『壹』 西門子PLC位存儲器(M)如何用
M區時s7的基本存儲區，可用於位邏輯，整型、雙整形、實型。
MD20=MW20+MW22=M20.0~7+M21.0~7+M22.0~7+M23.0~7
『貳』 變數存儲器V和位存儲器M有什麼區別
使用上沒什麼差異，區別在於M是單片機的片內存儲器，V是片外存儲器，程序執行效率M比V要高一些（PLC實際上就是80C32的單片機系統）。
『叄』 2Kx4位的存儲晶元組成16Kx8位的存儲器，具體看詳細~
使用2Kx4的晶元構成16Kx8位的晶元，應該每行2個2K晶元形成8位地址，共四行。因為內存單元從0開始連續編址，所以每行的起始地址依次為000H、0800H、1000H、2000H。因為0800H<0B2FH<1000H，所以地址單元0B1FH在第二行上，起始地址單元為0800H。
『肆』 計算機內存儲器的最小存儲單位是什麼是位還是位元組
是位元組，對於數據存儲來說是按照位元組存儲的，所以是位元組，而不是位。如果說最小的存儲單元，那麼一定是位!，一位元組需要用8個位來存儲
『伍』 存儲器晶元的「256k x 16位」是什麼意思這是怎麼命名的
256K是256KB(256千位元組)容量，16位是數據傳輸位寬（既16個數據同時傳輸）。另外對於存儲器技術參數還有頻率，也是相當重要，它決定多少時間傳輸一次（比如問起的256k x 16位，那一次就是16位）數據。
一般存儲器的命名是以存儲器的容量x存儲器位寬（數據線根數）的規則命名。
這樣根據命名就可以看出存儲器的總容量，以及位寬（數據線根數）是多少。位寬越大，每次處理器能一次讀取的數據就越多，這樣訪問速度就越快。
256kx16位，就是存儲器總的容量是256k，也就是256x，256K是存儲器容量。
16位是字長位寬，位寬越大，CPU一次讀取的數據量就越多。
存儲晶元是按模塊存儲的，分多少塊，每塊多少大容量，所說的 256K是每塊存256位元組，那16位是匯流排數理。
(5)存儲器位平面擴展閱讀
存儲器容量計算公式：
按位計算 (b) ： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長；
按位元組計算(B)： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長 / 8。
存儲單元 ：CPU訪問存儲器的最小單位，每個存儲單元都有一個地址。
存儲字長 ：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數。
例題：一個存儲器有16根地址線，8根數據線，求此存儲器存儲容量?
答：按位求取 2^16 x 8位 =64K x 8位；
按位元組求取 2^16 x 8位/8 = 64K x B = 64kB。
分析：存儲單元與地址線的關系： 我們知道CPU訪問存儲器的最小單位是存儲單元且每個存儲單元都有一個地址，1 根地址線可以查找 2 個地址既2個存儲單元，16根地址線則可以查找 2^16個存儲單元。
存儲字長與數據線的關系 ： 我們知道存儲字長是指存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數，而二進制代碼的位數是由數據線的根數決定的，也就是說： 存儲字長 = 數據線根數位元組（B）與位(b)的關系 : 計算機里規定 1Byte = 8bit 。
所以存儲器容量就有；兩種表示方法 64K x 8位 = 64KB。我們常見的內存容量表示方法 是以位元組為單位的。例如 1GB ,4MB, 512KB
1GB = 10^3MB =10^6KB = 10^9B = 10^9 x 8b 。
『陸』 求：西門子s7系統存儲器中的位存儲器的詳細說明
狀態位:
位 定義 值 含義
0 /FC 20 首次檢查位
1 RLO 21 邏輯運算結果
2 STA 22 狀態位
3 OR 23 或
4 OS 24 保存溢出
5 OV 25 溢出
6 CC 0 26 條件代碼
7 CC 1 27 條件代碼
8 BR 28 二進制結果
9...15 未定義
『柒』 存儲器的基本結構原理
存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器
結構
