㈠ U盤的工作原理是怎樣的U盤有專利嗎
計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令）讀寫到USB晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給EEPROM存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。EEPROM數據存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，斷電後能保存數據的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
2002年7月，朗科公司「用於數據處理系統的快閃電子式外存儲方法及其裝置」（專利號：ZL 99 1 17225.6）獲得國家知識產權局正式授權。該專利填補了中國計算機存儲領域20年來發明專利的空白。
㈡ 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具
1、先買一個電腦列印機的列印線(兩端有插頭)；
㈢ 計算機存儲器的分類
計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類：
一、易失性存儲器（Volatile memory)是指當電源供應中斷後，存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型：
1、動態隨機訪問存儲器，英文縮寫寫作DRAM，一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成（後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬）。
特點是單元佔用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上，DRAM以內存條的方式出現，DRAM顆粒多為4位或8位位寬，而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。
2、靜態隨機存取存儲器，英文縮寫寫作SRAM，一般每個單元由6個晶體管組成，但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。
二、非易失性存儲器（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲器中的數據。 主要種類如下：
1、只讀存儲器：可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器
2、快閃記憶體
3、磁碟：硬碟、軟盤、磁帶
(3)怎麼寫存儲器專利擴展閱讀：
存儲器以二進制計算容量，基本單位是Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根據電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)的標准，二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」，以避免與SI Unit國際單位制混淆。
但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用，標示為4GB的內存實際上已經是4GiB，但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。
對於32位的操作系統，最多可使用232個地址，即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器，發展64位處理器則是根本的解決方法，但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。
㈣ 存儲器由哪幾部分組成，如何使用
存儲器由存儲體、地址解碼器和控制電路組成。
1)存儲體是存儲數據信息的載體。由一系列存儲單元組成，每個存儲單元都有確定的地址。存儲單元通常按位元組編址，一個存儲單元為一個位元組，每個位元組能存放一個8位二進制數。就像一個大倉庫，分成許多房間，大倉庫相當於存儲體，房間相當於位元組，房間都有編號，編號就是地址。
2)地址解碼器將CPU發出的地址信號轉換為對存儲體中某一存儲單元的選通信號。相當於CPU給出地址，地址解碼器找出相應地址房間的鑰匙。通常地址是8位或1 6位，輸入到地址解碼器，產生相應的選通線，8位地址能產生28=256根選通線，即能選通256位元組。16位地址能產生216=65536=64K根選通線，即能選通64K位元組。當然要產生65536根選通線是很難想像的，實際上它是分成256根行線和256根列線，256 X 256=65536，合起來能選通65536個存儲單元。
3)存儲器控制電路包括片選控制、讀／寫控制和帶三態門的輸入／輸出緩沖電路。
①片選控制確定存儲器晶元是否工作。
②讀/寫控制確定數據傳輸方向；若是讀指令，則將已被選通的存儲單元中的內容傳送到數據匯流排上；若是寫指令，則將數據匯流排上的數據傳送到已被選通的存儲單元中。
③帶三態門的輸入/輸出緩沖電路用於數據緩沖和防止匯流排上數據競爭。數據匯流排相當於一條車流頻繁的大馬路，必須在綠燈條件下，車輛才能進入這條大馬路，否則要撞車發生交通事故。同理，存儲器的輸出端是連接在數據匯流排上的，存儲器中的數據是不能隨意傳送到數據匯流排上的。例如，若數據匯流排上的數據是「1」(高電平5V)，存儲器中的數據是「0」(低電平OV)，兩種數據若碰到一起就會發生短路而損壞單片機。因此，存儲器輸出埠不僅能呈現「1」和「O」兩種狀態，還應具有第三種狀態「高阻"態。呈「高阻"態時，它們的輸出埠相當於斷開，對數據匯流排不起作用，此時數據匯流排可被其他器件佔用。當其他器件呈「高阻"態時，存儲器在片選允許和輸出允許的條件下，才能將自己的數據輸出到數據匯流排上。
單片機學習需要理論結合實際，最好有自己的單片機開發板輔助，看視頻教程，目前主流的有吳鑒鷹單片機開發板
㈤ 知識產權、專利申請
辦理計算機軟體登記，需要提供軟體源程序，如果沒有設計完成，那麼則無法申請版權。
第九章 涉及計算機程序的發明專利申請審查的若干問題
1.引言
根據中國專利法第二十五條第一款第（二）項的規定，對智力活動的規則和方法不授予專利權。這里所說的智力活動的規則和方法包括數學方法以及一切屬於以人的抽象思維、主觀意念或者感覺為特徵的非技術方案（參見本部分第一章第3.2節）。
根據專利法實施細則第二條第一款的規定，專利法所稱的發明是指對產品、方法或者其改進所提出的新的技術方案。涉及計算機程序的發明專利申請也必須是一種符合這一條款要求的新的技術方案。
本章所說的計算機程序本身是指為了能夠得到某種結果而可以由計算機等具有信息處理能力的裝置執行的代碼化指令序列，或者可被自動轉換成代碼化指令序列的符號化指令序列或者符號化語句序列。計算機程序本身包括源程序和目標程序。
本章所說的涉及計算機程序的發明是指為解決發明提出的問題，全部或部分以計算機程序處理流程為基礎的解決方案。
法25.1(2)
2.涉及計算機程序的發明專利申請的審查
如果發明專利申請只涉及計算機程序本身或者是僅僅記錄在載體（例如磁帶、磁碟、光碟、磁光碟 、ROM、PROM、VCD、DVD或者其他的計算機可讀介質）上的計算機程序，就其程序本身而言，不論它以何種形式出現，都屬於智力活動的規則和方法。
但是，如果一件涉及計算機程序的發明專利申請是為了解決技術問題，利用了技術手段和能夠產生技術效果，就不應僅僅因為該發明專利申請涉及計算機程序而否定該發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。例如，將一個計算機程序輸入到一個公知的計算機來控制該計算機的內部操作，從而實現計算機內部性能的改進；或者使用一個計算機程序來控制某一工業過程、測量或者測試過程；或者使用一個計算機程序來實現外部數據處理等，這些發明專利申請的主題符合上述要求時都不應被排除在屬於可給予專利保護的客體范圍之外。當一件涉及計算機程序的發明專利申請是為了解決技術問題，利用了技術手段和能夠產生技術效果時，表明該專利申請屬於可給予專利保護的客體。
2.1 不授予專利權的涉及計算機程序的發明專利申請
凡是屬於中國專利法第二十五條第一款第（二）項規定范圍之內的涉及計算機程序的發明專利申請都不屬於可給予專利保護的客體。以下給出幾個不屬於可給予專利保護的客體的例子。
(1) 發明專利申請的主題涉及一種利用計算機求解圓周率的方法，該方法首先將一正方形的面積用均勻的足夠精確的「點」進行劃分，再作此正方形的內切圓，然後編制一個計算機程序來求解圓周率π，該計算機程序使得計算機先對上述正方形內均勻分部的「點」進行脈沖計數，並按照如下公式：
