存儲器出廠測試流程_存儲器的測試

① 半導體廠商如何做晶元的出廠測試

封裝之後的測試不熟，有FT、SLT等，具體不詳，yield map一類，以前在fab的時候，看到的是結果，具體測法不詳，說一下fab晶元製造完成之後的測試吧。

1，出廠必測的WAT，wafer acceptance test，主要是電性能測試，每一類晶體管的參數，電壓電容電阻等，每一層金屬的電阻，層間的電容等，12寸廠的晶圓抽測9顆樣點，均勻分布在整個wafer上，答主熟悉的55nm技術，每一個樣點上必測70~120個參數，整片wafer測完約需要10~15分鍾，設備主要是安捷倫和東電的；
2，在晶圓製造過程中監測膜厚、線寬等，膜厚是13點，線寬是9點；
3，光學鏡頭晶元還會測試wafer的翹曲度、整體厚度值，要配合後端晶元的再制備；
4，在測試晶元（非生產性正常檢測）的時候，還會測試NBTI、TDDB、GOV等；
5，其他根據晶元特性的測試。

② 如何測試W5300的內部TX/RX存儲器

③ 存儲器的結構

1cpu的內部
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存儲器結構

存儲器結構

第一層：通用寄存器堆
第二層：指令與數據緩沖棧
第三層：高速緩沖存儲器
第四層：主儲存器（DRAM）
第五層：聯機外部儲存器（硬磁碟機）
第六層：離線外部儲存器（磁帶、光碟存儲器等）
這就是存儲器的層次結構~~~ 主要體現在訪問速度~~~

2工作特點
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存儲器結構

存儲器結構① 設置多個存儲器並且使他們並行工作。本質：增添瓶頸部件數目，使它們並行工作，從而減緩固定瓶頸。
② 採用多級存儲系統，特別是Cache技術，這是一種減輕存儲器帶寬對系統性能影響的最佳結構方案。本質：把瓶頸部件分為多個流水線部件，加大操作時間的重疊、提高速度，從而減緩固定瓶頸。

③ 在微處理機內部設置各種緩沖存儲器，以減輕對存儲器存取的壓力。增加CPU中寄存器的數量，也可大大緩解對存儲器的壓力。本質：緩沖技術，用於減緩暫時性瓶頸。
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。

3具體結構分類
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根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：

01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲

存儲器結構

存儲器結構單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。

03.VRAM（Video RAM，視頻內存）

它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72PIN或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。

存儲器結構

存儲器結構06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，

存儲器結構

存儲器結構投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)

ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。

4組成元件分類
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ROM內存又分為以下五種：

存儲器結構

存儲器結構1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)，以實現對其「編程」的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上

存儲器結構

存儲器結構的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住，以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。

5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。

④ 如何測試手機內存是ufs還是emmc

通過AndroBench等快閃記憶體速度測試軟體，對機器的讀寫速度進行測試，間接性的快閃記憶體規格判定。最高速度在300MB/s以下的大幾率都是eMMC，在500MB/s附近則可能是UFS2.0，在700MB/s以上則較大可能是UFS2.1了。

手機系統內存是指手機運行程序時使用的內存。
手機系統內存是一種隨機存取存儲器（RAM），高速存取，讀寫時間相等，且與地址無關。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。
定義
手機系統內存是指手機運行程序時使用的內存（即運行內存），只能臨時存儲數據，用於與CPU交換高速緩存數據，但是隨機存儲器（RAM）本身不能用於長期存儲數據。

