1. 衡量存儲器的主要技術指標是_____、_____和_____。
衡量存儲器的主要技術指標是容量、速度和成本。
存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
2. 存儲器的性能指標容量和存取時間
存儲器存取時間又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。主存儲器得主要性能指標為主存容量、存儲器存取時間和存儲周期時間。存儲器的速度一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示。
Access Time（存取時間），RAM 完成一次數據存取所用的平均時間（以納秒為單位）。存取時間等於地址設置時間加延遲時間（初始化數據請求的時間和訪問准備時間）。
讀出時間與寫入時間統稱存取時間。
又稱存儲器訪問時間。就是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體來講，從一次讀操作命令發出到該操作的完成，將數據讀入數據緩沖寄存器謂之所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
這里需要指出，存取時間和存儲周期不一樣，而通常，存儲周期略大於存取時間。
3. 內存的性能指標
內存的性能指標有以下方面。
1、存儲速度：內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。
2、容量：內存的容量越大越不容易卡頓，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條內存的容量有1GB、2GB、4GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個內存插槽，若安有多條內存，則電腦內存的總容量是所有內存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。
4、SPD晶元 SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、工作電壓：由於低電壓內存要低於標准電壓1.5V保證穩定工作，因此生產低電壓內存要求更高的品質，出廠時內存電壓越高就代表內存品質越不好，這也是低電壓內存的優點之一。因此，內存條高低電壓的區別就在於低壓內存條比高壓內存條耗電量低，更加環保。
(3)存儲器三個主要性能指標擴展閱讀：
內存的構造和原理。
內存的內部結構是PC晶元中最簡單的，是由許多重復的「單元」——cell組成，每一個cell由一個電容和一個晶體管（一般是N溝道MOSFET）構成，電容可儲存1bit數據量，充放電後電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數據0和1。
由於電容會有漏電現象，因此過一段時間之後電荷會丟失，導致電勢不足而丟失數據，因此必須經常進行充電保持電勢，這個充電的動作叫做刷新，因此動態存儲器具有刷新特性，這個刷新的操作一直要持續到數據改變或者斷電。
而MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM由於結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。
4. 磁碟存儲器的技術指標有哪些
存儲器的主要技術指標有：
1、存儲器容量：存儲器容量是指存儲器存放信息的總量。以Byte為單位，讀作「位元組」。習慣上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存儲密度：外存儲器軟磁碟按存儲密度不同分為低密度盤(48TPI)和高密度盤(96TPI)。尺寸為5.25英寸的軟盤：低密度盤容量為360KB，高密度盤容量為1.2MB；尺寸為3.5英寸的軟盤：低密度盤容量為720KB，高密度盤容量為1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指從存儲器中取出(或存入)一個字到再能取出(或存入)下一個字所需要的時間。以毫微秒(ns)為單位。
5. 存儲器的技術參數是什麼
記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(byte)。當一個數作為一個整體存入或取出時，這個數叫做存儲字。存儲字可以是一個位元組，也可以是若干個位元組。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。 為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。 存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內，各個存儲單元的內容可通過指令隨機訪問，這樣的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。 因於結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。 存儲器的主要技術指標 存儲器的特性由它的技術參數來描述。 一、存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。主存儲器的容量是指用地址寄存器(MAR)產生的地址能訪問的存儲單元的數量。如N位字長的MAR能夠編址最多達2N個存儲單元。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。 二、存儲周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存儲周期一般為100ns-200ns。 三、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。 四、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標
6. 請問那個大神知道，存儲器有那3個主要餓性能指標
你好朋友，據我說知。存儲器有3個主要性能指標分別是：速度、容量、位價。
希望我的回答能給您提供幫助。
7. 什麼是存儲器的重要性能指標
簡單的來講，存儲器的重要性能指標就是晶元在設計的時候採用的編程演算法是否是最合邏輯的，最和邏輯就好運算穩定，快捷;還有生產的時候，載體的原材料的規格，加工質量，是否能從散熱以及穩定方面滿足編碼的需求
專業內容如下：存儲器的主要幾項技術指標：
主存儲器的主要幾項技術指標 指標含義表現單位
存儲容量 在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數 存儲空間的大小 字數，位元組數
