① IBM突破2nm晶元技術，全球首款2nm晶元問世
對於任何智能設備而言，晶元都是設備的核心，尤其是手機領域。一個好的晶元對手機所帶來的性能提升是非常大的，比如說如日中天的驍龍888，基本是旗艦機必備晶元。
但眾所周知，就算是最強的驍龍888也只是一款5nm的晶元，但 IBM突然有消息傳出，稱其已經研發出了2nm的晶元技術，要知道3nm的技術都沒著落呢，現在竟然就有了2nm的技術？
IBM公司其實近幾年已經很少活躍在市場中了，雖然曾經是巨頭般的存在，但隨著時間的一步步推移，市場份額不斷下滑，也無奈開始轉型，但沒想到沉寂這么長時間一出手就是王炸啊。
而這款2nm晶元到底有多誇張呢？目前5nm晶元晶體管數量都在100多億個，而IBM這個直接達到了500億個，性能直接提升了不在一個數量級，由於晶元體積小，對產品的輕薄也有巨大的提升。除此外功耗也非常小，所以續航也提升極大。那這是不是就代表著我們可以直接繞過3nm晶元，直接應用2nm晶元技術呢？
事實並不是如此，盡管這款2nm晶元確實是貨真價實的，但是其成本極高，根本不可能實現量產，甚至在小部分設備上應用都不太現實。
也就是說，技術有確實是有，但不可能會有廠商去進行代工，因為其成本之高根本就不可能賺到錢。所以這次的2nm發布，更多的可能是展示了IBM的高端技術，至於應用只能是鏡花水月。所以現在最現實的仍然是3nm的晶元技術，比如說三星就表示將在2021年推出基於 3nm GAA工藝的產品，一步一個腳印才能走出最扎實的路。
不過隨著半導體產業的不斷進步，2nm甚至1nm的技術肯定也會逐步實現，不知道到了1nm之後該怎樣發展呢？0.5nm嗎？
② 華為全新自研晶元取得突破，此次突破意味著什麼
如今國內的企業是意識到了自主研發晶元的意義，華為全新資源晶元取得了突破，華為在自主研究上面的再發力，成為了華為競爭力這么多年以來，華為的短板補齊了。華為在自主研究晶元上面的突破，有什麼意義呢？下面就讓我們起來看一下。
晶元決定的競爭力。蘋果和華為的手機有很大的影響力。而在兩家競爭的過程中，晶元在裡面起到了很重要的作用，每一年的新機發布會，消費者除了會關心手機的新功能，還會關注晶元的亮相。不得不說自主研發的晶元是一種硬實力，也是一種軟實力。如果國內的手機品牌想要拿下話語權，那麼必然是要自主研發晶元的。華為自主研究的oled屏幕驅動晶元已經完成了市場屏幕驅動晶元可以理解為oled，這是顯示屏的中樞神經，它的性能的高低決定了顯示屏畫面播出的效果。它的提升能夠提高。使用者的體驗感。
③ 打破美日壟斷晶元國產化再獲新突破：128層快閃記憶體晶元進入量產
長期以來，全球的存儲晶元市場份額基本集中在韓國、日本、美國等國家的晶元企業手中，我國在這方面雖然起步比較晚，但是進步速度快，我國存儲晶元「三劍客」之一長江存儲僅僅花了4年時間，就完成了32層3D NAND快閃記憶體晶元到128層3D NAND快閃記憶體晶元的研發。近日，我國在快閃記憶體晶元和固態硬碟領域傳來好消息。
據媒體周四（7月29日）最新報道，國內存儲產品代工企業「嘉合勁威」宣布， 該司旗下 品 牌阿斯加特發布新品AN4 PCle4.0 SSD快閃記憶體顆粒 ，該硬碟 採用的是長江存儲研發的128層3D TLC NAND， 主要的實行方案同樣來自於中企英韌 科技 。
快閃記憶體晶元和SSD固態硬碟之間有什麼樣的聯系呢？NAND快閃記憶體晶元被廣泛採用到SSD固態硬碟、智能手機、平板電腦等電子設備中， 數據統計顯示，2019年，SDD固態硬碟對NAND快閃記憶體晶元的需求佔比達49.6%，此外，2021年，預計SSD固態硬碟全球的出貨量高達3.3億台。 隨著SSD固態硬碟的市場規模越來大，也加速拉動了NAND快閃記憶體晶元的市場需求量。
值得一提的是，雖然，當前硬碟市場仍以PCIe 3.0 SSD為主流，但是技術進步是發展趨勢，隨著更多的高端產品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼聲也越來越高，三星、西部數據等快閃記憶體晶元巨頭都推出了PCIe 4.0 SSD固態硬碟。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出現不僅能夠填補我國國產高端 PCle4.0 SSD固態硬碟領域的長期空白， 同時也象徵著我國國產SSD固態硬碟成功邁進高端市場。
