㈠ DRAM是什麼內存。
簡單的說，所有內存都可以稱之為
DRAM（
動態隨機存取存儲器）。包括上古」時代的FP/EDO內存，和DDR/DDR2/DDR3內存，以及顯卡使用的GDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4/GDDR5顯存。請使用
CPU-Z
或者
360硬體大師
等常用軟體，檢測電腦主板或者內存，根據電腦主板支持的內存類型或者目前安裝的內存類型，選擇適合的內存。目前DDR內存已經淘汰，DDR2內存處於淘汰邊緣，比較貴，而DDR3內存已經是主流，價格很便宜。不過價位不穩定。
㈡ DRAM是什麼
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
dram就是存儲晶元的產業。也就是生產台式、手提、平板電腦和手機等上的內存的相關產業。
㈢ Dram晶元的DRAM晶元介紹
DRAM晶元即動態隨機存取存儲器，DRAM 只能將數據保持很短的時間，所以需要定時刷新。DRAM相對於SRAM來說更加復雜，因為在DRAM存儲數據的過程中需要對於存儲的信息不停的刷新，這也是它們之間最大的不同。
㈣ 新一代內存DDR5帶來了哪些改變
從增強現實到人工智慧、雲計算再到物聯網，5G正在燃爆新技術增長，同時也在燃爆它們生成的數據量。數據量越來越大，隨之而來的是存儲和快速訪問需求，DDR5之類的技術變得空前重要。數據中心需要持續存儲、傳送和處理這些數據，推動著高速信令的極限，也給內存帶來了前所未有的測試挑戰。
具體有哪些變化？ DDR5與DDR4差別很大，實際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個變化。
1. 速度更快！ 第一個，也是最重要的一個，數據速率達到6.4 Gbps，而DDR4最高只有3.2Gbps。規范中還有一條，在未來幾年內把速度上限推高到8 Gbps以上。通道結構與LPDDR4類似，ECC中也有兩條獨立的40位通道。還有更高的預讀取、更高的突發長度和更高的行列組，這些都提高了效率，實現了高速模式。
2. DDR5帶來的另一大變化是寫入不再居中。 DQS和DQ之間有固定的偏置，因此我們不能只在示波器上測量DQS和DQ之間的延遲，以推算出是讀還是寫。不再這么容易了！讀寫突發分隔都將變得更加復雜。
3. 新的時鍾抖動測量。 DDR5引入了Rj、Dj和Tj測量，代替了周期和周期間抖動測量。Rj指標在最大數據速率下變得非常緊。優秀的信號完整性對滿懷信心地測量這些參數變得至關重要。
4. 反嵌在更高的DDR5數據速率下將變得非常關鍵。 反嵌是一種移除探頭和內插器負載的技術。它還用來把探測點以虛擬方式從DRAM球移到DRAM晶元，以使反射達到最小。我們想看到Rx看到的是什麼。為成功地創建反嵌濾波器文件或傳遞函數，要求s-par文件，而且數量很多。想法是在SOC封裝、電路板模型、DRAM封裝、內插器、探頭及IO設置中使用s-par模型，比如Tx驅動強度和Rx ODT (如有)，盡可能如實模擬DDR通道。如果沒有s-par模型，還可以使用簡單的傳輸線參數，如傳播延遲和特性阻抗，這通過在示波器屏幕上測量反射來實現。
5. 我們將第一次在接收機中有Rx均衡、4階DFE。 DDR5提高了數據速率，而不用把DQ匯流排遷移到差分信令，也就是說，DQ匯流排仍是單端的，與DDR3/4相同。然而，內存通道有大量的阻抗失配點，由於反射而提高了整體ISI。在數據速率超過4800 Mbps時，DRAM球的數據眼圖預計會閉合。DDR5 DRAM Rx實現了4階DFE，幫助均衡DQ信號，在接收機鎖存數據後張開數據眼圖。此外，RCD的CA Rx還需要DFE，以確保可靠地捕獲信號。
6. DDR5另一個明顯變化是包括一條環回通道 。看一下DDR5的引腳圖，您會發現專用的DQS/DQ環回引腳。其用來實現獨立DRAM RX/TX表徵。環回通道至關重要。事實上，我們正是通過環回通道，才知道接收機真正實時做了哪些位決策。它是所有不同接收機之間共享的一條單線，由於信號完整性差及其他原因，我們只能發回每第四個位或每第二個位，所以有充足的時間，能夠確保外部接收機或誤碼檢測器能夠以100%准確度校驗片上Rx的質量。
7. DDR5需要使用BERT和/或通用碼型發生器進行獨立DRAM Rx/Tx測試。 這要求一套全新測試，包括電壓和頻率靈敏度及壓力眼圖測試，DDR3/4中是沒有這些測試的。概念很簡單，任何人都應能夠使用標准化JEDEC夾具，根據JEDEC規定的測試程序，執行標准測試，確定DRAM Rx/TX的 健康 狀況。