∑圓內「點」計數值
π = ————————————— × 4
∑正方形內「點」計數值
進行計算，求出圓周率π。在計算中，若取樣的「點」劃分得越多越細，則圓周率的值也就計算得越精確。
本發明申請的主題實質上僅僅涉及一種純數學運算方法或規則本身，未解決技術問題，它所處理的對象和所獲得的結果都是非技術的數值。因此，本發明不屬於可給予專利保護的客體。
(2) 發明專利申請的主題涉及一種使用計算機自動測量動摩擦系數μ的方法。測量動摩擦系數的傳統方法是採用一種裝置以固定速度牽引被測繩狀物，分別測出摩擦片的位置變化量S-1和S2，再按下列公式：
μ= （log S2-log S1）/e
計算出被測繩狀物的動摩擦系數μ。而本發明是利用計算機按如下程序對S1和S2自動進行數據處理從而求出其動摩擦系數μ，即：
1. 求出S2和S1的比值S2/S1；
2. 求出比值S2/S1的對數logS2/S1；
3. 求出對數log S2/S1與e的比值。
這種涉及計算機程序的發明專利申請的主題雖然是求解物理量，但該發明對傳統的測量方法並未增加任何新的技術特徵，實際上只是一種演算法程序，仍然屬於一種單純的數學方法范疇；因此，本發明不屬於可給予專利保護的客體。
(3) 發明專利申請的主題涉及在實際使用的基礎上向計算機軟體應用程序的用戶引入新的、增強的功能的方法，這種方法首先提供足夠的功能，以使用戶學習基礎級時使用，然後在預定條件完成的基礎上，向用戶提供新的、增強的功能。
本發明的實質在於：在所述計算機各項應用程序功能都已經確定的基礎上，僅僅根據發明人自己的主觀認識、判斷、意念或經驗來確定和教導、指示或告知所述應用程序的用戶在什麼樣的條件下應當啟動什麼樣的新的、增強的功能。本發明所解決的不是技術問題，利用的是一種屬於編程方法的非技術手段，且所獲得的效果也不是技術效果。因此，本發明不屬於可給予專利保護的客體。
(4) 發明專利申請的主題涉及一種企業對員工獎勵的管理系統，該系統包括一個公知計算機、一個資料庫和一個用於對相關信息進行管理的計算機程序。本發明利用上述計算機程序控制所述公知計算機對資料庫中的信息數據進行處理以達到對員工獎勵實施管理的目的。
本發明雖然是一種「管理系統」，但由於其硬體結構沒有發生任何變化，所以本發明的實質為用於對相關信息進行管理的計算機程序，即一種用於對獎金發放實施管理的方法。本發明解決的不是技術問題，所獲得的效果也不是技術效果；因此，本發明不屬於可給予專利保護的客體。
(5) 發明專利申請的主題涉及一種游戲機過程管理或控制方法，包括輸入一個游戲的步驟、判斷該游戲是否是一個新游戲的步驟、調入新游戲數據的步驟、清除已執行過的所述新游戲數據的步驟、將計數器加1的步驟、和返回初始狀態並等待輸入一個新游戲的步驟。
本發明專利申請的主題實質上是一個運行於公知游戲機的，對多種游戲進行過程管理或控制的游戲過程管理或控製程序。本發明專利申請的主題僅僅是對游戲的過程進行管理或控制，它所解決的不是一個技術問題，所獲得的效果也不是技術效果；因此，本發明不屬於可給予專利保護的客體。
(6) 發明專利申請的主題名稱為一種存儲計算機程序的計算機可讀存儲介質，但是該計算機可讀存儲介質本身的物理特性沒有發生任何變化，申請主題的實質是記錄在該計算機可讀存儲介質上的計算機程序本身。由於計算機程序本身不給予專利保護，所以本發明不屬於可給予專利保護的客體。
2.2 可授予專利權的涉及計算機程序的發明專利申請
凡是為了解決技術問題，利用技術手段，並可以獲得技術效果的涉及計算機程序的發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
2.2.1 用於工業過程式控制制的涉及計算機程序的發明專利申請
如果發明專利申請是把一個計算機程序輸入給公知的計算機，從而形成一種計算機控制的裝置或者計算機控制的生產方法，在這種情況下，將計算機程序與計算機硬體作為一個整體來考慮，則該公知計算機與該計算機程序一起構成了用於工業過程式控制制的生產裝置或生產方法。由於其解決的是技術問題，並能夠產生技術效果，所以，這種用於工業過程式控制制的涉及計算機程序的發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
例如:發明專利申請涉及一種控制橡膠模壓成型工藝的方法，利用輸入到一個公知計算機內的計算機程序對上述模壓成型工藝進行控制，該計算機程序可以精確、實時地控制該生產工藝中的橡膠硫化時間，使用了這種計算機程序對橡膠的硫化時間進行控制後，克服了現有技術工藝過程經常出現的過硫化和欠硫化的缺點，使橡膠產品的質量大為提高；由於該發明所解決的是技術問題，利用了技術手段，並獲得了技術效果，所以本發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
2.2.2 涉及計算機內部運行性能改善的發明專利申請
如果發明專利申請的主題涉及利用一個計算機程序改善公知計算機系統內部運行性能的方法，由於這種發明專利申請要解決的是技術問題，並且由於改善了公知計算機系統的內部運行性能而取得了技術效果，所以，這種發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
例如：發明專利申請的主題是利用一個計算機程序對所述計算機執行虛擬存儲控制以擴展該計算機的有效存儲容量，使該計算機的有效存儲容量被極大提高，從而增加了該計算機的信息數據存儲數量，並提高了該計算機的運行速度和效率。該發明專利申請的主題解決了增加計算機有效存儲容量這個技術問題，並取得了技術效果。所以，本發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
2.2.3 用於測量或測試過程式控制制的涉及計算機程序的發明專利申請
如果發明專利申請的主題是利用計算機程序來控制和/或執行某種測量或測試過程，由於這種發明專利申請要解決 的是技術問題，並能夠獲得技術效果，因此這種發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
例如：發明專利申請的主題涉及一種用於測量液體粘度的裝置，其用一個計算機程序來自動控製取樣、計算粘度和對樣品室進行清洗等過程。由於該發明要解決的是一種技術問題，並且在利用了相關計算機程序之後和現有技術相比大大提高了測量效率和精度，具有技術效果；所以，本發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
2.2.4 用於外部數據處理的涉及計算機程序的發明專利申請
如果發明專利申請的主題是利用在公知計算機上運行的計算機程序對外部數據進行處理，以解決某個具體的技術問題，那麼，由於它所處理的是技術問題，利用了技術手段，並能夠獲得技術效果，所以，這種發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
例如：發明專利申請的主題涉及一種圖像處理設備，包括一個在公知存儲器中存儲有一個圖像處理程序的公知計算機，所述計算機在該圖像處理程序的控制下對外部輸入的圖像信息數據進行處理，以便改進所述圖像的質量。本發明專利申請的主題實質上是利用一個計算機程序在公知計算機上對圖像數據進行處理以便改善該圖像的圖像質量。改進圖像質量是其要解決的技術問題，獲得圖像質量的改善是一種技術效果。因此，本發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
法25.1(2)
3. 涉及漢字編碼方法及計算機漢字輸入方法的發明專利申請
漢字編碼方法本身屬於一種信息表述方法，就信息表述方法本身或者漢字編碼方法本身而言，同聲音信號、語言信號、可視顯示信號或者交通指示信號等各種信息表述方式一樣，只取決於人的主觀意念或者人為的規定，因此，漢字編碼方法本身不是技術方案。實施該編碼方法本身的結果僅僅是一個符號/字母數字串，不是技術效果；因此，發明專利申請主題僅僅涉及漢字編碼方法的發明專利申請不屬於可給予專利保護的客體。
例如：一項發明專利申請主題僅僅涉及一種漢語字根編碼方法，這種漢語字根編碼方法用於編纂字典和利用所述字典檢索漢字，本發明的漢字編碼方法僅僅是根據發明人的認識和理解，人為地制定編碼漢字的相應規則，選擇、指定和組合漢字編碼碼元，形成表示漢字的代碼/字母數字串。本發明所要解決的不是技術問題，不使用技術手段，且不具有技術效果；因此，本發明專利申請不屬於可給予專利保護的客體。
但是，如果把漢字編碼方法與該編碼方法所使用的特定鍵盤相結合而作為計算機系統處理漢字的一種計算機漢字輸入方法或者計算機漢字信息處理方法，使原來不能運行中文漢字的公知計算機系統能夠以漢字信息為指令，產生出若干新的功能，以至能實現生產過程的自動化控制或者辦公系統的自動化管理；那麼，這種計算機漢字輸入方法或者計算機漢字信息處理方法屬於可給予專利保護的客體。
