❶ 儲存器里儲存的是電流還是磁
磁碟存儲的是磁，半導體存儲器（U盤之類）存儲的是電荷（電壓），沒有存電流的。
❷ U盤儲存的原理是什麼
U盤，作為我們生活、工作中必不可少移動存儲設備，對我們來說可以說是不可或缺，幫助我們存儲著一些重要的數據文件，但是，這么重要的設備我們對它又了解多少呢?現在讓我們一起去解讀一下U盤的存儲原理吧，讓我們更加熟悉它的工作原理。
快閃記憶體(Flash Memory)盤是一種採用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，大家都管他叫U盤，是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲)。是SCM(半導體存儲器)的一種。
早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管(MOS)，包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。
RAM(隨機存取存儲)，是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM(動態)和SRAM(靜態)兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM(同步動態RAM)，它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電(刷新)以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存(cache)上。
PROM(可編程ROM)則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM(電可擦除PROM)，用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的`完整性。
Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。
MSM(磁表面存儲)是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息「0」和「1」。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。
ODM(光碟存儲)和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。
❸ 利用磁存儲原理來存儲數據的存儲器是什麼啊
MRAM，磁存儲器，利用巨磁阻效應，即橫向磁場改變電阻。
❹ 快閃記憶體與傳統硬碟分別是用什麼原理儲存數據的
你好
.
快閃記憶體（FlashMemory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，快閃記憶體是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種。快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
祝順利,如有幫助,還望及時採納.
❺ U盤是半導體存儲設備還是磁存儲設備
電腦是如何工作的? --外部存儲器之半導體存儲設備篇
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在外部存儲器之中。半導體存儲設備是真正小巧和便攜的外部移動存儲器。它有著與磁存儲介質設備和光存儲設備完全不同的存儲原理，下面就讓我們一起來了解一下吧!
一、半導體存儲設備的原理
目前市面上出現了大量的攜帶型存儲設備，這些設備大部分是以半導體晶元為存儲介質。採用半導體存儲介質的優點在於可以把體積變的很小，便於攜帶；與硬碟類存儲設備不同，它沒有機械結構，所以不怕碰撞，沒有機械雜訊；與其它存儲設備相比，耗電量很小；讀寫速度也非常快。半導體存儲設備的主要缺點就是價格較高和容量有限。
現在的半導體存儲設備普遍採用了一種叫做「Flash Memory」的技術。從字面上可理解為閃速存儲器，它的擦寫速度快是相對於EPROM而言的。Flash Memory是一種非易失型存儲器，因為掉電後，晶元內的數據不會丟失，所以很適合用來作電腦的外部存儲設備。它採用電擦寫方式、可重復擦寫10萬次、擦寫速度快、耗電量小。
1.NOR型FIaSh晶元
