Ⅰ ddr4的生產廠家是英特公司嗎
不是，ddr4有很多生產的廠家，主要是韓國三星，美國的美光和海力士。英特主要是cpu的研發。
Ⅱ DDR4與DDR3內存有什麼區別
這段時間，各大內存顆粒、模組廠商都突然活躍起來，紛紛宣揚各自的DDR4產品進展，雖然DDR4內存標准規范的正式公布是2012年9月底，不過DDR4內存規格原計劃是在2011年制定完成，2012年開始投入生產並上市的。所以在之前的很長一段時間，三星、SK海力士、美光等多家DRAM廠商都已經完成了DDR4內存晶元的開發，並計劃進行量產，奈何DDR4內存標准一直未見公布，他們也不敢輕舉妄動。所以可以說DDR4內存的出現已經是醞釀已久了。
如今DDR4已經欲勢待發，只是在等待相應的主板與CPU上市了，那麼相比DDR3，都有了哪些比較重要的改進呢?下面我就為大家介紹一下吧，歡迎大家參考和學習。
DDR4內存的改進：
1.DDR4內存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.DDR4內存頻率提升明顯，可達4266MHz
3.DDR4內存容量提升明顯，可達128GB
4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低
很多電腦用戶可能對於內存的內在改進不會有太多的關注，而外在的變化更容易被人發現，一直一來，內存的金手指都是直線型的，而在DDR4這一代，內存的金手指發生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實一直一來，平直的內存金手指插入內存插槽後，受到的摩擦力較大，因此內存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內存下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4內存的金手指和內存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩定的同時，讓中間凸起的部分和內存插槽產生足夠的摩擦力穩定內存。
其次，DDR4內存的金手指本身設計有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4內存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm， 筆記本 電腦內存上使用的SO-DIMM DDR4內存有256個觸點，SO-DIMM DDR3有204個觸點，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。
第三，標准尺寸的DDR4內存在PCB、長度和高度上，也做出了一定調整。由於DDR4晶元封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化，如上圖。
頻率和帶寬提升巨大
DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。在DDR在發展的過程中，一直都以增加數據預取值為主要的性能提升手段。但到了DDR4時代，數據預取的增加變得更為困難，所以推出了Bank Group的設計。
Bank Group架構又是怎樣的情況?具體來說就是每個Bank Group可以獨立讀寫數據，這樣一來內部的數據吞吐量大幅度提升，可以同時讀取大量的數據，內存的等效頻率在這種設置下也得到巨大的提升。DDR4架構上採用了8n預取的Bank Group分組，包括使用兩個或者四個可選擇的Bank Group分組，這將使得DDR4內存的每個Bank Group分組都有獨立的激活、讀取、寫入和刷新操作，從而改進內存的整體效率和帶寬。如此一來如果內存內部設計了兩個獨立的Bank Group，相當於每次操作16bit的數據，變相地將內存預取值提高到了16n，如果是四個獨立的Bank Group，則變相的預取值提高到了32n。
如果說Bank Group是DDR 4內存帶寬提升的關鍵技術的話，那麼點對點匯流排則是DDR4整個存儲系統的關鍵性設計，對於DDR3內存來說，目前數據讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內存中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是DDR4整個存儲系統的關鍵性設計。
