① 微機原理存儲器
1、答案：C
SRAM：靜態存儲器，讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩沖存儲器。
DRAM：動態存儲器，讀寫速度較慢，集成度高，生產成本低，多用於容量較大的主存儲器。
EPROM：（紫外線）可擦除可編程只讀存儲器，有一個小玻璃窗口，用紫外線照射檫除，主要應用於存儲單片機的程序代碼，只能離線寫入代碼。
EEPROM：（電）可擦除可編程只讀存儲器，用電檫除，主要用於存儲數據，掉電後數據也不會丟失，且可以在線編程寫入數據。
2、答案：A 靜態存儲器，它的存取速度是最快的，也是最昂貴的
DRAM因為在存取過程中要不斷刷新，EPRON用紫外線擦除的速度很緩慢（還要離線操作），硬碟的速度也不快，具體原理就不說了。
② 只讀存儲器的種類
ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。
PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。 例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由於可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。
可編程可擦除只讀存儲器
可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由於能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
擦除遠存儲內容的方法可以採用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。 光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
一次編程只讀內存
一次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
電子可擦除可編程只讀存儲器
電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
閃速存儲器
閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。
③ eprom是指什麼
EPROM就是，中文含意為「可擦除可編程只讀存儲器」。它是一種可重寫的存儲器晶元，並且其內容在掉電的時候也不會丟失。
換句話說，它是非易失性的。它通過EPROM編程器進行編程，EPROM編程器能夠提供比正常工作電壓更高的電壓對EPROM編程。一旦經過編程，EPROM只有在強紫外線的照射下才能夠進行擦除。
為了進行擦除，EPROM的陶瓷封裝上具有一個小的石英窗口，這個石英窗口一般情況下使用不透明的粘帶覆蓋，當擦除時將這個粘帶揭掉，然後放置在強紫外線下大約20分鍾。
特點：
在平常情況下，EEPROM與EPROM一樣是只讀的，需要寫入時，在指定的引腳加上一個高電壓即可寫入或擦除，而且其擦除的速度極快。通常EEPROM晶元又分為串列EEPROM和並行EEPROM兩種，串列EEPROM在讀寫時數據的輸入／輸出是通過2線、3線、4線或SPI匯流排等介面方式進行的，而並行EEPROM的數據輸入／輸出則是通過並行匯流排進行的。
EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。
④ 幫忙UVEPROM,EEROM,SRAM,DRAM的中文含義和主要用途
1UVEPROM,可擦出編程ROM（EPROM)的主要種類,EPROM可以由用戶自行寫入數據，寫入後的內容可由紫外線燈照射擦除，然後可重新寫入新的數據。這種由紫外線擦除的EPROM可寫為2EEROM電可擦只讀存儲器,
3SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
4DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
⑤ 屬於半導體存儲器的有什麼
半導體存儲器的分類
按功能可以分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀，從字面上理解就是只可以從裡面讀，不能寫進去，它類似於我們的書本，發到我們手回之後，我們只能讀裡面的內容，不可以隨意更改書本上的內容。只讀存儲器的英文縮寫為ROM（READ ONLY MEMORY）--如計算機里的南北橋晶元
所謂隨機存取存儲器，即隨時可以改寫，也可以讀出裡面的數據，它類似於我們的黑板，我可以隨時寫東西上去，也可以用黑板擦擦掉重寫。隨機存儲器的英文縮寫為RAM（READ RANDOM MEMORY）這兩種存儲器的英文縮寫一定要記牢。--如計算機里的內存條，顯卡的顯存
注意：所謂的只讀和隨機存取都是指在正常工作情況下而言，也就是在使用這塊存儲器的時候，而不是指製造這塊晶元的時候。否則，只讀存儲器中的數據是怎麼來的呢？其實這個道理也很好理解，書本拿到我們手裡是不能改了，可以當它還是原材料——白紙的時候，當然可以由印刷廠印上去了。
順便解釋一下其它幾個常見的概念。
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習本，買來的時候是空白的，可以寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它裡面的內容寫上去之後，如果覺得不滿意，可以用一種特殊的方法去掉後重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象「消字靈」，可以把字去掉，然後再重寫。當然消的次數多了，也就不靈光了，所以這種晶元可以擦除的次數也是有限的——幾百次吧。
FLASH，稱之為閃速存儲器，它和EPROM類似，寫上去的東西也可以擦掉重寫，但它要方便一些，不需要光照了，只要用電學方法就可以擦除，所以就方便許多，而且壽面也很長（幾萬到幾十萬次不等）。
再次強調，這里的所有的寫都不是指在正常工作條件下。不管是PROM、EPROM還是FLASH ROM，它們的寫都要有特殊的條件，一般我們用一種稱之為「編程器」的設備來做這項工作，一旦把它裝到它的工作位置，就不能隨便改寫了。
⑥ 常見的存儲器有哪些
ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。最常見的就是光碟，如下圖所示：
CDROM
在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
rom的分類：
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。
PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由於可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。
可編程可擦除只讀存儲器
可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由於能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
擦除遠存儲內容的方法可以採用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。[2]光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
一次編程只讀內存
一次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
電子可擦除可編程只讀存儲器
電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
閃速存儲器
閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。
⑦ 方正電腦主板bois的每一項英文意思急要！
先看懂了,你再做,否則危險很大!