對於這種由漢字編碼方法與該編碼方法所使用的特定鍵盤相結合而構成的計算機漢字輸入方法的發明專利申請，在說明書及權利要求書中應當描述該漢字輸入方法的技術特徵，必要時，還應當描述該輸入方法所使用鍵盤的技術特徵，包括該鍵盤中對各鍵位的定義以及各鍵位在該鍵盤中的位置等。
例如：發明專利申請的主題涉及一種計算機漢字輸入方法，包括從組成漢字的所有字根中選擇確定數量的特定字根作為編碼碼元的步驟、將這些編碼碼元指定到所述特定鍵盤相應鍵位上的步驟、利用鍵盤上的特定鍵位根據漢字編碼輸入規則輸入漢字的步驟。
本發明專利申請涉及將漢字編碼方法與特定鍵盤相結合的計算機漢字輸入方法，通過該輸入方法，使原來不能運行中文漢字的公知計算機系統能夠運行中文漢字，增加了公知計算機系統的處理功能。本發明專利申請要解決的是技術問題，並能夠產生技術效果，因此本發明專利申請屬於可給予專利保護的客體。
4.涉及計算機程序的發明專利申請的說明書及權利要求書的撰寫
涉及計算機程序的發明專利申請的說明書及權利要求書的撰寫要求與其他技術領域的發明專利申請的說明書及權利要求書的撰寫要求原則上相同。以下僅就涉及計算機程序的發明專利申請的說明書及權利要求書在撰寫方面的特殊要求作如下說明。
法26.3
4.1 說明書的撰寫
涉及計算機程序的發明專利申請的說明書除了應當從整體上描述該發明的技術方案之外，還必須清楚、完整地描述該計算機程序的設計構思及其技術特徵以及達到其技術效果的實施方式。為了清楚、完整地描述該計算機程序的主要技術特徵，說明書附圖中應當給出該計算機程序的主要流程圖。說明書中應當以所給出的計算機程序流程為基礎，按照該流程的時間順序，以自然語言對該計算機程序的各步驟進行描述。說明書對該計算機程序主要技術特徵的公開程度應當以本專業技術領域內的普通技術人員能夠根據說明書所公開的流程圖及其說明自行編制出能夠達到所述技術效果的計算機程序為准。為了清楚起見，如有必要，申請人可以用慣用的標記性程序語言簡短摘錄某些關鍵部分的計算機源程序以供參考，但不需要提交全部計算機源程序。
法26.4
4.2 權利要求書的撰寫
細則20.1及21.2
涉及計算機程序的發明專利申請的權利要求書的獨立權利要求可以寫成一種方法權利要求，也可以寫成一種產品權利要求，即實現該方法的裝置。無論寫成哪種形式的權利要求，都必須得到說明書的支持，並且都必須從整體上反映該發明的技術方案，記載解決技術問題的必要技術特徵，而不能只概括地描述該計算機程序所具有的功能和該功能所能夠達到的效果。如果寫成方法權利要求，應當按照方法流程的步驟詳細描述該計算機程序所執行的各項功能以及如何完成這些功能；如果寫成裝置權利要求，應當具體描述該裝置的各個組成部分及其各組成部分之間的關系，並詳細描述該計算機程序的各項功能是由哪些組成部分完成以及如何完成這些功能。
下面給出涉及計算機程序的發明分別撰寫成裝置權利要求和方法權利要求的例子，以供參考。
例1
一件關於「對CRT屏幕上的字元進行游標控制」的發明專利申請，其獨立權利要求可以按下述方法權利要求撰寫。
「一種CRT顯示屏幕的游標控制方法，包括：
用於輸入信息的輸入步驟；
用於將游標水平和垂直移動起始位置地址存儲到H/V起點位置存儲裝置中的步驟；
用於將游標水平和垂直移動終點位置地址存儲到H/V終點位置存儲裝置的步驟；
用於將游標當前位置的水平和垂直地址存儲到游標位置存儲裝置中的步驟；
其特徵是所述游標控制方法還包括：
用於分別將存儲在所述游標位置存儲裝置中的游標當前的水平及垂直地址與存儲在所述H/V終點位置存儲裝置中相應於其水平及垂直終點位置的地址進行比較的比較步驟；
由所述輸入鍵盤輸出信號和所述比較器輸出信號控制的游標位置變換步驟，該步驟可對如下動作進行選擇，
對存儲在游標位置存儲裝置中的水平及垂直地址，按單個字元位置給予增1，或對存儲在游標位置存儲裝置中的水平及垂直地址，按單個字元位置給予減1，或把存儲在H/V起點存儲裝置中的水平及垂直起始位置的地址向游標位置存儲裝置進行置位；
用於根據所述游標位置存儲裝置中的存儲狀態在顯示屏上顯示所述游標當前位置的游標顯示步驟。」
例2 將上述例1所述涉及計算機程序的發明專利申請的權利要求寫成裝置權利要求。
「一種CRT顯示屏幕的游標控制器，包括：
用於輸入信息的輸入裝置；
用於存儲游標水平和垂直移動起始位置地址的H/V起點位置存儲裝置；
用於存儲游標水平和垂直移動終點位置地址的H/V終點位置存儲裝置；
用於存儲游標當前位置的水平和垂直地址的游標位置存儲裝置；
其特徵是所述游標控制器還包括：
用於分別將存儲在所述游標位置存儲裝置中的游標當前的水平及垂直地址與存儲在所述H/V終點位置存儲裝置中相應於其水平及垂直終點位置的地址進行比較的比較器；
由所述輸入鍵盤輸出信號和所述比較器輸出信號控制的游標位置變換裝置，該裝置可對如下動作進行選擇，
對存儲在游標位置存儲裝置中的水平及垂直地址，按單個字元位置給予增1，
或對存儲在游標位置存儲裝置中的水平及垂直地址，按單個字元位置給予減1，
或把存儲在H/V起點存儲裝置中的水平及垂直起始位置的地址向游標位置存儲裝置進行置位；
用於根據所述游標位置存儲裝置中的存儲狀態在顯示屏上顯示所述游標當前位置的游標顯示裝置。」
例3 一件有關「適用作順序控制和伺服控制的計算機系統」的發明專利申請，其採用並行處理，以打開、關閉和暫停三種指令作為在第一和第二程序之間並行處理指令來進行順序控制和伺服控制。其寫成的方法獨立權利要求如下：
利用打開、關閉和暫停指令作為並行處理指令來進行順序控制和伺服控制的方法，其特徵在於採用下列步驟：
將欲執行任務的順序控制或者伺服控製程序存入該計算機系統的程序存貯器中；
啟動該計算機系統工作，CPU按程序計數器內容讀取指令、執行操作，並根據所執行指令的內容更新程序計數器；
當所執行指令為通常的程序指令時，程序計數器的更新與通用計算機相同；
當所執行指令為打開指令時，程序計數器被更新為此打開指令之後指令的地址，即要打開的並行處理程序的首地址，從而啟動控制子過程操作；
當所執行指令為關閉指令時，程序計數器由地址表中選擇得到的地址、或者此關閉指令之後指令的地址來更新，從而使發出該關閉指令的程序本身或者另一並行程序終止程序，同時伴隨著啟動其它的並行程序；
當所執行的指令為暫停指令時，程序計數器由該暫停指令之後的指令地址更新，從而使此程序按需要暫停執行一定的時間，同時在此期間內啟動另一並行程序。
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你可以向國家知識產權局咨詢處咨詢（因為這里的回答是最權威的）咨詢一下；
國家知識產權局咨詢電話：010 62083879、010 62083966、010 62083457。
上班時間（工作日）：
上午：8：30——11：30 下午：1：30——4：30
國家知識產權局咨詢台：http://www.sipo.gov.cn/sipo/zxt/default.htm
上班時間：工作日
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另外回答你一下；如果你申請專利後得到授權（即你說的批准），那你就可以出售你的專利了，不過出售專利比申請專利要困難許多！
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相關參考：
實用新型專利：自己申請總費用約200元以下，請專利事務所代理約1000元左右。一般半年到一年就能授權（實用新型專利國家保護10年，較好授權，但保護范圍比發明專利窄）。
發明專利：自己申請總費用約600以下，請專利事務所代理約3000以下。一般3年左右能授權（發明專利國家保護20年，沒有實用新型專利好授權，但保護范圍較寬）。
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建議你先進行專利檢索（國家知識產權局的專利檢索網址：http://www.sipo.gov.cn/sipo/zljs/default.htm 使用方法可以點擊下面的「使用說明」後慢慢學），檢索後如果沒用發現相同的專利，就可以申請！但是你應該先確定自己的發明是有人原意花錢買的（現在很少有人原意花錢買一個點子，除非你的專利是有壟斷性質的專利），應為申請專利是要花錢的（請專利事務所代理發明專利每個約3000元，實用新型專利每個約1000元），現在申請專利的很多，可是能賣出去的卻只是很少的一部分。
如果你是個個人能力很突出的人，你可以自己申請專利（相關內容到國家知識產權局網站查看：http://www.sipo.gov.cn/sipo/default.htm）這樣會少花很多錢（實用新型專利自己申請總共花費約200元以下，請專利事務所代理約花費1000元左右。發明專利自己申請總共也就花費600元，可如果你請專利事務所代理就得花3000元），但前提一定是你自己能吃透專利法和專利法實施細則，並且自己能從其它的專利文獻中學習到足夠的知識來自己編寫專利申請材料（重點是說明書和權利要求書）。如果你對自己沒用把握，那建議你還是請專利事務所代理申請！