⑤ 存儲器的測試

存儲器測試的目的是確認在存儲設備中的每一個存儲位置都在工作。換一句話說，如果你把數50存儲在一個具體的地址，你希望可以找到存儲在那裡的那個數，直到另一個數寫入。任何存儲器測試的基本方法是，往存儲器寫入一些數據，然後根據內存設備的地址，校驗讀回的數據。如果所有讀回的數據和那些寫入的數據是一樣的，那麼就可以說存儲設備通過了測試。只有通過認真選擇的一組數據你才可以確信通過的結果是有意義的。
當然，像剛才描述的有儲器的測試不可避免地具有破壞性。在內存測試過程中，你必須覆蓋它原先的內容。因為重寫非易失性存儲器內容通常來說是不可行的，這一部分描述的測試通常只適用於RAM 的測試。一，普通的存儲器問題
在學習具體的測試演算法之前，你應該了解可能遇到的各種存儲器問題。在軟體工程師中一個普遍的誤解是，大部分的存儲器問題發生在晶元的內部。盡管這類問題一度是一個主要的問題，但是它們在日益減少。存儲設備的製造商們對於每一個批量的晶元都進行了各種產品後期測試。因此，即使某一個批量有問題，其中某個壞晶元進人到你的系統的可能性是微乎其微的。
你可能遇到的一種類型的存儲晶元問題是災難性的失效。這通常是在加工好之後晶元受到物理或者是電子損傷造成的。災難性失效是少見的，通常影響晶元中的大部分。因為一大片區域受到影響，所以災難性的失效當然可以被合適的測試演算法檢測到。
存儲器出問題比較普遍的原因是電路板故障。典型的電路板故障有：
（1）在處理器與存儲設備之間的連線問題
（2）無存儲器晶元
（3）存儲器晶元的不正確插人
二，測試策略
最好有三個獨立的測試：數據匯流排的測試、地址匯流排的測試以及設備的測試。前面兩個測試針對電子連線的問題以及晶元的不正確插入；第三個測試更傾向於檢測晶元的有無以及災難性失效。作為一個意外的結果，設備的測試也可以發現控制匯流排的問題，盡管它不能提供關於問題來源的有用信息。
執行這三個測試的順序是重要的。正確的順序是：首先進行數據匯流排測試，接著是地址匯流排測試，最後是設備測試。那是因為地址匯流排測試假設數據匯流排在正常工作，除非數據匯流排和地址匯流排已知是正常的，否則設備測試便毫無意義。如果任何測試失敗，你都應該和一個硬體工程師一起確定問題的來源。通過查看測試失敗處的數據值或者地址，應該能夠迅速地找出電路板上的問題。
1，數據匯流排測試
我們首先要測試的就是數據匯流排。我們需要確定任何由處理器放置在數據匯流排上的值都被另一端的存儲設備正確接收。最明顯的測試方法就是寫人所有可能的數據值並且驗證存儲設備成功地存儲了每一個。然而，那並不是最有效率的測試方法。一個更快的測試方法是一次測試匯流排上的一位。如果每一個數據上可被設置成為 0 和1，而不受其他數據位的影響，那麼數據匯流排就通過了測試。
2，地址匯流排測試
在確認數據匯流排工作正常之後，你應該接著測試地址匯流排。記住地址匯流排的問題將導致存儲器位置的重疊。有很多可能重疊的地址。然而，不必要測試每一個可能的組合。你應該努力在測試過程中分離每一個地址位。你只需要確認每一個地址線的管腳都可以被設置成0和 1，而不影響其他的管腳。
3，設備測試
一旦你知道地址和數據匯流排是正確的，那麼就有必要測試存儲設備本身的完整性。要確認的是設備中的每一位都能夠保持住0和 1。這個測試實現起來十分簡單，但是它花費的時間比執行前面兩項測試花費的總時間還要長。
對於一個完整的設備測試，你必須訪問（讀和寫）每一個存儲位置兩次。你可以自由地選擇任何數據作為第一步測試的數據，只要在進行第二步測試的時候把這個值求反即可。因為存在沒有存儲器晶元的可能性，所以最好選擇一組隨著地址變化（但是不等於地址）的數。優化措施
市場上並不缺少提高數據存儲效率的新技術，然而這些新技術絕大多數都是關注備份和存檔的，而非主存儲。但是，當企業開始進行主存儲數據縮減時，對他們來說，了解主存儲優化所要求的必要條件十分重要。
主存儲，常常被稱為1級存儲，其特徵是存儲活躍數據――即經常被存取並要求高性能、低時延和高可用性的數據。主存儲一般用於支持關鍵任務應用，如資料庫、電子郵件和交易處理。大多數關鍵應用具有隨機的數據取存模式和不同的取存要求，但它們都生成機構用來運營它們的業務的大量的數據。因此，機構製作數據的許多份拷貝，復制數據供分布使用，庫存數據，然後為安全保存備份和存檔數據。
絕大多數數據是起源於主數據。隨著數據存在的時間增加，它們通常被遷移到二級和三級存儲保存。因此，如果機構可以減少主數據存儲佔用空間，將能夠在數據生命期中利用這些節省下來的容量和費用。換句話說，更少的主存儲佔用空間意味著更少的數據復制、庫存、存檔和備份。
試圖減少主存儲佔用空間存儲管理人員可以考慮兩種減少數據的方法：實時壓縮和數據去重。
直到不久前，由於性能問題，數據壓縮一直沒有在主存儲應用中得到廣泛應用。然而，Storwize等廠商提供利用實時、隨機存取壓縮/解壓技術將數據佔用空間壓縮15:1的解決方案。更高的壓縮率和實時性能使壓縮解決方案成為主存儲數據縮減的可行的選擇。