一、BIOS詳解
對於不少新手，刷新BIOS還是比較神秘的。而對於一些BIOS相關的知識，不少人也是一知半解。在這里，我們將對BIOS作一次全面的了解。
1、什麼是BIOS
BIOS是英文"Basic Input Output System"的縮略語，直譯過來後中文名稱就是"基本輸入輸出系統"。它的全稱應該是ROM－BIOS，意思是只讀存儲器基本輸入輸出系統。其實，它是一組固化到計算機內主板上一個ROM晶元上的程序，它保存著計算機最重要的基本輸入輸出的程序、系統設置信息、開機上電自檢程序和系統啟動自舉程序。有人認為既然BIOS是"程序"，那它就應該是屬於軟體，感覺就像自己常用的Word或Excel。但也很多人不這么認為，因為它與一般的軟體還是有一些區別，而且它與硬體的聯系也是相當地緊密。形象地說，BIOS應該是連接軟體程序與硬體設備的一座"橋梁"，負責解決硬體的即時要求。一塊主板性能優越與否，很大程度上就取決於BIOS程序的管理功能是否合理、先進。主板上的BIOS晶元或許是主板上唯一貼有標簽的晶元，一般它是一塊32針的雙列直插式的集成電路，上面印有"BIOS"字樣。586以前的BIOS多為可重寫EPROM晶元，上面的標簽起著保護BIOS內容的作用(紫外線照射會使EPROM內容丟失)，不能隨便撕下。586以後的ROM BIOS多採用EEPROM(電可擦寫只讀ROM)，通過跳線開關和系統配帶的驅動程序盤，可以對EEPROM進行重寫，方便地實現BIOS升級。常見的BIOS晶元有Award、AMI、Phoenix、MR等，在晶元上都能見到廠商的標記。
2、BIOS的作用
BIOS的主要作用有以下幾方面：
首先是自檢及初始化程序:計算機電源接通後，系統將有一個對內部各個設備進行檢查的過程，這是由一個通常稱之為POST（Power On Self Test/上電自檢）的程序來完成，這也是BIOS程序的一個功能。完整的自檢包括了對CPU、640K基本內存、1M以上的擴展內存、ROM、主板、CMOS存貯器、串並口、顯示卡、軟硬碟子系統及鍵盤的測試。在自檢過程中若發現問題，系統將給出提示信息或鳴笛警告。如果沒有任何問題，完成自檢後BIOS將按照系統CMOS設置中的啟動順序搜尋軟、硬碟驅動器及CDROM、網路伺服器等有效的啟動驅動器 ，讀入操作系統引導記錄，然後將系統控制權交給引導記錄，由引導記錄完成系統的啟動，你就可以放心地使用你的寶貝了。其次是硬體中斷處理：計算機開機的時候，BIOS會告訴CPU等硬體設備的中斷號，當你操作時輸入了使用某個硬體的命令後，它就會根據中斷號使用相應的硬體來完成命令的工作，最後根據其中斷號跳會原來的狀態。再有就是程序服務請求：從BIOS的定義可以知道它總是和計算機的輸入輸出設備打交道，它通過最特定的數據埠發出指令，發送或接收各類外部設備的數據，從而實現軟體應用程序對硬體的操作。
3、BIOS與CMOS
不少朋友混淆了BIOS與CMOS的概念，這里就跟大家說說CMOS及其與BIOS的關系：
CMOS是"Complementary Metal Oxide Semiconctor"的縮寫，翻譯出來的本意是互補金屬氧化物半導體存儲器，指一種大規模應用於集成電路晶元製造的原料。但在這里CMOS的准確含義是指目前絕大多數計算機中都使用的一種用電池供電的可讀寫的RAM晶元。而BIOS的意義我們在前面已經解釋過了。那麼，CMOS與BIOS到底有什麼關系呢？CMOS是存儲晶元，當然是屬於硬體，它的作用是具有數據保存功能，但它也只能起到存儲的作用，而不能對存儲於其中的數據進行設置，要對CMOS中各項參數的設置就要通過專門的設置程序。現在多數廠家將CMOS的參數設置程序做到了BIOS晶元中，在計算機打開電源時按特殊的按鍵進入設置程序就可以方便地對系統進行設置。也就是說BIOS中的系統設置程序是完成CMOS參數設置的手段，而CMOS RAM是存放設置好的數據的場所，它們都與計算機的系統參數設置有很大關系。正因如此，便有?quot;CMOS設置"和"BIOS設置"兩種說法，其實，准確的說法應該是"通過BIOS設置程序來對CMOS參數進行設置"。BIOS和CMOS是既相關聯又有區別，"CMOS設置"和"BIOS設置"只是大家對設置過程簡化的兩種叫法，在這種意義上它們指的都是一會事。