另外，有業內人士分析認為，阿斯加特此次發布的新品， 意味著長江存儲研發的128層快閃記憶體晶元已經進入量產階段。由此，該司正式進階到100層以上的高端快閃記憶體晶元賽道，未來有望在快閃記憶體晶元市場上獲得更多的市場份額。
此次，阿斯加特與長江存儲的強強合作，又為我國高端技術突破增添了「功勛章」，成功把我國國產NAND快閃記憶體晶元和SSD固態硬碟推向高端市場。
文 | 張建琳 題 |曾雲梓 圖 | 盧文祥 審 | 呂佳敏
④ 三星搞出3nm晶元，我們7nm晶元試產成功，卡脖子即將解決
全球晶元大戰，不斷燃起戰火，真是奪人眼球，舉世矚目，最近，三星就突然宣布，自己搞出來了3nm晶元，這個消息，猶如晴空中的一個驚雷，三星正是以此，來震懾自己的老對手台積電和英特爾。
俗話說：兵不厭詐。激烈的市場競爭，讓各大公司，絞盡腦汁，想盡一切辦法，來打壓競爭對手。
那三星說的，自己已搞出來了3nm晶元，到底是真是假呢？
首先說，這個事，是真的。就在最近的國際固態電路大會上，三星亮出來了全球首款3nm的SRAM存儲晶元。
這個晶元，的確厲害，容量高達256GB，性能提升30%，功耗降低50%，計劃明年量產。
三星這么做，就是一直在精準卡位台積電，終於搞出來了3nm晶元，以此碾壓台積電。
其實，我們都知道，這個台灣的晶元製造企業，台積電，的確是晶元製造領域的「一哥」，那向來是一家獨大，特別是在全球最先進的5nm晶元上，更是橫掃天下，打遍天下無對手。華為的麒麟9000晶元，絕大多數，都是台積電生產的，這家公司，的確牛。
那半導體領域的另一大巨頭，三星呢，一直就不服氣，在台積電的屁股後面，拚命努力，窮追不舍。這就形成了世界高端晶元領域的競爭格局。
你看，晶元製造，如今已經是一個非常成熟的領域了，大家分工明確，相互依存，從上游的各種材料設備，到中游的設計與製造，再到下游的封測，各個環節，有條不紊，形成了各大產業鏈。
比如說，華為，那在晶元設計的領域，全球首屈一指，技術非常厲害，所以，才不斷的推出了自己的各種高端晶元。
縱觀全球的半導體領域，有的公司擅長設計，比如華為。有的公司擅長製造，台積電，就是在晶元製造上，有絕對的領先優勢。
但是，三星和英特爾，這兩個巨頭，卻與眾不同，這兩個公司，不僅能設計，還能製造，同時也能封測，集三大技術於一身，可以說是，萬事不求人，自己都搞定。
其實，華為吃虧就在自己設計能力極強，但缺乏製造能力，一直在讓台積電給自己代工。結果，被卡了脖子以後，晶元就徹底被斷供。
曾經，世界的晶元市場，就是被三星和英特爾，這兩大巨頭所佔領，這哥倆，那是你爭我奪，輪流坐莊，依次成為世界第一，別人呢，只有看的份，誰也打不過他倆。
而這個時候的台積電，也是非常弱小，因為出道晚，所以，沒多大競爭力，英特爾公司呢，就把自己的一些低端訂單，分給台積電做。
雖然起步晚、底子薄，但台積電的野心可不小， 創始人 張忠謀，卻一心想著如何去逆襲，從而，擠進世界最強的晶元公司行列。
這個24歲，這畢業於麻省理工學院碩士的張忠謀，非常的聰明，他認准，只要解決一個定位問題，聚集所有兵力，集中優勢打殲滅戰，就可以一招致勝。
於是，張忠謀就決定，我台積電，只做晶元製造，別的啥也不做，你像晶元的設計，台積電絕不進入，你先設計好了，方案拿給我就ok，我保證把晶元給你做得特棒。
一招鮮，吃遍天！
就這一招，讓台積電，一下子，脫穎而出了，它的晶元製造能力，成為了世界最強，張忠謀，也被譽為了「晶元大王」、台灣「半導體教父」，他還成為了台灣機械科學院院士。
想當初，那是在2010年，iPhone4剛發布，
蘋果就讓三星代工晶元，可是，三星手機，越做越大，竟然和蘋果，在市場競爭中，成了一對死敵。
