A. 晶元是如何儲存信息的
晶元儲存信息的原理如下：
對動態存儲器進行寫入操作時，行地址首先將RAS鎖存於晶元中，然後列地址將CAS鎖存於晶元中，WE有效，寫入數據，則寫入的數據被存儲於指定的單元中。
對動態存儲器進行讀出操作時，CPU首先輸出RAS鎖存信號，獲得數據存儲單元的行地址，然後輸出CAS鎖存信號，獲得數據存儲單元的列地址，保持WE=1，便可將已知行列地址的存儲單元中數據讀取出來。
(1)靜態存儲器的存儲容量大嗎擴展閱讀
主存儲器的兩個重要技術指標：
讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續啟動兩次獨立的存儲器操作（如讀操作）所必需的時間間隔。
存儲容量：通常用構成存儲器的位元組數或字數來計量。
地址匯流排用於選擇主存儲器的一個存儲單元，若地址匯流排的位數k，則最大可定址空間為2k。如k=20,可訪問1MB的存儲單元。數據匯流排用於在計算機各功能部件之間傳送數據。控制匯流排用於指明匯流排的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。
主存儲器分類：
按信息保存的長短分：ROM與RAM。
按生產工藝分：靜態存儲器與動態存儲器。
靜態存儲器（SRAM）：讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩沖存儲器。動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢，集成度高，生產成本低，多用於容量較大的主存儲器。
B. 靜態存儲器和動態存儲器器件的特性有哪些主要區別各自主要應用在什麼地方
靜態存儲器依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息。每個雙穩態電路存儲一位二進制代碼0或1，一塊存儲晶元上包含許多個這樣的雙穩態電路。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。
動態存儲器是採用超大容量的存儲技術，但是，其存儲組件要求由處理器控制的刷新周期。它與靜態存儲器等其它存儲技術相比，耗電量相對較高。優點： 跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。
所有類型的計算機系統、行動電話等移動裝置、數據記錄設備、列印機、控制系統等都屬於動態儲存器。
C. 靜態存儲區 最大限制為多大
靜態區，全局變數和靜態變數的存儲是放在一塊的，初始化的全局變數和靜態變數在一塊區域，
未初始化的全局變數和未初始化的靜態變數在相鄰的另一塊區域。
D. 靜態存儲器和動態存儲器分別利用什麼來存儲0和1信息
靜態存儲器是用雙穩態二極體存儲信息的，其具有速度快，容量小的特點。而動態存儲器則是由電容和刷新電路組成，其具有功耗大，存儲量大，速度慢的特點。
E. 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
F. 動態存儲器和靜態存儲器哪個快
靜態存儲器快
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。
由於電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。
所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態RAM。
另外，內存還應用於顯卡、音效卡及CMOS等設備中，用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。
G. 什麼是64k存儲器
..64K位靜態存儲器
飯冢哲哉;香山晉;辛永庫
<正> 在最近十多年中,MOS存儲器大體上以一定的速度持續地向著大容量化的方向發展。對於動態存儲器來說,在產品水平上從1970年的1K位迅速發展到1982年的256K位。由此可見,集成度以每3年4倍的速度向前發展。靜態存儲器(SRAM)大容量化的發展速度與動態存儲器(DRAM)相當或處於動態存儲器之上,特別是CMOS靜態存儲器的集成度發展速
【DOI】：cnki:ISSN:1004-3365.0.1983-06-008
【正文快照】：
在最近十多年中,MOS存儲器大體上以一定的速度持續地向著大容量化的方向發展。對於動態存儲器來說,在產品水平上從1970年的1 K位迅速發展到1982年的256K位。由此可見,集成度以每3年4倍的速度向前發展。靜態存儲器(SRAM)大容量化的發展速度與動態存儲器(DRAM)相當或處於動態存儲
H. 什麼是靜態存儲器什麼是動態存儲器
靜態存儲器(SRAM）：讀寫速度快,成本高,需要電源才能工作,斷電信息將丟失,多用於容量較小的高速緩沖存儲器.
動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢,集成度高,成本低,要求配置動態刷新電路,多用於容量較大的主存儲器.
I. 什麼叫做靜態存儲器它依靠什麼存儲信息
靜態存儲器是在計算機的運行過程中不需要刷新的半導體存儲器，一旦通電，就長期保存信息。它是依靠觸發器的兩個穩定狀態來存儲信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
這里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相關的答案