你如果對申請專利有什麼不明白的可以使用以下方式咨詢；
國家知識產權局咨詢電話：010 62083879、010 62083966、010 62083457。
上班時間（工作日）：
上午：8：30——11：30下午：1：30——4：30
國家知識產權局咨詢台：http://www.sipo.gov.cn/sipo/zxt/default.htm
上班時間：工作日
另外提供你一個豐富專利知識的網站：http://www.my250.net/
申請專利相關事項比較復雜，如果想申請個好的專利就更加復雜，所以沒法在這里一一說清除，建議你登陸國家知識產權局網站仔細學習一下，因為這里對專利相關事項的說明都是最權威的，如果有不明白的地方可以多向國家知識產權局咨詢，這樣不論你是請專利事務所代理申請專利還是自己申請專利都有好處。
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提醒一下：如果你決定自己申請專利那你一定要到國家知識產權局的網站對「專利申請」、「專利法」、「專利法實施細則」、「專利審查」、「專利檢索」（1.使用專利檢索查找相關專利文獻，防止與自己的專利申請產生沖突。2.使用專利檢索查找相關的專利文獻進行學習，看看別人是如何編寫專利材料的，以便將自己的專利申請文件編寫好），進行一下仔細的學習，有不懂的地方還要經常向國家知識產權局咨詢處咨詢，切不可隨便書寫，因為專利申請文件一旦提交將很難修改！
㈥ 存儲器分類及各自特點有哪些
存儲器分類依據不同的特性有多種分類方法。
（1）按工作性質/存取方式分類
•隨機存取存儲器 (RAM) -每個單元讀寫時間一樣，且與各單元所在位置無關。如：內存。
•順序存取存儲器 (SAM) -數據按順序從存儲載體的始端讀出或寫入，因而存取時間的長短與信息所在位置有關。例如：磁帶。
•直接存取存儲器 (DAM) -直接定位到讀寫數據塊，在讀寫數據塊時按順序進行。如磁碟。
•相聯存儲器 -按內容檢索到存儲位置進行讀寫。例如：快表。
（2）按存儲介質分類
半導體存儲器：雙極型，靜態MOS型，動態MOS型
磁表面存儲器：磁碟、磁帶
光存儲器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分類
讀寫存儲器：可讀可寫
只讀存儲器：只能讀不能寫
（4）按斷電後信息的可保存性分類
非易失（不揮發）性存儲器：信息可一直保留， 不需電源維持。
易失（揮發）性存儲器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分類
•寄存器 -封裝在CPU內，用於存放當前正在執行的指令和使用的數據 -用觸發器實現，速度快，容量小（幾~幾十個）
•高速緩存-位於CPU內部或附近，用來存放當前要執行的局部程序段和數據 -用SRAM實現，速度可與CPU匹配，容量小（幾MB）
•內存儲器 -位於CPU之外，用來存放已被啟動的程序及所用的數據 -用DRAM實現，速度較快，容量較大（幾GB）
•外存儲器-位於主機之外，用來存放暫不運行的程序、數據或存檔文件 -用磁表面或光存儲器實現，容量大而速度慢
㈦ 內存儲器的發展歷程
對於用過386機器的人來說，30pin的內存，我想在很多人的腦海里，一定或多或少的還留有一絲印象，這一次我們特意收集的7根30pin的內存條，並拍成圖片，怎麼樣看了以後，是不是有一種久違的感覺呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常見內存參數的介紹：
bit 比特，內存中最小單位，也叫「位」。它只有兩個狀態分別以0和1表示
byte位元組，8個連續的比特叫做一個位元組。
ns（nanosecond）
納秒，是一秒的10億分之一。內存讀寫速度的單位，其前面數字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的內存，可以說是計算機發展史的一個經典，也正因為它的廉價，以及速度上大幅度的提升，為電腦的普及，提供了堅實的基礎。由於用的人比較多，目前在市場上還可以買得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
單邊接觸內存模組。是5X86及其較早的PC中常採用的內存介面方式。在486以前，多採用30針的SIMM介面，而在Pentuim中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面類型並存。人們通常把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。
ECC（Error Checking and Correcting）
錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的數據位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤數據的。只有經過內存的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。當然在糾錯是系統的性能有著明顯的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
擴展數據輸出內存。是Micron公司的專利技術。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間後，然後才能讀寫有效的數據，而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規定的有效時間一到就可以准備輸出下一個地址，由此縮短了存取時間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價比，因為它的存取速度比FPM DRAM快15%，而價格才高出5%。因此，成為中、低檔Pentium級別主板的標准內存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
雙邊接觸內存模組。也就是說這種類型介面內存的插板兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，由於是雙邊的，所以共有84×2=168線接觸，所以人們常把這種內存稱為168線內存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突發內存。是168線、3.3V電壓、帶寬64bit、速度可達6ns。是雙存儲體結構，也就是有兩個儲存陣列，一個被CPU讀取數據的時候，另一個已經做好被讀取數據的准備，兩者相互自動切換，使得存取效率成倍提高。並且將RAM與CPU以相同時鍾頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM採用了多體（Bank）存儲器結構和突發模式，能傳輸一整數據而不是一段數據。
SDRAM ECC 伺服器專用內存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美國RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技術基礎上研製的一種存儲器。用於數據存儲的字長為16位，傳輸率極速指標有望達到600MHz。以管道存儲結構支持交叉存取同時執行四條指令，單從封裝形式上看，與DRAM沒有什麼不同，但在發熱量方面與100MHz的SDRAM大致相當。因為它的圖形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要應用於高檔顯卡上做顯示內存。
Direct RDRAM
是RDRAM的擴展，它使用了同樣的RSL，但介面寬度達到16位，頻率達到800MHz，效率更高。單個傳輸率可達到1.6GB/s，兩個的傳輸率可達到3.2GB/s。
點評：
30pin和72pin的內存，早已退出市場，現在市場上主流的內存，是SDRAM，而SDRAM的價格越降越底，對於商家和廠家而言，利潤空間已縮到了極限，賠錢的買賣，有誰願意去做了？再者也沒有必要，畢竟廠家或商家們總是在朝著向「錢」的方向發展。
隨著 INTEL和 AMD兩大公司 CPU生產飛速發展，以及各大板卡廠家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的發展和普及，究竟哪一款會成為主流，哪一款更適合用戶，市場終究會證明這一切的。