就在這個節骨眼，台積電殺了出來，一舉拿下了蘋果的晶元代工業務，同時，又積極地和高通、華為合作，那營業額，就像火箭一樣，嗖嗖的，直線上升，不僅如此，台積電的晶元製造工藝，也大幅提升，當做到10nm晶元時，一舉超過三星，成為了全球最強的晶元製造公司。
科技 無止境，隨著時代的進步，在10nm晶元之後，又發展到了7nm，這個時候，英特爾的技術就不行了，直接止步於7nm這條線了。而如今，已發展到了5nm，你像華為的最新款手機，都是用的5nm晶元。
而在全世界，只有台積電和三星，能夠做出5nm晶元，但是三星的良品率，對比台積電，低了不少，一直被大家所指責。
所以，你看，蘋果和華為的5nm晶元，都交給台積電來做，基本不考慮三星，除非台積電真是趕不出來了，才會去找三星代工。
雖然，英特爾公司，止步於7nm這條線了，但是，很多設備對晶元的要求，7nm就足夠了，只有高端的智能手機，才需要5nm晶元。
所以，從公司的營收上看，英特爾和三星，依然占據著全球晶元市場的最大份額。
根據Gartner發布的2020年，半導體廠商的營收預測，英特爾去年營收，同比增長3.7%，能突破700億美元；三星去年營收，同比增長7.7%，能實現560億美元。他們哥倆，繼續稱霸全球。
而台積電呢，2020年全年營收，同比增長25%，約474億美元。凈利潤同比增長了50%，約183.3億美元。
從這個數據，我們可以看出，雖然台積電的全年營收，比英特爾和三星少，但營收增速，卻比英特爾和三星多了好幾倍，英特爾是3.7%，三星是7.7%，台積電卻是25%，這么一看，台積電超越英特爾和三星，那是指日可待。
另外，從目前的公司市值，更是顯示出，台積電的後生可畏。
你看，英特爾目前的市值是2556億美元，而台積電則高達6135億美元，相當於2.4個英特爾，台積電一舉成為了全球市值最大的半導體公司。
台積電的創始人，「晶元大王」張忠謀，擔任了紐約證券交易所的顧問和斯坦福大學的顧問，真可謂是名利雙收啊。
那在這種情況下，三星會就此認輸嗎？答案是：絕對不會。
雖然在高端晶元的市場大戰中，不論技術、還是規模，三星都已經被台積電打敗，但三星一直在努力，尋找反敗為勝的機會。
因為現在的市場，晶元需求量太大，甚至出現了求大於供的局面。
你像去年，當蘋果把晶元，交給台積電，代工時，由於要的晶元數量太大，蘋果一家公司，就占據了台積電5nm晶元25%的產能，這給台積電忙的，日夜趕工，滿負荷運轉啊。
一旦當台積電，做不出來的時候，蘋果就會考慮，找三星代工，雖然三星做得不如台積電好，那沒辦法，台積電的產能也是有極限的。目前，高通的5nm晶元，就是找三星代工的。
所以，三星完全有機會，戰勝台積電。雖然去年，三星在5nm晶元上，輸給了台積電，但如今，三星率先搞出來了，全球首款3nm的SRAM存儲晶元。
因為，早在2019年，三星就啟動了「半導體2030計劃」。
這個計劃的核心內容是，三星要在10年之內，成為全球最大的半導體公司，超過台積電。
但對於台積電，當前是一家獨大，以最先進的5nm晶元，橫掃天下的局面，三星是奮起直追，所以，搞出來了全球首款3nm晶元。
但是，三星的這個3nm晶元，是SRAM存儲晶元，主要是在手機里用，負責手機里的數據存儲。而台積電的晶元，擅長於中央處理器，負責全方位的性能輸出，工藝技術那是更高一籌。
而且目前，台積電計劃在明年，主打3nm晶元，蘋果已經完成了首批訂貨，當2022年，台積電量產3nm晶元時，將率先用在蘋果的手機等設備之上。
看著半導體領域的巨頭們，這場驚心動魄的晶元大戰，作為一個中國人，最關心的，還是我們自己的晶元製造。
因為製造晶元，那是投資非常巨大、見效卻又緩慢的事情，所以，我們過去，一直習慣於買買買，我需要晶元了，直接花錢就ok了。
根據數據統計，僅2018年,中國晶元的進口總量，就高達3120億美元,佔了全球市場規模的近60%，進口額已經超過了石油,位居國內進口商品的第一位。
可現在，當出現了被卡脖子的狀況時，一下子，喚醒了國人，那就是，在關鍵的晶元 科技 領域，我們得有自己的生產製造能力啊，你看，華為被制裁的多厲害，你有錢，也沒用，我不賣給你，你就傻眼。
好在當前，我們清楚地看到了這一點，開始加大了我們的晶元製造能力。