8. 准確的壓力校準將成為DDR5 RX測試中的大問題， 而且要獲得准確的S參數模型，這兩者都必須進行估算並測量，包括所有段。另一個關鍵特性是能夠准確地或很好地猜出測量深度及示波器記錄長度，這樣就不會浪費太多的時間。
9. DRAM Rx/Tx測試將面臨巨大的資料庫管理問題。 數量龐大的s-par文件、反嵌模型和測量結果的自動化和管理，將變成一個噩夢。想像一下，不同廠商多種DIMM配置，以不同速度等級測試80多個引腳，這將非常非常困難。
與DDR3/4相比，DDR5改善了帶寬、密度和通道效率。但數據傳送速率越高，信號速度越快，要求一致性測試、調試和驗證的測量性能越高。泰克 科技 去年7月推出TekExpress DDR5發射機解決方案，其改善了自動化程度，工程師可以克服各種DFE所帶來的分析挑戰，採用用戶自定義採集和DDR5去嵌技術及串列數據鏈路分析(SDLA)技術，滿懷信心地、高效地驗證和調試DDR5設計。了解DDR5固有的差異有助於高效檢驗和調試。
㈤ 使用量子力學技術的新型超低功耗存儲器或將取代DRAM和Flash
看到了當前的數字技術能源危機，蘭開斯特大學的研究人員開發出了一種可以解決這一問題的新型計算機並申請了專利。
這種新型的存儲器有望取代動態隨機存取存儲器（DRAM）和快閃記憶體（Flash）驅動器。強大且超低能耗計算時代即將來臨，你准備好了嗎？
研究人員對這一進展有充分的理由感到興奮。物聯網在家庭和辦公室的出現在很大程度上方便了我們的智能生活，但以數據為中心也將消耗大量的能源。無論是互聯智能設備、音箱還是其它的家用設備將需要能量來處理所有「數據」以提供最佳功能。
事實上，能源消耗是一個非常令人關切的問題，而高效率的照明和電器節省的能源實際上可以通過更多地使用計算機和小工具。根據一個研究預測，到2025年，數據洪流預計將消耗全球電力的五分之一。
新開發的電子存儲設備能夠以超低的能耗為服務所有人日常生活。這種低功耗意味著，存儲設備不需要啟動，甚至在按鍵切換時也可以立即進入節能模式。
正如蘭開斯特大學物理學教授Manus Hayne 所說，「通用存儲器穩定的存儲數據，輕易改存儲的數據被廣泛認為是不可行，甚至是不可能的，新的設備證明了其矛盾性。」
「理想的是結合兩者的優點而沒有缺點，這就是我們已經證明的。我們的設備有一個固有的數據存儲時間，預計超過宇宙的年齡，但它可以用比DRAM少100倍的能量存儲或刪除數據。」 Manus Hayne表示。
為了解決和創造這種新的存儲設備，研究人員使用量子力學來解決穩定的長期數據存儲和低能量寫入和擦除之間選擇的困境。
剛剛獲得專利的新設備和研究已經有幾家公司表示對此感興趣，新的存儲設備預計將取代1000億美元的動態隨機存取存儲器（DRAM）市場。
上述這種技術到底如何實現？雷鋒網找到了蘭開斯特大學的研究人員發表的《Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconctor Memory Cells》的論文，可以再進一步了解這個技術。
文章中指出，雖然不同形式的傳統（基於電荷）存儲器非常適合應用於計算機和其他電子設備，靜態隨機存取存儲器（SRAM），動態隨機存取存儲器（DRAM）和快閃記憶體（Flash）具有互補的特性，它們分別非常適合在高速緩存、動態存儲器和數據存儲中的發揮作用。然而，他們又都有自身的缺點。這就意味著市場需要新的存儲器，特別是，同時實現穩定性和快速、低壓（低能量）的矛盾要求已證明是具有挑戰性的。
研究團隊報告了一種基於III-V半導體異質結構的無氧化浮柵存儲器單元，其具有無結通道和存儲數據的非破壞性讀取。非易失性數據保留至少100000s ，通過使用InAs/AlSb的2.1eV導帶偏移和三勢壘共振隧穿結構，可以實現與≤2.6V的開關相結合。低電壓操作和小電容的組合意味著每單位面積的固有開關能量分別比動態隨機存取存儲器和快閃記憶體小100和1000倍。因此，該設備可以被認為是具有相當大潛力的新興存儲器。
具體結構方面，這是一種新型低壓，化合物半導體，基於電荷的非易失性存儲器件的概念進行設計、建模、製造適合室溫運行。利用AlSb / InAs驚人的導帶陣列進行電荷保持，以及形成諧振隧道勢壘，使研究團隊能夠證明低壓（低能耗）操作與非易變儲存。該器件是由InAs / AlSb / GaSb異質結構構成的FG存儲器結構，其中InAs用作FG和無結通道。研究團隊通過模擬驗證了器件的工作原理，並給出了器件的關鍵存儲特性，如編程/擦除狀態的保留特性，並給出了在單個元件上的實驗結果。
雷鋒網編譯，via interestingengineering、nature
㈥ 內存儲器的發展歷程