機存取存儲器是電腦的記憶部件，也被認為是反映集成電路工藝水平的部件。各種存儲器中以動態存儲器（DRAM）的存儲容量為最大，使用最為普及，幾十年間它的存儲量擴大了幾千倍，存取數據的速度提高40多倍。存儲器的集成度的提高是靠不斷縮小器件尺寸達到的。尺寸的縮小，對集成電路的設計和製造技術提出了極為苛刻的要求，可以說是只有一代新工藝的突破，才有一代集成電路。
動態讀寫存儲器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存儲單元分布電容上的電荷來存儲數據位，由於電容電荷會泄漏，為了保持信息不丟失，DRAM需要不斷周期性地對其刷新。由於這種結構的存儲單元所需要的MOS管較少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同時每位的價格最低。DRAM一般都用於大容量系統中。DRAM的發展方向有兩個，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、專用化。
從1970年Intel公司推出第一塊1K DRAM晶元後，其存儲容量基本上是按每三年翻兩番的速度發展。1995年12月韓國三星公司率先宣布利用0.16μm工藝研製成功集成度達10億以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。這個領域的競爭非常激烈，為了解決巨額投資和共擔市場風險問題，世界范圍內的各大半導體廠商紛紛聯合，已形成若干合作開發的集團格局。
1996年市場上主推的是4M位和16M位DRAM晶元，1997年以16M位為主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市場佔有率達52%；16M DRAM的市場佔有率為45%。1999年64M DRAM市場佔有率已提高到78%，16M DRAM佔1%。128M DRAM已經普及，明年將出現256M DRAM。
高性能RISC微處理器的時鍾已達到100MHz～700MHz，這種情況下，處理器對存儲器的帶寬要求越來越高。為了適應高速CPU構成高性能系統的需要，DRAM技術在不斷發展。在市場需求的驅動下，出現了一系列新型結構的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。為了提高動態讀寫存儲器訪問速度而採用不同技術實現的DRAM有：
（1） 快速頁面方式FPM DRAM
快速頁面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已經成為一種標准形式。一般DRAM存儲單元的讀寫是先選擇行地址，再選擇列地址，事實上，在大多數情況下，下一個所需要的數據在當前所讀取數據的下一個單元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通過保持同一個行地址來選擇不同的列地址實現存儲器的連續訪問。減少了建立行地址的延時時間從而提高連續數據訪問的速度。但是當時鍾頻率高於33MHz時，由於沒有足夠的充電保持時間，將會使讀出的數據不可靠。
（2） 擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDO DRAM
在FPM技術的基礎上發展起來的擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的輸出端加一組鎖存器構成二級內存輸出緩沖單元，用以存儲數據並一直保持到數據被可靠地讀取時為止，這樣就擴展了數據輸出的有效時間。EDODRAM可以在50MHz時鍾下穩定地工作。
由於只要在原DRAM的基礎上集成成本提高並不多的EDO邏輯電路，就可以比較有效地提高動態讀寫存儲器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成為動態讀寫存儲器設計的主流技術和基本形式。
（3） 突發方式EDO DRAM
在EDO DRAM存儲器的基礎上，又發展了一種可以提供更高有效帶寬的動態讀寫存儲器突發方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。這種存儲器可以對可能所需的4個數據地址進行預測並自動地預先形成，它把可以穩定工作的頻率提高到66MHz。
（4） 同步動態讀寫存儲器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通過同步時鍾對控制介面的操作和安排片內隔行突發方式地址發生器來提高存儲器的性能。它僅需要一個首地址就可以對一個存儲塊進行訪問。所有的輸入采樣如輸出有效都在同一個系統時鍾的上升沿。所使用的與CPU同步的時鍾頻率可以高達66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一個可編程方式寄存器。採用SDRAM可大大改善內存條的速度和性能，系統設計者可根據處理器要求，靈活地採用交錯或順序脈沖。
Infineon Technologies(原Siemens半導體)今年已批量供應256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技術生產，在100MHz的時鍾頻率下輸出時間為10ns。
（5） 帶有高速緩存的動態讀寫存儲器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱電氣公司開發的專有技術，1992年推出樣品，是通過在DRAM晶元，集成一定數量的高速SRAM作為高速緩沖存儲器Cache和同步控制介面，來提高存儲器的性能。這種晶元用單一+3.3V電源，低壓TTL輸入輸出電平。目前三菱公司可以提供的CDRAM為4Mb和16Mb，其片內Cache為16KB，與128位內部匯流排配合工作，可以實現100MHz的數據訪問。流水線式存取時間為7ns。
（6） 增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨國公司推出的帶有高速緩沖存儲器的DRAM產品稱作增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM），它採用非同步操作方式，單一+5V工作電源，CMOS或TTL輸入輸出電平。由於採用一種改進的DRAM 0.76μm CMOS工藝和可以減小寄生電容和提高晶體管增益的結構技術，其性能大大提高，行訪問時間為35ns，讀/寫訪問時間可以提高到65ns，頁面寫入周期時間為15ns。EDRAM還在片內DRAM存儲矩陣的列解碼器上集成了2K位15ns的靜態RAM高速緩沖存儲器Cache，和後寫寄存器以及另外的控制線，並允許SRAM Cache和DRAM獨立操作。每次可以對一行數據進行高速緩沖。它可以象標準的DRAM對任一個存儲單元用頁面或靜態列訪問模式進行操作，訪問時間只有15ns。當Cache未命中時，EDRAM就把新的一行載入到Cache中，並把選擇的存儲單元數據輸出，這需要花35ns。這種存儲器的突發數據率可以達到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研製的一種獨特的介面技術代替頁面方式結構的一種新型動態讀寫存儲器。這種介面在處理機與DRAM之間使用了一種特殊的9位低壓負載發送線，用250MHz同步時鍾工作，位元組寬度地址與數據復用的串列匯流排介面。這種介面又稱作Rambus通道，這種通道嵌入到DRAM中就構成Rambus DRAM，它還可以嵌入到用戶定製的邏輯晶元或微處理機中。它通過使用250MHz時鍾的兩個邊沿可以使突發數據傳輸率達到500MHz。在採用Rambus通道的系統中每個晶元內部都有它自己的控制器，用來處理地址解碼和面頁高速緩存管理。由此一片存儲器子系統的容量可達512K位元組，並含有一個匯流排控制器。不同容量的存儲器有相同的引腳並連接在同一組匯流排上。Rambus公司開發了這種新型結構的DRAM，但是它本身並不生產，而是通過發放許可證的方式轉讓它的技術，已經得到生產許可的半導體公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被業界看好的下一代新型DRAM有三種：雙數據傳輸率同步動態讀寫存儲器（DDR SDRAM）、同步鏈動態讀寫存儲器（SLDRAM）和Rambus介面DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步動態讀寫存儲器SDRAM的基礎上，採用延時鎖定環（Delay-locked Loop）技術提供數據選通信號對數據進行精確定位，在時鍾脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數據（而不是第一代SDRAM僅在時鍾脈沖的下降沿傳輸數據），這樣就在不提高時鍾頻率的情況下，使數據傳輸率提高一倍，故稱作雙數據傳輸率（DDR）DRAM，它實際上是第二代SDRAM。由於DDR DRAM需要新的高速時鍾同步電路和符合JEDEC標準的存儲器模塊，所以主板和晶元組的成本較高，一般只能用於高檔伺服器和工作站上，其價格在中低檔PC機上可能難以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