國家也出台了政策，明確表示，要在2025年，把晶元的自給率，從2019年的30%，提升到70%，以應對不斷惡化的外部環境。
就在去年的7月份，我們國家還出台重磅政策，鼓勵晶元行業的快速發展，就是在未來1到2年，對晶元的設計、製造、封裝等各個環節，企業均可減免所得稅，最高的，直接免稅10年。
通過我們的共同努力，舉全國之力，把高端晶元搞出來，徹底的突破封鎖。
被卡了脖子的華為，更是痛定思痛，在想盡一切辦法，來解決晶元短缺的問題。
可網上，卻有人這樣噴：晶元這種高 科技 的東西，只有國外才能製造出來，華為，你就在夢里搞吧！
這么講話，真是讓人氣憤。如今，一個好消息傳來，真是讓國人振奮，我們的7nm晶元，在中芯國際，試產成功了。
就在去年的時候，中芯國際的14nm製程工藝，就達到了量產的水準。如今，中芯國際，仍然沒有EUV光刻機，那是怎麼實現7nm的突破呢？
我們都知道，EUV光刻機，那是你有錢，也買不著的。
而中芯國際，通過不斷的技術研發，利用深紫外光DUV光刻機，在多重曝光,和特殊的工藝處理之後，就能達到生產7nm晶元的水準，這一重大突破，真讓我們高興，目前，中芯國際，准備在今年的4月份，嘗試風險生產。
如今，我們不僅在7nm晶元上，實現了突破5nm晶元，也在研發當中，一些相關的技術，正在部署，就差將來，能買到EUV光刻機了。
如果，中芯國際，在沒有EUV光刻機的情況下，也能量產7nm的晶元，那就會成為，全球第3家，掌握10nm以下工藝技術的晶元製造企業，將來，只要ASML阿斯麥，一鬆口，賣給我們一台EUV光刻機，我們就能和台積電，一決高低。
7nm在中芯國際，已經取得重大突破，5nm，還遠嗎？一旦卡脖子的問題，得到了解決，未來在全球的高端晶元競爭當中，必將有我們的一席之地！對此，你怎麼看？
⑤ 萬物互聯互通的5G時代，國產晶元領域會有怎樣的新突破呢
5G時代的到來，成為物聯網的催化劑，這勢必會影響物聯網本身和他相關的產業，而其他行業中最核心的就是晶元產業。
物聯網的高速發展
物聯網是新一代信息技術的重要組成部分，也是"信息化"時代的重要發展階段。物聯網通過智能感知、識別技術與普適計算等通信感知技術，廣泛應用於網路的融合中，也因此被稱為繼計算機、互聯網之後世界信息產業發展的第三次浪潮。
新興產業如物聯網、人工智慧、大數據、雲計算、智能駕駛、區塊鏈、醫療信息化、政務信息化等等都離不開半導體晶元的支持。因此，伴隨著物聯網的快速發展，半導體產業被進一步推動。
根據產業鏈發展的邏輯，在一個大的產業周期起來的過程中，受益的先後順序應該是從上游到中游再到下游逐漸擴散。而半導體在5G通信網路中充當上游原材料的角色，半導體產業持續高熱。
基於此，物聯網的多重場景和多重情況就大大的刺激晶元行業的發展，按需定製的晶元服務也成為趨勢。
按需定製的晶元服務成為趨勢
隨著先進的工藝節點趨於極限，設計變得復雜，導致商業化的時間延長，成本效益不再得到保證。但是如果採用定製化晶元的方式，在性能提升和功耗降低的情況下，就可能不會提升任何成本。對於成本更加敏感的物聯網市場似乎更需要定製化晶元。
IP需要長期的技術積累，也需搭建完備的生態，需要持續的研發投入，同時也考驗企業的商業策略和能力。大多數為人們所熟悉的IP公司都來自於國外，然而在如今國產替代緊迫的形勢下，發掘本土優秀企業顯得格外重要。
據了解，芯動 科技 (Innosilicon)就是一家中國晶元IP和晶元定製的一站式領軍企業，他們擁有14年全球最先進工藝產品交付記錄的專家團隊，從55納米到8納米先進工藝，具有創紀錄（> 200次流片）和年10萬片FinFet晶圓授權量產的驕人業績。芯動 科技 以高智能、高性能、高安全、低成本為客戶定製晶元，以靈活共贏的商業模式服務於全球客戶，長期賦能，加速產品應用落地，為國產晶元定製量產保駕護航。
未來我們將看到更多的晶元在物聯網和人工智慧等應用上的使用，甚至在某些特定領域，定製化的晶元將會發揮主導作用。
突出重圍，助力中國芯