在備份應用中廣泛採用的數據去重技術也在被應用到主存儲。目前為止，數據去重面臨著一大挑戰，即數據去重處理是離線處理。這是因為確定數量可能多達數百萬的文件中的多餘的數據塊需要大量的時間和存儲處理器做大量的工作，因此非常活躍的數據可能受到影響。當前，推出數據去重技術的主要廠商包括NetApp、Data Domain和OcarinaNetworks。一、零性能影響
與備份或存檔存儲不同，活躍數據集的性能比能夠用某種形式的數據縮減技術節省的存儲容量更為關鍵。因此，選擇的數據縮減技術必須不影響到性能。它必須有效和簡單；它必須等價於「撥動一個開關，就消耗更少的存儲」。
活躍存儲縮減解決方案只在需要去重的數據達到非活躍狀態時才為活躍存儲去重。換句話說，這意味著實際上只對不再被存取但仍保存在活躍存儲池中的文件――近活躍存儲級――進行去重。
去重技術通過建議只對輕I/O工作負載去重來避免性能瓶頸。因此，IT基礎設施的關鍵組件的存儲沒有得到優化。資料庫排在關鍵組件清單之首。由於它們是1級存儲和極其活躍的組件並且幾乎始終被排除在輕工作負載之外，去重處理從來不分析它們。因此，它們在主存儲中占據的空間沒有得到優化。
另一方面，實時壓縮系統實時壓縮所有流經壓縮系統的數據。這導致節省存儲容量之外的意外好處：存儲性能的提高。當所有數據都被壓縮時，每個I/O請求提交的數據量都有效地增加，硬碟空間增加了，每次寫和讀操作都變得效率更高。
實際結果是佔用的硬碟容量減少，總體存儲性能顯著提高。
主存儲去重的第二個好處是所有數據都被減少，這實現了包括資料庫在內的所有數據的容量節省。盡管Oracle環境的實時數據壓縮可能造成一些性能問題，但迄今為止的測試表明性能提高了。
另一個問題是對存儲控制器本身的性能影響。人們要求今天的存儲控制器除了做伺服硬碟外，還要做很多事情，包括管理不同的協議，執行復制和管理快照。再向這些功能增加另一個功能可能會超出控制器的承受能力――即使它能夠處理額外的工作負載，它仍增加了一個存儲管理人員必須意識到可能成為潛在I/O瓶頸的過程。將壓縮工作交給外部專用設備去做，從性能問題中消除了一個變數，而且不會給存儲控制器造成一點影響。
二、高可用性
許多關注二級存儲的數據縮減解決方案不是高可用的。這是由於它們必須立即恢復的備份或存檔數據不像一級存儲中那樣關鍵。但是，甚至在二級存儲中，這種概念也逐漸不再時興，高可用性被作為一種選擇添加到許多二級存儲系統中。
可是，高可用性在主存儲中並不是可選的選項。從數據縮減格式(被去重或被壓縮)中讀取數據的能力必須存在。在數據縮減解決方案中(其中去重被集成到存儲陣列中)，冗餘性是幾乎總是高可用的存儲陣列的必然結果。
在配件市場去重系統中，解決方案的一個組件以數據的原始格式向客戶機提供去重的數據。這個組件就叫做讀出器(reader)。讀出器也必須是高可用的，並且是無縫地高可用的。一些解決方案具有在發生故障時在標准伺服器上載入讀出器的能力。這類解決方案經常被用在近活躍的或更合適的存檔數據上;它們不太適合非常活躍的數據集。
多數聯機壓縮系統被插入系統中和網路上，放置(邏輯上)在交換機與存儲之間。因此，它們由於網路基礎設施級上幾乎總是設計具有的高可用性而取得冗餘性。沿著這些路徑插入聯機專用設備實現了不需要IT管理人員付出額外努力的無縫的故障切換；它利用了已經在網路上所做的工作。
三、節省空間
部署這些解決方案之一必須帶來顯著的容量節省。如果減少佔用容量的主存儲導致低於標準的用戶性能，它沒有價值。
主數據不具有備份數據通常具有的高冗餘存儲模式。這直接影響到總體容量節省。這里也有兩種實現主數據縮減的方法：數據去重和壓縮。
數據去重技術尋找近活躍文件中的冗餘數據，而能取得什麼水平的數據縮減將取決於環境。在具有高冗餘水平的環境中，數據去重可以帶來顯著的ROI(投資回報)，而另一些環境只能取得10%到20%的縮減。
壓縮對所有可用數據都有效，並且它在可以為高冗餘數據節省更多的存儲容量的同時，還為主存儲應用常見的更隨機的數據模式始終帶來更高的節省。
實際上，數據模式冗餘度越高，去重帶來的空間節省就越大。數據模式越隨機，壓縮帶來的空間節省就越高。
四、獨立於應用
真正的好處可能來自所有跨數據類型(不管產生這些數據是什麼應用或數據有多活躍)的數據縮減。雖然實際的縮減率根據去重數據的水平或數據的壓縮率的不同而不同，但所有數據都必須合格。
當涉及存檔或備份時，應用特有的數據縮減具有明確的價值，並且有時間為這類數據集定製縮減過程。但是對於活躍數據集，應用的特殊性將造成性能瓶頸，不會帶來顯著的容量縮減的好處。
五、獨立於存儲
在混合的廠商IT基礎設施中，跨所有平台使用同樣的數據縮減工具的能力不僅將進一步增加數據縮減的ROI好處，而且還簡化了部署和管理。每一個存儲平台使用一種不同的數據縮減方法將需要進行大量的培訓，並造成管理級上的混亂。
六、互補
在完成上述所有優化主存儲的工作後，當到了備份主存儲時，最好讓數據保持優化的格式(被壓縮或去重)。如果數據在備份之前必須擴展恢復為原始格式，這將是浪費資源。
為備份擴展數據集將需要：
使用存儲處理器或外部讀出器資源解壓數據;
擴展網路資源以把數據傳送給備份目標；
把額外的資源分配給保存備份數據的備份存儲設備。