CMOS存儲晶元可以由主板的電池供電，即使系統掉電，存儲的數據也不會丟失。但如果拿掉電池會出現什麼情況呢？問得好！如果電池沒有電，或是突然接觸出了問題，或是你把他取下來了，那麼CMOS就會因為斷電而丟掉內部存儲的所有數據。只不過若真有這種情況發生的話也不是什麼大問題，你可以換電池，或是檢查接觸不良的原因，總之保證CMOS有電。再開機進入BIOS程序，選擇主菜單中的"LOAD BIOS DEFAULTS"或是"LOAD SETUP DEFAULTS"後回車，最後再確定輸入"Y"回車即可。大家也許曾聽其他玩家談到過若忘記了開機密碼就給CMOS放電的說法，其實也就是把包括密碼在內的信息全丟掉，開機時就不需要輸入密碼了，再來重新寫入數據。
4、升級BIOS的意義
升級BIOS的原因通常有以下幾個：
（1）提供對新的硬體或技術規范的支持。
電腦硬體技術發展太快，主板對於一些新硬體（如K6－III Celeron II CPU）或新技術（如DMA100、DMA66、大於35GB的硬碟等）未能正確識別或不能提供支持，這時便需要通過升級BIOS來獲得對新硬體或新技術的支持。
（2）解決舊版本BIOS中存在的BUG。
（3）解決2000年問題。不少1997年以前生產的主板都存在2000年問題，而一些新主板雖然已解決了2000年問題，但在個別Y2K測試軟體下不能通過，這些問題都可通過升級BIOS來加以解決。
5、什麼樣的BIOS能夠升級
觀察您的主板上的BIOS晶元（一般為一個28針或32針的雙列直插式的集成電路，上面有BIOS字樣），該晶元大多為AWARD或AMI的產品。揭掉BIOS晶元上面的標簽， 就會看到BIOS晶元的編號。對於某些主板，廠家為了節約成本而使用了不可升級的BIOS。當然，你也可以直接查看主板說明書，看上面是否有關於主板的BIOS可以升級的說明。不過，即使主板說明書上沒有有關的說明，也不必灰心，你完全可以親自動手試一下。因為並不是所有的主板都將此特性寫在說明書上的。
這里我們有必要弄清以下幾個概念，以便能更加全面的了解與BIOS相關的知識，當然，也可以用來在朋友面前吹噓一番，呵呵。
（1）PROM：這是英文"可編程只讀存儲器"一詞的縮寫，它是一種存儲晶元，其中的內容一經寫入就不能修改，並且在主機關掉後內容也不會消失。PROM和ROM的不同在於出廠時，PROM是一塊空白無內容的晶元，而ROM出廠時，其中的內容已經寫好。要在PROM中寫入內容，您需要一個叫做PROM編程器的工具，該工具也叫PROM燒寫器；往PROM中寫入內容的過程就叫燒寫。
（2）EPROM：這是英文"可擦寫的可編程只讀存儲器"的縮寫，它是一種可以通過在紫外線的照射下擦除其中內容的特殊的PROM晶元。其中的內容一旦被擦除，您就可以重新寫入新內容。
（3）EEPROM：這是英文"電可擦寫的可編程只讀存儲器"，它可以通過使用和電有關的手段來對其中的內容進行擦寫。和其他的PROM一樣，其中的內容在主機斷電的情況下不會消失。
6、有時系統出現故障，且無法顯示時，就需要我們通過解讀PC喇叭的「語言」來分析故障原因了
因此，了解PC喇叭的「語言」還是很重要的，下面請看我們的開機自檢響鈴代碼含義解析
知道了什麼是BIOS，還要知道你的BIOS是Award BIOS還是AMI BIOS。
二、Award BIOS升級指南
下面我們以磐英EP-3VCA2主板為例，具體描述一下AWARD BIOS的升級方法：
主板： 磐英EP-3VCA2
BIOS類型：Award
BIOS升級文件名：vca20b02.bin
BIOS擦寫程序：AWDFLASH.EXE(Award的BIOS擦寫程序名一般為AWDFLASH.EXE。您可以在您的主板配套驅動光碟中或是在您主板的製造商網站找到。強烈推薦從上述兩個途徑來尋找刷新工具，如果實在找不到，也可以使用我們提供的公版AWDFLASH，使用華碩主板的用戶請務必使用華碩專用的AFLASH.EXE)
升級文件和刷新程序存放路徑：c:\bios