國產半導體正積極打破萬億元的高額逆差，打破國外壟斷，戰略安全可靠，國產IP及自主晶元生態鏈迎來新的使命。鏈、網、雲智能應用驅動著AIoT、5G、 汽車 電子、大數據等交互加速落地，特別是5G+AI時代需要高性能計算和存儲晶元技術，FinFet高端工藝晶元的需求量也與日俱增，因此國產一站式IP和晶元定製化設計企業也迎來了前所未有的機遇。
以芯動 科技 為例，在IP定製化設計領域提供全球主流代工廠（台積電/三星/格芯/中芯國際/聯華電子/英特爾/上海華力/武漢新芯等），從180nm到5nm工藝全套高速混合電路IP核和ASIC定製解決方案，尤其22nm以下FinFET工藝全覆蓋。公司14年來本土發展，所有IP和產品自主可控，支持了華為海思、中興通訊、瑞芯微、君正、AMD、Microsoft、Amazon、Microchip、Cypress、Micron、Synaptics、Google、OnSemi等國內外知名企業數十億顆晶元量產，連續10年中國市場份額遙遙領先。
芯動團隊持續聚焦先進工藝晶元IP和定製技術，以趕超世界先進水平為己任，碩果累累。2018年率先攻克頂級難度的GDDR6高帶寬顯存技術瓶頸，成功量產高性能計算GPU；2019年推 出4K/8K顯示的HDMI2.1 IP和高速32Gbps SerDes Memory；2020年率先推出國產自主標準的INNOLINK Chiplet和HBM2E技術，並即將首發全定製雲計算智能渲染GPU晶元。在高性能計算/高帶寬儲存/加密計算/AI雲計算/低功耗IoT等領域展現出強悍的創新力，一站式賦能國產自主可控高端晶元生態。
在國產化替代的浪潮下，在萬物互聯互通的5G時代，芯動作為一個有擔當的國產晶元賦能企業，將會一如既往地秉承 科技 創芯、生態共贏的理念，以開放的心態助力晶元國產化事業不斷發展。
⑥ 國產晶元迎來突破，晶元製造的3個關鍵環節，終於打破技術壟斷
受眾所周知的原因影響，近年來中國半導體產業的自主研發激情空前高漲，不少企業都不惜代價地持續投入研發，盡可能推動整個產業打破海外壟斷的進程。
在各方努力下，國產晶元終於迎來突破，在三個晶元製造的關鍵環節上終於打破了海外的技術壟斷。
所謂引線框架，是晶元的基本載體。公開資料顯示，引線框架可以實現晶元電路內部引出端和外引線的電氣連接形成迴路，屬於構建集成電路過程中的核心材料。
長期以來，中國在蝕刻金屬引線框架方面高度依賴進口，這導致大部分相關技術都無法進行攻關。
在避無可避的情況下，中國企業只能自主研發引線框架。 在這方面，淄博新恆匯電子發現了激光模式的蝕刻金屬引線框架，成功打破技術封鎖。
筆者了解到，相比傳統蝕刻金屬引線框架，新恆匯電子的成果效率更高。據悉，目前該公司在激光模式蝕刻金屬引線框架上的產能約為1億條/年，約佔全球10%的產能。
與金屬引線框架類似，光刻膠也是核心原材料之一，只不過光刻膠主要被應用於晶元製造環節。
放眼全球光刻膠市場，日本、美國和德國等國家的企業牢牢把控著80%以上的市場。 國產光刻膠目前主要集中在中低端市場，對於高端光刻膠，中國企業仍然需要從海外進口。
不過，在「國家隊」的政策、技術和資金支持下，不少中國企業都在高端光刻膠研發項目上實現了一定的突破。
例如南大光電、晶瑞股份等等，其中前者的ArF光刻膠已經建有產能25噸的生產線，接下來會持續擴大產能。
至於晶瑞股份，該公司在2020年從某些渠道購買的二手光刻機已經到貨。利用這台光刻機，筆者相信晶瑞股份很快會傳來有關光刻膠技術的好消息。
眾所周知，前段時間台積電官宣了在1nm晶元技術上的突破。雖然我國在晶元製程上落後不少，但卻掌握著1nm晶元電極主要材料---鉍。
公開資料顯示， 中國是全球鉍資源儲蓄量最高的國家，先天性的優勢令中國在技術落後的情況下掌握不小的主動權。
而且，這意味著，我國在晶元製造技術攻關方面有了更多的優勢。總而言之，筆者相信國產晶元未來可期。
文/諦林 審核/子揚 校正/知秋
⑦ 國產內存或將突破，中企有望躋身全球第四，明年量產17nm晶元
