A. 什麼是靜態隨機存儲器，與動態有什麼區別
樓主給你個專業的回答參考下吧
SRAM靜態的隨機存儲器: 特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。
DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory): 它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1~2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。
B. 關於《微機原理》的一些問題
9、每段的起始和結束地址為：
（1）10000H-1FFFFH
（2）12340H-2233FH
（3）23000H-32FFFH
（4）E0000H-EFFFFH
（5）AB000H-BAFFFH
12、若當前SS＝3500H，SP=0800H,堆棧段在存儲器中的物理地址為35800H，若此時入棧10個位元組，SP內容是07F6H，若再出棧6個位元組，SP為07FCH
3、
(1)MOV
AX,[100H]源操作數欄位的定址方式是直接定址，物理地址值是
10100H
(2)MOV
AX,VAL源操作數欄位的定址方式是直接定址，物理地址值是
10030H
(3)MOV
AX,[BX]源操作數欄位的定址方式是寄存器間接定址，物理地址值是
10100H
(4)MOV
AX,ES:[BX]源操作數欄位的定址方式是寄存器間接定址，物理地址值是
20100H
(5)MOV
AX,[SI]源操作數欄位的定址方式是寄存間接定址，物理地址值是
100A0H
(6)MOV
AX,[BX+10H]源操作數欄位的定址方式是寄存器相對定址，物理地址值是
10110H
(7)MOV
AX,[BP]源操作數欄位的定址方式是寄存器間接定址，物理地址值是
35200H
(8)MOV
AX,VAL[BP][SI]源操作數欄位的定址方式是基址變址定址，物理地址值是
10100H
(9)MOV
AX,VAL[BX][DI]源操作數欄位的定址方式是基址變址定址，物理地址值是
10124H
(10)MOV
AX,[BP][DI]源操作數欄位的定址方式是基址變址定址，物理地址值是
35224H
6、
(1)MOV
DL,AX類型不匹配，位元組與字不能傳送
(2)MOV
8650H,AX
目的操作數不能為立即數
(3)MOV
DS,0200H
立即數不能送段寄存器
(4)MOV
[BX],[1200H]
兩內存單元不能直接操作
(5)MOV
IP,0FFH操作數不能為IP
(6)MOV
[BX+SI+3],IP
操作數不能為IP
(7)MOV
AX,[BX][BP]兩個基寄存器不能同時作為地址
(8)MOV
AL,ES:[BP]
可以是正確的
(9)MOV
DL,[SI][DI]兩變址寄存器不能同時作為地址
(10)MOV
AX,OFFSET
0A20H錯誤在OFFSET不用作為數值地址操作符
(11)MOV
AL,OFFSET
TABLE類型不匹配，地址為字，不能傳送給位元組
(12)XCHA
AL,50H
立即數不用作為XCHG指令的操作數
(13)IN
BL,05H
輸入指令為累加器專用指令，不用BL，只能用AL
(14)OUT
AL,0FFEH
埠地址超過8位應該用DX間接定址
7、
LEA
BX,TABLE
MOV
AL,5
XLAT
MOV
DH,AL
MOV
AL,7
XLAT
MOV
DL,AL
MOV
BX,DX
8、
PUSH
AX
SP＝00FEH
PUSH
BX
SP＝00FCH
POP
BX
SP＝00FEH
POP
AX
SP＝0100H
1、
A1
DW
23H,
5876H
變數佔4個位元組
A2
DB
3
DUP(?),
0AH,
0DH,
『$』變數佔6個位元組
A3
DD
5
DUP(1234H,
567890H)
變數佔40個位元組
A4
DB
4
DUP(3
DUP(1,
2,
『ABC』))
變數佔60個位元組
2、
MOV
AX,0066H
MOV
AL,0FFH
MOV
AX,0FFH
AND
AL,2
OR
AX,02FFH
4、
PLENTH的值為22,表示PLENTH與PAR之間的位元組數
7、用1024×1位的RAM晶元組成16K×8位的存儲器，需要128個晶元，在地址線中有10位參與片內定址,6位組合成片選擇信號（設地址匯流排為16位）
8、現有一存儲體晶元容量為512×4位，若要用它組成4KB的存儲器，需要16個這樣的晶元，每塊晶元需要9條定址線，整個存儲系統最少需要12條定址線。
C. 如何使用62256構成64K的靜態數據存儲器
使用62256構成64K的靜態數據存儲器