這是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等業界大公司聯合制定的一個開放性標准，委託Mosaid Technologies公司設計，所以SLDRAM是一種原本最有希望成為高速DRAM開放性工業標準的動態讀寫存儲器。它是一種在原DDR DRAM基礎上發展的一種高速動態讀寫存儲器。它具有與DRDRAM相同的高數據傳輸率，但是它比其工作頻率要低；另外生產這種存儲器不需要支付專利使用費，使得製造成本較低，所以這種存儲器應該具有市場競爭優勢。但是由於SLDRAM聯盟是一個鬆散的聯合體，眾多成員之間難以協調一致，在研究經費投入上不能達成一致意見，加上Intel公司不支持這種標准，所以這種動態存儲器反而難以形成氣候，敵不過Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用於通信和消費類電子產品，高檔PC和伺服器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
從1996年開始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM標准，這就是DRDRAM（Direct RDRAM）。這是一種基於協議的DRAM，與傳統DRAM不同的是其引腳定義會隨命令而變，同一組引腳線可以被定義成地址，也可以被定義成控制線。其引腳數僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展晶元容量時，只需要改變命令，不需要增加硬體引腳。這種晶元可以支持400MHz外頻，再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據，可以使數據傳輸率達到800MHz。同時通過把數據輸出通道從8位擴展成16位，這樣在100MHz時就可以使最大數據輸出率達1.6Gb/s。東芝公司在購買了Rambus公司的高速傳輸介面技術專利後，於1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是數據存儲器，另外8Mb用於糾錯校驗，由此大大提高了數據讀寫可靠性。
Intel公司辦排眾議，堅定地推舉DRDRAM作為下一代高速內存的標准，目前在Intel公司對Micro、Toshiba和Samsung等公司組建DRDRAM的生產線和測試線投入資金。其他眾多廠商也在努力與其抗爭，最近AMD宣布至少今年推出的K7微處理器都不打算採用Rambus DRAM；據說IBM正在考慮放棄對Rambus的支持。當前市場上同樣是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他標準的貴45美元。
由此可見存儲器的發展動向是：大容量化，高速化， 多品種、多功能化，低電壓、低功耗化。
存儲器的工藝發展中有以下趨勢：CHMOS工藝代替NMOS工藝以降低功耗；縮小器件尺寸，外圍電路仍採用ECL結構以提高存取速度同時提高集成度；存儲電容從平面HI-C改為深溝式，保證尺寸減少後的電荷存儲量，以提高可靠性；電路設計中簡化外圍電路結構，注意降低雜訊，運用冗餘技術以提高質量和成品率；工藝中採用了多種新技術；使DRAM的存儲容量穩步上升，為今後繼續開發大容量的新電路奠定基礎。
從電子計算機中的處理器和存儲器可以看出ULSI前進的步伐和幾十年間的巨大變化。
㈧ 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具
1、先買一個電腦列印機的列印線(兩端有插頭)；
㈨ 軟體專利如何申請
軟體技術可以申請軟體著作權以保護軟體源代碼，也可以申請發明專利以保護軟體流程中的步驟執行方式。
專利保護的是軟體解決問題的思想，而軟體著作權保護的是軟體代碼（即軟體思想的表達形式）。
例如，離線傳送文件，那發明專利保護是如何實現離線傳送文件。基於相同的軟體思想，但實現離線傳送的程序代碼有千千萬萬種，每種代碼都可以享有各自的軟體著作權。
申請一個軟體發明專利的代理費大概需要5000-8000
申請發明專利可以直接提交專利局，也可以委託代理機構代辦：
1）將專利申請文件（包括權利要求書、說明書、說明書附圖、摘要、摘要附圖）、專利請求書（包括發明名稱、申請人、發明人及其相關信息等）、專利申請費（即，交給專利局的官費）提交到專利局。由此可獲得申請日和申請號，這些都作為未來專利局審查的唯一編號。官方的受理通知書會在申請日之後兩周內下發。
2）專利局審查（分為初步審查和實質審查兩個階段），發出審查意見通知書，需要申請人在規定期限內答復。審查最終合格後，專利局發出授權通知書，表明同意授權。
3）申請人進行授權登記後專利授權公告生效。
㈩ {跪問}新手提問（怎麼寫CMOS啊）
CMOS設置
時間:[2004-07-10 14:39] 作者:不清楚作者是誰
BIOS
在使用計算機的過程中，免不了要和主板上的BIOS、CMOS打交道，下面介紹一下這方面的常識。
BIOS
BIOS，即微機的基本輸入輸出系統(Basic Input－Output System)，是集成在主板上的一個ROM晶元，其中保存有微機系統最重要的基本輸入／輸出程序、系統信息設置、開機上電自檢程序和系統啟動自舉程序。在主板上可以看到BIOS ROM晶元。一塊主板性能優越與否，在一定程度上取決於板上的BIOS管理功能是否先進。在BIOS中主要有：
1.BIOS中斷常式
即BIOS中斷服務程序。它是微機系統軟、硬體之間的一個可編程介面，是計算機中最底層的軟體，用於程序軟體功能與微機硬體實現的衍接，對於同一計算機安裝的各種不同的操作系統，其BIOS都是相同的。可以認為，BIOS是各種操作系統的共同部分。DOS／Windows／ Unix操作系統對軟、硬碟、光碟機與鍵盤、顯示器等外圍設備的管理都建立在系統BIOS的基礎上。程序員也可以通過對INT 5、INT 13等中斷直接調用BIOS中斷常式。
2.BIOS系統設置程序
微機部件配置情況是放在一塊可讀寫的CMOS RAM晶元中的，它保存著系統CPU、軟硬碟驅動器、顯示器、鍵盤等部件的信息。關機後，系統通過一塊後備電池向CMOS供電以保持其中的信息。如果CMOS中關於微機的配置信息不正確，會導致系統性能降低、零部件不能識別，並由此引發系統的軟硬體故障。在BIOS ROM晶元中裝有一個程序稱為「系統設置程序」，就是用來設置CMOS RAM中的參數的。這個程序一般在開機時按下一個或一組鍵即可進入，它提供了良好的界面供用戶使用。這個設置CMOS參數的過程，習慣上也稱為「BIOS設置」，也有稱「CMOS設置」的。新購的微機或新增了部件的系統，一般都需進行BIOS設置。
3.POST上電自檢
微機接通電源後，系統將有一個對內部各個設備進行檢查的過程，這是由一個通常稱之為POST(Power On Self Test，上電自檢)的程序來完成的。這也是BIOS的一個功能。完整的POST自檢將包括CPU、640K基本內存、1M以上的擴展內存、ROM、主板、CMOS存儲器、串並口、顯示卡、軟硬碟子系統及鍵盤測試。自檢中若發現問題，系統將給出提示信息或鳴笛警告。
4.BIOS系統啟動自舉程序
在完成POST自檢後，ROM BIOS將按照系統CMOS設置中的啟動順序搜尋軟、硬碟驅動器及CDROM、網路伺服器等有效的啟動驅動器，讀入操作系統引導記錄，然後將系統控制權交給引導記錄，由引導記錄完成系統的啟動。
CMOS
CMOS（本意是指互補金屬氧化物半導體，一種大規模應用於集成電路晶元製造的原料）是微機主板上的一塊可讀寫的RAM晶元，用來保存當前系統的硬體配置和用戶對某些參數的設定值。CMOS可由主板的電池供電，即使系統掉電，信息也不會丟失。
CMOS RAM本身只是一塊存儲器，只有數據保存功能，而對CMOS中各項參數的設定要通過上面談到的設置程序完成的。早期的CMOS設置程序駐留在軟盤上的(如IBM的PC／AT機型)，使用很不方便。現在CMOS設置程序固化在BIOS晶元中，在開機時通過特定的按鍵就可進入CMOS設置程序方便地對系統進行設置。
現在的CMOS RAM一般都有128位元組及至256位元組的容量。為保持兼容性，各BIOS廠商都將自己的BIOS中關於CMOS RAM的前64位元組內容的設置統一與MC146818A的CMOS RAM格式一致，而在擴展出來的部分加入自己的特殊設置，所以不同廠家的BIOS晶元一般不能互換，即使是能互換的，互換後也要對CMOS信息重新設置以確保系統正常運行。
BIOS升級