⑥ 電腦硬體

1、特殊代碼「00」和「FF」及其它起始碼有三種情況出現：
①已由一系列其它代碼之後再出現：「00」或「FF」，則主板OK。
②如果將CMOS中設置無錯誤，則不嚴重的故障不會影響BIOS自檢的繼續，而最終出現「00」或「FF」。
③一開機就出現「00」或「FF」或其它起始代碼並且不變化則為板沒有運行起來。
2、本表是按代碼值從小到大排序，卡中出碼順序不定。
3、未定義的代碼表中未列出。
4、對於不同BIOS（常用的AMI、Award、Phoenix）用同一代碼所代表的意義有所不同，因此應弄清您所檢測的電腦是屬於哪一種類型的BIOS，您可查問你的電腦使用手冊，或從主板上的BIOS晶元上直接查看，也可以在啟動屏幕時直接看到。

5、有少數主板的PCI槽只有前一部分代碼出現，但ISA槽則有完整自檢代碼輸出。且目前已發現有極個別原裝機主板的ISA槽無代碼輸出，而PCI槽則有完整代碼輸出，故建議您在查看代碼不成功時，將本雙槽卡換到另一種插槽試一下。另外，同一塊主板的不同PCI槽，有的槽有完整代碼送出，如DELL810主板只有靠近CPU的一個PCI槽有完整的代碼顯示，一直變化到「00」或「FF」，而其它槽走到「38」則不繼續變化。