在DDR3內存上，內存和內存控制器之間的連接採用是通過多點分支匯流排來實現。這種匯流排允許在一個介面上掛接許多同樣規格的晶元。我們都知道目前主板上往往為雙通道設計四根內存插槽，但每個通道在物理結構上只允許擴展更大容量。這種設計的特點就是當數據傳輸量一旦超過通道的承載能力，無論你怎麼增加內存容量，性能都不見的提升多少。這種設計就好比在一條主管道可以有多個注水管，但受制於主管道的大小，即便你可以增加註水管來提升容量，但總的送水率並沒有提升。因此在這種情況下可能2GB增加到4GB你會感覺性能提升明顯，但是再繼續盲目增加容量並沒有什麼意義了，所以多點分支匯流排的好處是擴展內存更容易，但卻浪費了內存的位寬。
因此，DDR4拋棄了這樣的設計，轉而採用點對點匯流排：內存控制器每通道只能支持唯一的一根內存。相比多點分支匯流排，點對點相當於一條主管道只對應一個注水管，這樣設計的好處可以大大簡化內存模塊的設計、更容易達到更高的頻率。不過，點對點設計的問題也同樣明顯：一個重要因素是點對點匯流排每通道只能支持一根內存，因此如果DDR4內存單條容量不足的話，將很難有效提升系統的內存總量。當然，這難不道開發者，3DS封裝技術就是擴增DDR4容量的關鍵技術。
容量劇增 最高可達128GB
3DS(3-Dimensional Stack，三維堆疊)技術是DDR4內存中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶元的容量。
3DS技術最初由美光提出的,它類似於傳統的堆疊封裝技術，比如手機晶元中的處理器和存儲器很多都採用堆疊焊接在主板上以減少體積—堆疊焊接和堆疊封裝的差別在於，一個在晶元封裝完成後、在PCB板上堆疊;另一個是在晶元封裝之前，在晶元內部堆疊。一般來說，在散熱和工藝允許的情況下，堆疊封裝能夠大大降低晶元面積，對產品的小型化是非常有幫助的。在DDR4上，堆疊封裝主要用TSV硅穿孔的形式來實現。
所謂硅穿孔，就用激光或蝕刻方式在矽片上鑽出小孔，然後填入金屬聯通孔洞，這樣經過硅穿孔的不同矽片之間的信號可以互相傳輸。在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB(單顆晶元512MB，共16顆)，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低電壓
更低的電壓：這是每一代DDR進化的必備要素，DDR4已經降至1.2V
首先來看功耗方面的內容。DDR4內存採用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，溫度補償自刷新，主要用於降低存儲晶元在自刷新時消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，溫度補償自動刷新，和T CSE類似)、DBI(Data Bus Inversion，數據匯流排倒置，用於降低VDDQ電流，降低切換操作)等新技術。
這些技術能夠降低DDR4內存在使用中的功耗。當然，作為新一代內存，降低功耗最直接的 方法 是採用更新的製程以及更低的電壓。目前DDR4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。而隨著工藝進步、電壓降低以及聯合使用多種功耗控制技術的情況下，DDR4的功耗表現將是非常出色的。
人們對於DDR4的期望是相當高的，對於它的上市已經等待已久，不過要知道DDR3花了足足三年的時間才完成對DDR2的取代，而DDR4的野心卻是大多了，雖然要到今年底才會正式登場亮相，但是明年就有打算要佔據半壁江山，成為新的主流規格。接下來讓我們看一下近期關於各個廠商關於DDR4內存的生產發布情況。
支持下一代處理器 威剛DDR4內存曝光
威剛近日正式宣布了自己的首批DDR4內存產品，威剛首發的DDR4並不多，只有標準的伺服器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，額定頻率也是2133MHz，電壓1.2，產品編號AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。
不過威剛表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等類型也都正在研發之中，很快就會陸續推出。
這些內存都是供伺服器、工作站使用的，威剛也說他們一直在與Intel密切合作，其DDR4內存完全支持下一代伺服器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至於消費級的DDR4內存，誰也沒有任何消息，不過Intel將在第三季度推出首個支持DDR4的桌面發燒平台Haswell-E，相信很快就會有新內存跟上。