現在奔騰級以上的主板上的BIOS大都採用電可擦新的Flsah Memory只讀存儲器為載體，這就為BIOS的升級帶來極大的方便。
Flash Memory是一種新型非揮發性存儲器，中文譯名為快擦型存儲器(有的也譯為閃速存儲器),是日本東芝公司於1980年申請專利，並在1984年的國際半導體學術會議上首先發表的,具備高速性，可以整塊晶元電擦除、耗電低、集成度高、體積小、可靠性高、無需後備電池支持、可重新改寫、重復使用性好（至少可反復使用10萬次以上）等優點。
因此，利用Flash Memory存儲主板的BIOS程序，則使BIOS升級非常容易。現在的Pentium、Pentium Ⅱ主板普遍使用Flash Memory製作BIOS晶元。
1.Flash Memory BIOS升級
目前名牌主板生產廠家如華碩、海洋等，為了用戶升級BIOS的需要，一般都採取了以下措施：
(1)在主板上設置一個跳線，用來選擇FLASH ROM狀態，平時置於保護狀態，使BIOS堅不可摧，要升級時跳至可改寫狀態，就可像寫RAM一樣更新BIOS。
(2)在隨板附送的驅動程序盤中帶有改寫FLASH ROM的程序，可以方便地升級和備份
BIOS。
(3)經常編制出新的BIOS程序在市面上流通或放在網際網路上供其主板用戶下載。
?一般Flash Memory BIOS升級的過程
一般主板上有關於Flash ROM的跳線開關用於設置BIOS的只讀／可讀寫狀態。
(1)製作一張無CONFIG.SYS和AUTOEXEC.BAT文件的系統盤，並拷貝Flash ROM升級的工具程序。該工具程序一般由主板附帶的驅動程序盤提供。Flash BIOS升級工具程序主要功能是：
◇保存原有BIOS數據(Save Current BIOS To File)
◇更新BIOS數據(Update BIOS Block From File)
◇其它功能(Advanced Features)
(2)准備好新版BIOS的程序數據。一般需要到Internet或BBS上下載。升級前檢查BIOS數據的編號及日期，確認它比你使用的BIOS新，同時也應檢查它與你所用的BIOS是否是同一產品系列，如：TX晶元組的BIOS不宜用於VX的主板，避免出現兼容性問題。
(3)關機後，在主板上找到主板上有關Flash ROM的讀寫狀態跳線開關，將其設置為可寫(Enable或Write)狀態。
(4)用准備好的系統盤重新啟動，並運行升級工具程序。
(5)首先選擇保存功能將原BIOS數據保存到軟盤上，存為一個文件，用於升級失敗時恢復原有BIOS。然後裝入新BIOS數據盤，選擇更新BIOS數據，輸入新BIOS的文件名，完成BIOS的升級。
註：有的BIOS升級工具只升級主要的模塊，如果它發現新的BIOS與原BIOS有很大不同，會給予提示並建議使用相應選項對整個BIOS升級(包括BIOS啟動模塊和PnP ESCD參數區)。
(6)升級結束後，記著將主板上關於Flash EEPROM的跳線改回只讀狀態。
(7)重新啟動，並進入BIOS設置狀態，完成BIOS參數設置。
?不具升級條件的Flash ROM的升級
雜牌的主板往往就不具備上述三個升級條件，雖然用的也是流行的Flash ROM，卻沒有能置其為改寫狀態的跳線，於是Flash ROM跟老的ROM、EPROM沒什麼兩樣。沒有驅動程序盤，沒有改寫工具，當然就更不會有新的BIOS程序供升級了。
一般可以借用其它主板的工具程序，如Award公司的小工具Awdflash.exe，全稱是Flash Memory Writer V5.3.0,程序運行後，就顯示出主板BIOS的內部代號和日期，然後詢問升級文件的名稱，鍵入名稱後，程序會問是否要對現有的BIOS做備份，鍵入Y或N後（選Y則要求輸入備份文件名），程序會再一次要求確認，確認後，程序就會先對現有BIOS做備份（如果剛才選的是Y），再開始寫入新的BIOS。屏幕上會出現一個寫入進度指示器，如果Flash ROM 處於不可改寫狀態或新的BIOS文件與主板不匹配，就會出現錯誤信息「Erase Chip Fail!」。
BIOS升級文件可以由同型號的新主板上備份得到，即用上述工具對新主板的BIOS做一個備份，拿來做為舊BIOS的升級文件。
最困難的就是這第三個問題。如何將Flash ROM置為可寫入狀態？一般主板的Flash ROM 有三種選擇，5V、12V和可編程EPROM，按理說是不可以隨便調整Flash ROM的類型的，此時可將跳線跳至EPROM檔，開機後，即可運行升級工具程序。進度指示器走完之後，關機，跳線跳回5V，重啟動電腦，BIOS更新完成。
註：關於升級BIOS需要注意：第一，要有匹配的升級工具和升級文件，不可亂用；第二，由於Flash ROM讀出快而寫入速度慢，故升級時需要十幾秒時間，而在這段時間里決不可重新啟動或關機；第三，BIOS升級後應該馬上關機，把Flash ROM置回保護狀態，以免BIOS被破壞。另外，Awdflash.exe運行時不能有Emm386及類似程序駐留內存。
2.BIOS升級失敗後的處理
(1)有BIOS備份的處理方法
Flash BIOS升級失敗往往導致系統癱瘓，無法啟動。遇到這種情況，只能依靠BIOS中固化的BOOT BLOCK來恢復BIOS內容。
將BIOS升級用軟盤插入啟動軟碟機，開啟計算機，然後運行BIOS升級工具程序，藉助軟盤上的BIOS備份，重寫整個BIOS即可。
一些主板的BIOS BOOT BLOCK只固化了ISA顯示卡驅動程序。如果你使用的是PCI顯卡並且升級失敗後開機無顯示，應該考慮更換ISA顯示卡試一下。
(2)無BIOS備份的處理方法
如果升級前沒有BIOS的備份，BIOS升級失敗，此時想用軟方法恢復機器已經是沒有下手的可能了，因為機器已經是徹徹底底的無法啟動。碰到這種情況時該怎麼辦呢？
首先要找到同一主板型號的BIOS ROM，保證其中的BIOS信息與你的相同（因為採用別的 BIOS ROM一般都難以更新成功）。關掉電源，拔出主板上原有的BIOS ROM晶元，一定要非常小心，不要弄斷了引腳；輕輕插入好的BIOS ROM晶元，不要插得太深，只要保證機器能啟動就行；將主板上控制更新BIOS信息的跳線設置為有效（默認為無效，即保護狀態）；啟動機器，讓系統運行在實模式下，即內存不要駐留象HIMEM.SYS或EMM386.EXE這樣的程序；拔出好的BIOS ROM晶元，插入「壞」的BIOS ROM晶元，此時不能關機，因為要利用駐留在內存中的BIOS信息（熱拔插雖是維修的一大忌，但此時唯有出此下策了，不過只要細心，一般不會出問題）；運行BIOS升級程序，然後按主板說明書規定的步驟進行操作，直到提示更新成功為止。這時你還得注意看提示的更新位元組數是否與你的BIOS ROM塊容量大小相等（主板說明書都有此大小，如華碩的為128KB，即1FFF位元組），若相等，一般更新都成功了；最後退出程序，關機再啟動（不是熱啟動），只要啟動成功，就宣布大功告成了。
CMOS設置
CMOS中存放著計算機硬體配置和設定的大量數據，是計算機正常啟動和工作的先決條件。如果這些數據丟失或設置不當，輕則工作不正常，重則不能啟動和工作。因此正確設置和保護好COMS中的數據，對安全使用計算機是至關重要的。
由於一種CMOS設置程序往往只適用於一類或幾類主板，甚至同一型號的主板也可能會有不同的配置，所以讀者還須活學活用、因地制宜。一般的主板說明書上都有較詳細的CMOS（BIOS）設置說明，只要細心閱讀，逐條消化，逐條完成設置，就可以最終完成全部設置，使系統正常高效地運行。下面就一些帶共性的難以設置的參數作一些介紹。
1.主板上集成外設埠的設置方法
當前的微機主板上，集成了部分外設埠，下以AWARD BIOS設置程序為例作簡單介紹。
舊主板上集成埠的設置一般分散在「STANDRD COMS SETUP」、「BIOS FATURES SETUP(或ADVNCED CMOS SETUP）」和「CHIPSET FEATURES SETUP（或ADVANCED CHIPSET SETUP）」中，在奔騰級以上的主板中的BIOS中新增了「INTGRATED PERIPHERALS」選項專門對板上集成埠進行設置。常見的選項如下：
◇ONBOARD FDD CONTROLLER 軟盤驅動器介面
◇ONBARD PCI IDE ENABLE PCI IDE介面
以上兩項分別用於設置主板上軟碟機控制器和IDE控制器的使用狀態，其設置值可以選擇Enable或Disabled。當軟碟機接在主板上的軟碟機介面或者硬碟、光碟機接在主板上的IDE介面時，應該設置為Enabled；如果不使用主板上的軟盤驅動器介面，要另外使用多功能卡上的介面，則該項應該設為Disabled。如果機器發生故障，懷疑主板上的介面電路有問題，可以把該項設置為Disabled，再加裝一塊多功能卡試一試。
◇IDE HDD BLOCK MODE 硬碟（數據）塊傳輸模式