在DRAM內存晶元領域我國與其他國家一直都存在著較大的差距，中國台灣的南亞 科技 所生產的內存所佔有的市場份額，遠低於其他國家的內存晶元。中國自主生產的優質內存是中國高 科技 產業存在的一個短板之一。這一直都是中國之痛，但如今我國國內自主研發生產的內存終於迎來了新的希望，中國企業合肥長鑫有希望進入全球晶元內存市場的前四，合肥長鑫計劃在明年量產17nm的內存晶元，並有望超越南亞 科技 ，這是一件值得國人共同慶賀的好消息，是中國國產晶元內存的一大進步。
話題討論：國產內存或將突破，中企有望躋身全球第四，明年量產17nm晶元
對中國 科技 領域有一定了解的小夥伴，一定知道在DRAM內存晶元領域占據了壟斷性地位的企業便是來自韓國的企業。三星、SK海力士以及美光這僅僅三家企業就已經占據了全球市場內存晶元領域超過95%的市場份額，排名第四的則是中國台灣的南亞 科技 。雖說是排名第四的企業，但是其所佔有的市場份額卻只有僅僅的3.2%。通過這幾個數字，我們就可以明顯感覺到我國國產內存與外國企業所存在的巨大差距。不過即便如此，即便我國在國產內存領域遠遠落後於他人，我國國內的內存廠商也永不言棄，依舊鍥而不舍地加強進行自主研發。其中，中國合肥的長鑫企業就終於成功實現了DDR內存的量產。
首先先給大家介紹一下這一個後起之秀——合肥長鑫。長鑫企業在2016年的時候成立，長鑫儲存是一家一 體化的儲存器製造商，其擁有了自主設計、研發、生產與銷售DRAM的能力。長鑫存儲的DRAM產品應用領域非常廣泛，在電腦、移動終端和互聯網等領域都能見到他的身影。根據相關報道顯示，如今的長鑫存儲企業依舊在不斷地進行擴產，將有希望超過台灣的南亞 科技 ，成功進入全球內存晶元市場排行榜的第四位。長鑫存儲在默默的積蓄力量，以待成效之日。
在今年的上半年，長鑫存儲就取得了非常優異的成績。長鑫存儲所自主研發的19nm DRAM工藝終於成功上市了，並且其量產也從兩萬片跨越到了四萬片。這是一個非常良好的開端，長鑫存儲的市場份額在不斷提高，其知名度也在不斷的提升，越來越多的人意識到了合肥長鑫的存在。不僅如此根據Digtime公布的消息來看，在今年的年末，長鑫存儲的晶元量產有望增長三倍，也就是12萬片。而12萬片的量產片就足以讓超越產量不足7萬片的南亞 科技 。因此在今年年末，中國企業長鑫 科技 有望進入全球第四。相信短時間內，長鑫存儲在業界的知名度將會又有一個大的提升。
但是就算是有著不錯的成績，但是長鑫存儲在DRAM晶元內存領域與國際市場的三大巨頭三星、SK海力士和美光這三家企業還是有著很懸殊的實力差距。無論在市場份額的佔有上，還是在晶元的製造工藝上都與這三大業界巨頭存在著很大的距離。我們都知道長鑫存儲目前生產的內存晶元主要是19nm，和國際其他企業存在較大的差距，我國晶元內存製造的工藝技術水平落後於其他國外企業足足有大約兩三年的時間。不過，有差距也就有了追趕的動力。據相關人士透露，長鑫存儲在2021年的時候，將實現17nm的內存晶元的量產，我國國產的內存晶元存儲密度又有了一個提升，這就是一種良好的發展態勢。這意味著我國在內存晶元的生產技術上，將會再一次縮小與其他外國企業的距離。
長鑫企業的擴產一直在進行當中。合肥總投資高達2200 億元的集成電路製造基地項目終於在2019年成功啟動。這個項目的佔地面積非常廣，足足達到了15.2平方公里。這個基地一共設立了三大片區，分別是空港國際小鎮、空港集成電路配套產業園以及長興12英寸存儲器晶圓製造基地。如今，合肥已經集結了多達200多家的上下游企業，看來合肥專注於創造一座IC城市。
在這么多家企業當中，長鑫存儲就是其中的黑馬。這個集成電路製造基地項目總投資2200 億元，其中長鑫的12英寸存儲器晶圓製造基地項目就佔了1500億元了。這是安徽合肥單體投資最大的工業項目，可以說創造合肥的 歷史 記錄。正是因為國家對長鑫存儲寄予了厚望，所以才會如此大的資金投入到長鑫存儲的量產當中， 如今的長鑫存儲已經成為了國內晶元內存的領軍企業，大家都對其滿懷期待，相信它也不會讓大家失望。長鑫企業一直在用實際行動證明著自己。
國產內存因為長鑫存儲等內存製造企業的崛起而擁有了希望。根據相關的報導，安徽的半導體行業也將在短時間內進入高速發展的階段，新的低耗能高速率內存產品將在這幾年的推出，各大企業將專注於產品的產業化。各大企業並沒有因為落後於外國企業而氣餒，反正更加充滿干勁。來日方長，我國國產晶元未來的發展還是非常值得期待的。