存取時間 啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間 主存的速度 ns
存儲周期 連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間 主存的速度 ns
存儲器帶寬 單位時間里存儲器所存取的信息量, 數據傳輸速率技術指標 位/秒，位元組/秒
主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間和存儲周期。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可編址的最小單位是字存儲單元，則該計算機稱為按字編址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組編址的計算機。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如，PDP-11系列計算機，一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
在一個存儲器中容納的存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字數或位元組數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，採用MB，GB，TB等單位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示位元組，一個位元組定義為8個二進制位，所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。
存儲時間有稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作命令發出到該操作完成，將數據讀入數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
存儲周期是指連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大於存儲時間，其時間單位為ns
8. 內存條的性能指標有那些
描述內存條性能的主要技術指標是：
1.速度
內存條的速度一般用存取一次數據的時間(單位一般用ns)來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內存速度只能達到70ns～80ns，EDO內存速度可達到60ns，而SDRAM內存速度則已達到7ns。
注意：內存條的生產廠家非常多，目前還沒有形成一個統一的標注規范，所以內存的性能指標不可簡單地從內存晶元標註上讀出來，但可了解其速度如何，如－70或－60等數字，就表示此內存晶元的速度為70ns或60ns。
2.容量
內存條容量大小有多種規格，早期的30線內存條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO內存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內存大多為16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。圖5-1是一款獨特的64MB內存條。
3.奇偶校驗
為檢驗存取數據是否准確無誤，內存條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，並配合主板的奇偶校驗電路對存取的數據進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統性能並沒有什麼影響，所以目前大多數內存條上已不再加裝校驗晶元。
註：計算機是以二進制進行計數的，表現為0和1，當機器向內存寫入數據時，實際上就是存入代碼01，奇偶校驗則將單元中存入的代碼的個數進行奇偶統計，並將統計的結果保存在奇偶校驗位中，當計算機提取內存的數據時，奇偶校驗則將統計的結果和實際讀出的數據進行比較看是否一致，從而確保了內存數據的正確性。
4.內存的電壓
FPM內存和EDO內存均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.3V電壓，在使用中注意主板上的跳線不能設錯。
9. 「內存」的主要性能和指標有哪些
內存的性能指標包括存儲速度、存儲容量、CAS延遲時間、內存帶寬等，下面對 他們進行一一介紹
1、存儲速度
內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。目前，DDR內存的存取時間一般為6ns，而更快的存儲器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 等。
2、存儲容量
目前常見的內存存儲容量單條為128MB、256MB、512MB，當然也有單條1GB的，內存，不過其價格較高，普通用戶少有使用。就目前的行情來看，配機時盡時使用單條256MB以上的內存，不要選用兩根128MB的方案。 提示：內存存儲容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB
3、CL
CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。對於PC1600和PC2100的內存來說，其規定的CL應該為2，即他讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期。也就是說他必須在CL=2R 情況下穩寰工作的其工作頻率中。
4、SPD晶元
SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、奇偶校驗
奇偶校驗就是內存每一個位元組外又額外增加了一位作為錯誤檢測之用。當CPU返回讀顧儲存的數據時，他會再次相加前8位中存儲的數據，計算結果是否與校驗相一致。當CPU發現二者不同時就會自動處理。
6、內存帶寬
從內存的功能上來看，我們可以將內存看作是內存控制器（一般位於北橋晶元中）與CPU之間的橋梁或倉庫。顯然，內存的存儲容量決定「倉庫」的大小，而內存的帶決定「橋梁的寬窄」，兩者缺一不可。 提示：內存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表於存儲器時鍾頻率、D表示存儲器數據匯流排位數，則帶寬B=F*D/8
如常見100MHz的SDRAM內存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒 。
常見133MHz的SDRAM內存的帶寬133MHz*64bit/8=1064MB/秒。