1.將以上文件放在硬碟的c:\bios目錄中，並在紙片上抄下完整的文件名，以防輸入時遺忘。注意：將升級文件改為任意名稱並放在任意目錄中均可，但不要使用中文或太長的名稱和路徑，以免在DOS狀態下鍵入和顯示不方便。
2.重新啟動微機，在開始進入Windows時，按F8鍵，選擇第五項「safe mode and command prompt only」，進入「純」DOS狀態。如果您使用了Win2000操作系統，可以使用啟動軟盤啟動系統，再轉入c:\bios進行更新，當然也可以把升級文件和刷新程序都放到軟盤上來更新(必須保證這張軟盤質量可靠)
3.敲入cd c:\bios命令進入「c:\bios」目錄中，運行Awdflash.exe。
4.屏幕顯示當前的BIOS信息，並要求你輸入升級用的新的BIOS數據文件的名稱（「File Name to Program:」）。
5.在本文的例子中，輸入的新BIOS數據文件名為：vca20b02.bin, 屏幕顯示當前的BIOS信息。
6.然後屏幕會提示是否要保存舊版本的BIOS。建議選擇yes，以將現用BIOS先保存下來，放入一個鍵入的磁碟文件中。本次操作中指定舊版本BIOS被保存的文件名為vca20old.bin，放在預設路徑c:\bios中
7. 接著，程序會再次詢問是否確定要寫入新的BIOS，選擇yes。
8. 這時，有一個進度條顯示升級的進程，一般情況下幾秒鍾之內即可完成升級操作。在這個過程中千萬不能關機或斷電(這也太倒霉)，否則升級就只能是失敗了，這時您要是能擁有一個UPS不間斷電源就完美了
9. 最後，根據提示按F1重新啟動微機，或按F10退出(仔細回想一下，如果感覺前述步驟的哪個地方做得不妥當，這時還可以重來)。
10、正常啟動了？一切OK吧，升級BIOS其實不難！祝賀你！！
三、AMI BIOS升級指南
下面我們以微星6117主板為例，具體描述一下AMI BIOS的升級方法：
主板：MSI微星6117
BIOS類型：AMI
BIOS升級文件名：A617MS18.ROM
BIOS刷新程序： AMIFLASH.EXE
升級文件及刷新程序存放路徑：c:\bios
AMI的BIOS的升級方法和Award的BIOS升級基本相同，以上操作過程可以作為參考。更具體點，可以採取如下幾個步驟：
1、文件准備
AMI的BIOS擦寫程序名一般為AMIFLASH.EXE。您可以在您的主板配套驅動光碟中或是在您主板的製造商網站找到。強烈推薦從上述兩個途徑來尋找刷新工具，如果實在找不到，也可以使用我們提供的公版AMIFLASH程序
2、啟動微機進入純DOS狀態，敲入cd c:\bios進入c:\bios目錄，運行「AMIFLASH.EXE」
3、在主選單中選擇「File」，然後按「Enter」
4、輸入BIOS路徑及文件名c:\bios\A617MS18.ROM
5、在指示欄，程序將題示「Are you sure to write this BIOS into flash ROM ? [Enter] to continue or [ESC] to cancel，這句話的意思是「你是否確認將這款BIOS裝入flash ROM中？按[Enter]繼續或按[ESC]退出」。此時按Enter確認
6、在指示欄，程序將顯示「Flash ROM updated completed - PASS， Press any key to continue...」，意思是「Flash ROM已經寫入完成，請按任意鍵繼續」，此時再按Enter確認
7、重新啟動您的電腦
8、正常啟動了？一切OK吧，升級BIOS其實不難！祝賀你！！
四、升級BIOS失敗後的處理
升級BIOS一旦失敗，就會使計算機無法啟動。這種情況是很少發生的，運氣實在是不太好。這時不要灰心，不要失望！有很多方法能夠幫助你，一定能行！
方法（l）：利用BIOS Boot Block引導塊