6、復位信號所需時間ISA與PCI不一定同步，故有可能ISA開始出代碼，但PCI的復位燈還不熄，故PCI代碼停在起始碼上。

代碼AwardBIOSAmiBIOSPhoenixBIOS或Tandy3000BIOS
00.已顯示系統的配置；即將控制INI19引導裝入。.
01處理器測試1，處理器狀態核實,如果測試失敗，循環是無限的。處理器寄存器的測試即將開始，不可屏蔽中斷即將停用。CPU寄存器測試正在進行或者失敗。
02確定診斷的類型（正常或者製造）。如果鍵盤緩沖器含有數據就會失效。停用不可屏蔽中斷；通過延遲開始。CMOS寫入／讀出正在進行或者失靈。
03清除8042鍵盤控制器，發出TESTKBRD命令（AAH）通電延遲已完成。ROMBIOS檢查部件正在進行或失靈。
04使8042鍵盤控制器復位，核實TESTKBRD。鍵盤控制器軟復位／通電測試。可編程間隔計時器的測試正在進行或失靈。
05如果不斷重復製造測試1至5，可獲得8042控制狀態。已確定軟復位／通電；即將啟動ROM。DMA初如准備正在進行或者失靈。
06使電路片作初始准備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁面寄存器和CMOS停機位元組。已啟動ROM計算ROMBIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。DMA初始頁面寄存器讀／寫測試正在進行或失靈。
07處理器測試2，核實CPU寄存器的工作。ROMBIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發出BAT（基本保證測試）命令。.
08使CMOS計時器作初始准備，正常的更新計時器的循環。已向鍵盤發出BAT命令，即將寫入BAT命令。RAM更新檢驗正在進行或失靈。
09EPROM檢查總和且必須等於零才通過。核實鍵盤的基本保證測試，接著核實鍵盤命令位元組。第一個64KRAM測試正在進行。
0A使視頻介面作初始准備。發出鍵盤命令位元組代碼，即將寫入命令位元組數據。第一個64KRAM晶元或數據線失靈，移位。
0B測試8254通道0。寫入鍵盤控制器命令位元組，即將發出引腳23和24的封鎖／解鎖命令。第一個64KRAM奇／偶邏輯失靈。
0C測試8254通道1。鍵盤控制器引腳23、24已封鎖／解鎖；已發出NOP命令。第一個64KRAN的地址線故障。
0D1、檢查CPU速度是否與系統時鍾相匹配。2、檢查控制晶元已編程值是否符合初設置。3、視頻通道測試，如果失敗，則鳴喇叭。已處理NOP命令；接著測試CMOS停開寄存器。第一個64KRAM的奇偶性失靈
0E測試CMOS停機位元組。CMOS停開寄存器讀／寫測試；將計算CMOS檢查總和。初始化輸入／輸出埠地址。
0F測試擴展的CMOS。已計算CMOS檢查總和寫入診斷位元組；CMOS開始初始准備。.
10測試DMA通道0。CMOS已作初始准備，CMOS狀態寄存器即將為日期和時間作初始准備。第一個64KRAM第0位故障。
11測試DMA通道1。CMOS狀態寄存器已作初始准備，即將停用DMA和中斷控制器。第一個64DKRAM第1位故障。
12測試DMA頁面寄存器。停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器並使埠B作初始准備。第一個64DKRAM第2位故障。
13測試8741鍵盤控制器介面。視頻顯示器已停用，埠B已作初始准備；即將開始電路片初始化／存儲器自動檢測。第一個64DKRAM第3位故障。
14測試存儲器更新觸發電路。電路片初始化／存儲器處自動檢測結束；8254計時器測試即將開始。第一個64DKRAM第4位故障。
15測試開頭64K的系統存儲器。第2通道計時器測試了一半；8254第2通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第5位故障。
16建立8259所用的中斷矢量表。第2通道計時器測試結束；8254第1通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第6位故障。
17調准視頻輸入／輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。第1通道計時器測試結束；8254第0通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第7位故障。
18測試視頻存儲器，如果安裝選用的視頻BIOS通過，由可繞過。第0通道計時器測試結束；即將開始更新存儲器。第一個64DKRAM第8位故障。
19測試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。已開始更新存儲器，接著將完成存儲器的更新。第一個64DKRAM第9位故障。
1A測試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。正在觸發存儲器更新線路，即將檢查15微秒通／斷時間。第一個64DKRAM第10位故障。
1B測試CMOS電池電平。完成存儲器更新時間30微秒測試；即將開始基本的64K存儲器測試。第一個64DKRAM第11位故障。
1C測試CMOS檢查總和。.第一個64DKRAM第12位故障。
1D調定CMOS配置。.第一個64DKRAM第13位故障。
1E測定系統存儲器的大小，並且把它和CMOS值比較。.第一個64DKRAM第14位故障。
1F測試64K存儲器至最高640K。.第一個64DKRAM第15位故障。
20測量固定的8259中斷位。開始基本的64K存儲器測試；即將測試地址線。從屬DMA寄存器測試正在進行或失靈。
21維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入／輸出通道的檢查）。通過地址線測試；即將觸發奇偶性。主DMA寄存器測試正在進行或失靈。