對於用過386機器的人來說，30pin的內存，我想在很多人的腦海里，一定或多或少的還留有一絲印象，這一次我們特意收集的7根30pin的內存條，並拍成圖片，怎麼樣看了以後，是不是有一種久違的感覺呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常見內存參數的介紹：
bit 比特，內存中最小單位，也叫「位」。它只有兩個狀態分別以0和1表示
byte位元組，8個連續的比特叫做一個位元組。
ns（nanosecond）
納秒，是一秒的10億分之一。內存讀寫速度的單位，其前面數字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的內存，可以說是計算機發展史的一個經典，也正因為它的廉價，以及速度上大幅度的提升，為電腦的普及，提供了堅實的基礎。由於用的人比較多，目前在市場上還可以買得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
單邊接觸內存模組。是5X86及其較早的PC中常採用的內存介面方式。在486以前，多採用30針的SIMM介面，而在Pentuim中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面類型並存。人們通常把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。
ECC（Error Checking and Correcting）
錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的數據位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤數據的。只有經過內存的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。當然在糾錯是系統的性能有著明顯的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
擴展數據輸出內存。是Micron公司的專利技術。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間後，然後才能讀寫有效的數據，而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規定的有效時間一到就可以准備輸出下一個地址，由此縮短了存取時間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價比，因為它的存取速度比FPM DRAM快15%，而價格才高出5%。因此，成為中、低檔Pentium級別主板的標准內存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
雙邊接觸內存模組。也就是說這種類型介面內存的插板兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，由於是雙邊的，所以共有84×2=168線接觸，所以人們常把這種內存稱為168線內存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突發內存。是168線、3.3V電壓、帶寬64bit、速度可達6ns。是雙存儲體結構，也就是有兩個儲存陣列，一個被CPU讀取數據的時候，另一個已經做好被讀取數據的准備，兩者相互自動切換，使得存取效率成倍提高。並且將RAM與CPU以相同時鍾頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM採用了多體（Bank）存儲器結構和突發模式，能傳輸一整數據而不是一段數據。
SDRAM ECC 伺服器專用內存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美國RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技術基礎上研製的一種存儲器。用於數據存儲的字長為16位，傳輸率極速指標有望達到600MHz。以管道存儲結構支持交叉存取同時執行四條指令，單從封裝形式上看，與DRAM沒有什麼不同，但在發熱量方面與100MHz的SDRAM大致相當。因為它的圖形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要應用於高檔顯卡上做顯示內存。
Direct RDRAM
