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sram的存儲元由什麼構成

發布時間: 2022-12-07 02:26:22

A. SRAM存儲元電路是什麼電路

存儲元是
組成存儲器的基礎和核心,它用來存儲一位二進制信息0或1。

你所謂的六管SRAM存儲元
它是由兩個MOS反相器交叉耦合而成的觸發器,一個存儲元存儲一位二進制代碼。這種電路有兩個穩定的狀態,並且 A、B兩點的電位總是互為相反的,因此它能表示一位二進制的1和0。

寫操作?

寫「1」:在I/O線上輸入高電位,在I/O線上輸入低電位,開啟T5,T6,T7,T8四個晶體管把高、低電位分別加在A、B點,使T1管截止,使T2管導通,將「1」寫入存儲元。
寫「0」:在I/O線上輸入低電位,在I/O線上輸入高電位,打開T5,T6,T7,T8四個開門管把低、高電位分別加在A、B點,使T1管導通,T2管截止,將「0」信息寫入了存儲元,

讀操作?

若某個存儲元被選中,則該存儲元的T5,T6,T7,T8管均導通,A、B兩點與位線D與D相連存儲元的信息被送到I/O與I/O線上。I/O與I/O線接著一個差動讀出放大器,從其電流方向可以判知所存信息是「1」還是「0」。

二、SRAM存儲器的組成

存儲體:存儲單元的集合,通常用X選擇線(行線)和Y選擇線(列線)的交叉來選擇所需要的單元。

地址解碼器:將用二進制代碼表示的地址轉換成輸出端的高電位,用來驅動相應的讀寫電路,以便選擇所要訪問的存儲單元。地址解碼有兩種方式。

表3.3 地址解碼的兩種方式

單解碼 適用於小容量存儲器 一個地址解碼器
雙解碼 適用於大容量存儲器 X向和Y向兩個解碼器

驅動器: 雙解碼結構中,在解碼器輸出後加驅動器,驅動掛在各條X方向選擇線上的所有存儲元電路。

I/O電路: 處於數據匯流排和被選用的單元之間,控制被選中的單元讀出或寫入,放大信息。�

片選: 在地址選擇時,首先要選片,只有當片選信號有效時,此片所連的地址線才有效。

輸出驅動電路:為了擴展存儲器的容量,常需要將幾個晶元的數據線並聯使用;另外存儲器的讀出數據或寫入數據都放在雙向的數據匯流排上。這就用到三態輸出緩沖器。�

三、SRAM存儲器晶元實例

右邊的CAI演示的是2114存儲器晶元的邏輯結構方框圖 點擊演示

注意:由於讀操作與寫操作是分時進行的,讀時不寫,寫時不讀,因此,輸入三態門與輸出三態門

是互鎖的,數據匯流排上的信息不致於造成混亂。

四、存儲器與CPU連接
CPU對存儲器進行讀/寫操作,首先由地址匯流排給出地址信號,然後要發出讀操 作或寫操作的控制信號,最後在數據匯流排上進行信息交流,要完成地址線的連接、數據線的連接和控制線的連接。

存儲器晶元的容量是有限的,為了滿足實際存儲器的容量要求,需要對存儲器進行擴展。主要方法有:

★位擴展法:只加大字長,而存儲器的字數與存儲器晶元字數一致,對片子沒有選片要求使用8K×1的RAM存儲器晶元,組成8K×8位的存儲器的CAI演示 點擊演示

★字擴展法:僅在字向擴充,而位數不變。需由片選信號來區分各片地址。
用16K×8位的晶元採用字擴展法組成64K×8位的存儲器連接圖演示 點擊演示

★字位同時擴展法:一個存儲器的容量假定為M×N位,若使用l×k 位的晶元(l<M,k<N),需要在字向和位向同時進行擴展。此時共需要(M/l)×(N/k)個存儲器晶元。

五、存儲器的讀、寫周期�
在與CPU連接時,CPU的控制信號與存儲器的讀、寫周期之間的配合問題是非常重要的。

讀周期:讀周期與讀出時間是兩個不同的概念。讀出時間是從給出有效地址到外部數據匯流排上穩定地出現所讀出的數據信息所經歷的時間。讀周期時間則是存儲片進行兩次連續讀操作時所必須間隔的時間,它總是大於或等於讀出時

B. SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存儲原理

SRAM利用寄存器來存儲信息,所以一旦掉電,資料就會全部丟失,只要供電,它的資料就會一直存在,不需要動態刷新,所以叫靜態隨機存儲器。
DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息,一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時間一長,由於柵極漏電,代表1的電容會放電,代表0的電容會吸收電荷,這樣會造成數據丟失,因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。刷新操作定期對電容進行檢查,若電量大於滿電量的1/2,則認為其代表1,並把電容充滿電;若電量小於 1/2,則認為其代表0,並把電容放電,藉此來保持數據的連續性。

PROM(可編程ROM)則只能寫入一次,寫入後不能再更改。

EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息,但可以用紫外線擦除已有信息,並在專用設備上高電壓寫入信息。

EEPROM(電可擦除PROM),用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。

C. SRAM存儲器是什麼存儲器

SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據
說具體點就是高速緩存或者說是二級緩存
祝您好運

D. SRAM和DRAM依靠什麼原理存儲信息

SRAM:同步隨機存儲器 (一般用於嵌入式處理器的內存)S:synchronous
DRAM:動態隨機存儲器(很少用了) D:dynamic
SDRAM:同步動態隨機存儲器(很早的內存)
DDR SDRAM (雙沿觸發SDRAM,表示一個時鍾周期觸發兩次)
DDR2 SDRAM (現在的主流,比第一代增加內部倍頻,這個很少人知道)
DDR3 SDRAM (第三代DDR,進一步增加了內部倍頻,改善了定址方式)

暈,怎麼是0分,才注意到

存儲數據基本原理無外乎都是利用電容保存的電壓信息表示0.1狀態,實際的東西比這個復雜多了。

E. 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理

個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展,但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構,即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分:算術邏輯單元(ALU),控制電路,存儲器,以及輸入輸出設備(I/O)。這些部件通過一組一組的排線連接(特別地,當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排),並且由一個時鍾來驅動(當然某些其他事件也可能驅動控制電路)。
概念上講,一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號,稱為地址;又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令(告訴計算機去做什麼),也可以是數據(指令的處理對象)。原則上,每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元(ALU)可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算:第一類是算術運算,比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的,事實上,一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算(由是使用者只能通過編程進行乘除法運算)。第二類是比較運算,即給定兩個數,ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦,輸入設備主要有鍵盤和滑鼠,輸出設備則是顯示器,列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據,對指令進行解碼,並向ALU交付符合指令要求的正確輸入,告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加,但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元(二者合成中央處理器,CPU)逐漸被整合到一塊集成電路上,稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀:在一個時鍾周期內,計算機先從存儲器中獲取指令和數據,然後執行指令,存儲數據,再獲取下一條指令。這個過程被反復執行,直至得到一個終止指令。
由控制器解釋,運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類:1)、數據移動(如:將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B)2)、數邏運算(如:計算存儲單元A與存儲單元B之和,結果返回存儲單元C)3)、條件驗證(如:如果存儲單元A內數值為100,則下一條指令地址為存儲單元F)4)、指令序列改易(如:下一條指令地址為存儲單元F)
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說,10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此,使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說,它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機,大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天,微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU,不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中,還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構(Harvard
architecture)。

F. SRAM是緩存還是內存

SRAM是一種讀寫速度很優秀的存儲器(比DRAM速度快很多的存儲器),因為讀寫速度優秀,所以價格就貴,所以一般容量做的比較小,容量做大的話成本就會很高(因為計算機要親民啊,做的那麼貴誰買得起呢),所以一般不拿來當內存使用(就是平常說的內存條),一般用作TLB(快表)或者用來減少存取時間的高速緩存,而DRAM一般用來做內存,一般容量比較大,為什麼容量大呢,因為他比SRAM存儲器慢所以價格便宜,容量做大一點就沒關系啦

G. 數據存儲器又可分為靜態SRAM和動態DRAM,何為靜態SRAM與動態DRAM

隨機存儲器(RAM)有兩種,靜態隨機存儲器(Static Random-Access Memory),簡寫為SRAM,通常由6個MOS管組成,寫入數據後不需要刷新;和動態隨機存儲器(Dynamic Random-Access Memory),簡寫為DRAM,通常為一個MOS管加一個電容,寫入數據後需要不斷刷新

隨機存儲器只是數據存儲器中的一種,數據存儲器也不是只有SRAM和DRAM兩種

H. sram的存儲原理

靜態隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」,是指這種存儲器只要保持通電,裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取存儲器(DRAM)裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而,當電力供應停止時,SRAM儲存的數據還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。