22測試8259的中斷功能。結束觸發奇偶性；將開始串列數據讀／寫測試。主中斷屏蔽寄存器測試正在進行或失靈。
23測試保護方式8086虛擬方式和8086頁面方式。基本的64K串列數據讀／寫測試正常；即將開始中斷矢量初始化之前的任何調節。從屬中斷屏蔽存器測試正在進行或失靈。
24測定1MB以上的擴展存儲器。矢量初始化之前的任何調節完成，即將開始中斷矢量的初始准備。設置ES段地址寄存器注冊表到內存高端。
25測試除頭一個64K之後的所有存儲器。完成中斷矢量初始准備；將為旋轉式斷續開始讀出8042的輸入／輸出埠。裝入中斷矢量正在進行或失靈。
26測試保護方式的例外情況。讀出8042的輸入／輸出埠；即將為旋轉式斷續開始使全局數據作初始准備。開啟A20地址線；使之參入定址。
27確定超高速緩沖存儲器的控制或屏蔽RAM。全1數據初始准備結束；接著將進行中斷矢量之後的任何初始准備。鍵盤控制器測試正在進行或失靈。
28確定超高速緩沖存儲器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。完成中斷矢量之後的初始准備；即將調定單色方式。CMOS電源故障／檢查總和計算正在進行。
29.已調定單色方式，即將調定彩色方式。CMOS配置有效性的檢查正在進行。
2A使鍵盤控制器作初始准備。已調定彩色方式，即將進行ROM測試前的觸發奇偶性。置空64K基本內存。
2B使磁碟驅動器和控制器作初始准備。觸發奇偶性結束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調節。屏幕存儲器測試正在進行或失靈。
2C檢查串列埠，並使之作初始准備。完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM並加以控制。屏幕初始准備正在進行或失靈。
2D檢測並行埠，並使之作初始准備。已完成任選的視頻ROM控制，即將進行視頻ROM回復控制之後任何其他處理的控制。屏幕回掃測試正在進行或失靈。
2E使硬磁碟驅動器和控制器作初始准備。從視頻ROM控制之後的處理復原；如果沒有發現EGA／VGA就要進行顯示器存儲器讀／寫測試。檢測視頻ROM正在進行。
2F檢測數學協處理器，並使之作初始准備。沒發現EGA／VGA；即將開始顯示器存儲器讀／寫測試。.
30建立基本內存和擴展內存。通過顯示器存儲器讀／寫測試；即將進行掃描檢查。認為屏幕是可以工作的。
31檢測從C800：0至EFFF：0的選用ROM，並使之作初始准備。顯示器存儲器讀／寫測試或掃描檢查失敗，即將進行另一種顯示器存儲器讀／寫測試。單色監視器是可以工作的。
32對主板上COM／LTP／FDD／聲音設備等I／O晶元編程使之適合設置值。通過另一種顯示器存儲器讀／寫測試；卻將進行另一種顯示器掃描檢查。彩色監視器（40列）是可以工作的。
33.視頻顯示器檢查結束；將開始利用調節開關和實際插卡檢驗顯示器的關型。彩色監視器（80列）是可以工作的。
34.已檢驗顯示器適配器；接著將調定顯示方式。計時器滴答聲中斷測試正在進行或失靈。
35.完成調定顯示方式；即將檢查BIOSROM的數據區。停機測試正在進行或失靈。
36.已檢查BIOSROM數據區；即將調定通電信息的游標。門電路中A－20失靈。
37.識別通電信息的游標調定已完成；即將顯示通電信息。保護方式中的意外中斷。
38.完成顯示通電信息；即將讀出新的游標位置。RAM測試正在進行或者地址故障＞FFFFH。
39.已讀出保存游標位置，即將顯示引用信息串。.
3A.引用信息串顯示結束；即將顯示發現<ESC>信息。間隔計時器通道2測試或失靈。
3B用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲器作初始准備。已顯示發現＜ESC＞信息；虛擬方式，存儲器測試即將開始。按日計算的日歷時鍾測試正在進行或失靈。
3C建立允許進入CMOS設置的標志。.串列埠測試正在進行或失靈。
3D初始化鍵盤／PS2滑鼠／PNP設備及總內存節點。.並行埠測試正在進行或失靈。
3E嘗試打開L2高速緩存。.數學協處理器測試正在進行或失靈。
40.已開始准備虛擬方式的測試；即將從視頻存儲器來檢驗。調整CPU速度，使之與外圍時鍾精確匹配。
41中斷已打開，將初始化數據以便於0：0檢測內存變換（中斷控制器或內存不良）從視頻存儲器檢驗之後復原；即將准備描述符表。系統插件板選擇失靈。
42顯示窗口進入SETUP。描述符表已准備好；即將進行虛擬方式作存儲器測試。擴展CMOSRAM故障。
43若是即插即用BIOS，則串口、並口初始化。進入虛擬方式；即將為診斷方式實現中斷。.
44.已實現中斷（如已接通診斷開關；即將使數據作初始准備以檢查存儲器在0：0返轉。）BIOS中斷進行初始化。
45初始化數學協處理器。數據已作初始准備；即將檢查存儲器在0：0返轉以及找出系統存儲器的規模。.
46.測試存儲器已返回；存儲器大小計算完畢，即將寫入頁面來測試存儲器。檢查只讀存儲器ROM版本。
47.即將在擴展的存儲器試寫頁面；即將基本640K存儲器寫入頁面。.
48.已將基本存儲器寫入頁面；即將確定1MB以上的存儲器。視頻檢查，CMOS重新配置。
49.找出1BM以下的存儲器並檢驗；即將確定1MB以上的存儲器。.
4A.找出1MB以上的存儲器並檢驗；即將檢查BIOSROM數據區。進行視頻的初始化。
4B.BIOSROM數據區的檢驗結束，即將檢查＜ESC＞和為軟復位清除1MB以上的存儲器。.
4C.清除1MB以上的存儲器(軟復位)即將清除1MB以上的存儲器.屏蔽視頻BIOSROM。.
4D已清除1MB以上的存儲器（軟復位）；將保存存儲器的大小。.
4E若檢測到有錯誤；在顯示器上顯示錯誤信息，並等待客戶按＜F1＞鍵繼續。開始存儲器的測試：（無軟復位）；即將顯示第一個64K存儲器的測試。顯示版權信息。
4F讀寫軟、硬碟數據，進行DOS引導。開始顯示存儲器的大小，正在測試存儲器將使之更新；將進行串列和隨機的存儲器測試。.