是RDRAM的擴展，它使用了同樣的RSL，但介面寬度達到16位，頻率達到800MHz，效率更高。單個傳輸率可達到1.6GB/s，兩個的傳輸率可達到3.2GB/s。
點評：
30pin和72pin的內存，早已退出市場，現在市場上主流的內存，是SDRAM，而SDRAM的價格越降越底，對於商家和廠家而言，利潤空間已縮到了極限，賠錢的買賣，有誰願意去做了？再者也沒有必要，畢竟廠家或商家們總是在朝著向「錢」的方向發展。
隨著 INTEL和 AMD兩大公司 CPU生產飛速發展，以及各大板卡廠家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的發展和普及，究竟哪一款會成為主流，哪一款更適合用戶，市場終究會證明這一切的。
機存取存儲器是電腦的記憶部件，也被認為是反映集成電路工藝水平的部件。各種存儲器中以動態存儲器（DRAM）的存儲容量為最大，使用最為普及，幾十年間它的存儲量擴大了幾千倍，存取數據的速度提高40多倍。存儲器的集成度的提高是靠不斷縮小器件尺寸達到的。尺寸的縮小，對集成電路的設計和製造技術提出了極為苛刻的要求，可以說是只有一代新工藝的突破，才有一代集成電路。
動態讀寫存儲器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存儲單元分布電容上的電荷來存儲數據位，由於電容電荷會泄漏，為了保持信息不丟失，DRAM需要不斷周期性地對其刷新。由於這種結構的存儲單元所需要的MOS管較少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同時每位的價格最低。DRAM一般都用於大容量系統中。DRAM的發展方向有兩個，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、專用化。
從1970年Intel公司推出第一塊1K DRAM晶元後，其存儲容量基本上是按每三年翻兩番的速度發展。1995年12月韓國三星公司率先宣布利用0.16μm工藝研製成功集成度達10億以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。這個領域的競爭非常激烈，為了解決巨額投資和共擔市場風險問題，世界范圍內的各大半導體廠商紛紛聯合，已形成若干合作開發的集團格局。
1996年市場上主推的是4M位和16M位DRAM晶元，1997年以16M位為主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市場佔有率達52%；16M DRAM的市場佔有率為45%。1999年64M DRAM市場佔有率已提高到78%，16M DRAM佔1%。128M DRAM已經普及，明年將出現256M DRAM。
高性能RISC微處理器的時鍾已達到100MHz～700MHz，這種情況下，處理器對存儲器的帶寬要求越來越高。為了適應高速CPU構成高性能系統的需要，DRAM技術在不斷發展。在市場需求的驅動下，出現了一系列新型結構的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。為了提高動態讀寫存儲器訪問速度而採用不同技術實現的DRAM有：
（1） 快速頁面方式FPM DRAM
快速頁面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已經成為一種標准形式。一般DRAM存儲單元的讀寫是先選擇行地址，再選擇列地址，事實上，在大多數情況下，下一個所需要的數據在當前所讀取數據的下一個單元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通過保持同一個行地址來選擇不同的列地址實現存儲器的連續訪問。減少了建立行地址的延時時間從而提高連續數據訪問的速度。但是當時鍾頻率高於33MHz時，由於沒有足夠的充電保持時間，將會使讀出的數據不可靠。
（2） 擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDO DRAM
在FPM技術的基礎上發展起來的擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的輸出端加一組鎖存器構成二級內存輸出緩沖單元，用以存儲數據並一直保持到數據被可靠地讀取時為止，這樣就擴展了數據輸出的有效時間。EDODRAM可以在50MHz時鍾下穩定地工作。
由於只要在原DRAM的基礎上集成成本提高並不多的EDO邏輯電路，就可以比較有效地提高動態讀寫存儲器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成為動態讀寫存儲器設計的主流技術和基本形式。
