Ⅰ 存儲器容量越大,每位的成本越低 怎麼解釋
存儲器價格構成： 內存顆粒、封裝材料、機器損耗均攤、人工成本。
例如：
容量100的一個存儲器價格是：50元 + 10元 + 10元 + 10元= 80元
容量500的一個存儲器價格是：250元 + 10元 + 10元 + 10元= 280元
容量100的單位成本是0.8元，而容量500的單位成本是0.56元。
問題的關鍵在於除了內存顆粒成本會與容量成正比，其他的成本基本上沒有變化（即使有也是很小），所以容量越大，單位成本越低。 這就是規模經濟！
Ⅱ 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
更多分享，請關注《東風高揚》。
理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
Ⅲ 簡述儲存器分內存和外存的必要性,並說明ram和rom各自的特點
一:內存讀取速度很快，但是斷電之後就會丟失數據，所以需要外存來保存數據。
二:ROM是只讀存儲器（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。
RAM是隨機存取存儲器（random access memory）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介
Ⅳ 存取器的存取周期是什麼
存儲器存取時間（memory access time）又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。 主存儲器得主要性能指標為主存容量﹑存儲器存取時間和存儲周期時間。存儲器的速度一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示。
具體來說，存取時間就是：從存儲器接收到讀（或寫）的命令，到從存儲器讀出（或寫入）信息所需要的時間，稱為存儲器存取時間。
存取時間的取決於存儲介質的物理特性和訪問機構的類型。
Ⅳ 常見的儲存器有哪些
易失性存儲器就是和非易失性存儲器的唯一區別在於前者掉電數據會被清除。
1、 易失性存儲器的代表就是RAM，RAM又分DRAM（動態隨機存儲器）和SRAM（靜態隨機存儲器），他們之間不同在於生產工藝的不同，SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，DRAM保存數據靠電容充電來維持。SRAM的工藝復雜，生產成本高，所以貴，容量比較大的RAM我們都選用的是DRAM。而且SRAM速度較快。
2、 RAM既然是存儲器就要傳輸數據，傳輸數據就是通信。通信又分同步通信和非同步通信。前面我們所說的DRAM和SRAM都是非同步通信的，速率沒有SDRAM和SSRAM快。所以現在大容量RAM存儲器是選用SDRAM的。S(Synchronous同步)
3、 現在電腦裡面用的內存條就是RAM。我的電腦台式機用的是DDR3SDRAM，我的手機用的是DDR4 SDRAM，我的嵌入式開發板用的是DDR2 SDRAM。那麼DDR SDRAM和SDRAM的區別在於DDR（double data rate）雙倍速率。SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。DDR也一步步經過改良出現了一代、二代、三代，現在也有四代。
4、 Cache常見於CPU中，cache實質屬於SRAM，所以是造價高，但是速度快，比DRAM快，在電腦中體現在cache（sram）比內存（dram）快，所以cache作為CPU和內存之間通信的橋梁。
5、 那麼cache是怎麼加快CPU和內存的通信的呢？先了解cache是要解決CPU和內存之間的什麼矛盾。矛盾在於：CPU讀取速度快，而內存給的速度慢，這樣CPU要接一會數據等一會，浪費了CPU處理時間。我們把CPU常讀取的內存的數據放到cache中，CPU讀取cahce很快，這樣CPU就免了等待時間，CPU的處理速度就提高了。還有一個問題就是cache怎麼知道哪些是CPU的常用數據？其實cache存儲的是PU剛用過或循環使用的一部分數據，就是做一些數據的緩存。所以cache又叫緩存。
6、 非易失性存儲器常見的有ROM，FLASH，光碟，軟盤，機械硬碟。他們作用相同，只是實現工藝不一樣。
7、 光碟、軟盤和機械硬碟都很好理解，不做解釋。
8、 ROM(Read Only Memory)在以前就是只讀存儲器，就是說這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。實際是以前向存儲器寫數據不容易，所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改。現在技術成熟了，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
9、ROM分為MASK ROM、OTPROM、EPROM、EEPROM。MASK ROM是掩膜ROM這種ROM是一旦廠家生產出來，使用者無法再更改裡面的數據。OTPROM(One Time Programable ROM)一次可變成存儲器，出廠後用戶只能寫一次數據，然後再也不能修改了，一般做存儲密鑰。EPROM(Easerable Programable ROM)這種存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)電可擦除ROM，現在使用的比較多因為只要有電就可擦除數據，就可以寫入數據。
10、 FLASH是一種可以寫入和讀取的存儲器，叫快閃記憶體，FLASH也叫FLASH ROM，有人把FLASH當做ROM。FLASH和EEPROM相比，FLASH的存儲容量大。FLASH的速度比現在的機械硬碟速度快，現在的U盤和SSD固態硬碟都是Nandflash。FLASH又分為Norflash和Nandflash。
Ⅵ 存儲器容量越大,每位的成本越低 怎麼解釋
最主要是封裝的成本占很大比重。所以同樣的一塊晶元，如果容量大雖然本身的成本肯定是增高了，但是封裝的成本卻不會變，即便晶元每位的成本是一樣的，但均價每位還是降低了（因為容量越小的晶元封裝的價格比重就越大）。
當然這也不是絕對的，過大容量的存儲器由於廢品率高、設備成本高，反而會使其每位的成本更高，這在高端市場是很常見的現象。
Ⅶ 存儲器可分為哪三類
存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。
一、按存儲介質劃分
1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
二、按存儲方式劃分
1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
三、按讀寫功能劃分
1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。
二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：
1、內部存儲器與外部存儲器
一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。
2、引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。
3、配置存儲器
對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。
4、程序存儲器
所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。
5、數據存儲器
與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。
6、易失性和非易失性存儲器
存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。
7、串列存儲器和並行存儲器
對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
8、EEPROM與快閃記憶體
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。
參考資料來源：網路——存儲器
Ⅷ 儲存器、內存、寄存器、外存、高速緩存的區別與聯系
儲存器就是外存，內存就是寄存器，高速緩存是CPU裡面一小點點內存，那個很快很快，比內存快。內存比外存快。