現在用Award BIOS的主板都有一個BIOS引導塊，當你升級BIOS時，這一小部分引導塊可以不被覆蓋（Boot Block write跳線設置為"Disable"，並且在運行Flash程序時，不選擇UPdate BIOS Including Boot Block」方式）。這個BIOS引導塊只支持軟碟機和ISA顯示卡，所以很多人在升級BIOS失敗後，當主板上仍插PCI顯卡時，啟動電腦會黑屏，但電腦卻能讀軟碟機，這就意味著主板的 BIOS仍可以恢復。這個 BIOS引導塊可以引導正常的 DOS啟動盤並執行utoexec．bat，只要把Flash程序和正確的BIOS文件拷貝到DOS啟動盤上，然後在 Autoexec． bat中添加上執行升級 Flash BIOS的語句，如 Awdflash Biosxxx．bin。可以在一台正常的電腦上做好這張盤，拿到需要恢復的電腦上運行；或找塊ISA顯卡插到電腦上，啟動後執行軟盤上的升級程序。如果沒有ISA顯卡，也可以在啟動後黑屏的情況下，自己動手運行升級程序。這時電腦仍可以正常運行，只是屏幕沒有顯示，只要升級時鍵入的內容完全正確，一樣可以成功。
方法（2）：利用Flash Recover boot Block引導塊
對於另一些主板（例如某些使用Phoenix BIOS的主板），主板上的BIOS中有一個FlashRecover Boot Block引導塊，這個引導塊不會被升級程序覆蓋。主板上有一個Flash Re-cove。Jumper跳線，BTOS升級失敗或被CIH病毒破壞後可以恢復，方法如下：
[1]把Flash Recover Jumper跳線設置為「Enable」。
[2]把可引導的升級盤插入A驅動器（盤中的BIOS一定要是能正常工作的，文件名要符合主板的要求，因為主板要把軟盤中的BIOS備份自動寫回Flash BIOS）。
[3]重新啟動電腦。
[4]因為這一小段代碼是放在不可寫人的引導塊區域的，所以不支持顯卡，升級過程只能靠聲音和軟碟機指示燈的提示來判斷是否完成。如電腦 喇叭發聲且軟碟機燈亮著時，表明系統正在恢復BIOS到Flash BIOS，當電腦喇叭不發聲且軟碟機燈也不亮時，表明恢復完成。
[5]關掉電源。
[6]把Flash Recover Jumper跳線跳回默認位置。
[7]取出軟盤，開啟電源。
方法（3）：換一個新的BIOS晶元
與你的主板製造商或經銷商聯系，設法得到一塊BIOS晶元。也可以買一塊與主板的BIOS晶元兼容的ROM晶元，如 27CXXX、 28CXXX系列 EPROM，用專門的可寫 EPROM的儀器將正常的BIOS寫入，換下升級失敗了的BTOS晶元。用這種方法還可以升級那些BIOS不是Flash BIOS的主板、顯卡甚至Modem的BIOS。這種EPROM一般也不貴，十塊錢左右就可以買到（這種方法的限制是得找到紫外線EPROM的擦寫器）。
方法（4）：熱拔插法
[1]還有些主板的BIOS晶元中可能沒有集成最初始的信息，或你無法找到ISA顯卡，這時你可以找到與你的主板相同的好主板。先把好主板的BIOS晶元拔下，當然，你自己的BIOS晶元也要拔下，然後把好的BIOS晶元插入你自己的主板，啟動計算機到DOS系統下，注意，進人DOS時不要外掛別的程序。當然，現在許多朋友的電腦都在用Windows 95和Windows98，這時候你可以在計算機剛啟動時按[F8]鍵，然後選擇「Safe Mode and Command only模式」進入，最好直接用DOS引導盤啟動，然後拔下那塊好的BIOS晶元，再將你自己的B10S晶元插入你的主板中，執行寫入程序就行了！當然，你也可以把你的B1OS晶元拿到別人的電腦上寫！
[2]當你找不到相同的主板時，還可用不同主板重寫BIOS來救你主板的BIOS，先拔下好的BIOS，把損壞的B1OS插上，用主板自帶的寫入程序寫入B1OS，再把寫好的BIOS插好你的主板上就行了。
回答者：轉運貝貝 - 高級魔法師 六級 4-25 13:31
其實Award Bios和AMI Bios裡面有很多東西是相同的，可以說基本上是一樣的，雖然有些名字叫法不同，但是實際作用是一樣的。在前文中已經了解了一些Bios的基本知識，和設置，那麼在這篇文章裡面我就會更詳細的介紹一下Bios的超頻設置，希望對那些想超頻但是又沒有接錯過超頻的玩家能有一些幫助。
和AMI Bios一樣，再開機畫面時按下「Del」鍵進入Bios設置菜單（有些是按F1鍵），如圖：
進入後大家會看到以下菜單，也有可能會有一些差別，但是基本上是差不多的，及算名字不同，但是基本上作用是一樣的！
