⑴ 存儲器的分類及其各自的特點
存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
存儲器的分類特點及其應用
在嵌入式系統中最常用的存儲器類型分為三類：
1．隨機存取的RAM;
2．只讀的ROM;
3．介於兩者之間的混合存儲器
1.隨機存儲器（Random Access Memory，RAM）
RAM能夠隨時在任一地址讀出或寫入內容。 RAM的優點是讀/寫方便、使用靈活；
RAM的缺點是不能長期保存信息，一旦停電，所存信息就會丟失。 RAM用於二進制信息的臨時存儲或緩沖存儲
2.只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）
ROM中存儲的數據可以被任意讀取，斷電後，ROM中的數據仍保持不變，但不可以寫入數據。
ROM在嵌入式系統中非常有用，常常用來存放系統軟體（如ROM BIOS）、應用程序等不隨時間改變的代碼或數據。
ROM存儲器按發展順序可分為：掩膜ROM、可編程ROM（PROM）和可擦寫可編程ROM（EPROM）。
3. 混合存儲器
混合存儲器既可以隨意讀寫，又可以在斷電後保持設備中的數據不變。混合存儲設備可分為三種：
EEPROM NVRAM FLASH
（1）EEPROM
EEPROM是電可擦寫可編程存儲設備，與EPROM不同的是EEPROM是用電來實現數據的清除，而不是通過紫外線照射實現的。
EEPROM允許用戶以位元組為單位多次用電擦除和改寫內容，而且可以直接在機內進行，不需要專用設備，方便靈活，常用作對數據、參數等經常修改又有掉電保護要求的數據存儲器。
（2） NVRAM
NVRAM通常就是帶有後備電池的SRAM。當電源接通的時候，NVRAM就像任何其他SRAM一樣，但是當電源切斷的時候，NVRAM從電池中獲取足夠的電力以保持其中現存的內容。
NVRAM在嵌入式系統中使用十分普遍，它最大的缺點是價格昂貴，因此，它的應用被限制於存儲僅僅幾百位元組的系統關鍵信息。
（3）Flash
Flash（閃速存儲器，簡稱快閃記憶體）是不需要Vpp電壓信號的EEPROM，一個扇區的位元組可以在瞬間（與單時鍾周期比較是一個非常短的時間）擦除。
Flash比EEPROM優越的方面是，可以同時擦除許多位元組，節省了每次寫數據前擦除的時間，但一旦一個扇區被擦除，必須逐個位元組地寫進去，其寫入時間很長。
存儲器工作原理
這里只介紹動態存儲器（DRAM）的工作原理。
工作原理
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
存儲器晶元
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
⑵ SSD固態硬碟有什麼優點和缺點
優點：
1、讀寫速度快
固態硬碟不含活動部件，因而不會拖慢計算機的速度；不止速度更快，還能即時訪問數據。Crucial英睿達固態硬碟提供即時載入性能，這就意味著：啟動速度更快、應用程序載入速度更快、響應能力和無縫多任務同時處理能力更強。
2、方便攜帶
因為固態硬碟比硬碟驅動器的質量更輕，因此，它們具有更大的靈活性，筆記本電腦更方便攜帶。固態硬碟含有輕質組件和堅實的構造，更能滿足經常出行的嚴格條件。
3、無噪音
固態硬碟沒有機械馬達和風扇，工作時噪音值為0分貝。基於快閃記憶體的固態硬碟在工作狀態下能耗和發熱量較低。內部不存在任何機械活動部件，不會發生機械故障，也不怕碰撞、沖擊、振動。由於固態硬碟採用無機械部件的快閃記憶體晶元，所以具有了發熱量小、散熱快等特點。
4、工作溫度范圍大
典型的硬碟驅動器只能在5到55攝氏度范圍內工作。而大多數固態硬碟可在-10~70攝氏度工作。固態硬碟比同容量機械硬碟體積小、重量輕。固態硬碟的介面規范和定義、功能及使用方法上與普通硬碟的相同，在產品外形和尺寸上也與普通硬碟一致。其晶元的工作溫度范圍很寬。
缺點：
1、容量小，相比機械硬碟儲存的東西少。不過以目前來看，主流500g，基本上夠用。
2、價格相對貴，這是固態驅動器的主要缺點之一。與機械硬碟相比，具有類似存儲容量的固態驅動器可能是昂貴的兩倍。與具有機械硬碟系統的固態驅動器系統相比，這轉換為更昂貴的計算機或其他具有固態驅動器系統的設備。
3、硬碟壞了以後，數據丟失。
4、使用時間要比機械硬碟稍微短一點。
使用固態硬碟的注意事項：
1、不要使用碎片整理
消費級固態硬碟的擦寫次數是有限制，碎片整理會大大減少固態硬碟的使用壽命。其實，固態硬碟的垃圾回收機制就已經是一種很好的「磁碟整理」，再多的整理完全沒必要。Windows的「磁碟整理」功能是機械硬碟時代的產物，並不適用於SSD。
2、小分區
在固態硬碟上徹底刪除文件，是將無效數據所在的整個區域摧毀，過程是這樣的：先把區域內有效數據集中起來，轉移到空閑的位置，然後把「問題區域」整個清除。
這一機制意味著，分區時不要把SSD的容量都分滿。
