㈠ 內存周期是什麼意思內存刷新周期 存取周期
所謂的內存周期 就是內存的時序 是內存工作四個過程的單位時間
一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈沖預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。
㈡ 老師好，存儲器刷新周期與讀寫周期有何區別
讀寫周期：兩次存儲器讀/寫操作的最短時間間隔
存儲周期：稍大於讀寫周期，（在讀寫周期的基礎上加上必要的其他操作）
讀周期或寫周期：讀寫周期具體到或讀或寫
㈢ 動態存儲器刷新以什麼為單位
行。動態存儲器是在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器，如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。動態存儲器刷新以行為單位，動態存儲器刷新刷新周期：從上次對整個存儲器刷新結束到下次對整個存儲器全部刷新一遍為止的時間間隔，為電容數據有效保存期的上限(64ms)。
㈣ 在內存儲器中需要對什麼所存儲的信息進行周期性的刷新
DRAM是使用電容保持電荷的，但電容中的電荷容易隨時間的增加而丟失，所以要對電容進行周期性充放電
㈤ RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次
RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是：
DRAM電容上的電荷只能維持1-2ms，即使電源不掉電，信息也會自動消失，需要動態刷新。
㈥ 計算機問題：存儲器晶元字擴展，刷新信號周期計算。
這個需要使用的2Kx16的片子總數為：(8K*32)/(2K*16)=8塊為了從16位到32位，需要兩塊並列一塊接數據線的D[15]~D[0]，一塊接D[31]~D[16],把這個稱為一組，然後為了達到從2K到8K，這個就需4組，然後地址線A[15]~A[14]作為片選，其餘地址都一樣接，讀寫線都一樣，地址鎖存線也一樣。
㈦ 哪種存儲器是使用電容器類型的存儲器，而且還需要周期性的進行刷新
電腦的內存條
㈧ 存儲器的刷新有幾種方式何謂「死時間」
1. 集中式刷新：刷新方式為前面的時間一直進行讀取操作，後面的時間進行刷新。例如：對64*64的矩陣刷新，存取周期是0.5us，刷新周期為2ms
存取一次的時間=刷新一次的時間，那麼刷新完64行需要的時間為：64*0.5=32us，說明這32us里不能進行讀寫操作
2. 分散式刷新：它擴大了讀寫周期，也就是說讀一次需要時間為0.5us的話，那麼一次的讀寫周期為1us，因為它包含了刷新用的0.5us。
3. 非同步式刷新：它將每一行的刷新都分開來，也就是說只要在規定的時間完成對每一行一次的刷新就行了，(2ms/64)間隔進行一次刷新,這里的2ms是規定的，因為DRAM要求，至少2ms更新所有行一次。
不與固定相作用的組分的保留時間。死時間（dead time）,從進樣到惰性氣體峰出現極大值的時間稱為死時間.
㈨ 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種
動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。
㈩ 動態RAM的三種刷新方式是什麼
定時刷新的原因：由於存儲單元的訪問是隨機的。
有可能某些存儲單元長期得不到訪問，不進行存儲器的讀/寫操作，其存儲單元內的原信息將會慢慢消失，為此，必須採用定時刷新的方法，它規定在一定的時間內，對動態RAM的全部基本單元電路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。
刷新與行地址有關。
刷新時一行行進行的，必須在刷新周期內，由專用的刷新電路來完成對基本單元電路的逐行刷新，才能保證DRAM內的信息不丟失。通常有三種方式刷新：集中刷新、分散刷新和非同步刷新。