A. 關於晶元的分類
在我們的生活中，接觸到越來越多的電子產品，電腦、智能化系統、電視、DVD、移動通訊工具等等，「晶元」就像是人的「大腦」一樣指揮著這些電子產品。比如我們使用電腦，通過鍵盤及一些軟體，「告訴」電腦我們要做什麼，這些要求都被「晶元」記下並且作出判斷。晶元設計簡單地講就是設計出符合自己應用需要的電路，將非常復雜的電路集成在一枚很小的晶元上。百萬門級的晶元意味著這個晶元可以看作是高端晶元，是邏輯功能強大的標志。
「晶元」通常分為三大類。第一類是CPU晶元，就是指計算機內部對數據進行處理和控制的部件，也是各種數字化智能設備的「主腦」。第二類是存儲晶元，主要是用於記錄電子產品中的各種格式的數據。第三類是數字多媒體晶元，我們熟知的數碼相機、越來越逼真的手機鈴聲就是通過此類晶元實現的。
B. 聯網晶元推薦有哪些啊
市場上目前常用的幾種WIZnet、ENC28J60、DM9000，另有WIZnet W5100、W5200、W5300和W5500等產品。
C. 內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型
◆存儲晶元（IC）的分類：
內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。
還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。
RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。
由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。
D. 晶元是分為儲存、充電等類型嗎
晶元就是一種集成電路，它由大量的晶體管構成，晶元的也分為多種類型，晶元可以分為以下幾類：
1.計算機晶元：如GPU、CPU、MCU、AI等用做計算分析的晶元；
2.存儲晶元：如DRAM、SDRAM，ROM和NAND等用作數據存儲的晶元；
3.通信晶元：如藍牙、WiFi、USB介面、乙太網介面、HDMI等用於數據傳輸的晶元；
4.感知晶元：如MEMS、麥克風、攝像頭等用來感知外部世界的晶元。
5.能源供給：如電源晶元、DC—AC等用於能源供給的晶元。
E. 有晶元可以聯網的嗎
有可以聯網的晶元。網路晶元（networkingprocessor）是一個提供在通信網路中發送和接收數據邏輯（包括聲音和視頻）的微處理器，有了它之後其他的附加設備就不需要這些功能了。
F. 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼
按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。
從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。
微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。
標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。
SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。
晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。
但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。
混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。
G. 國產數字晶元廠商詳細信息
國產數字晶元廠商詳細信息
下面我們將從核心技術、主要產品、目標市場和應用方案等方面對這30家公司逐一展示。
中科龍芯
核心技術：MIPS授權架構的CPU及生態圈、跨指令兼容的二進制翻譯技術。
主要產品：面向行業應用的「龍芯1號」小CPU;面向工控和終端類應用的「龍芯2號」中CPU;以及面向桌面與伺服器類應用的「龍芯3號」大CPU。
應用領域：網路安全、辦公與信息化、工控及物聯網等領域，並在政府、能源、金融、交通、教育等行業領域取得了廣泛應用。
天津飛騰
核心技術：自研ARMv8架構處理器、片上並行系統(PSoC)體系結構。
主要產品：高性能伺服器CPU(騰雲S系列);高效能桌面CPU(騰銳D系列);高端嵌入式CPU(騰瓏E系列)三大系列。
應用領域：國內政務辦公、裝備製造、雲計算、大數據以及金融、能源和軌道交通等行業信息系統領域。
海光信息
核心技術：AMD授權X86指令集架構、「禪定」x86 CPU
主要產品：7000系列、5000系列和3000系列處理器。
應用領域：政府機構和商業伺服器應用。
兆芯
核心技術: CPU、GPU、晶元組核心技術。
主要產品：「開先」、「開勝」兩大CPU系列。
應用領域: 黨政辦公、金融、教育、醫療、交通、網路安全、能源等行業。
申威
核心技術：申威64自主可控架構
主要產品：SW1600/SW1610 CPU。
應用領域: 黨政、軍事、超算、伺服器和桌面電腦。
華為海思
核心技術：ARM v8架構授權、達芬奇架構NPU
主要產品：鯤鵬920、麒麟系列應用處理器、升騰AI晶元。
應用領域：伺服器、手機、智能終端。
紫光展銳
核心技術：5G通信、AI平台
主要產品：虎賁T7520/T7510/T710系列手機應用處理器、W517/307系列智能可穿戴處理器、春藤系列物聯網晶元。
應用方案：5G、AIoT、智能語音、智能穿戴、平板電腦、工業互聯網
目標市場：手機、可穿戴設備、工業物聯網、 汽車 電子、功率電子。
瑞芯微
核心技術：ARM內核高性能應用處理器、智能語音
主要產品：RK35系列、RK33系列、RK32系列、RK31系列RK30系列、RK18系列、RK MCU系列、RK Power系列、RV11系列。
應用方案：平板電腦、流媒體應用、商業及工業應用、家居應用、智聯網應用、視覺應用、車載應用。
目標市場：智能硬體、手機周邊、平板電腦、電視機頂盒、工控等多個領域。
北京君正
核心技術：XBurst 系列 CPU Core (基於MIPS 指令集)、Helix/ Radix系列 VPU、Tiziano圖像處理器、君正AIE 算力引擎、ISSI存儲技術
主要產品：X2000、X1000/E、X1520、X1500、X1021系列微處理器;T40、T31、T21、T30、T20系列智能視頻處理器;ISSI/Lumissil存儲器。
應用方案：智能音頻、圖像識別、智能家電、智能家居、智能辦公、智能視頻。
目標市場：生物識別、教育電子、多媒體播放器、電子書、平板電腦、AIoT等領域，以及計算和通信存儲市場。
全志 科技
核心技術：智能應用處理器SoC、超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU/AI多核整合;
主要產品：A系列平板電腦應用處理器、F系列多媒體處理器、H系列機頂盒OTT處理器、R系列智能語音晶元、T系列車規級駕艙信息 娛樂 處理器、V系列視頻編解碼處理器、MR系列處理器。
