A. U盤儲存的原理是什麼
U盤，作為我們生活、工作中必不可少移動存儲設備，對我們來說可以說是不可或缺，幫助我們存儲著一些重要的數據文件，但是，這么重要的設備我們對它又了解多少呢?現在讓我們一起去解讀一下U盤的存儲原理吧，讓我們更加熟悉它的工作原理。
快閃記憶體(Flash Memory)盤是一種採用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，大家都管他叫U盤，是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲)。是SCM(半導體存儲器)的一種。
早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管(MOS)，包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。
RAM(隨機存取存儲)，是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM(動態)和SRAM(靜態)兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM(同步動態RAM)，它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電(刷新)以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存(cache)上。
PROM(可編程ROM)則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM(電可擦除PROM)，用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的`完整性。
Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。
MSM(磁表面存儲)是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息「0」和「1」。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。
ODM(光碟存儲)和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。
B. 人的記憶的儲存方式與原理
1記憶並不是存儲在大腦某一部分，而是廣泛存在於皮質各處，可能就是在神經元以及突觸及他們的通道之間．
2刺激大腦皮質可引起人的某些回憶．
3最近研究表明，神經元的活動能改變RNA含量，RNA在大腦記憶功能上有可能有重要作用.
我們知道人有五種感官：視覺、聽覺、味覺、嗅覺、觸覺，通過這些感官所產生的印象或記憶是最初的記憶存檔，需要通過短期或長期記憶的存檔處理才會被記住，否則稍縱即逝很快就忘了。
(2)存儲模式原理擴展閱讀：
記憶是人腦對經驗過事物的識記、保持、再現或再認，它是進行思維、想像等高級心理活動的基礎 。人類記憶與大腦海馬結構 、大腦內部的化學成分變化有關 。
記憶作為一種基本的心理過程，是和其他心理活動密切聯系著的。記憶聯結著人的心理活動，是人們學習、工作和生活的基本機能。把抽象無序轉變成形象有序的過程就是記憶的關鍵 。
關於記憶的研究屬於心理學或腦部科學的范疇。現代人類對記憶的研究仍在繼續，盡管當今的科學技術已經有了長足的發展。運用那些經過實踐後能有效提高記憶力的方法、技巧，可以使之更好地服務於人類的工作、生活、學習中。
根據記憶的內容，可以把記憶分成四種：
1．形象記憶
以感知過的事物形象為內容的記憶叫形象記憶。這些具體形象可以是視覺的，也可以是聽覺的、嗅覺的、觸覺的或味覺的形象，如人們對看過的一幅畫，聽過的一首樂曲的記憶就是形象記憶。這類記憶的顯著特點是保存事物的感性特徵，具有典型的直觀性。
2．情緒記憶
是以過去體驗過的情緒或情感為內容的記憶 。如學生對接到大學錄取通知書時的愉快心情的記憶等。人們在認識事物或與人交往的過程中，總會帶有一定的情緒色彩或情感內容，這些情緒或情感也作為記憶的內容而被存貯進大腦，成為人的心理內容的一部分。
情緒記憶往往是一次形成而經久不忘的，對人的行為具有較大的影響作用。如教師對某個學生的第一印象會在很大程度上影響對該生的態度、行為，就是因為這一印象是與情緒相連的 。情緒記憶的映象有時比其他形式的記憶映象更持久，即使人們對引起某種情緒體驗的事實早已忘記，但情緒體驗仍然保持著。
3．邏輯記憶
是以思想、概念或命題等形式為內容的記憶。如對數學定理、公式、哲學命題等內容的記憶。這類記憶是以抽象邏輯思維為基礎的，具有概括性、理解性和邏輯性等特點 。
4．動作記憶（運動記憶）
是以人們過去的操作性行為為內容的記憶。凡是人們頭腦里所保持的做過的動作及動作模式，都屬於動作記憶。如上體育課時的體操動作、武術套路，上實驗課時的操作過程等都會在頭腦中留下一定的痕跡。這類記憶對於人們動作的連貫性、精確性等具有重要意義，是動作技能形成的基礎 。
以上四種記憶形式既有區別，又緊密聯系在一起。如動作記憶中具有鮮明的形象性。邏輯記憶如果沒有情緒記憶，其內容是很難長久保持的。
C. U盤存儲數據的原理
U盤存儲數據的原理為：計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令）讀寫到USB晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給NAND FLASH存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。
而數據存儲器的控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值（高低電位），柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，也就是為什麼USB斷電後能保存數據的原因。
(3)存儲模式原理擴展閱讀：
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。
這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。
而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
D. 資料庫系統的三級模式結構指什麼
資料庫領域公認的標准結構是三級模式結構，它包括外模式、概念模式、內模式，有效地組織、管理數據，提高了資料庫的邏輯獨立性和物理獨立性。用戶級對應外模式，概念級對應概念模式，物理級對應內模式，使不同級別的用戶對資料庫形成不同的視圖。
三種模式分別指：
外模式
外模式又稱子模式或用戶模式，對應於用戶級。它是某個或某幾個用戶所看到的資料庫的數據視圖，是與某一應用有關的數據的邏輯表示。外模式是從模式導出的一個子集，包含模式中允許特定用戶使用的那部分數據。用戶可以通過外模式描述語言來描述、定義對應於用戶的數據記錄(外模式)，也可以利用數據操縱語言(Data Manipulation Language，DML)對這些數據記錄進行操作。外模式反映了資料庫的用戶觀。
概念模式
模式又稱概念模式或邏輯模式，對應於概念級。它是由資料庫設計者綜合所有用戶的數據，按照統一的觀點構造的全局邏輯結構，是對資料庫中全部數據的邏輯結構和特徵的總體描述，是所有用戶的公共數據視圖(全局視圖)。它是由資料庫管理系統提供的數據模式描述語言(Data Description Language，DDL)來描述、定義的，體現、反映了資料庫系統的整體觀。
內模式
內模式又稱存儲模式，對應於物理級，它是資料庫中全體數據的內部表示或底層描述，是資料庫最低一級的邏輯描述，它描述了數據在存儲介質上的存儲方式和物理結構，對應著實際存儲在外存儲介質上的資料庫。內模式由內模式描述語言來描述、定義，它是資料庫的存儲觀。
在一個資料庫系統中，只有唯一的資料庫， 因而作為定義 、描述資料庫存儲結構的內模式和定義、描述資料庫邏輯結構的模式，也是唯一的，但建立在資料庫系統之上的應用則是非常廣泛、多樣的，所以對應的外模式不是唯一的，也不可能是唯一的。
E. 快閃記憶體卡的存儲原理是什麼
要講解快閃記憶體卡的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞），常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。
快閃記憶體的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
F. android手機與PC的USB連接方式有幾種模式可不可以分別詳細解釋一下每種模式的原理和用途
主要就是調試模式和存儲模式。但是USB本來就分為兩種介面，控制方法也不同。如果不考慮介面不同的話。調試模式主要用來安裝和調試程序。存儲模式通過硬碟控制器做硬碟使用。
G. 什麼是存儲程序式模式
程序輸入到計算機中，存儲在內存儲器中（存儲原理），在運行時，控制器按地址順序取出存放在內存儲器中的指令（按地址順序訪問指令），然後分析指令，執行指令的功能，遇到轉移指令時，則轉移到轉移地址，再按地址順序訪問指令（程序控制）。