我們知道三極體具備導通和不導通兩種狀態，這兩種狀態可以用來表示數據「0」和數據「1」，因此利用三極體作為存儲單元的三極體陣列就可作為存儲設備。Flash技術是採用特殊的浮柵場效應管作為存儲單元。這種場效應管的結構與普通場效應管有很大區別。它具有兩個柵極，一個如普通場效應管柵極一樣，用導線引出，稱為「選擇柵」；另一個則處於二氧化硅的包圍之中不與任何部分相連，這個不與任何部分相連的柵極稱為「浮柵」。通常情況下，浮柵不帶電荷，則場效應管處於不導通狀態，場效應管的漏極電平為高，則表示數據「1」。編程時，場效應管的漏極和選擇柵都加上較高的編程電壓，源極則接地。這樣大量電子從源極流向漏極，形成相當大的電流，產生大量熱電子，並從襯底的二氧化硅層俘獲電子，由於電子的密度大，有的電子就到達了襯底與浮柵之間的二氧化硅層，這時由於選擇柵加有高電壓，在電場作用下，這些電子又通過二氧化硅層到達浮柵，並在浮柵上形成電子團。浮柵上的電子團即使在掉電的情況下，仍然會存留在浮柵上，所以信息能夠長期保存(通常來說，這個時間可達10年)。由於浮柵為負，所以選擇柵為正，在存儲器電路中，源極接地，所以相當於場效應管導通，漏極電平為低，即數據「0」被寫入。擦除時，源極加上較高的編程電壓，選擇柵接地，漏極開路。根據隧道效應(即微觀粒子具有波動性的表現)和量子力學的原理，浮柵上的電子將穿過勢壘到達源極，浮柵上沒有電子後，就意味著信息被擦除了。NOR型Flash Memory的存儲原理如圖1所示。
由於熱電子的速度快，所以編程時間短，並且數據保存的效果好，但是耗電量比較大。
每個場效應管為一個獨立的存儲單元。一組場效應管的漏極連接在一起組成位線，場效應管的柵極連接在一起組成選擇線，可以直接訪問每一個存儲單元，也就是說可以以位元組或字為單位進行定址，屬於並行方式(圖2)。因此可以實現快速的隨機訪問，但是這種方式使得存儲密度降低，相同容量時耗費的矽片面積比較大，因而這種類型的Flash晶元的價格比較高。
特點：數據線和地址線分離、以位元組或字為單位編程、以塊為單位擦除、編程和擦除的速度慢、耗電量大和價格高。
2.NAND型FlaSh晶元
NAND型Flash晶元的存儲原理(圖3)與NOR型稍有不同，編程時，它不是利用熱電子效應，而是利用了量子的隧道效應。在選擇柵加上較高的編程電壓，源極和漏極接地，使電子穿越勢壘到達浮柵，並聚集在浮柵上，存儲信息。擦除時仍利用隧道效應，不過把電壓反過來，從而消除浮柵上的電子，達到清除信息的結果。
利用隧道效應，編程速度比較慢，數據保存效果稍差，但是很省電。
一組場效應管為一個基本存儲單元(通常為8位、16位等)。一組場效應管串列連接在一起，一組場效應管只有一根位線，屬於串列方式，隨機訪問速度比較慢。但是存儲密度很高，可以在很小的晶元上做到很大的容量(圖4)。
特點：讀寫操作是以頁為單位的，擦除是以塊為單位的， 因此編程和擦除的速度都非常快；數據線和地址線共用，採用串列方式，隨機讀取速度慢，不能按位元組隨機編程。體積小，價格低。晶元內存在失效塊，需要查錯和效驗功能。
3.AND型FlaSh晶元
AND技術是Hitachi公司的專利技術。AND是一種結合了NOR和NAND的優點的串列Flash晶元，它結合了Intel公司的MLC技術(見注)，加上0.18μm的生產工藝，使生產出的晶元容量更大、功耗更低、體積更小，且因為採用單一操作電壓、塊比較小。並且由於內部包含與塊一樣大的RAM緩沖區，所以克服了因採用MLc技術帶來的性能降低。
特點：功耗特別低，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA。晶元內部有RAM緩沖區，寫入速度快。
注:MLC(Multi-level Cell)技術,這是Intel提出的一種旨在提高存儲密度的新技術,通常數據存儲中存在一個闕值電壓，低於這個電壓表示數據「0」，高於這個電壓表示數據「1」，所以一個基本存儲單元(即一個場效應管)可存儲一位數據(「0」或者「1」)。現在將闕值電壓變為4種，則一個基本存儲單元可以輔出四種不同的電壓，令這四種電壓分別對應二進制數據00、0l、10、ll，則可以看出，每個基本存儲單元一次可存儲兩位數據(00、0l、10或者11)。如果闕值電壓變為8種，則一個基本存儲單元一次可存儲3位數據。闕值電壓越多，則一個基本存儲單元可存儲的數據位數也越多。這樣一來，存儲密度大大增加，同樣面積的矽片上就可以做到更大的存儲容量。不過闕值電壓越多，干擾也就越嚴重。
二、各種各樣的半導體存儲卡
1.ATA FIaSh卡
這種存儲卡是基於Flash技術(通常採用NAND型)的ATA介面的PC卡。在電源管理方面，具備休眠、待命、運行和閑置等4種模式，整體功耗比較小。具有I／0、內存和ATA三種介面方式。由於體積比較大，所以可以使用更多的存儲晶元，因而也可以做到更大的容量。主要用於筆記本電腦、數碼相機和台式PC機。
ATA Flash卡由控制晶元和存儲模塊兩部分組成。智能化的控制晶元有兩個作用，一是對Flash晶元的控制，另外就是完成PC卡的ATA(lDE)介面功能。由於介面支持IDE模式，所以可以通過簡單的轉接到PC機的IDE介面。它支持扇區方式讀寫，可以像操作硬碟一樣對它進行各種操作。介面有68個引腳。因為引腳中的電源和地兩個引腳比其它引腳要長，保證了信號腳先分離，最後斷電，所以支持熱插拔。
