⑴ vivo的內存融合是否會降低存儲使用壽命
內存融合技術分為兩種，一種是zram，一種是swap，前者就是在物理內存裡面劃分出一塊，將應用不活躍的地方進行壓縮。缺點是會增加CPU負擔，後者類似於windows的虛擬內存技術，在運行內存不足時（ram）用一部分儲存（rom）來代替，缺點會降低快閃記憶體壽命。
內存融合其實並不是什麼新技術，但今年格外火熱。vivo、OPPO華為、realme、中興等品牌紛紛先後推出了相關技術（也有叫內存拓展）。另外據了解，小米的內存融合技術也將很快在MIUI13上線。
通常我們買手機或者是買電腦的時候，下意識就會問一句：要多大內存版本？這里的「內存」通俗意義上有兩個含義：RAM（運行內存）和ROM（快閃記憶體）。
RAM是與CPU進行直接數據交換的儲存容器，可以供用戶隨時讀寫，速度較快，但遇到斷電情況會丟失存儲內容，適合用來短時間存儲數據，作為緩沖區進行使用。
ROM（快閃記憶體）則是一種長壽命、非易失性存儲容器，斷電下仍能對存儲數據進行保留，作用類似於電腦中的硬碟，用來儲存手機里的圖片、視頻、音樂等數據文件。
比如你的手機是「8+256GB版本」，這里的8GB說的就是運行內存。理論上運行內存越大，手機就越流暢，應用多開也能減少卡頓的情況出現。256GB說的自然就是快閃記憶體容量，容量越大能存儲的應用和文件數量就越多。
而所謂的「內存融合」，可以簡單理解為能夠將一部分的存儲空間轉化為運行內存。這樣當開啟多個APP，運行內存不夠用的時候，系統能夠用這部分的「虛擬內存」存放後台不活躍的應用進程，減少手機運行內存的壓力，提升手機流暢度。
根據目前各家已經上線的「內存融合」技術的概況來看，這項技術普遍能夠實現1~3GB左右的」內存擴展「，諸如realme GT大師探索版這樣的機型，甚至能夠實現「12+7」的擴展能力。
之所以說內存融合技術其實並不是什麼新東西，是因為大約在十年前Android其實就有了zRAM與swap兩個技術來解決手機運行內存不夠用的問題。這兩項技術從原理上，和當前的內存融合技術有一定的相似之處。
zRAM的原理是通過壓縮正在運行軟體的體積來變相增加可同時運行軟體數量，當RAM滿載的時候，系統能夠將不常用的軟體部分代碼進行壓縮，讓原本滿載的容量體積變小，空出來的容量可以運行別的軟體，需要用那部分代碼再進行解壓。而swap就是虛擬內存技術，也就是將一部門的ROM作為RAM來使用。
⑵ 什麼是易失性存儲器什麼是非易失性存儲器
易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，裡面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬碟等外存。
⑶ iphone6快閃記憶體壽命是多少
iPhone6使用了Anobit的TLC快閃記憶體晶元，TLC指的是Trinary Level Cell，是固態NAND快閃記憶體的一種，價格便宜，它的數據存儲量是SLC存儲器的3倍，是MLC存儲器的1.5倍。但TLC僅有約1000次擦寫壽命，MLC則有約3000-10000次，使用TLC的iPhone6在開機、載入程序等環境要比MLC慢約20-30%時間，這些時間可能在長期使用磨損後才會被察覺。雖然影響細微，但價格昂貴的iPhone6卻使用價格低廉的TLC快閃記憶體晶元，這才是讓許多果粉難以接受的。
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，快閃記憶體與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而快閃記憶體的大部分晶元需要塊擦除。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。
⑷ 存儲器壽命問題，硬碟、SSD、SD卡~
硬碟>SSD固態硬碟>SD卡
這要從存儲介質說起。
1、硬碟是一種採用磁介質的數據存儲設備，數據存儲在密封於潔凈的硬碟驅動器內腔的若干個磁碟片上。這些碟片一般是在以的片基表面塗上磁性介質所形成，在磁碟片的每一面上，以轉動軸為軸心、以一定的磁密度為間隔的若干個同心圓就被劃分成磁軌（track），每個磁軌又被劃分為若干個扇區（sector），數據就按扇區存放在硬碟上。在每一面上都相應地有一個讀寫磁頭（head），所以不同磁頭的所有相同位置的磁軌就構成了所謂的柱面（cylinder）。
機械硬碟的理論壽命大概有3萬小時以上，一般硬碟一直開機工作（例如網站伺服器的硬碟），3年就會壽終正寢，如果正常使用，6、7年應該沒有問題
2、關於SSD和SD，他們都是FLASH晶元
3、FLASH晶元理論可以讀寫十萬次以上（主控晶元的不同，導致壽命有差別）由於寫入是按照總量計算的，即全容量的存儲一次才記一次，對於游戲、系統等，幾天也不足寫入一次。對於辦公，游戲更新，軟體更新等，則壽命短些，平均壽命約4年。
3、硅圓是FLASH晶元的原材料，最好的，拿去做CPU，GPU，差點的拿去做內存條的FLASH。再差點的做固態硬碟，最後的下腳料做U盤及內存卡。
至於質量可想而知。
因此雖然SD卡和SSD硬碟的存儲介質都是FLASH晶元，但質量差別很大，壽命相差也很明顯。
所以關於壽命：硬碟>SSD固態硬碟>SD卡
⑸ 什麼是非易失性存儲器
斷電後，所存儲的數據不會丟失的存儲器。
在許多常見的應用中，微處理器要求用非易失性存儲器來存放其可執行代碼、變數和其他暫態數據。rom、eprom或flash
memory(快閃記憶體)常被用來存放可執行代碼(因這些代碼不會被頻繁修改)
⑹ 快閃記憶體的到底什麼作用
快閃記憶體就是Flash Memory，斷電也可以保存數據，相當於一組晶元。
⑺ 關於內存的知識
1984年，東芝公司的發明人舛岡富士雄首先提出了快速快閃記憶體存儲器（此處簡稱快閃記憶體）的概念。特點是非易失性，其記錄速度也非常快，同時體積小，因此後來被廣泛運用於數碼相機，掌上電腦，MP3、手機等小型數碼產品中。
Intel是世界上第一個生產快閃記憶體並將其投放市場的公司，當時為NOR快閃記憶體。
1989年日立公司於研製了NAND快閃記憶體，逐漸替代了NOR快閃記憶體。
PC上的SSD和手機的ROM，本質上是一家人，都是NAND快閃記憶體。
手機內存（RAM，隨機存取存儲器）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。說人話，就是我們常說的手機運行內存。