例如一塊128G的固態硬碟，廠商一般會標稱120G，預留了一部分空間。但如果在分區的時候只分100G，留出更多空間，固態硬碟的性能表現會更好。這些保留空間會被自動用於固態硬碟內部的優化操作，如磨損平衡、垃圾回收和壞塊映射。這種做法被稱之為「小分區」。
3、保留足夠剩餘空間
固態硬碟存儲越多性能越慢。而如果某個分區長期處於使用量超過90%的狀態，固態硬碟崩潰的可能性將大大增加。
所以及時清理無用的文件，設置合適的虛擬內存大小，將電影音樂等大文件存放到機械硬碟非常重要，必須讓固態硬碟分區保留足夠的剩餘空間。
⑶ 什麼是FLASH存儲器
什麼是Flash Memory存儲器 介紹關於閃速存儲器有關知識 近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。 由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。 目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。
⑷ 只讀存儲器和隨機存儲器的主要特點
只讀存儲器的特點是用戶只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統，稱為BIOS（基本輸入輸出系統）。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。
隨機儲存器的特點是在儲存器的數據被讀取和斜入式，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。但隨機儲存器具有易失性，當電源關閉時RAM不能保留數據。
而且隨機存儲器對環境的靜電荷極其的銘感，靜電會干擾儲存器內電容器的電荷，導致數據丟失，甚至是燒壞電路。隨機存儲器幾乎是所有訪問設備寫入和讀取速度最快的，並且現代的隨機存取存儲器以來電容器去存儲數據。
(4)閃速存儲器特點固態性能的分析擴展閱讀：
只讀存儲器工作原理
地址解碼器根據輸入地址選擇某條輸出(稱字線)，由它再去驅動該字線的各位線，以便讀出字線上各存儲單元所儲存的代碼。
隨機存儲器的組成
RAM電路由地址解碼器、存儲矩陣和讀寫控制電路三部分組成。
存儲矩陣由觸發器排列而成，每個觸發器能存儲一位數據(0或1)。通常將每一組存儲單元編為一個地址，存放一個「字」。
每個字的位數等於這一組單元的數目。存儲器的容量以「字數×位數」表示。地址解碼器將每個輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號，從存儲矩陣中選中一組單元，使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號的配合下，將數據讀出或寫入。
只讀存儲器種類
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。
用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。 PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。
ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。
在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
⑸ ssd固態硬碟有什麼優點和缺點
讀寫速度快：採用快閃記憶體作為存儲介質，讀取速度相對機械硬碟更快。固態硬碟不用磁頭，尋道時間幾乎為0。持續寫入的速度非常驚人，固態硬碟廠商大多會宣稱自家的固態硬碟持續讀寫速度超過了500MB/s！固態硬碟的快絕不僅僅體現在持續讀寫上，隨機讀寫速度快才是固態硬碟的終極奧義，這最直接體現在絕大部分的日常操作中。與之相關的還有極低的存取時間，最常見的7200轉機械硬碟的尋道時間一般為12-14毫秒，而固態硬碟可以輕易達到0.1毫秒甚至更低。
防震抗摔性：傳統硬碟都是磁碟型的，數據儲存在磁碟扇區里。而固態硬碟是使用快閃記憶體顆粒（即mp3、U盤等存儲介質）製作而成，所以SSD固態硬碟內部不存在任何機械部件，這樣即使在高速移動甚至伴隨翻轉傾斜的情況下也不會影響到正常使用，而且在發生碰撞和震盪時能夠將數據丟失的可能性降到最小。相較傳統硬碟，固態硬碟佔有絕對優勢。
低功耗：固態硬碟的功耗上要低於傳統硬碟。
無噪音：固態硬碟沒有機械馬達和風扇，工作時噪音值為0分貝。基於快閃記憶體的固態硬碟在工作狀態下能耗和發熱量較低（但高端或大容量產品能耗會較高）。內部不存在任何機械活動部件，不會發生機械故障，也不怕碰撞、沖擊、振動。由於固態硬碟採用無機械部件的快閃記憶體晶元，所以具有了發熱量小、散熱快等特點。