（3） 突發方式EDO DRAM
在EDO DRAM存儲器的基礎上，又發展了一種可以提供更高有效帶寬的動態讀寫存儲器突發方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。這種存儲器可以對可能所需的4個數據地址進行預測並自動地預先形成，它把可以穩定工作的頻率提高到66MHz。
（4） 同步動態讀寫存儲器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通過同步時鍾對控制介面的操作和安排片內隔行突發方式地址發生器來提高存儲器的性能。它僅需要一個首地址就可以對一個存儲塊進行訪問。所有的輸入采樣如輸出有效都在同一個系統時鍾的上升沿。所使用的與CPU同步的時鍾頻率可以高達66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一個可編程方式寄存器。採用SDRAM可大大改善內存條的速度和性能，系統設計者可根據處理器要求，靈活地採用交錯或順序脈沖。
Infineon Technologies(原Siemens半導體)今年已批量供應256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技術生產，在100MHz的時鍾頻率下輸出時間為10ns。
（5） 帶有高速緩存的動態讀寫存儲器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱電氣公司開發的專有技術，1992年推出樣品，是通過在DRAM晶元，集成一定數量的高速SRAM作為高速緩沖存儲器Cache和同步控制介面，來提高存儲器的性能。這種晶元用單一+3.3V電源，低壓TTL輸入輸出電平。目前三菱公司可以提供的CDRAM為4Mb和16Mb，其片內Cache為16KB，與128位內部匯流排配合工作，可以實現100MHz的數據訪問。流水線式存取時間為7ns。
（6） 增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨國公司推出的帶有高速緩沖存儲器的DRAM產品稱作增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM），它採用非同步操作方式，單一+5V工作電源，CMOS或TTL輸入輸出電平。由於採用一種改進的DRAM 0.76μm CMOS工藝和可以減小寄生電容和提高晶體管增益的結構技術，其性能大大提高，行訪問時間為35ns，讀/寫訪問時間可以提高到65ns，頁面寫入周期時間為15ns。EDRAM還在片內DRAM存儲矩陣的列解碼器上集成了2K位15ns的靜態RAM高速緩沖存儲器Cache，和後寫寄存器以及另外的控制線，並允許SRAM Cache和DRAM獨立操作。每次可以對一行數據進行高速緩沖。它可以象標準的DRAM對任一個存儲單元用頁面或靜態列訪問模式進行操作，訪問時間只有15ns。當Cache未命中時，EDRAM就把新的一行載入到Cache中，並把選擇的存儲單元數據輸出，這需要花35ns。這種存儲器的突發數據率可以達到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研製的一種獨特的介面技術代替頁面方式結構的一種新型動態讀寫存儲器。這種介面在處理機與DRAM之間使用了一種特殊的9位低壓負載發送線，用250MHz同步時鍾工作，位元組寬度地址與數據復用的串列匯流排介面。這種介面又稱作Rambus通道，這種通道嵌入到DRAM中就構成Rambus DRAM，它還可以嵌入到用戶定製的邏輯晶元或微處理機中。它通過使用250MHz時鍾的兩個邊沿可以使突發數據傳輸率達到500MHz。在採用Rambus通道的系統中每個晶元內部都有它自己的控制器，用來處理地址解碼和面頁高速緩存管理。由此一片存儲器子系統的容量可達512K位元組，並含有一個匯流排控制器。不同容量的存儲器有相同的引腳並連接在同一組匯流排上。