
❺ 存儲在計算機的存儲單元中的
計算機的存儲單元中存儲的內容可以是數據和指令。存儲單元是指多個存儲元的集合，一般應具有存儲數據和指令、讀寫數據的功能，以8位二進製作為一個存儲單元，也就是一個位元組。每個單元有一個地址，是一個整數編碼，可以表示為二進制整數。
存儲在計算機的存儲變數
程序中的變數和主存儲器的存儲單元相對應。變數的名字對應著存儲單元的地址，變數內容對應著單元所存儲的數據。存儲地址一般用十六進制數表示，而每一個存儲器地址中又存放著一組二進制（或十六進制）表示的數，通常稱為該地址的內容。
存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個位元組（按位元組編址）。
每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進製表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。假設一個存儲器的地址碼由20位二進制數（即5位十六進制數）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個位元組，則該存儲器的存儲容量為1MB。
❻ 存儲器有哪些
構成存儲器的存儲介質主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。
1．按存儲介質分類
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
2．按存儲方式分類
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。
3．按存儲器的讀寫功能分類
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
4．按信息的可保存性分類
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
5．按在計算機系統中的作用分類
主存儲器（內存）：用於存放活動的程序和數據，其速度高、容量較小、每位價位高。
輔助存儲器（外存儲器）：主要用於存放當前不活躍的程序和數據，其速度慢、容量大、每位價位低。
緩沖存儲器：主要在兩個不同工作速度的部件起緩沖作用。
❼ nadn flash的存儲單元是pmos還是nmos
因為每一個 MOSFET都要 Vg > Vt 才可以導通的。因此，傳輸門會有兩個 MOSFET (PMOS與 NMOS)，以此就可以解決此問題。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其「通道」（工作載流子）的極性不同，可分為「N型」與「P型」 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
❽ 第一,二代計算機的主存儲器採用的是什麼
第一代：主存儲器採用磁鼓和磁心存儲器。
第二代：主存儲器採用磁芯，外存儲器已開始使用更先進的磁碟。
第一代是從 1946 年到 50 年代末，其主要特徵是：主機採用電子管器件，主存儲器主要採用磁鼓和磁心存儲器，應用以科學計算為主，軟體技術採用機器語言和符號語言編程，所研製的都是單機系統。
第二代計算機是晶體管數字計算機，大約是1957-1964年，邏輯元件採用晶體管，計算機的體積大大縮小，耗電減少，可靠性提高，性能比第一代計算機有很大的提高。第二代計算機主存儲器採用磁芯，外存儲器已開始使用更先進的磁碟。
(8)存儲器單元用的什麼晶體管擴展閱讀：
計算機中的主存儲器主要由存儲體、控制線路、地址寄存器、數據寄存器和地址解碼電路五部分組成。從70年代起，主存儲器已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。
1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶元已經開始商業性生產，16MbDRAM晶元已成為市場主流產品。DRAM晶元的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數據輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上。
又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的後繼產品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數據速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常採用價格較貴的靜態隨機存儲器晶元（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。