工作溫度范圍大：典型的硬碟驅動器只能在5到55攝氏度范圍內工作。而大多數固態硬碟可在-10~70攝氏度工作。固態硬碟比同容量機械硬碟體積小、重量輕。固態硬碟的介面規范和定義、功能及使用方法上與普通硬碟的相同，在產品外形和尺寸上也與普通硬碟一致。其晶元的工作溫度范圍很寬（-40~85攝氏度）。
輕便：固態硬碟在重量方面更輕，與常規1.8英寸硬碟相比，重量輕20-30克。
容量：固態硬碟最大容量僅為4TB，由閃迪（SanDisk）發布的Optimus MAX（擎天柱）[7]
壽命限制：固態硬碟快閃記憶體具有擦寫次數限制的問題，這也是許多人詬病其壽命短的所在。快閃記憶體完全擦寫一次叫做1次P/E，因此快閃記憶體的壽命就以P/E作單位。34nm的快閃記憶體晶元壽命約是5000次P/E，而25nm的壽命約是3000次P/E。隨著SSD固件演算法的提升，新款SSD都能提供更少的不必要寫入量。一款120G的固態硬碟，要寫入120G的文件才算做一次P/E。普通用戶正常使用，即使每天寫入50G，平均2天完成一次P/E，3000個P/E能用20年，到那時候，固態硬碟早就被替換成更先進的設備了(在實際使用中，用戶更多的操作是隨機寫，而不是連續寫，所以在使用壽命內，出現壞道的機率會更高)。另外，雖然固態硬碟的每個扇區可以重復擦寫100000次(SLC)，但某些應用，如操作系統的LOG記錄等，可能會對某一扇區進行多次反復讀寫，而這種情況下，固態硬碟的實際壽命還未經考驗。不過通過均衡演算法對存儲單元的管理，其預期壽命會延長。SLC有10萬次的寫入壽命，成本較低的MLC，寫入壽命僅有1萬次,而廉價的TLC快閃記憶體則更是只有可憐的500-1000次。
售價高：市場上的128GB 固態硬碟產品的價格大約在在550元人民幣左右，而256GB的產品價格大約在950元人民幣（2014年價格）左右。計算下來，每GB價格在4.2元人民幣（2014年價格）左右，依然比傳統機械硬碟每 GB 0.3元人民幣（2014年價格）的價格高出了十幾倍。市場上128GBMLC（多層單元）固態硬碟，一般價格為550元（2014年）左右,部分較型號甚至達到750元左右。而這個價錢足夠買一個容量3TB的傳統硬碟了。128GB SLC（單層單元）固態硬碟價格則高達2000元以上。
⑹ 閃速存儲器的結構圖
閃速存儲器 NOR技術 DINOR技術 NAND技術 UltraNAND技術
一、 閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。
二、 閃速存儲器的技術分類
全球閃速存儲器的主要供應商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由於各自技術架構的不同，分為幾大陣營。
1、NOR技術
NOR
NOR技術（亦稱為Linear技術）閃速存儲器是最早出現的Flash Memory，目前仍是多數供應商支持的技術架構。它源於傳統的EPROM器件，與其它Flash Memory技術相比，具有可*性高、隨機讀取速度快的優勢，在擦除和編程操作較少而直接執行代碼的場合，尤其是純代碼存儲的應用中廣泛使用，如PC的BIOS固件、行動電話、硬碟驅動器的控制存儲器等。
NOR技術Flash Memory具有以下特點：（1） 程序和數據可存放在同一晶元上，擁有獨立的數據匯流排和地址匯流排，能快速隨機讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執行，而無需先將代碼下載至RAM中再執行；（2） 可以單位元組或單字編程，但不能單位元組擦除，必須以塊為單位或對整片執行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對塊或整片進行預編程和擦除操作。由於NOR技術Flash Memory的擦除和編程速度較慢，而塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間很長，在純數據存儲和文件存儲的應用中，NOR技術顯得力不從心。不過，仍有支持者在以寫入為主的應用，如CompactFlash卡中繼續看好這種技術。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成員——28F128J3，是迄今為止採用NOR技術生產的存儲容量最大的閃速存儲器件，達到128Mb（位），對於要求程序和數據存儲在同一晶元中的主流應用是一種較理想的選擇。該晶元採用0.25μm製造工藝，同時採用了支持高存儲容量和低成本的MLC技術。所謂MLC技術（多級單元技術）是指通過向多晶硅浮柵極充電至不同的電平來對應不同的閾電壓，代表不同的數據，在每個存儲單元中設有4個閾電壓(00/01/10/11），因此可以存儲2b信息；而傳統技術中，每個存儲單元只有2個閾電壓（0/1），只能存儲1b信息。在相同的空間中提供雙倍的存儲容量，是以降低寫性能為代價的。Intel通過採用稱為VFM（虛擬小塊文件管理器）的軟體方法將大存儲塊視為小扇區來管理和操作，在一定程度上改善了寫性能，使之也能應用於數據存儲中。