Rambus公司開發了這種新型結構的DRAM，但是它本身並不生產，而是通過發放許可證的方式轉讓它的技術，已經得到生產許可的半導體公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被業界看好的下一代新型DRAM有三種：雙數據傳輸率同步動態讀寫存儲器（DDR SDRAM）、同步鏈動態讀寫存儲器（SLDRAM）和Rambus介面DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步動態讀寫存儲器SDRAM的基礎上，採用延時鎖定環（Delay-locked Loop）技術提供數據選通信號對數據進行精確定位，在時鍾脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數據（而不是第一代SDRAM僅在時鍾脈沖的下降沿傳輸數據），這樣就在不提高時鍾頻率的情況下，使數據傳輸率提高一倍，故稱作雙數據傳輸率（DDR）DRAM，它實際上是第二代SDRAM。由於DDR DRAM需要新的高速時鍾同步電路和符合JEDEC標準的存儲器模塊，所以主板和晶元組的成本較高，一般只能用於高檔伺服器和工作站上，其價格在中低檔PC機上可能難以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
這是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等業界大公司聯合制定的一個開放性標准，委託Mosaid Technologies公司設計，所以SLDRAM是一種原本最有希望成為高速DRAM開放性工業標準的動態讀寫存儲器。它是一種在原DDR DRAM基礎上發展的一種高速動態讀寫存儲器。它具有與DRDRAM相同的高數據傳輸率，但是它比其工作頻率要低；另外生產這種存儲器不需要支付專利使用費，使得製造成本較低，所以這種存儲器應該具有市場競爭優勢。但是由於SLDRAM聯盟是一個鬆散的聯合體，眾多成員之間難以協調一致，在研究經費投入上不能達成一致意見，加上Intel公司不支持這種標准，所以這種動態存儲器反而難以形成氣候，敵不過Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用於通信和消費類電子產品，高檔PC和伺服器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
從1996年開始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM標准，這就是DRDRAM（Direct RDRAM）。這是一種基於協議的DRAM，與傳統DRAM不同的是其引腳定義會隨命令而變，同一組引腳線可以被定義成地址，也可以被定義成控制線。其引腳數僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展晶元容量時，只需要改變命令，不需要增加硬體引腳。這種晶元可以支持400MHz外頻，再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據，可以使數據傳輸率達到800MHz。同時通過把數據輸出通道從8位擴展成16位，這樣在100MHz時就可以使最大數據輸出率達1.6Gb/s。東芝公司在購買了Rambus公司的高速傳輸介面技術專利後，於1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是數據存儲器，另外8Mb用於糾錯校驗，由此大大提高了數據讀寫可靠性。
Intel公司辦排眾議，堅定地推舉DRDRAM作為下一代高速內存的標准，目前在Intel公司對Micro、Toshiba和Samsung等公司組建DRDRAM的生產線和測試線投入資金。其他眾多廠商也在努力與其抗爭，最近AMD宣布至少今年推出的K7微處理器都不打算採用Rambus DRAM；據說IBM正在考慮放棄對Rambus的支持。當前市場上同樣是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他標準的貴45美元。
由此可見存儲器的發展動向是：大容量化，高速化， 多品種、多功能化，低電壓、低功耗化。
存儲器的工藝發展中有以下趨勢：CHMOS工藝代替NMOS工藝以降低功耗；縮小器件尺寸，外圍電路仍採用ECL結構以提高存取速度同時提高集成度；存儲電容從平面HI-C改為深溝式，保證尺寸減少後的電荷存儲量，以提高可靠性；電路設計中簡化外圍電路結構，注意降低雜訊，運用冗餘技術以提高質量和成品率；工藝中採用了多種新技術；使DRAM的存儲容量穩步上升，為今後繼續開發大容量的新電路奠定基礎。
從電子計算機中的處理器和存儲器可以看出ULSI前進的步伐和幾十年間的巨大變化。
㈦ 什麼是快閃記憶體和內存，手機8+256 是什麼意思華為官方一圖讓你看懂
轉載來自華為麒麟官方：