寫在最後
沒有什麼企業產品是能夠一蹴而就的，特別是在高新 科技 領域，尤其需要時間去發展生長。在我國晶元內存領域空白的那幾年裡，拉開了我國晶元內存生產技術與其他外國企業之間所存在的距離。在這十幾年的時間里，我國一直致力於科學技術的自主研發，我國在 科技 領域的成果大家也有目共睹。 任何事情都不能操之過急，需要一步一個腳印的前進。雖然目前我國在內存晶元領域依舊有著很大的進步空間，但相信在我國企業的不斷努力之下，總有一天我國在這一個領域也會取得耀眼的成績。
⑧ 中國攻克最先進128層快閃記憶體：它到底強在哪何時能跟三星掰手腕
晶元分為存儲晶元和非存儲晶元，其中存儲晶元的種類很多，按用途可分為主存儲晶元和輔助存儲晶元。前者又稱內存儲晶元（內存），可以與CPU直接交換數據，速度快、容量小、價格高。後者為外存儲晶元（外存），指除內存及緩存以外的儲存晶元。此類儲存晶元一般斷電後仍然能保存數據，速度慢、容量大、價格低。
⑨ 國產存儲晶元開始提速，兩大喜訊接連傳來，實現從0到1突破
全球存儲晶元的格局非常明確，以韓國三星，SK海力士和美國美光這三大巨頭為主，在各大存儲晶元領域中占據核心技術和市場份額的主要優勢。常見的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨頭手中。
但其實國產存儲晶元已經開始提速了，兩大喜訊接連傳來，完成了從0到1的關鍵突破。具體是怎樣的喜訊呢？國產存儲晶元產業格局如何？
存儲晶元的重要性是顯而易見的，手機，電腦設備想要運行文件，存儲數據，那麼存儲晶元將會是不可或缺的存在。
根據存儲晶元種類的不同，賽道競爭程度也不一樣。有些存儲晶元巨頭已經將工藝做到了使用EUV光刻機的程度，而有些企業能在某個細分存儲晶元領域取得一席之地，就已經是很大的突破了。
國外巨頭因為起步時間早，有龐大的資本開支優勢，再加上產業鏈發展完善，取得領先也是能理解的。但後來居上，實現反超的例子也不是沒有，國產存儲晶元傳來兩大喜訊，已經在彎道超車了。具體有怎樣的喜訊呢？
第一大喜訊：昕原半導體建成28/22nm ReRAM生產線
對存儲晶元有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是發展了幾十年的存儲晶元，已經發展出完整的全球化產業鏈，相關的技術，配套設施和人才儲備也十分完善。
可是在人工智慧，雲計算等日益發展迅速的新基建領域， 探索 新型存儲晶元也成為了一種趨勢。而ReRAM這種阻變存儲器就是新型存儲晶元，它的優勢體現在讀取速度快，功耗低，應用范圍廣闊。
昕原半導體就是發展ReRAM存儲晶元的國產公司，其成立於2019年，在今年2月中旬正式傳來消息，建成了中國首條28nm/22nm的ReRAM生產線。
基於這座生產線，昕原半導體可以更快將研究成果落地，補充完善國產存儲晶元產業的生產供應鏈。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻變存儲器產業中，入局的玩家還不是很多，而建成相關生產線的企業更是少之又少。放眼國外，昕原半導體的這一生產線建設成果都是領先的。這也意味著，中國已經在ReRAM新型阻變存儲器中把握住了先手機會，未來可期。
第二大喜訊：曝合肥長鑫今年投產17nm製程的DDR5 內存晶元
相較於昕原半導體大力發展新型阻變存儲器，合肥長鑫這家存儲巨頭則在傳統賽道上持續攻克難關。有消息爆料稱，合肥長鑫會在今年投產17nm製程工藝的DDR5內存晶元，成為國內首個參與DDR5內存晶元市場的中國企業。
DDR5是計算機內存規格的晶元，相比於DDR4等前幾代內存條，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是當下主流的高性能，高品質內存晶元。
DDR5的市場份額一直把控在三星、SK海力士、美光這三大巨頭手中，製造出的DDR5被各國客戶爭相下單采購，國內也一直存在DDR5內存晶元的空白。