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數據存儲器互相獨立，物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數據存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器，I/O介面與外部數據存儲器統一編址
存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。
主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。
指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時，先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內取出的信息或准備存入某存儲單元的信息，還要設置一個存儲器數據寄存器(MDR)
『捌』 存儲器中用來表示存儲位元的形式有哪些
單選、簡答] 存儲器的分類：
（1）.按存儲原件分類，存儲器可分為半導體存儲器、磁性表面存儲器、光碟存儲器
（2）.按存取方式分類，存儲器可分為隨機存取存儲器，順序存取存儲器，直接存儲存儲器。
（3）.按信息的可更改性分類，存儲器分為讀寫存儲器(RAM)和只讀存儲器（ROM）
（4）.按斷電後信息的可保存性分類，存儲器分為非易失（不揮發）性存儲器和易失（揮發）性存儲器。
[名稱解釋] 存儲元（位元）：是指具有兩種穩態的能表示0和1的物理器件。
[單選] 評價存儲器性能的主要指標是 容量、價格、速度
[單選] 為了縮小存儲器和處理器兩者之間在性能方面的差距、通常在計算機內部採用了層級化的存儲器體系結構。
『玖』 關於變數存儲器V 與 位存儲器M 區別
V區和M區一樣可以做永久保存，V區和M區一樣可以當Byte/Word/DWord/bit，M區32位元組256位，不多不少，位地址合一個位元組長，所以把它當做位變數時，可以達到較高的編碼效率。所以M區有中間繼電器的說法。至於TD200使用M區來記錄KEY，也是因為它適合做位變數。還有不同意見嗎？
『拾』 計算機內存儲器分為哪兩種,談談其主要作用
1、磁芯存儲器：
是隨機存取計算機存儲器的主要形式。這種存儲器通常被稱為核心存儲器，或者非正式地稱為核心存儲器。
核心使用微小的磁環（環），核心通過線程來寫入和讀取信息。
每個核心代表一點信息。 磁芯可以以兩種不同的方式（順時針或逆時針）磁化，存儲在磁芯中的位為零或一，取決於磁芯的磁化方向。
布線被布置成允許單個芯被設置為1或0，並且通過向所選擇的導線發送適當的電流脈沖來改變其磁化。 讀取內核的過程會導致內核重置為零，從而將其擦除。
這稱為破壞性讀數。 在不進行讀寫操作時，即使關閉電源，內核也會保持最後的值。 這使它們成為非易失性的。
2、半導體存儲器（semi-conctor memory）：
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器，內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
(10)存儲器位平面擴展閱讀
早期的計算機最常見的存儲器是各種磁芯製成的。這種磁芯存儲器已被微型集成電路塊上的半導體存儲器所取代。磁芯存儲器是華裔王安於1948年發明的(注)。最初的磁芯存儲器只有幾百個位元組的容量。
磁芯的英文名稱就是core，磁芯存儲器就叫作core memory。雖然磁芯存儲器已經被淘汰，但一些人還是出於習慣把內存叫做core。
在鐵氧體磁環里穿進一根導線，導線中流過不同方向的電流時，可使磁環按兩種不同方向磁化，代表「1」或「0」的信息便以磁場形式儲存下來。
最常見的核心存儲器形式，X /
Y線重合電流，用於計算機的主存儲器，由大量小環形亞鐵磁陶瓷鐵氧體（磁芯）組成網格結構（組織為「堆疊「稱為平面的層」，電線穿過核心中心的孔。
在早期系統中有四條線：X，Y，Sense和Inhibit，但後來的核心將後兩條線組合成一條Sense
/
Inhibit線。每個環形線圈存儲一位（0或1）。每個平面中的一個位可以在一個周期內被訪問，因此一個字數組中的每個機器字被分布在一堆「平面」上。
每個平面將並行操作一個字的一位，允許在一個周期內讀取或寫入完整的字。