主要特點：存儲容量大(可達1GB)、即插即用、支持熱插拔和傳輸速率約10MB／s。
ATA FLASH卡需要專用的，讀寫設備，通常筆記本電腦內置了這種讀寫器。
2．CF卡
CF(Compact Flash)卡是一種小型移動存儲設備。這種標準是在1994年由ScanDisk公司提出的。CF卡兼容PCMCIA-ATA、TRUEIDE和ATA／ATAPI—4標准。其體積為 43mm X 36mm x 3.3mm，有50條引腳。主要用於數碼相機、MP3播放器和PDA等攜帶型產品。
CF卡的內部結構與ATA Flash卡類似，也是由控制晶元和存儲模塊組成。智能化的控制晶元提供一個連接到計算機的高電平介面，這個介面運行計算機發布命令對存儲卡以塊為單位進行讀寫操作。塊的大小為16K，有ECC效驗。控制晶元管理著介面協議、數據存儲、通過ECC效驗修復數據、錯誤診斷、電源管理和時鍾控制，一旦CF卡通過計算機的設置，它將以一個標準的 ATA硬碟驅動器出現，你可以像對其它硬碟一樣對它進行操作。
CF卡需要專用的讀寫設備。但是因為它兼容PCMCIA—ATA標准，所以可以通過一個轉接卡當做PCMCIA設備來使用。
3.SM卡
Smart Media Card簡稱SM卡，它是基於NAND型Flash晶元的存儲卡。它的最大特點是體積小(45.0mm x 37.0mm x 0.76mm)、重量輕(2克)。主要用於數碼相機、PDA、電子音樂設備、數碼錄音機、列印機、掃描儀以及攜帶型終端設備等。
從結構上講， SM卡非常簡單，卡的內部沒有任何控制電路，僅僅是一個Flash存儲器晶元而已，晶元被封裝到一個塑料卡片中，引腳與卡片表面的銅箔相連。
SM卡採用NAND型的Flash晶元，因而與其它存儲卡相比具有較低的價格。但因為它只用了一個存儲晶元，所以受到了很大的限制，不容易做到大容量。
SM卡可以採用專用的讀寫器進行讀寫，也可以通過一個轉接卡當做PC卡來讀寫。
主要特點：NAND結構適合於文件存儲；高速的讀寫操作；價格低廉，
4.Memory StiCk
Memory Stick(記憶棒)是SONY公司推出的一種小體積的存儲卡。它可用於各種消費類電子設備：數碼攝像機、攜帶型音頻播放設備、掌上電腦和行動電話等。對於音樂等一些收保護的內容具備數字版權保護功能。
SONY的Memory Stick具有防寫開關，採用10個引腳的串列連接方式，具有很高的可靠性。通過一個PC卡適配器，它也可作為一個PC卡在各種PC卡讀寫設備上使用。
Memory stick內部包括控制器和存儲模塊，控制晶元負責控制各種不同類型的Flash存儲晶元，並將負責並行數據和串列數據之間的相互轉換。另外 Memory Stick採用了一種專用的串列介面，發送數據時附加了一位效驗碼，最高工作頻率為20MHz。
5.MultiMedia卡(MMC)
MultiMedia卡(MMC)是由美國SanDisk公司和德國西門子公司共同開發的一種通用的低價位的可用於數據存儲和數據交換的多功能存儲卡。作為一種低價位、小體積、大容量的存儲卡，它的應用范圍很廣。可用於數碼相機、數碼攝像機、PDA、數碼錄音機、MP3和行動電話等設備。
MMC卡的數據通訊是基於一種可工作在低電壓范圍下的串列匯流排，它有7條引線。它支持MMC匯流排和SPI匯流排。MMC卡的結構。
特點：由於工作電壓低，耗電量很小；體積小，與一張郵票差不多大小；可對數據實行密碼保護；內置防寫功能。
6.Secure Digital Memory卡
SD卡是由Panasonic、Toshiba及美國SanDisk公司於1999年8月共同開發研製的一種基於NAND技術的Flash存儲卡。它的體積非常小，僅有一張郵票大小，但是容量卻很大。SD卡的另一個特點是具有非常好的數據安全性和版權保護功能。
7．UDISK
優遞卡，也稱郵遞卡。這是台灣八達創新科技開發的一種存儲卡，它的存儲部分仍是普通的Flash Memory。不同的是，它的內部具有兩種介面：一個是與電腦相連的USB介面，這是由專用的USB介面晶元來完成；另一方面有單片機構建了一個Device Interface(設備介面)，這個介面可支持Serial Mode、 Byte Mode及Word Mode(圖20)。
優遞卡的一個優點是它可以支持各種類型的 Flash存儲晶元，例如：串列或並行Flash——NAND、 AND、NOR、Gate Flash及Mask ROM等。
編者按
電腦的外部存儲器包含磁存儲介質、光存儲設備和半導體存儲設備幾個方面的內容，對它們的介紹到本期就暫告一段落。下期我們將為大家介紹電腦的BIOS，這是電腦內部重要的信息儲存器，敬請期待!