大家可以用方向鍵移動游標，回車鍵確認，ESC鍵返回，用PageUp，PageDown和數字鍵鍵調整設置，在任何設置菜單中可以按下F10鍵退出並保存設置，這些都和AMI Bios設置差不多！那麼就正是進入設置！
一．SoftMenu Setup（軟超頻設置）
其實這個Soft Menu Setup，是升技主板獨有的技術，這里提供了豐富的CPU外頻、倍頻調節（需要CPU支持）、AGP/PCI匯流排頻率以及CPU/內存/AGP的電壓調節頻率等等。這個項目相當於一些主板中的「Frequency/Voltage Control」
前面是CPU的一些基本信息顯示，下面的選項就是CPU超頻的主要選項了！
1. CPU Operating Speed（CPU外頻設置）：
這個項目根據你所使用的處理器型式以及速度來顯示該處理器的運作速度，您可以選擇[User Define]（使用者設定）的選項來手動輸入其運作速度。 如圖：
好了，到了這里我就先放下Bios的設置引導了，在教大家超頻之前先向大家解釋一下什麼叫超頻以及超頻的原理吧，這樣才能讓你能更好的進入下一步Bios設置超頻！
CPU超頻，它的主要目的是為了提高CPU的工作頻率，也就是CPU的主頻。而CPU的主頻又是外頻（FSB）和倍頻（Multiplier Factor） 的乘積。例如一塊CPU的外頻為200MHz,倍頻為10,可以計算得到它的主頻＝外頻×倍頻＝200MHz×10 = 2000MHz，即2.0GHz。
提升CPU的主頻可以通過改變CPU的倍頻或者外頻來實現。但如果使用的是Intel CPU，你盡可以忽略倍頻，因為IntelCPU使用了特殊的製造工藝來阻止修改倍頻。但是有一部分Intel的工程樣品是沒有鎖定倍頻額，AMD的CPU可以修改倍頻。雖然提升CPU的外頻或者倍頻都可以使CPU達到同樣的頻率，比如一顆2.0GHz的CPU，它用200*10＝2.0，我們可以把倍頻提升到20，而把FSB降到100MHz，或者可以把FSB提升到250，而把倍頻降低到8。這兩個方法都可以使主頻達到2.0G，但是他們所得到的性能是不一樣的。因為外頻（FSB）是系統用來與處理器通信的通道，應該讓它盡可能的提高。所以如果把FSB降到100MHz而把倍頻提高到20的話，依然會有2.0GHz的時鍾頻率，但是系統的其餘部分與處理器通信將會比以前慢得多，導致系統性能的損失，因此，如果用戶的CPU可以降低倍頻，不妨試一試！
外頻的速度通常與前端匯流排、內存的速度緊密關聯。因此當你提升了CPU外頻之後，CPU、系統和內存的性能也同時提升，這就是為什麼DIYer喜歡超頻的原因了。
好了，言歸正傳，繼續Bios設置，在你選擇「CPU Operating Speed」中的「Use Defined」選項後，你會看到以前不可以選的CPU選項現在已經可以進行設置了！
1.Ext.Clock（CPU/AGP/PCI）
這就是外頻調節設置選項，手動輸入想設置成的CPU外頻數值，在此允許輸入數值范圍在100-412之間，可以以每1MHz的頻率提高進行線性超頻，最大限度的挖掘CPU的潛能。一般上CPU的外頻在100至250左右較為正常，一般不會超過300MHz，所以用戶千萬不要一次性把外頻調到最高，原則上來講，第一次超頻CPU因為不清楚CPU究竟可以在多高的外頻下工作，因此設置外頻的數值可以以三至五兆赫茲為台階提高來慢慢試驗，在此為了示範，直接將外頻設置成了133MHz這個標准外頻，設置了正確的外頻數字以後再按回車鍵確定。
如果CPU的倍頻沒有被鎖定的話，拉么在Ext.Clock（CPU/AGP/PCI）菜單下會顯示有一個Multiplier Factor（倍頻設置）選項這個項目選擇CPU的倍頻數。
2.Estimated New CPU clock：
這個項目顯示前兩項 [Ext. Clock] 與 [Multiplier Factor] 的頻率總和。
3. N/B Strap CPU As：
這個部份可以設定指定給MCH (內存控制器)的前端匯流排。選項有：[PSB400]、[PSB533]、[PSB800]、以及 [By CPU]。默認值是 [By CPU].