應用方案：智能硬體、消費電子、工業控制、家庭 娛樂 、車聯網方案;
目標市場：智能硬體、平板電腦、智能家電、車聯網、機器人、虛擬現實、網路機頂盒，以及電源、無線通信模組、智能物聯網等多個產品領域。
景嘉微
核心技術：支持國產CPU和國產操作系統的GPU
主要產品：JM5400、JM7200/7201 圖形處理器
應用市場：筆記本電腦、一體機、移動工作站、刀片式主板等桌面辦公和工業控制領域。
天數智芯
核心技術：全自研通用計算GPGPU
主要產品：7納米GPGPU高端自研雲端訓練晶元
目標市場：計算機視覺、智能語音、智能推薦等AI領域;HPC通用計算。
芯動 科技
核心技術：GDDR6高帶寬顯存技術、4K/8K顯示的HDMI2.1技術、國產自主標準的INNOLINK Chiplet和HBM2E高性能計算平台技術
主要產品：智能渲染GPU圖形處理器;高速32Gbps SerDes Memory ;高性能計算/高帶寬儲存/加密計算/AI雲計算/低功耗IoT等晶元。
應用市場：高性能計算/多媒體& 汽車 電子/IoT物聯網等領域;信創桌面渲染、5G數據中心、雲 游戲 、雲辦公、雲教育等主流新基建領域。
高雲半導體
核心技術：GoAI機器學習平台、藍牙FPGA系統級晶元
主要產品：晨熙家族GW2A系列 FPGA、小蜜蜂家族GW1N系列SoC
應用市場：通訊、工業控制、LED顯示、 汽車 電子、消費電子、AI、數據中心。
上海安路
核心技術：全流程TD軟體系統
主要產品：高端PHOENIX(鳳凰)、中端EAGLE(獵鷹)、低端ELF(精靈)系列FPGA。
應用方案：LED顯示屏、工業自動化、通信控制、MIPI和TCON顯示等。
紫光國微
核心技術：Pango Design Suite FPGA開發軟體技術、嵌入式FLASH、高安全加密、內嵌ECC。
主要產品：Titan系列FPGA、Logos系列FPGA、Compact系列CPLD;智能卡和智能終端安全晶元;半導體功率器件;超穩晶體頻率器件;5G超級SIM卡。
應用方案：移動通信、金融支付、數字政務、公共事業、物聯網與智慧生活、智能 汽車 、電子設備、電力與電源管理、人工智慧。
目標市場：金融、電信、政務、 汽車 、工業互聯、物聯網等領域。
京微齊力
核心技術：AiPGA晶元(AI in FPGA)、異構計算HPA晶元(Heterogeneous Programmable Accelerator)、嵌入式可編程eFPGA IP核、FX伏羲EDA軟體
主要產品：HME-R、HME-M、HME-P、HME-H系列FPGA
應用方案：工業控制、醫療電子、消費類電子、廣播&通信、 汽車 電子、計算機與存儲、嵌入式應用、人工智慧。
目標市場：雲端伺服器、消費類智能終端以及國家通信/工業/醫療等核心基礎設施。
智多晶
核心技術：FPGA開發軟體「HqFpga」、 自主研發的FPGA架構
主要產品：Seagull 1000系列 CPLD、Sealion 2000 系列FPGA、Seal 5000 系列 FPGA
目標市場：LED驅動、視頻監控、圖像處理、工業控制、4G/5G通信網路、數據中心等。
成都華微電子
核心技術：可編程邏輯器件CPLD、FPGA硬體設計平台、可編程邏輯器件綜合、映射及編程演算法軟體技術。
主要產品：數字模擬混合信號晶元、可編程邏輯器件、ADC/DAC、模擬電路及介面電路系列產品
應用市場：工業控制、通信和安防等。
遨格芯
核心技術：可編程SoC、異構(MCU)邊緣計算
主要產品：CPLD、FPGA、MCU-SoC、AI ASIC、MCU。
目標市場：消費電子、工業和AIoT。
晶晨半導體
核心技術：超高清多媒體編解碼和顯示處理、人工智慧、內容安全保護、系統IP等核心軟硬體技術
主要產品：多媒體SoC晶元
應用方案：IP/OTT/DVB機頂盒方案、智能電視、智能影像、智能家居、智能商顯。
目標市場：智能機頂盒、智能電視和AI音視頻系統終端等，以及IPC等消費類安防市場、車載 娛樂 、輔助駕駛等 汽車 電子市場。
國科微
核心技術：全自主固態硬碟控制晶元、無線數據通信核心技術、AVS2超高清智能4K解碼晶元
主要產品：直播衛星高清晶元、智能4K解碼晶元、H.264/H.265高清安防晶元、高端固態存儲主控晶元、北斗導航定位晶元。
應用方案：智能機頂盒、智能監控、存儲控制、物聯網
目標市場：衛星廣播、無線通信、存儲和信息安全、物聯網應用領域。
中星微電子
核心技術：組織制定安全防範視頻安全數字音視頻編解碼(SVAC)國家標准、結構化的視頻碼流、「數據驅動並行計算」架構
主要產品：「星光」數字多媒體晶元、 集成神經網路處理器(NPU)的SVAC視頻編解碼SoC、SVAC視頻安全攝像頭晶元、H.264 解壓縮晶元、PC攝像頭晶元
目標市場：信息安全、圖像編碼視頻安全領域。
瀾起 科技
核心技術：高性能DDR內存緩沖控制器、動態安全監控技術(DSC)、異構計算與互聯技術
主要產品：DDR2-DDR5系列內存介面晶元、PCIe Retimer晶元、伺服器CPU
目標市場：雲計算、伺服器、存儲設備及硬體加速器等應用領域。
兆易創新
核心技術：國產SPI NAND Flash工藝技術、基於Armv8-M架構的Cortex-M33內核高性能微處理器
主要產品：NOR Flash、NAND Flash、GD32系列MCU
應用方案：GD25/GD55 B/T/X系列大容量高性能SPI NOR Flash、車載數字組合儀表解決方案、GSL7001光學指紋識別方案
目標市場：工業、 汽車 、計算、消費類電子、物聯網、移動應用以及網路和電信行業。
東芯半導體
核心技術：NAND/NOR/DRAM/MCP設計工藝技術
主要產品：中小容量NAND Flash、NOR Flash、DRAM晶元
目標市場：工業控制、通訊網路、消費電子、移動設備、物聯網。
芯天下
核心技術：成熟快閃記憶體及新型存儲技術
主要產品：SPI NOR Flash, NOR MCP, SPI NAND Flash, SD NAND Flash, NAND MCP等。
目標市場：物聯網，顯示與觸控，通信，消費電子，工業等領域。
聚辰半導體
核心技術：串列EEPROM、邏輯加密卡、零漂移軌到軌輸入輸出運放
主要產品：EEPROM、智能卡晶元
目標市場：智能手機、液晶面板、藍牙模塊、通訊、計算機及周邊、醫療儀器、白色家電、 汽車 電子、工業控制等眾多領域。
恆爍半導體
核心技術：基於NOR Flash的存算一體架構;50nm製程的NOR Flash存儲
主要產品：SPI NOR flash存儲器;基於NOR flash的存算一體CIM AI加速晶元; 基於ARM Cortex的32位MCU
目標市場：可穿戴設備、智能音響、安防監控、物聯網IoT、泛在電力物聯網、 汽車 電子、消費電子及工業等領域。
得一微電子
核心技術：固態存儲控制晶元
主要產品：PCIe SSD主控晶元、SATA SSD主控晶元、eMMC 5.1主控晶元、SPI NAND主控晶元、USB主控晶元