在PC平台，內存經歷了SIMM內存、EDO DRAM內存、SDRAM內存、Rambus DRAM內存、DDR內存的發展，到如今普及到DDR4內存，而手機上採用的LPDDR RAM是「低功耗雙倍數據速率內存」的縮寫，與桌面平台的DDR4內存相比，面向移動平台的LPDDR4，其能夠在帶來等效的性能(速度)的同時，兼顧更少的能源消耗。
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，即使斷電也不會丟失數據，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（NOR Flash為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。通俗地說，它就相當於電腦中的硬碟，運行內存在斷電後不會保留存儲的數據，而要長期保持數據不丟失還是需要將數據從內存寫入到硬碟當中。對於電腦這樣的桌面設備，我們可以塞進去一塊硬碟，而對於手機這樣的移動設備，顯然就不現實了。
eMMC是非易失性存儲器，不論在通電或斷電狀態下，數據都是可以存儲的，而DDR3內存是易失性存儲器，斷電同時，數據即丟失
eMMC的全稱為「embedded Multi Media Card」，即嵌入式的多媒體存儲卡。是由MMC協會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標准規格。
eMMC的存儲容量要比DDR3內存大3-4倍，常見有32G，而DDR3內存容量相對較小，常見有2-16G
2015年前所有主流的智能手機和平板電腦都採用這種存儲介質。
emmc 協議
2011年電子設備工程聯合委員會（Joint Electron Device En gineering Council，簡稱JEDEC）發布了第一代通用快閃記憶體存儲（Universal Flash Storage，簡稱UFS）標准，即UFS 2.0的前身。
2013年，JEDEC在當年9月發布了UFS 2.0的新一代快閃記憶體存儲標准，UFS 2.0快閃記憶體讀寫速度理論上可以達到1400MB/s，不僅比eMMC有更巨大的優勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見絀。
UFS 2.0共有兩個版本：
1、HS-G2，也就是目前的UFS 2.0
2、HS-G3，可以稱為UFS 2.1，其數據讀取速度將飆至1.5G/s
UFS 2.0的快閃記憶體規格則採用了新的標准，它使用的是串列介面，很像PATA、SATA的轉換。並且它支持全雙工運行，可同時讀寫操作，還支持指令隊列
eMMC是半雙工，讀寫必須分開執行，指令也是打包的，在速度上就慢。
DDR、DDR2發展到DDR3，頻率更高、電壓更低的同時延遲也在不斷變大，慢慢改變著內存子系統，而DDR4最重要的使命是提高頻率和帶寬，每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，擁有高達4266MHz的頻率，內存容量最大可達到128GB，運行電壓正常可降低到1.2V、1.1V
LPDDR是什麼呢？它的全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一種，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRAM）,是美國JEDEC固態技術協會（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內存而制定的通信標准，以低功耗和小體積著稱，專門用於移動式電子產品。
LPDDR的運行電壓（工作電壓）相比DDR的標准電壓要低，從第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使內部讀取大小和外部傳輸速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的帶寬，輸入/輸出介面數據傳輸速度最高可達3200Mbps，電壓降到了1.1V。至於最新的LPDDR4X，與LPDDR4相同，只是通過將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來節省額外的功耗，也就是更省電
⑻ 快閃記憶體都有哪些種類
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，快閃記憶體與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而快閃記憶體的大部分晶元需要塊擦除。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。
快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。快閃記憶體存取比較快速，無噪音，散熱小。用戶空間容量需求量小的，打算購置的話可以不考慮太多，同樣存儲空間買快閃記憶體。如果需要容量空間大的（如500G），就買硬碟，較為便宜，也可以滿足用戶應用的需求。
⑼ 有的手機介紹說內存是快閃記憶體的。快閃記憶體是什麼意思是和內存卡一樣永久儲存的嗎
快閃記憶體（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為位元組存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，快閃記憶體與EEPROM不同的是，它能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，這樣快閃記憶體就比EEPROM的更新速度快。由於其斷電時仍能保存數據，快閃記憶體通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等 快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
快閃記憶體卡（Flash Card）是利用快閃記憶體（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬碟（MICRODRIVE）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。