㈠ 什麼是IGBT它的作用是什麼
IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。
所以有了IGBT這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統稱變換器。
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的「CPU」，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
(1)igbt電荷存儲效應擴展閱讀；
方法
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。
雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標准雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。
導通
IGBT矽片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和 N+ 區之間創建了一個J1結。
當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那麼，J1將處於正向偏壓，一些空穴注入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流)； 一個空穴電流(雙極)。
關斷
當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低於門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。
這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特徵尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極體的設備上，問題更加明顯。
鑒於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與晶元的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。
㈡ IGBT管的工作原理是什麼，結構是什麼
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域.
IGBT 的工作特性包括靜態和動態兩類：
1 ．靜態特性
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變數時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+ 緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區後，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處於關斷狀態。在IGBT 導通後的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處於導通態時，由於它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。
通態電流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。
由於N+ 區存在電導調制效應，所以IGBT 的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。
2 ．動態特性
IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程後期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基於以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過由於IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。
IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為MOSFET關斷後，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間
t(off)=td(off)+trv十t(f)
式中，td(off)與trv之和又稱為存儲時間。
IGBT的開關速度低於MOSFET，但明顯高於GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極並聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發展的需求；高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司採用軟穿通原則研製出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要採用1ｕm以下製作工藝，研製開發取得一些新進展。
㈢ IGBT在工作的時候的特點是什麼
IGBT工作特性
靜態特性
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變數時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+ 緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區後，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處於關斷狀態。在IGBT 導通後的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處於導通態時，由於它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。通態電流Ids 可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流過MOSFET 的電流。由於N+ 區存在電導調制效應，所以IGBT 的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。
動態特性
IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程後期，PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td(on)tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基於以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過由於IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為MOSFET關斷後，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間t(off)=td(off)+trv十t(f)式中，td(off)與trv之和又稱為存儲時間。IGBT的開關速度低於MOSFET，但明顯高於GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極並聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發展的需求；高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司採用軟穿通原則研製出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要採用1um以下製作工藝，研製開發取得一些新進展。
㈣ IGBT焊機和MOS管的區別
IGBT焊機和MOS管有3點不同：
一、兩者的含義不同：
1、IGBT焊機的含義：逆變過程需要大功率電子開關器件，採用絕緣柵雙極晶體管IGBT作為開關器件的的逆變焊機成為IGBT逆變焊機。
2、MOS管的含義：MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓mos管。
二、兩者的特性不同：
1、IGBT焊機的特性：數字化電路的特點是對元器件參數變化不敏感，比如一個輸入或輸出電阻從1K變化到10K都不會影響焊機的性能。所以數字化焊機的一致性、穩定性遠比傳統焊機要好。
2、MOS管的特性：MOS管的source和drain是可以對調的，兩者都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
三、兩者的工作原理不同：
1、IGBT焊機的工作原理：數字化焊機的功能是靠軟體來實現的，增加焊機功能只需改變其軟體即可，各功能模塊相互獨立，增加新功能完全不影響原有功能和性能，所以數字化焊機功能可以做的很豐富。比如脈沖氣保焊、雙脈沖氣保焊和碳弧氣刨等焊接方式。
每種功能都具有很多可調參數，用戶既可以採用系統默認的參數非常方便地設置焊機，也可以根據不同的焊接要求精細地調整焊機，使之達到最佳焊接效果。
2、MOS管的工作原理：場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
㈤ mosfet和igbt的區別
mosfet和igbt的區別如下：
1、結構以及應用區別
從結構上來講，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET的區別在於MOSFET的襯底為N型，IGBT的襯底為P型；從原理上說IGBT相當於一格MOSFET與BIpolar的組合，通過背面P型層空穴降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流問題。
從產品上來說，IGBT一般用在高壓功率產品上，從600V到幾千伏都有，MOSFET應用電路則從十幾伏到一千左右。
2、工作原理的區別
對於MOSFET來說，僅由多子承擔的電荷運輸沒有任何存儲效應，所以很容易實現極端的開關時間。PowerMosfet的開關的高頻特性十分優秀，所以可以用在高頻場和，在低電壓工作狀態下，開關管動作損耗遠低於其他組件，但是缺點是在高壓狀態下，壓降高，並且隨著電壓等級的增大，導通電阻也變大。
因而其傳導損耗比較大，尤其是在高電壓應用場合。IGBT是其耐壓比較高，壓降低，功率可以達到5000w,IGBT開關頻率在40-50k之前，開關損耗也比較高，並且會出現擎柱效應。
3、驅動電路區別
IGBT輸入電容要比MOS大，因此需要更大電壓驅動功率，mosfet一般在高頻且低壓的場合應用，即功率＜1000W及開關頻率＞100kHZ,而IGBT在低頻率高功率的場合表現較好。
簡介
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬－氧化物半導體場效應晶體管，由於這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極體和MOS管組成的復合型半導體器件。
IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。
㈥ 逆變焊機中的MOS管和IGBT是起什麼作用的
MOS管: 絕緣柵型場效應管，是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度比三極體快。 IGBT: 絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。主要用於大功率領域。手機發的，不知道有錯沒有
㈦ IGBT原理和用途,(語言通俗,要圖,沒圖沒分,好了追加,在線等)
IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關斷。 IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。
當 MOSFET 的溝道形成後，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一層進行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時，也具有低的通態電壓。
IGBT 的工作特性包括靜態和動態兩類：
1 ．靜態特性 IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和 開關特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變數時，漏極電流與 柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和 區 1 、放大區 2 和擊穿特性 3 部分。在截止狀態下的 IGBT ，正向電 壓由 J2 結承擔，反向電壓由 J1 結承擔。如果無 N+ 緩沖區，則正反 向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+ 緩沖區後，反向關斷電壓只 能達到幾十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關系曲線。它與 MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處於關斷狀態。在 IGBT 導通後的大部分漏極電 流范圍內， Id 與 Ugs 呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。 IGBT 處於導通態時，由於它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓 Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh
式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ；
Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降；
Roh ——溝道電阻。
通態電流 Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。
由於 N+ 區存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態壓降為 2 ～ 3V 。
IGBT 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。
2 ．動態特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓 Uds 下降過程後期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成，
IGBT 在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為 MOSFET 關斷後， PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off) 為關斷延遲時間， trv 為電壓 Uds(f) 的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf 由 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關斷時間
t(off)=td(off)+trv 十 t(f)
式中， td(off) 與 trv 之和又稱為存儲時間。
㈧ IGBT的應用及工作特徵是什麼
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變數時，漏極電流與 柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和 區 1 、放大區 2 和擊穿特性 3 部分。在截止狀態下的 IGBT ，正向電 壓由 J2 結承擔，反向電壓由
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關系曲線。它與 MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處於關斷狀態。在 IGBT 導通後的大部分漏極電 流范圍內， Id 與 Ugs 呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。 IGBT 處於導通態時，由於它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓 Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ）
式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ；
Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降；
Roh ——溝道電阻。
Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ）
式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。 由於 N+ 區存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態壓降為 2 ～ 3V 。
IGBT 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。
動態特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓 Uds 下降過程後期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成， IGBT 在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。
因為 MOSFET 關斷後， PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off) 為關斷延遲時間， trv 為電壓 Uds(f) 的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf t(f1) 和 t(f2) 兩段組成