然而喜訊傳來，消息爆料合肥長鑫會在今年進行DDR5內存晶元的投產，且還是17nm的工藝製程。在這一領域內，17nm已經是非常先進高端的水準了。
若爆料消息無誤，則說明國產DDR5晶元已經迎來有望參與全球市場的發展能力。除了投產DDR5晶元之外，合肥長鑫也一直在努力提升產能，得益於背後資本的支持，合肥長鑫計劃在今年實現每月12萬片晶圓的目標，而2年前合肥長鑫的產能水準還停留在每月4.5萬片。
以上兩個關於國產存儲晶元的喜訊接踵而至，一個是昕原半導體在新型ReRAM阻變存儲器建成生產線，為國產新型存儲晶元產業發展提供更多的可能性。
另一個是合肥長鑫計劃今年投產DDR5內存晶元，在17nm工藝的支持下，將有望拿下DDR5市場的一席之地，打破海外巨頭單一市場壟斷的局面。
不難發現，這兩個喜訊都是實現了從0到1的突破，昕原半導體的ReRAM生產線是國內首條，合肥長鑫投產DDR5也是國內首個參與者，可見國產存儲晶元已經開始提速。
其實不只是這兩大國產存儲晶元巨頭，在其餘的長江存儲，福建晉華等等存儲公司的參與下，構建了如今存儲晶元產業快速破局的格局。他們要麼是興建生產線，要麼加快技術研發突破，齊聚力量之下，相信定能為國產存儲晶元創造全新的未來。
海外巨頭長期耕耘技術研發和產業發展，國產企業要想加速進步，還得一步一個腳印。首先要樹立發展目標，其次包括人才資源，緊接著努力將研究成果落地產業。正所謂一分耕耘一分收獲，希望國產企業的耕耘都能得到應有的收獲。
對國產存儲晶元的兩個喜訊你有什麼看法呢？
⑩ 國產SSD取得重大突破，但是和老外還是有一定差距
相比傳統3D NAND快閃記憶體架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。目前大多數NAND晶元僅能供應1.0 Gbps實際速率。Xtacking技術有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。
長江存儲的Xstacking技術基於武漢新芯 科技 的CIS感測器晶元上開發的堆棧技術，它把外圍電路置於存儲單元之上，外圍電路和存儲單元是2片晶圓，這就意味著其晶元可用面積遠大於其他傳統3D NAND架構，從而實現更高的存儲密度。
不僅是提高容量利用率，基於該技術節省出來的部分，除了控制電路，也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND快閃記憶體的定製化提供了無限可能。
根據資料顯示，這些公司的96層堆棧3D快閃記憶體今年將佔到產能的30%，不過隨著廠商加快技術轉型並提高良率，明年96層快閃記憶體的產能將超過64層快閃記憶體。也就是說，與國際上處於頭部的存儲晶元公司相比，我們仍舊存在一個完整的代差。
簡單的說，長江存儲剛剛宣布實現64層堆棧量產，而那些耳熟能詳的「洋品牌」則已經即將完成64層到96層的過渡。不過這僅僅是國產快閃記憶體晶元實現追趕的開端，長江存儲也曾公開宣布，未來將會直接跳過96層堆棧技術，直接在128層堆棧上展開競爭。
如今隨著堆棧層數的不斷增加，64層堆棧技術已經成為主流，512GB乃至1TB的SSD已經成為市場主銷型號。因為這個容量的產品不僅每GB容量的價格更低，而且因為技術的原因，更高容量的產品可以獲得更好的性能表現和更可靠的使用壽命。
而隨著明年96層堆棧成為國際的主流，明年1TB容量的產品將會成為市場上絕對的主力。所以，如果您不懂技術上的差異，或許直接比較容量上的差異更為簡單和直觀。
盡管如此，我們不能否認國產存儲晶元技術的進步。畢竟起步較晚，缺乏技術積累，並且屢屢遭受封鎖和打壓是不爭的事實。中國存儲晶元企業能夠在如此之短的時間追趕上國際一線品牌的步伐，這仍舊是值得驕傲的巨大進步。
實現存儲晶元的完全自主可控，這不僅對於中國 科技 產業發展具有極為重要的現實意義，更是國家 科技 發展戰略的重要一環。長江存儲實現64層堆棧快閃記憶體量產意義非凡，請給我們的 科技 企業多一些時間，相信未來必然會實現偉大的超越。