❻ 根據計算機存儲器記錄信息原理的不同可分為哪三類
存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。
一、按存儲介質劃分
1、半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
2、磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
二、按存儲方式劃分
1、隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
2、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
三、按讀寫功能劃分
1、只讀存儲器（ROM）：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
2、隨機讀寫存儲器（RAM）：既能讀出又能寫入的存儲器。
四、按資料保存師
1、非永久存儲器：斷電時信息消失的存儲器。
2、永久存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
五、按用途分類
1、主存：主存用於存儲計算機運行過程中大量的程序和數據，存取速度快，存儲容量小。
2、外部存儲：外部存儲系統程序和大數據文件及資料庫存儲容量，單位成本低。
3、高速緩存存儲器：高速緩存存儲器訪問指令和數據速度快，但存儲容量小。
(6)什麼儲存器不是磁存儲原理擴展閱讀：
1、內部存儲和外部存儲
一般來說，內部存儲是最經濟但最不靈活的，因此用戶必須確定未來對存儲的需求是否會增長，以及是否有某種方法可以升級到具有更多代碼空間的微控制器。用戶通常根據成本選擇能滿足應用要求的內存容量最小的單片機。
2、啟動存儲
在較大的微控制器或基於處理器的系統中，用戶可以用引導代碼進行初始化。應用程序本身通常決定是否需要引導代碼，以及是否需要專用的引導存儲。
3、配置存儲
對於現場可編程門陣列（fpga）或片上系統（SoC），存儲器可以用來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失的EPROM、EEPROM或快閃記憶體。在大多數情況下，FPGA使用SPI介面，但一些較老的設備仍然使用FPGA串列介面。
4、程序存儲
所有有處理器的系統都使用程序內存，但是用戶必須決定內存是在處理器內部還是外部。做出此決定後，用戶可以進一步確定存儲的容量和類型。
5、數據存儲
類似於程序存儲器，數據存儲器可以位於一個微控制器或一個外部設備，但有一些不同的兩種情況。有時微控制器內部包含SRAM（易失性）和EEPROM（非易失性）數據存儲器，但有時它不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部串列EEPROM或串列快閃記憶體設備。
6、易失性和非易失性存儲器
內存可以分為易失性內存（在斷電後丟失數據）和非易失性內存（在斷電後保留數據）。用戶有時會將易失性內存與備用電池一起使用，以實現類似於非易失性設備的功能，但這可能比簡單地使用非易失性內存更昂貴。
7、串列存儲器和並行存儲器
對於較大的應用程序，微控制器通常沒有足夠大的內存。必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
8、EEPROM和快閃記憶體
內存技術的成熟已經模糊了RAM和ROM之間的區別，現在有一些類型的內存（如EEPROM和快閃記憶體）結合了兩者的特點。這些設備像RAM一樣讀寫，在斷電時像ROM一樣保存數據。它們都是電可擦可編程的，但各有優缺點。
❼ 鐵氧體存儲器原理
鐵氧體存儲器原理：
1、磁芯存儲器也稱作鐵氧體磁芯存儲器是一種非易失性存儲器（斷電後存儲的信息不會丟失），磁帶、磁碟等磁存儲設備基於同樣的存儲原理。
2、對磁芯進行存取操作時無需旋轉機械的幫助，其中存儲的信息可以通過定址線立即獲得，存取速度自然要快很多，因此非常適合作內存使用。
❽ 磁儲存原理
磁存儲技術的工作原理