若要手動設定這個部份：
若CPU的頻率為100MHz FSB，則可選擇 [PSB400]。
若CPU的頻率為133MHz FSB，則可選擇 [PSB533]。
若CPU的頻率為200MHz FSB，則可選擇 [PSB800]。
4.DRAM Ratio (CPU:DRAM):
這個部份可以決定CPU和DRAM之間的頻率比。
說到這里，又得跟大家解釋一下CPU與內存的關系了，內存的工作頻率是由外頻（FSB）決定的，因此我們在對CPU超頻的同時就給內存也增加了運行頻率，設置外頻與內存匯流排頻率的比值。如果你使用的是DDR333內存，它的標准運行頻率可以達到166MHz，由於剛才我們已經把外頻設置成了133MHz，因此在此可以選擇「4:5」，讓內存也運行在最高的頻率。
5. Fixed AGP/PCI Frequency：
此項目可用來決定AGP/PCI匯流排的頻率，此選項允許你維持您的AGP/PCI頻率在一些固定的頻率上，以增進系統的穩定性。
6. CPU Power Supply：
此選項允許用戶在處理器預設電壓數值和使用者定義電壓數值之間做切換，請不要隨意去變動此預設電壓數值，除非你有一定的調節經驗，選擇「User Define」選項後「CPU Core Voltage 」就可以選擇CPU核心所使用的電壓可讓您以手動的方式來選擇處理器的核心電壓數值。 如圖：
這里介紹一下CPU核心電壓，P4 CPU的額定核心工作電壓為1.5V，通常不超過1.65V的電壓都是安全的，當然超頻提高電壓是要在保證穩定工作的前提下，盡可能的少加電壓，這是從散熱方面考慮為了將CPU的溫度盡可能的控制在低水平下。電壓也可以一點一點兒的逐漸嘗試提高，不必急於一步到位，在此我們先選擇1.55V嘗試一下。請注意超過1.70V的電壓對於北木核心的P4來說都是危險的，有可能會燒壞CPU，因此電壓不宜加的過高！
7.DDR SDRAM Voltage:
這個部份可以選擇DRAM插槽工作電壓。
就是來提高給DDR內存供電的電壓，DIMM模組的默認電壓為2.5V，如果內存品質不好，或是超頻了內存，那麼可以適當提高一點內存電壓，加壓幅度盡量不要超過0.5V，不然則有可能會損壞內存！
最後，在這裡面還可以看到給AGP顯示卡提高工作電壓的選項，如果你超頻是為標准外頻，也讓顯示卡超頻工作了的話，那麼可以考慮適當提高一些AGP的電壓，AGP默認電壓為1.5V。如圖：
好了，說了這么多的超頻的Bios設置後，繼續說明其他選項的Bios設置，當然，一下內容中同樣也有關於優化超頻的說明！
二.Standard CMOS Features（標准CMOS參數設定）
這里就不用多講了！想必大家都能看懂！下面是「IDE設備設置」裡面的選項解釋，一般不用用戶設置，保持默認的就可以了！
三．Advanced BIOS Features（BIOS進階功能設定）
1.Quick Power On Self Test（快速啟動選擇）:
當設定為[Enabled]（啟動）時，這個項目在系統電源開啟之後，可加速POST（Power On Self Test）的程序。BIOS會在POST過程當中縮短或是跳過一些檢查項目，從而加速啟動等待的時間！
2.Hard Disk Boot Priority（硬碟引導順序）:
此項目可選擇硬碟開機的優先順序，按下
⑧ eprom是指什麼存儲器
EPROM指的是「可擦寫可編程只讀存儲器」，即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特點是具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。
EPROM是非常有用的硬體或機制，可以在不同的應用程序和領域中使用。EPROM用於計算機BIOS中，以便存儲引導載入程序，該引導載入程序將初始化計算機並載入非常基本的BIOS操作系統，以載入常規操作系統。
⑨ 計算機內存中只能讀出，不能寫入的存儲器稱為
只能獨處，不能寫入的存儲器為ROM。
只讀存儲器（ROM）是一種在正常工作時其存儲的數據固定不變，其中的數據只能讀出，不能寫入，即使斷電也能夠保留數據，要想在只讀存儲器中存入或改變數據，必須具備特定的條件。
