⑴ NAND eMMC DDR的概念
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
NAND快閃記憶體卡的讀取速度遠大於寫入速度
emmc設備上有一個控制器，和嵌入設備的host控制使用emmc協議交互。對於host設備來說，只需了解emmc協議就能驅動emmc進行讀寫。emmc上的控制器負責具體的對memrory的管理。對於嵌入式設備廠商來說輕松很多。因為不需要了解各個nand產品的不同了。
DDR內存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。
前兩者是非易失性存儲器，即為ROM，DDR屬於易失性存儲器，即為RAM。
⑵ NAND快閃記憶體中NAND的英文全名是什麼還有NOR的全名
NAND其實不是縮寫，是Not AND，意思是為：是與非。NOR的意思就是：是或非。
快閃記憶體結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。
在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（例如負電荷），就在其下面。
源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。
NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
⑶ 什麼叫NAND快閃記憶體什麼叫NOR快閃記憶體 這兩者有什麼區別
NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。NOR Flash是一種非易失快閃記憶體技術，是Intel在1988年創建。
區別
1、快閃記憶體晶元讀寫的基本單位不同
應用程序對NOR晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。
應用程序對NAND晶元操作是以「塊」為基本單位。NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改NAND晶元中一個位元組，必須重寫整個數據塊。
2、應用不同
NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據。
3、速度不同
N AN D快閃記憶體晶元因為共用地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而NOR晶元可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。
⑷ 手機裡面的NAND是啥意思
這里說的16G絕對不是我們PC機經常說的內存，128MB的RAM才是內存。而16GB的空間相當於電腦的硬碟，用於給用戶存儲數據用的。NAND是一種快閃記憶體，也是用於存儲東西的。但是它存儲的東西是操作系統、啟動程序和文件系統。
我們一般不會直接去操作NAND，我們存儲東西就是用那個16G的空間。希望我的回答能夠解決你的疑惑。
謝謝
⑸ 在手機論壇中常可以看到「NAND」，「NAND」是什麼
NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0�18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可靠性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可靠性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3 AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4 由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可靠性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。
三、 發展趨勢
存儲器的發展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業表現得尤為淋漓盡致。隨著半導體製造工藝的發展，主流閃速存儲器廠家採用0�18μm，甚至0.15μm的製造工藝。藉助於先進工藝的優勢，Flash Memory的容量可以更大：NOR技術將出現256Mb的器件，NAND和AND技術已經有1Gb的器件；同時晶元的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，Flash Memory已經變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了攜帶型產品的發展。
另一方面，新技術、新工藝也推動Flash Memory的位成本大幅度下降：採用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的Flash Memory將突破1MB 1美元的價位，使其具有了取代傳統磁碟存儲器的潛質。
世界閃速存儲器市場發展十分迅速，其規模接近DRAM市場的1/4，與DRAM和SRAM一起成為存儲器市場的三大產品。Flash Memory的迅猛發展歸因於資金和技術的投入，高性能低成本的新產品不斷涌現，刺激了Flash Memory更廣泛的應用，推動了行業的向前發展。
⑹ nand存儲顆粒封裝尺寸
8mm乘6mm。nand存儲是一個嵌入式存儲解決方案設計的LGA8WSON小封裝，顆粒封裝尺寸只有8mm乘6mm，SD卡的操作與SD卡類似，是行業標准尺寸。