目標市場：通用計算和存儲市場，覆蓋消費級、企業級、工業級、 汽車 級應用。
H. 晶元分為幾大類
按照功能分類，晶元可以分為4種，分別是：
以電腦的核心CPU（中央處理器）、GPU（圖像處理的晶元）為代表的計算晶元。
以內存晶元ROM（只讀存儲器）、DRAM（動態隨機存儲器）為代表的存儲晶元。
以相機核心CMOS（互補金屬氧化物半導體存儲器）為代表的感知晶元。
以AC/DC電源管理晶元為代表的能源晶元和以5G為代表的通信晶元等。
相關信息：
「晶元」的「芯」指的是它的重要性。在現代社會中，很多晶元扮演著「大腦」的作用，作為設備的核心，晶元的使用讓設備變得「智能」。而「晶元」的「片」則代表它的形態，晶元大部分都是片型，這種高度集成的形態便於將其放入各種設備中。
晶元的應用非常廣泛，因此其分類也十分復雜。提及晶元，大部分人可能會單純將晶元和電腦CPU劃上等號。然而，晶元所涵蓋的范圍遠不及此，電腦CPU只是晶元所發揮的各種功能中的一種。
I. 網路晶元是什麼 Intel的網路晶元常用的有哪些
網路晶元就是網卡的主晶元，對網卡介面速率其決定性作用。相當於網卡的CPU。 常用的網路晶元都是Realtek 瑞昱生產的。 lntel Pro/100VE：lntel公司的入門級網路晶元
J. 內存晶元的種類有哪些
愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。
內存晶元有哪些種類
存儲器分類
簡稱：Cache
標准：Cache Memory
中文：高速緩存
高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器
(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不
需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，
必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如
Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為
L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。
簡稱：DDR
標准：Double Date Rate
中文：雙倍數據傳輸率
DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統
使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取
內存(SDRAM)好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM
technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to
perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
簡稱：DIMM
標准：Dual in Line Memory Mole
中文：雙直列內存條
DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一
種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分
為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含
緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各
種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。
簡稱：DRAM
標准：Dynamic Random Access Memory
中文：動態隨機存儲器
一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異
在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據
則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。
簡稱：ECC
標准：Error Checking and Correction)
在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改
正。
簡稱：EDO DRAM
標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO動態隨機存儲器
EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取
效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期
CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。
簡稱：EEPROM
標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：電子抹除式只讀存儲器
非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同
時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參
數。
這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數
據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。
簡稱：EPROM
標准：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只讀存器
非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統
(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。
這種存儲器不支持再線修改數據。
簡稱：Flash
標准：Memory
中文：閃爍存儲器
非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再
線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。
Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。
簡稱：FeRAM
標准：Ferroelectric random access memory
中文：鐵電存儲器
ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile
memory that combines high-performance and low-power operation with the ability
to retain data without power.
FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and
eliminates the need for a battery
簡稱：MRAM
標准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性隨機存儲器
磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel
junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon
(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達
1015，讀寫時間可達70nS，
簡稱：RAM
標准：Random Access Memory
中文：隨機存儲器
隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指
令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤
(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔
助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打
印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的
速度越快。
簡稱：RDRAM
標准：Rambus DRAM
中文：Rambus動態隨機存儲器
這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會
間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然
RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機
存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達
600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬
(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。
簡稱：ROM
標准：Read Only Memory
中文：只讀存儲器
只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀
取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一
個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多
用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提
供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確
認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer
circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
簡稱：SDRAM
標准：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步動態隨機存儲器
SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊
(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處
理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是
大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。
簡稱：SIMM
標准：Single In-Line Memory Mole
中文：單直列內存模塊
內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的
接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取
(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為
72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，
因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。
簡稱：SRAM
標准：Static Random Access Memory
中文：靜態隨機存儲器
SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組
成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造
成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。
簡稱：VCM SDRAM
標准：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虛擬信道存儲器
1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組
(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉
將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加
強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料
後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual
Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面
的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與
日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於
VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運