2400MHz DDR4試產 美光DDR4大規模開工
威剛早些時候正式宣布了他們的首批DDR4內存產品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內存已經大規模投產，並在逐步提高產量。
美光表示，目前量產的是4Gb DDR4內存顆粒，標准頻率為2133MHz，並特別與Intel合作，針對將在下半年發布的下一代伺服器平台Xeon E5-2600 v3進行了優化。
新平台架構基於22nm Haswell-EP，將取代去年9月份發布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向雙路伺服器領域。
目前已經發布的DDR4內存頻率都只有2133MHz，這其實是DDR3也可以輕松達到的高度，自然不能凸顯新內存的優勢。美光稱，2400MHz DDR4正在試產，預計2015年正式投產(也就是說今年別期望啥了)。
美光還透露，他們將陸續推出符合JEDEC DDR4標準的完整產品線，涵蓋RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各種規格，ECC也可選有無，到今年第三季度初的時候還會增加NVDIMM。
窄條兼容性強 Virtium發布DDR4內存
DDR4內存終於全面開花結果了。嵌入式存儲廠商Virtium今天也推出了他們的DDR4產品，而且非常特殊，首次採用了ULP超小型規格，高度只有區區17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM內存的標准高度為31.25毫米，稍稍高於DDR3 30.35毫米，而在筆記本上的SO-DIMM高度為30毫米，針對高密度伺服器的VLP甚小型規格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP則是所有類型中最為小巧的，只有標准型的一半多，適用於空間狹窄的嵌入式領域。
Virtium ULP DDR4內存也是伺服器型的URIMM，單條容量4GB(單Rank)、8GB(雙Rank)、16GB(雙Rank)，標准頻率2133MHz，標准電壓1.2V，標准耐受溫度范圍0～85℃，擴展/工業耐受溫度范圍-25/-40～95℃，五年質保。
Virtium表示，這種內存已經經過了客戶的測試和驗證，即將批量供貨。
DDR4變活躍 三星加速投產DDR4內存顆粒
這段時間，各大內存顆粒、模組廠商都突然活躍起來，紛紛宣揚各自的DDR4產品進展，而作為DRAM行業領頭羊、第一家量產DDR4的三星電子又怎麼能保持沉默?韓國巨頭近日宣布，正在加速投產DDR4內存顆粒、內存條。
和威剛、美光一樣，三星也特別提到了Intel將在下半年發布的新一代伺服器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，稱自家的DDR4內存就是為該平台准備的。
三星目前已經量產的DDR4內存都是單Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同晶元封裝規格，單條容量最高32GB，頻率是標準的2133MHz，規格涵蓋RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。
Ⅲ ddr4 2400、3000有什麼區別
兩者只有內存頻率不同，一個2400，一個是3000。
ddr4 2400沒有ddr4 3000處理速度快。一般來說，內存越大，處理數據能力越強，而處理數據的速度主要看內存屬於哪種類型。
理論上來說，當然是頻率越高越好。但頻率越高，內存時序數字就要越高。如果是手動設置過大的內存頻率，還要另外重新設置內存時序。
2400頻率的內存條都有XMP功能，你可以自由的在BIOS設置任意一個頻率。從2400~3000都可以。
拓展資料
DDR內存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的內存規格，並得到了AMD、VIA與SiS等主要晶元組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。
Ⅳ 首批三星A-Die存儲晶元出貨 帶來更低成本的DDR4內存
內存市場又迎來新的「攪局者」，首批三星A-Die內存晶元確認開始出貨。三星B-Die內存晶元被認為是硬體愛好者和超頻玩家的聖杯。你可以想像，當有消息稱三星正在退出其B-Die產品以主推該公司最近的A-Die存儲晶元時，硬體社區的失望。 三星曾經在20納米製造工藝上生產知名的B-Die存儲晶元，而A-Die存儲器則正在轉向更新後的10nm製程。