按存取信息的不同方式，存儲器可以分為隨機存取存儲器（RAM）和非隨機存取存儲器。只讀存儲器就屬於非隨機存取存儲器。主要分為掩膜 ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等幾類。
(9)紫外線可擦除可編程存儲器英文擴展閱讀：
根據編程方式的不同，只讀存儲器共分為以下5種：
1、掩膜工藝 ROM
這種 ROM 是工藝廠家根據客戶所要存儲的信息，設計專用的掩膜板進行生產的。一旦生產出成品後，ROM 中的信息即可被讀出使用，但不能改變。這類 ROM一般用於批量生產，成本比較低。
2、可一次性編程 ROM（PROM）
PROM 是用熔絲（通常用鎳鉻合金、多晶硅或鈦鎢合金製造）製造的，用戶可以燒斷這些熔絲，以實現存儲器存儲元件之間的互聯，從而寫入信息，一旦寫入之後，信息就會永久的固定下來，只可讀出，不可再改變其內容。
3、紫外線擦除可改寫 ROM（EPROM）
EPROM 中的內容可由用戶寫入，也允許用戶反復擦除重新寫入。EPROM 用電信號編程用紫外線擦除，在晶元外殼上方有一個圓形的窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有信息。由於太陽光中含有紫外線，所以當程序寫好後要使用昂貴的帶有石英窗口的陶瓷封裝，避免陽光射入而破壞程序。而且在擦除過程中不能選擇性地擦除存儲字單元，如果用戶需要改程序，必須擦除整個存儲陣列。
4、電擦除可改寫 ROM（EEROM）
EEROM 是 ROM 發展過程中的一個主要進展，它的寫操作採用了熱載流子隧穿，擦除操作採用了熱電子的量子力學隧穿效應。EEPROM 有相當多的優點，如單一的 5V 電壓編程能力、編程之前無需進行擦除操作、位元組模式和頁模式的寫操作、中等的存取時間、低功耗、全軍用工作溫度范圍，以及在嚴峻的環境條件下的不揮發性。
5、快閃 ROM（flash ROM）
在 20 世紀 80 年代中期，人們發現把熱載流子編程和隧穿擦除結合在一起是一種實現一個單管 EPROM 單元的方法，這種新技術被稱為快閃記憶體（flashROM）。這種技術結合了 EPROM 的編程能力和 EEPROM 的擦除能力，讀寫速度都很快。這種晶元的改寫次數最大能達到 100 萬次。
⑩ 常見rom存儲器有哪些 謝謝！
ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。最常見的就是光碟，如下圖所示：
CDROM
在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
rom的分類：
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。
PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由於可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。
可編程可擦除只讀存儲器
可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由於能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
擦除遠存儲內容的方法可以採用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。[2]光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
一次編程只讀內存
一次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
電子可擦除可編程只讀存儲器
電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
閃速存儲器
閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。