大家在日常使用手機時，經常會聽到「存儲」這個詞，保存照片和視頻、接收數據、下載App等等。諸多手機應用場景都和存儲息息相關。同時存儲也成為我們選購手機時的重要衡量指標，4/8GB、128/256GB等不同存儲容量對手機的使用體驗影響很大。由此可見，存儲器對於手機而言十分重要，那麼什麼是存儲器呢？你知道它有哪些種類嗎？
下面讓華為麒麟帶你一圖看懂存儲器！
RAM ：隨機存取存儲器（ andom Access Memory )，即手機中的內存，是晶元中與 CPU 直接交換數據的存儲器。
RAM 屬於易失性存儲器，即一旦斷電所存儲的數據將全部丟失。 RAM 的優點是可以隨時讀寫，同時讀寫速度很快，通常用來暫存正在運行的程序和臨時數據。
NAND ：NAND Flash 即手機中的快閃記憶體，它屬於非易失性存儲器，斷電後，其存儲的數據不會丟失。 NAND Flash 存儲器具有容量較大、體積較小、改寫速度快等優點，它是移動數碼產品存儲的理想介質，在業內有廣泛的應用，包括手機、相機、隨身攜帶的 U 盤等。手機參數中的256GB、512GB指的就是手機中的快閃記憶體大小。
DRAM ：動態隨機存取存儲器（ Dynamic Random Access Mem -ory ）是 RAM 中的一種，當斷掉電源後，所存儲的數據將全部丟失。由於晶體管會出現漏電的情況，導致 DRAM 儲存電荷的時間非常短暫，所以 DRAM 需要周期性地充電來進行刷新，因此 DRAM 的速度不如 SRAM 快，但 DRAM 的優點是存儲單元的結構簡單，集成度高，功耗低，所以已成為大容量 RAM 中的主流。比如手機參數中的4GB、8GB指的就是內存。
SRAM：靜態隨機存取存儲器（ Static Random - Access Memo -ry ）是 RAM 的另一種。 SRAM 與 DRAM 不同，不需要周期性進行更新，只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。但是，當斷電時， SRAM 儲存的數據還是會消失。 SRAM 的優點是讀寫速度快、使用簡單、無需周期性刷新、靜態功耗極低，但是 SRAM 所需的元件數多、集成度低、運行功耗大，同時製造成本高。
3D DRAM：隨著晶元尺寸的不斷微縮， DRAM 工藝的微縮變得越來越困難，平面 DRAM 的「摩爾定律」( Moore ＇ s Law ）正在逐漸走向極限，當今各大廠商都在研究3D DRAM 作為解決方案來延續 DRAM 的使用。3D DRAM 是一種將存儲單元堆疊至邏輯單元上方的新型存儲方式，它可以實現單位面積上更高的容量。
㈧ 內存條有二種型號一個是DDR還有一個是什麼
一、FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每個三個時鍾脈沖周期傳送一次數據。
二、EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鍾脈沖周期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。
三、S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。
四、DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
五、RDRAM（RAMBUS DRAM） 存儲器匯流排式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，晶元到晶元介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內通過一個簡單的匯流排傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820晶元組產品中加入對RDRAM的支持。 由於這種內存的價格太過昂貴，在pc機上已經見不到他的蹤影。未來的內存是ddr2 和qbm的領域
㈨ DRAM是指什麼，有時看到媒體報道DRAM產業，這是指的內存嗎電腦內存還是手機內存
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。這個說過了，就是內存，可以用在手機上，也可以用在電腦上。
DRAM產業，也是由存儲器生產企業引必的報道。
長江存儲傳已評估到南京設立12分廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，並在南科廠同步研發25、30nm製程，至於合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。