50將當前BIOS監時區內的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存儲器測試；即將高速存儲器的大小以便再定位和掩蔽。將CPU類型和速度送到屏幕。
51.測試1MB以上的存儲器。.
52所有ISA只讀存儲器ROM進行初始化，最終給PCI分配IRQ號等初始化工作。已完成1MB以上的存儲器測試；即將准備回到實址方式。進入鍵盤檢測。
53如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、並口和設置時種值。保存CPU寄存器和存儲器的大小，將進入實址方式。.
54.成功地開啟實址方式；即將復原准備停機時保存的寄存器。掃描「打擊鍵」
55.寄存器已復原，將停用門電路A－20的地址線。.
56.成功地停用A－20的地址線；即將檢查BIOSROM數據區。鍵盤測試結束。
57.BIOSROM數據區檢查了一半；繼續進行。.
58.BIOSROM的數據區檢查結束；將清除發現＜ESC＞信息。非設置中斷測試。
59.已清除＜ESC＞信息；信息已顯示；即將開始DMA和中斷控制器的測試。.
5A..顯示按「F2」鍵進行設置。
5B..測試基本內存地址。
5C..測試640K基本內存。
60設置硬碟引導扇區病毒保護功能。通過DMA頁面寄存器的測試；即將檢驗視頻存儲器。測試擴展內存。
61顯示系統配置表。視頻存儲器檢驗結束；即將進行DMA＃1基本寄存器的測試。.
62開始用中斷19H進行系統引導。通過DMA＃1基本寄存器的測試；即將進行DMA＃2寄存器的測試。測試擴展內存地址線。
63.通過DMA＃2基本寄存器的測試；即將檢查BIOSROM數據區。.
64.BIOSROM數據區檢查了一半，繼續進行。.
65.BIOSROM數據區檢查結束；將把DMA裝置1和2編程。.
66.DMA裝置1和2編程結束；即將使用59號中斷控制器作初始准備。Cache注冊表進行優化配置。
67.8259初始准備已結束；即將開始鍵盤測試。.
68..使外部Cache和CPU內部Cache都工作。
6A..測試並顯示外部Cache值。
6C..顯示被屏蔽內容。
6E..顯示附屬配置信息。
70..檢測到的錯誤代碼送到屏幕顯示。
72..檢測配置有否錯誤。
74..測試實時時鍾。
76..掃查鍵盤錯誤。
7A..鎖鍵盤。
7C..設置硬體中斷矢量。
7E..測試有否安裝數學處理器。
80.鍵盤測試開始，正在清除和檢查有沒有鍵卡住，即將使鍵盤復原。關閉可編程輸入／輸出設備。
81.找出鍵盤復原的錯誤卡住的鍵；即將發出鍵盤控制埠的測試命令。.
82.鍵盤控制器介面測試結束，即將寫入命令位元組和使循環緩沖器作初始准備。檢測和安裝固定RS232介面（串口）。
83.已寫入命令位元組，已完成全局數據的初始准備；即將檢查有沒有鍵鎖住。.
84.已檢查有沒有鎖住的鍵，即將檢查存儲器是否與CMOS失配。檢測和安裝固定並行口。
85.已檢查存儲器的大小；即將顯示軟錯誤和口令或旁通安排。.
86.已檢查口令；即將進行旁通安排前的編程。重新打開可編程I／O設備和檢測固定I／O是否有沖突。
87.完成安排前的編程；將進行CMOS安排的編程。.
88.從CMOS安排程序復原清除屏幕；即將進行後面的編程。初始化BIOS數據區。
89.完成安排後的編程；即將顯示通電屏幕信息。.
8A.顯示頭一個屏幕信息。進行擴展BIOS數據區初始化。
8B.顯示了信息：即將屏蔽主要和視頻BIOS。.
8C.成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開始CMOS後的安排任選項的編程。進行軟碟機控制器初始化。
8D.已經安排任選項編程，接著檢查滑了鼠和進行初始准備。.
8E.檢測了滑鼠以及完成初始准備；即將把硬、軟磁碟復位。.
8F.軟磁碟已檢查，該磁碟將作初始准備，隨後配備軟磁碟。.
90.軟磁碟配置結束；將測試硬磁碟的存在。硬碟控制器進行初始化。
91.硬磁碟存在測試結束；隨後配置硬磁碟。局部匯流排硬碟控制器初始化。
92.硬磁碟配置完成；即將檢查BIOSROM的數據區。跳轉到用戶路徑2。
93.BIOSROM的數據區已檢查一半；繼續進行。.
94.BIOSROM的數據區檢查完畢，即調定基本和擴展存儲器的大小。關閉A－20地址線。
95.因應滑鼠和硬磁碟47型支持而調節好存儲器的大小；即將檢驗顯示存儲器。.
96.檢驗顯示存儲器後復原；即將進行C800：0任選ROM控制之前的初始准備。「ES段」注冊表清除。
97.C800：0任選ROM控制之前的任何初始准備結束，接著進行任選ROM的檢查及控制。.
98.任選ROM的控制完成；即將進行任選ROM回復控制之後所需的任何處理。查找ROM選擇。
99.任選ROM測試之後所需的任何初始准備結束；即將建立計時器的數據區或列印機基本地址。.
9A.調定計時器和列印機基本地址後的返回操作；即調定RS－232基本地址。屏蔽ROM選擇。
9B.在RS－232基本地址之後返回；即將進行協處理器測試之初始准備。.
9C.協處理器測試之前所需初始准備結束；接著使協處理器作初始准備。建立電源節能管理。
9D.協處理器作好初始准備，即將進行協處理器測試之後的任何初始准備。.
9E.完成協處理器之後的初始准備，將檢查擴展鍵盤，鍵盤識別符，以及數字鎖定。開放硬體中斷。
9F.已檢查擴展鍵盤，調定識別標志，數字鎖接通或斷開，將發出鍵盤識別命令。.
A0.發出鍵盤識別命令；即將使鍵盤識別標志復原。設置時間和日期。
A1.鍵盤識別標志復原；接著進行高速緩沖存儲器的測試。.
A2.高速緩沖存儲器測試結束；即將顯示任何軟錯誤。檢查鍵盤鎖。
A3.軟錯誤顯示完畢；即將調定鍵盤打擊的速率。.
A4.調好鍵盤的打擊速率，即將制訂存儲器的等待狀態。鍵盤重復輸入速率的初始化。
A5.存儲器等候狀態制定完畢；接著將清除屏幕。.
A6.屏幕已清除；即將啟動奇偶性和不可屏蔽中斷。.
A7.已啟用不可屏蔽中斷和奇偶性；即將進行控制任選的ROM在E000：0之所需的任何初始准備。.
A8.控制ROM在E000：0之前的初始准備結束，接著將控制E000：0之後所需的任何初始准備。清除「F2」鍵提示。
A9.從控制E000：0ROM返回，即將進行控制E000：0任選ROM之後所需的任何初始准備。.
AA.在E000：0控制任選ROM之後的初始准備結束；即將顯示系統的配置。掃描「F2」鍵打擊。
AC..進入設置.
AE..清除通電自檢標志。
B0..檢查非關鍵性錯誤。
B2..通電自檢完成准備進入操作系統引導。
B4..蜂鳴器響一聲。
B6..檢測密碼設置（可選）。
B8..清除全部描述表。
BC..清除校驗檢查值。
BE程序預設值進入控制晶元，符合可調制二進制預設值表。.清除屏幕（可選）。
BF測試CMOS建立值。.檢測病毒，提示做資料備份。
C0初始化高速緩存。.用中斷19試引導。
C1內存自檢。.查找引導扇區中的「55」「AA」標記。
C3第一個256K內存測試。..
C5從ROM內復制BIOS進行快速自檢。..
C6高速緩存自檢。..
CA檢測Micronies超速緩沖存儲器（如果存在），並使之作初始准備。..
CC關斷不可屏蔽中斷處理器。..
EE處理器意料不到的例外情況。..
FF給予INI19引導裝入程序的控制，主板OK