本項是指在每次中斷時，一次傳送設定的扇區數的數據，以提高訪問硬碟的速度。只有當配置的硬碟支持塊模式時，才能設置為塊模式工作方式，否則應禁止按此模式工作，以避免硬碟訪問出錯。本參數的設定值在不同的BIOS版本中不完全相同，一般為AUTO／Optimal／Disabled。選擇AUTO時，將按照硬碟自動檢測功能的報告值作為數據傳送的扇區數；若選Optimal則以最佳預設設置值為該扇區數；若選Disabled則禁止本模式工作。有的BIOS版本中的選擇值中給出了每次傳送的扇區數，例如華碩P2L97AGP主板BIOS中的設定值有：HDD MAX、Disabled、2、4、8、16、32，其中的數字就表示可設置的扇區數。究竟設置什麼值合適，應根據機器的配置而定，如果硬碟沒有給出具體說明，不妨多試幾次，就能找出合適的設置值。對於某些硬碟產品，設置為塊傳輸模式時雖然工作速度較快，但有可能在與某些軟體或硬體配合時出現問題，這時只能設置為Disabled。
◇IDE PIO MODE IDE硬碟介面的並行輸入輸出方式
PIO（Programmed Input／Output??可編程輸入輸出）是SFFC（Small Form Factor Committee——小形狀系數協會）制定的一個宿主傳輸標准系列，分別為PIO MODE 1、PIO MODE 2、PIO MODE 3、PIO MODE 4、PIO MODE 5，每個標準的數據傳輸速率是不同的。在設置時要注意硬碟本身所支持的PIO MODE方式，才能正常工作。例如一個硬碟，其本身只支持PIO MODE 3（數據傳輸率為11.1MBps），但是在CMOS參數中被設置為PIO MODE 4（數據傳輸率為16.6MBps），結果頻繁出現錯誤並且常常死機。重新設置為PIO MODE 3之後恢復正常工作。
在BIOS設置程序中，本項一般可設為0、1、2、3、4、AUTO，如果不了解硬碟的性能參數，可以先設為AUTO，然後再根據實際情況作進一步的調整。
◇ONBOARD SERIAL PORT或ONBOARD UART 主板上串列通信口設置
本項用來設置串口（即COM口）的I／O埠地址和中斷通道號。目前奔騰級以上的計算機一般都有兩個串口，需要分別設置。本項有自動設置，因為本項屬於系統資源分配而且與設備性能關系不大，所以最好由系統自動設置，以免發生沖突。
手工設置時Port 1建議設為3F8／IRQ4（前者為I／O埠地址，後者為中斷號）即COM1口，Port 2建議設為2F8／IRQ3即COM2口。如果要配置內置式數據機（MODE卡），則要將主板上相應的串口設為Disabled，將資源留給MODE卡。
◇ONBOARD PARALEL PORT 主板上並行列印口的設置
設置為378／IRQ7時為第一並行口，這是最常用的設置。應注意本項設置改變時可能會與音效卡產生沖突，例如設置為278／IRQ5時會與一些常用的音效卡發生沖突。
◇ONBOARD PARALLEL MODE或PARALEL PORT MODE 主板上並行口的工作模式
並行口的工作模式可以設置為標准模式（即Noraml或SPP模式）、EPP模式、ECP模式、EPP＋ECP模式。
EPP（Enhanced Parallel Port——增強並行口）是由Intel、Xircom、Zenith和其它一些公司開發的一種並行介面標准，目的是在外部設備間進行雙向通信。自1991年以來生產的許多筆記本電腦都配有EPP口。
ECP（Extended Capabilities Port——擴展並行口）是由Microsoft和Hewlett－Packard開發的一種並行介面標准。它具有和EPP一樣高的速率和雙向通信能力，在多任務環境下，它能使用DMA（直接存儲器訪問），所需緩沖區也不大，因此能提供更加穩定的性能。
ECP／EPP口可以支持300KB／sec的速率。1993年，EPP和ECP規格都納入IEEE 1284標准。如果計算機配有ECP或EPP並行口，那麼當用DCC（直接電纜連接）方式聯網時，它大約可以達到10兆乙太網速率的三分之一。
本項的具體設置值要視所連接的具體外設而定，只有主板和連接的外設都支持EPP或ECP時才能設置為EPP或ECP方式，否則會出現錯誤。例如一台噴墨列印機與主板上的並口連接，設置為EPP或者ECP方式時都經常出錯，後改為Normal方式後，工作正常。原因是該列印機不支持EPP和ECP方式。
◇USB CONTROLLER
USB（Universal Serial Bus，通用串列匯流排）是由Compaq、DEC、IBM、Intel、Microsoft、NEC和NT（北方電訊）七大公司共同推出的新一代介面標准。採用Intel 82430VX和HX 及其以後的晶元組的主板可以支持USB規范，但目前，大多數用戶尚沒有使用USB設備，因此本項應該設置為Disabled。
2.PNP／PCI參數設置方法
各種主板由於使用的晶元組不同，因此有關PCI參數的設置有很大差別，下面介紹常用的參數設置。
◇PCI SLOT IRQ 設置PCI插槽中斷請求號
本項可自動設置（Auto），也可人工設置。人工設置時可按主板手冊中給出的值進行選擇，但要注意避免沖突。一般可選自動設置。
◇設置PCI IDE介面中斷請求號
設定與PCI相連的IDE中斷請求號。例如PCI Primary IDE（主IDE中斷號），PCI Second ary IDE（輔IDE中斷號）。允許自動設置和人工設置。一般可選自動設置。
◇ PCI IDE TRIGGER TYPE或PCI IRQ ACTIVED BY 設置PCI IDE觸發方式
這一項設置是對PCI匯流排中斷控制信號取樣方式的設置，一般有兩種選擇：Edge（脈沖沿觸發）和Level（電平觸發）。具體使用哪種方式可以根據PCI插卡有無特殊要求來決定。一般情況下如果PCI插卡無特殊要求，本項可設置為Level，即電平控制方式。
◇RESOURCES CONTOLLED BY 設置資源控制方式
本項用於設置系統資源的分配方式。可以選擇自動方式（Auto）或者人工方式（Manual）。選擇為自動方式時，IRQ和DMA通道均由BIOS自動檢測和分配。選擇為人工方式時，IRQ和DMA通道則由用戶自行設置。一般說來，本項可以設置為自動（Auto）方式。
本項實際上要解決的是一個如何「分享」資源的問題。在PCI主板的設計中，往往讓PCI 卡專門享用機內的某些中斷資源。但實際上，使用ISA匯流排的插卡仍然不少，為了讓原來的ISA匯流排插槽能使用中斷資源，BIOS設置中對PCI匯流排可用中斷就加入了像Legacy ISA這樣的設置值，使中斷資源可以完好地留給ISA匯流排使用。如果在機內安裝某種ISA音效卡或解壓卡時，出現中斷沖突，可以將匯流排可用中斷設置為Legacy ISA或NA狀態再試。有一些BIOS程序（如華碩T2P4）則直觀地使用「Slot x IRQ」表示設定與第x號PCI槽相聯系的中斷通道，設置為某個中斷號時表示該中斷為該PCI插槽所用，設置為NA時則表示該PCI插槽閑置不用，當然也就不會佔用中斷通道。設置為Auto時則表示由BIOS自動分配中斷通道號。在具體設置時，對於沒有使用的PCI插槽應該設為NA，對於要使用的插槽可設置為Auto。
◇PCI IDE IRQ MAP TO
本項一般應設置為PCI－ATUO。在主板上插有非PCI匯流排的IDE（硬碟）卡時則有重要意義，因為如果設置得不對，可能造成插卡或系統不能正常工作。在主板上插有非PCI匯流排的IDE多功能卡時，可將本項設置為ISA或Map to ISA。
◇PRIMARY IDE INT＃：A
◇SECONDARY IDE INT＃：B
這兩項用於設置兩個IDE介面的中斷優先權，A的優先權高於B。一般情況下Primary IDE （IDE 1口）選擇A，Secondary IDE（IDE2口）選擇B。
◇IRQ xx USED BY ISA（IRQ－X ASSIGNED TO）
本項用來設置某個IRQ通道是否只分配給ISA匯流排使用，xx為3至15。可選值為NO／ICU和YES。本項實質上是人工分配PCI與ISA匯流排佔用的IRQ資源。除非確認某個ISA插卡使用IRQ x x，否則都應選為NO／ICU使IRQ資源自動分配給PCI和ISA匯流排上的插卡。
◇DMA x USED BY ISA (DMA－X ASSIGNED TO )
本項用來設置某個DMA是否只分配給ISA匯流排使用，x為1、3、5等。可選值為NO／ICU和YES。本項實質上是人工分配PCI與ISA匯流排佔用的DMA資源。除非確認某個ISA插卡使用DMA x，否則都應選為NO／ICU，使DMA資源自動分配給PCI和ISA匯流排上的插卡。
◇PCI LATENCY TIMER
指PCI匯流排的響應延時，與主板的性能有關。各種主板的取值不同，可選擇的設置值一般為32、64、128等，單位是PCI Clock。取值越小，響應速度越快。用戶手冊一般都給出一個適合於本機的預設值，比預設值大時會影響速度，比該值小時有可能造成PCI匯流排響應不及。