輸入輸出系統在微機系統中佔有重要的地位，它是人機交互的唯一渠道，在一個小型的DVCC8086十六位微型單板機系統中，輸入輸出系統無法採用傳統的鍵盤和CRT顯示器，只能採用一些簡單的輸入輸出設備，如開關量和數碼管顯示器，雖然設備簡單，但要使它在DVCC8086十六位微型機系統中正常工作，涉及的技術卻非常多，首先，DVCC8086十六位微型機本身的資源是夠用的，即CPU、內存、匯流排這些構成微型機的整體框架的硬體要有。第二，內存的容量，存儲器地址的范圍，埠的地址范圍，中斷資源等必須滿足輸入輸出的基本要求。第三，相應的輸入輸出設備的介面必須具有，選擇了那些介面，就有相應的功能。第四，輸入輸出設備的驅動程序要有，即如何對介面進行符合要求的編程，最後，有一個具體的應用來驗證設計的整個輸入輸出系統能否正常使用。本文主要介紹DVCC8086十六位微型機的硬體組成，討論了十六位微機實驗系統的輸入輸出的有關內容。描述DVCC8086十六位微型機本身的所有資源，同時也對本設計中使用的輸入輸出設備開關量、數碼管顯示器、與輸入輸出相關的介面晶元及其驅動程序進行了詳細的講解。最後給出了一個具體的輸入輸出的應用，以此來了解一個完整的輸入輸出系統的設計。
1 DVCC8086十六位微型機的硬體組成
DVCC8086 十六位微型機輸入輸出系統是為了適應微機原理、微機介面技術等課程的實驗而設計的。它為大中專院校學生學習微機原理、微機介面技術提供了理想的實驗環境，它可有效地幫助學生深入理解微機原理等課程中的基本概念，理解微機的工作過程介面晶元的工作原理，從而達到學好微機原理和介面技術等課程的目的。
1.1系統的部分硬體組成
(1)系統採用主頻為4.77HZ的8088CPU為主CPU，並以最小工作方式構成系統。
(2)採用靜態RAM形成監控程序的數據區和用戶實驗的程序存儲區，系統以二片62256靜態RAM構成系統的64K基本內存，地址范圍為00000H~0FFFFH。其中00000H~004FFH為系統數據區，00500-00FFFH為用戶數據區，01000H~0FFFFH為用戶程序區。用EPROM形成系統監控程序區,主要是一片32KEPROM存放系統程序和實驗程序，地址范圍為F8000H-FFFFFH。
(3) 系統中採用74LS373、74LS245匯流排驅動器使CPU的AB／DB分時復用，形成AB、DB分離的匯流排方式
(4) 由可編程鍵盤顯示介面8279A對24鍵的小鍵盤和8位的七段LED顯示進行管理。自帶鍵盤顯示器，採用進口鍵座、彩色字元鍵帽，能單機獨立運行，為實驗程序的調試帶來方便。
以上就構成了最基本的微機工作系統。同時將AB、DB和CB三匯流排均引出供實驗使用，為了減少和防止外接電路對CPU的影響，各信號均加入了驅動、隔離電路。
(5)通用外圍電路，包括邏輯電平開關電路、發光二極體顯示電路、時鍾電路、單脈沖發生電路、繼電器及驅動電路、直流電機及驅動電路、步進電機及驅動電路、電子音響及驅動電路、模擬電壓產生電路。
(6) 提供各種微機常用I/O介面晶元：包括定時/計數器介面晶元(8253A)，並行介面晶元(8255A)，A/D轉換晶元(0809)，D/A轉換晶元(0832)，中斷控制器介面晶元(8259A)，鍵盤顯示介面晶元(8279A)，串列通信介面晶元(8251A)等。
(7) 備有系統匯流排擴展插座，便於其他硬體介面器件的擴展（如DAM控制器8237A的擴充、串級中斷源8259A的擴充、串列口8250A擴充、A/D的擴充等）。
(8) 可以配接溫度測量、壓力測量實驗板。
(9)備有通用IC插座，和其他外圍電路配合作數字實驗儀用。
(10)實驗電路連接採用自鎖緊插座及導線，消除接觸不良現象。
(11)提供標准RS-232非同步通信介面，以聯接IBMPC及其兼容機
D. 什麼叫做靜態存儲器它依靠什麼存儲信息
靜態存儲器是在計算機的運行過程中不需要刷新的半導體存儲器，一旦通電，就長期保存信息。它是依靠觸發器的兩個穩定狀態來存儲信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
這里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相關的答案
E. 何為靜態存儲器，動態存儲器，它們的區別是什麼
靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表: 靜態和動態存儲器晶元特性比較 SRAM DRAM 存儲信息 觸發器 電容 破壞性讀出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同時送 分兩次送 運行速度 快 慢 集成度 低 高 發熱量 大 小
F. 微機原理中的RAM工作原理誰會啊
RAM分為SRAM存儲器和DRAM存儲器
靜態存儲器（SRAM）依靠觸發器的兩個穩定狀態存儲信息，多用來作為小容量的高速緩沖存儲器，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
動態存儲器DRAM是依靠電容上的存儲電荷來保存信息，為了保持數據,所以必須隔一段時間刷新一次,DRAM是由許多基本存儲元按照行和列來組成的常用作大容量的主存儲器。
G. 靜態RAM基本存儲電路
那個T3，T4是有源負載，相當於電阻，T3是T1的負載電阻，T4是T2的負載電阻，都是導通的，為T1，T2提供漏極電壓的。而真正導通和截止形成反相的，有兩個穩定狀態的是T1，T2。因為在集成電路內部不方便做電阻，所以，就用這種電路做電阻了。