⑦ 如何鑒別TF卡存儲設備質量檢測詳細步驟

如何鑒別TF卡?
MicroSD 卡是一種極細小的快閃記憶體卡，其格式源自SanDisk創造，原本這種記憶卡稱為T-Flash，及後改稱為TransFlash;而重新命名為microSD的原因是因為被SD協會 (SDA) 采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括miniSD和SD卡。
下面，我們就來看看存儲設備質量檢測詳細步驟。
1、把你想要檢測的TF卡或U盤插入電腦的USB介面上。
2、從網上下載軟體「MyDiskTest」雙擊並打開。選中我們要檢測的盤符。點選「開始檢測」按鈕。
3、等待一段時間。軟體會生成一個「報告」顯示在下方。
4、下載軟體「ChipGenius」打開，它會自動檢測。通過下面得出的信息。可以清楚的知道，這個存儲設備的製造商及所用的晶元組。復制信息很容易在網上查找出具體信息。還可以很據型號進行量產。
5、下載並打開軟體「ATTO Disk Benchmark」設置參數點擊「開始」按鈕。這款軟體用來檢測硬碟, U 盤, 存儲卡及其它可移動磁碟的讀取及寫入速率。測試完成後數據用柱狀圖的形式表達出來. 很直觀的說明了文件大小比例不同時對磁碟讀寫速度的影響。
6、不要動滑鼠，等待一會即可。柱形直方圖清楚地顯示出該TF卡的寫入速度是18.7/MB，讀取速度是20.9/MB。
7、拷貝一個略小於你購買的TF卡或U盤的電影或其他鏡像到其中。用軟體在其播放或者運行。播放或運行都沒有問題的話，說明此移動存儲設備完好。
8、最後是防偽標示，在官方網站上輸入編碼進行查詢。
注意事項
1、TF卡或U盤這類數碼產品一定要去正規大些的商場或網路商城購買並索要發票。
2、在檢測設備時不要同時運行其他軟體。

⑧ CPU製造工藝的生產流程

要了解CPU的生產工藝，我們需要先知道CPU是怎麼被製造出來的。生產CPU等晶元的材料是半導體，現階段主要的材料是硅Si，這是一種非金屬元素，從化學的角度來看，由於它處於元素周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處，所以具有半導體的性質，適合於製造各種微小的晶體管，是目前最適宜於製造現代大規模集成電路的材料之一。
在硅提純的過程中，原材料硅將被熔化，並放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐里放入一顆晶種，以便硅晶體圍著這顆晶種生長，直到形成一個幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是300毫米，而CPU廠商正在增加300毫米晶圓的生產。這是CPU生產過程中重要操作，也是CPU工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光並配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照並移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。
然後，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以製造出N井或P井，結合上面製造的基片，CPU的門電路就完成了。測試是一個CPU製造的重要環節，也是一塊CPU出廠前必要的考驗。這一步將測試晶圓的電氣性能，以檢查是否出了什麼差錯，以及這些差錯出現在哪個步驟（如果可能的話）。接下來，晶圓上的每個CPU核心都將被分開測試。
由於SRAM（靜態隨機存儲器，CPU中緩存的基本組成）結構復雜、密度高，所以緩存是CPU中容易出問題的部分，對緩存的測試也是CPU測試中的重要部分。
每塊CPU將被進行完全測試，以檢驗其全部功能。某些CPU能夠在較高的頻率下運行，所以被標上了較高的頻率；而有些CPU因為種種原因運行頻率較低，所以被標上了較低的頻率。最後，個別CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果問題出在緩存上，製造商仍然可以屏蔽掉它的部分緩存，這意味著這塊CPU依然能夠出售，只是它可能是Celeron等低端產品。
當CPU被放進包裝盒之前，一般還要進行最後一次測試，以確保之前的工作準確無誤。根據前面確定的最高運行頻率和緩存的不同，它們被放進不同的包裝，銷往世界各地。

存儲器出廠測試流程

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