是通過改變磁粒子的極性來在磁性介質上記錄數據。在讀取數據時，磁頭將存儲介質上的磁粒子極性轉換成相應的電脈沖信號，並轉換成計算機可以識別的數據形式。進行寫操作的原理也是如此。要使用硬碟等介質上的數據文件，通常需要依靠操作系統所提供的文件系統功能，文件系統維護著存儲介質上所有文件的索引。因為效率等諸多方面的考慮，在我們利用操作系統提供的指令刪除數據文件的時候，磁介質上的磁粒子極性並不會被清除。操作系統只是對文件系統的索引部分進行了修改，將刪除文件的相應段落標識進行了刪除標記。同樣的，目前主流操作系統對存儲介質進行格式化操作時，也不會抹除介質上的實際數據信號。正是操作系統在處理存儲時的這種設定，為我們進行數據恢復提供了可能。
值得注意的是，這種恢復通常只能在數據文件刪除之後相應存儲位置沒有寫入新數據的情況下進行。因為一旦新的數據寫入，磁粒子極性將無可挽回的被改變從而使得舊有的數據真正意義上被清除。另外，除了磁存儲介質之外，其它一些類型存儲介質的數據恢復也遵循同樣的原理，例如U盤、CF卡、SD卡等等。因為這些存儲設備也和磁碟一樣使用類似扇區、簇這樣的方式來對數據進行管理。舉個例子來說，目前幾乎所有的數碼相機都遵循DCIM標准，該標准規定了設備以FAT形式來對存儲器上的相片文件進行處理。
❾ 各種存儲器的工作原理是什麼
1．按用途分類 ⑴內部存儲器 內部存儲器又叫內存，是主存儲器。用來存儲當前正在使用的或經常使用的程序和數據。CPU可以對他直接訪問，存取速度較快。 ⑵外部存儲器 外部存儲器又叫外存，是輔助寄存器。外存的特點是容量大，所存的信息既可以修改也可以保存。存取速度較慢，要用專用的設備來管理。 計算機工作時，一般由內存ROM中的引導程序啟動程序，再從外存中讀取系統程序和應用程序，送到內存的RAM中，程序運行的中間結果放在RAM中,（內存不夠是也可以放在外存中）程序的最終結果存入外部存儲器。
2.按存儲器的性質分類 ⑴RAM隨機存取存儲器（Random Access Memory） CPU根據RAM的地址將數據隨機的寫入或讀出。電源切斷後，所存數據全部丟失。按照集成電路內部結構不同，RAM又分為兩類： ①SRAM靜態RAM（Static RAM） 靜態RAM速度非常快，只要電源存在內容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低，功耗也較大。一般高速緩沖存儲器（Cache memory）用它組成。 ②DRAM動態RAM（Dynamic RAM） DRAM內容在 或 秒之後自動消失，因此必須周期性的在內容消失之前進行刷新（Refresh）。由於他的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成，因此他的集成成本較低，另外耗電也少，但是需要刷新電路。⑵ROM只讀存儲器（Read Only Memory） ROM存儲器將程序及數據固化在晶元中，數據只能讀出不能寫入。電源關掉，數據也不會丟失。ROM按集成電路的內部結構可以分為：①PROM可編程ROM（Programable ROM ）將設計的程序固化進去，ROM內容不可更改。②EPROM可擦除、可編程（Erasable PROM）可編程固化程序，且在程序固化後可通過紫外線光照擦除，以便重新固化新數據。③EEPROM電可擦除可編程（Electrically Erasable PROM） 可編程固化程序，並可利用電壓來擦除晶元內容，以便重新固化新數據。 3、按存儲介質分
(1)半導體存儲器。 存儲元件由半導體器件組成的叫半導體存儲器。其優點是體積小、功耗低、存取時間短。其缺點是當電源消失時，所存信息也隨即丟失，是一種易失性存儲器。
半導體存儲器又可按其材料的不同， 分為雙極型（TTL）半導體存儲器和MOS半導體存儲器兩種。 前者具有高速的特點，而後者具有高集成度的特點，並且製造簡單、成本低廉， 功耗小、故MOS半導體存儲器被廣泛應用。 (2)磁表面存儲器。 磁表面存儲器是在金屬或塑料基體的表面上塗一層磁性材料作為記錄介質，工作時磁層隨載磁體高速運轉，用磁頭在磁層上進行讀寫操作，故稱為磁表面存儲器。