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技術是Mitsubishi與Hitachi公司發展的專利技術，從一定程度上改善了NOR技術在寫性能上的不足。DINOR技術Flash Memory和NOR技術一樣具有快速隨機讀取的功能，按位元組隨機編程的速度略低於NOR，而塊擦除速度快於NOR。這是因為NOR技術Flash Memory編程時，存儲單元內部電荷向晶體管陣列的浮柵極移動，電荷聚集，從而使電位從1變為0；擦除時，將浮柵極上聚集的電荷移開，使電位從0變為1。而DINOR技術Flash Memory在編程和擦除操作時電荷移動方向與前者相反。DINOR技術Flash Memory在執行擦除操作時無須對頁進行預編程，且編程操作所需電壓低於擦除操作所需電壓，這與NOR技術相反。
盡管DINOR技術具有針對NOR技術的優勢，但由於自身技術和工藝等因素的限制，在當前閃速存儲器市場中，它仍不具備與發展數十年，技術、工藝日趨成熟的NOR技術相抗衡的能力。目前DINOR技術Flash Memory的最大容量達到64Mb。Mitsubishi公司推出的DINOR技術器件——M5M29GB/T320，採用Mitsubishi和Hitachi的專利BGO技術，將閃速存儲器分為四個存儲區，在向其中任何一個存儲區進行編程或擦除操作的同時，可以對其它三個存儲區中的一個進行讀操作，用硬體方式實現了在讀操作的同時進行編程和擦除操作，而無須外接EEPROM。由於有多條存取通道，因而提高了系統速度。該晶元採用0.25μm製造工藝，不僅快速讀取速度達到80ns，而且擁有先進的省電性能。在待機和自動省電模式下僅有0�33μW功耗，當任何地址線或片使能信號200ns保持不變時，即進入自動省電模式。對於功耗有嚴格限制和有快速讀取要求的應用，如數字蜂窩電話、汽車導航和全球定位系統、掌上電腦和頂置盒、攜帶型電腦、個人數字助理、無線通信等領域中可以一展身手。
2、NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0.18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可*性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可*性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3、AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4、由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可*性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。
⑺ EPROM和EEPROM，閃速存儲器優缺點比較
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。
⑻ 什麼是閃速存儲器它有哪些特點
類似於U盤cd卡一樣的固態存儲，特點速度快。穩定
⑼ 什麼是閃盤、固態硬碟
就是快閃記憶體檔，通常通過USB口與電腦連接暫時儲存文件或用來傳輸文件，人們常常把它稱為「U盤」。
便攜存儲(USB
Flash
Disk)，也稱為快閃記憶體檔。是採用USB介面和快閃記憶體(Flash
Memory)技術結合的方便攜帶外觀精美時尚的移動存儲器。快閃記憶體檔是以Flash
Memory為介質，所以具有可多次擦寫、速度快而且防磁、防震、防潮的優點。快閃記憶體檔一般包括快閃記憶體(Flash
Memory)、控制晶元和外殼。閃盤採用流行的USB介面，體積只有大拇指大小，重量約20克，不用驅動器，無需外接電源，即插即用，實現在不同電腦之間進行文件交流，存儲容量從16MB～2GB不等，滿足不同的需求。閃盤產品都是通過整合快閃記憶體晶元、USB
I/O控制晶元而成的產品
以NAND作為存儲介質的SSD(固態硬碟)，可以應用在台式機、筆記本、移動設備、游戲機等硬體上，加速啟動、性能，同時降低功耗。
固態硬碟（Solid
State
Disk、IDE
FLASH
DISK）是由控制單元和存儲單元（FLASH晶元）組成，簡單的說就是用固態電子存儲晶元陣列而製成的硬碟(目前最大容量為32GB),固態硬碟的介面規范和定義、功能及使用方法上與普通硬碟的完全相同，.在產品外形和尺寸上也完全與普通硬碟一致,包括3.5",
2.5",
1.8"多種類型。由於固態硬碟沒有普通硬碟的旋轉介質,因而抗震性極佳，同時工作溫度很寬，擴展溫度的電子硬碟可工作在-45℃～+85℃.廣泛應用於軍事、車載、工控、視頻監控、網路監控、網路終端、電力、醫療、航空等、導航設備等領域。