按載磁體形狀的不同，可分為磁碟、磁帶和磁鼓。現代計算機已很少採用磁鼓。由於用具有矩形磁滯回線特性的材料作磁表面物質，它們按其剩磁狀態的不同而區分「0」或「1」，而且剩磁狀態不會輕易丟失，故這類存儲器具有非易失性的特點。
(3)光碟存儲器。 光碟存儲器是應用激光在記錄介質(磁光材料)上進行讀寫的存儲器，具有非易失性的特點。光碟記錄密度高、耐用性好、可靠性高和可互換性強等。 4、按存取方式分類
按存取方式可把存儲器分為隨機存儲器、只讀存儲器、順序存儲器和直接存取存儲器四類。
(1)隨機存儲器RAM RAM是一種可讀寫存儲器， 其特點是存儲器的任何一個存儲單元的內容都可以隨機存取，而且存取時間與存儲單元的物理位置無關。計算機系統中的主存都採用這種隨機存儲器。由於存儲信息原理的不同， RAM又分為靜態RAM (以觸發器原理寄存信息)和動態RAM(以電容充放電原理寄存信息)。
(2)只讀存儲器 只讀存儲器是能對其存儲的內容讀出，而不能對其重新寫入的存儲器。這種存儲器一旦存入了原始信息後，在程序執行過程中，只能將內部信息讀出，而不能隨意重新寫入新的信息去改變原始信息。因此，通常用它存放固定不變的程序、常數以及漢字字型檔，甚至用於操作系統的固化。它與隨機存儲器可共同作為主存的一部分，統一構成主存的地址域。
只讀存儲器分為掩膜型只讀存儲器MROM（Masked ROM）、可編程只讀存儲器PROM(Programmable ROM)、可擦除可編程只讀存儲器EPROM(Erasable Programmable ROM)、用電可擦除可編程的只讀存儲器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)。以及近年來出現了的快擦型存儲器Flash Memory，它具有EEPROM的特點，而速度比EEPROM快得多。
(3)串列訪問存儲器 如果對存儲單元進行讀寫操作時，需按其物理位置的先後順序尋找地址，則這種存儲器叫做串列訪問存儲器。顯然這種存儲器由於信息所在位置不同，使得讀寫時間均不相同。如磁帶存儲器，不論信息處在哪個位置，讀寫時必須從其介質的始端開始按順序尋找，故這類串列訪問的存儲器又叫順序存取存儲器。還有一種屬於部分串列訪問的存儲器，如磁碟。在對磁碟讀寫時，首先直接指出該存儲器中的某個小區域(磁軌)，然後再順序尋訪，直至找到位置。故其前段是直接訪問，後段是串列訪問，也稱其為半順序存取存儲器。
❿ 磁表面儲存器和光碟儲存器記錄信息的原理有何不同
1、所謂磁表面存儲，是用某些磁性材料薄薄地塗在金屬鋁或塑料表面作載磁體來存儲信息。
在磁表面存儲器中，利用一種稱為磁頭的裝置來形成和判別磁層中的不同磁化狀態。磁頭實際上是由軟磁材料做鐵芯繞有讀寫線圈的電磁鐵。
寫操作：當寫線圈中通過一定方向的脈沖電流時，鐵芯內就產生一定方向的磁通。
讀操作：當磁頭經過載磁體的磁化元時，由於磁頭鐵芯是良好的導磁材料，磁化元的磁力線很容易通過磁頭而形成閉合磁通迴路。不同極性的磁化元在鐵芯里的方向是不同的。
通過電磁變換，利用磁頭寫線圈中的脈沖電流，可把一位二進制代碼轉換成載磁體存儲元的不同剩磁狀態；反之，通過磁電變換，利用磁頭讀出線圈，可將由存儲元的不同剩磁狀態表示的二進制代碼轉換成電信號輸出。這就是磁表面存儲器存取信息的原理。
磁層上的存儲元被磁化後，它可以供多次讀出而不被破壞。當不需要這批信息時，可通過磁頭把磁層上所記錄的信息全部抹去，稱之為寫「0」。通常，寫入和讀出是合用一個磁頭，故稱之為讀寫磁頭。每個讀寫磁頭對應著一個信息記錄磁軌。
磁表面存儲器的優點：
①存儲容量大，位價格低；
②記錄介質可以重復使用；
③記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以離線存檔；
④非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。
磁表面存儲器的缺點
存取速度較慢，機械結構復雜，對工作環境要求較高。
2、光碟存儲器是一種採用光存儲技術存儲信息的存儲器，它採用聚焦激光束在盤式介質上非接觸地記錄高密度信息，以介質材料的光學性質(如反射率、偏振方向)的變化來表示所存儲信息的「1」或「0」。