不幸的是，A-Die的內存產品目前仍然非常稀缺。沒有足夠的樣本來確定A-Die是否比其前身更好或更差。
三星A-Die DDR4模塊的部件號為M378A4G43AB2-CVF，是一組容量為32GB的雙排結構。A-Die的承諾之一是為每個模塊提供更高的密度。三星模塊的額定運行頻率為2933 MHz，CL 21-21-21時序和1.2V工作電壓。
MemoryCow是一家英國內存和存儲零售商，它們率先以128.33英鎊的價格上架了三星M378A4G43AB2-CVF模塊（不含稅價）。因此，我們可以預期該模塊的成本約為157.77美元，這將是市場上最便宜的DDR4-2933 32GB模塊。
Ⅳ DDR4內存條什麼牌子好
比較好的內存條都有金士頓、威剛、宇瞻、三星、英睿達、影馳、阿斯加特、科賦、海盜船、芝奇、ThinkPad（聯想）、惠普、台電等，推薦如下：
1、金士頓(Kingston) DDR4 2666 8GB 駭客神條 Fury雷電系列。金士頓可以說是現在市面上，存儲設備方面的首選了，基本上選購都沒有什麼問題。此款內存條，精選高品質內存顆粒，自帶散熱片設計，這款內存條能與Intel Core i7高規格CPU和X99晶元組出色的兼容，符合JEDEC兼容設置，PNP技術。
2、美商海盜船。推薦型號：美商海盜船(USCORSAIR)DDR4 2666 8GB 復仇者LPX系列 游戲型。原裝進口高性能內存顆粒，DDR4數據傳輸類型，2666MHz頻率，工作電壓1.2V，延遲值C15/C16，支持高性能的XMP2.0自動超頻。這些都保證了其雖然小巧，但保證高性能。
3、推薦型號：威剛（ADATA）DDR4 2666 8GB 萬紫千紅。此款內存條擁有紫色的外觀，嚴選顆粒更耐久，金手指黃金電鍍更穩固，兼容性非常好。DDR4的數據傳輸類型，高性能低電耗，2666MHz的工作頻率，4GB內存大小。威剛對於很多主流游戲的支持也做的很好，電競玩家可以選擇它作為自己的升級款。
4、影馳。推薦型號：影馳 GAMER DDR4 3000 8G。在3000MHz的型號下，擁有比一般的內存條品牌更低的價格，所以這里特別的推薦一下。色彩搭配上選擇深橙色和深灰色，金屬沖壓，質感非常的立體。而不同於其他的內存條附有七色呼吸燈，對於喜歡炫酷燈光的DIY用戶來說，是比較合適的一個選擇。
Ⅵ cxmt是哪家公司
cxmt是長鑫存儲技術有限公司，該公司的股東為睿力集成電路有限公司。長鑫存儲技術有限公司成立於2017年11月16日，注冊地位於安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恆大廈630室，登記機關合肥市經濟開發區市場監督管理局。
長鑫存儲技術有限公司專業從事動態隨機存取存儲晶元（DRAM）的設計、研發、生產和銷售，已建成第一座12英寸晶圓廠並投產。產品有DDR4內存晶元、LPDDR4X內存晶元、DDR4模組。其中DDR4模組是內存市場主流產品。
長鑫存儲技術有限公司對外投資的企業有長鑫存儲技術（上海）有限公司，該企業注冊地址在上海市長寧區虹橋路1438號1幢801、802、805單元（名義樓層9層），成立於2018年8月27日。
有限公司是指由五十個以下的股東出資設立，每個股東以其所認繳的出資額為限對公司承擔有限責任，公司法人以其全部資產對公司債務承擔全部責任的經濟組織。有限責任公司包括國有獨資公司以及其他有限責任公司。
Ⅶ 新基建這一年，產業鏈中最重要的是什麼
2020年1月3日，國務院常務會議確定促進製造業穩增長的措施時，提出「大力發展先進製造業，出台信息網路等新型基礎設施投資支持政策，推進智能、綠色製造」。
2020年3月4日，中共中央政治局常務委員會召開會議，強調「要加大公共衛生服務、應急物資保障領域投入，加快5G網路、數據中心等新型基礎設施建設進度」。
在中央密集部署之下，市場開始熱捧，新型基礎設施建設（以下簡稱新基建）迎來風口。迄今為止，已經將近一年。
在這一年中，無論是信息基礎設施還是融合基礎設施、創新基礎設施，新基建產業鏈條中最重要的一環就是： 存儲 。
很顯然，沒有存儲，無論是5G、雲計算、數據中心還是大數據、人工智慧，都將成為無本之末、無源之水。
事實上，自從世界進入信息時代、數字時代乃至當前的人工智慧時代之後，存儲一直就是最核心、最基礎的支撐技術。
存儲技術：「科幻」未來的必由之路
自從人類步入信息 社會 ，計算和存儲就變的愈發重要起來，計算能力和存儲能力的不斷提升持續拓展著人類的腦力邊界， 社會 生活不再局限於眼前的「苟且」，更多的「詩與遠方」給予了人類無限的遐想。
大數據、人工智慧、自動駕駛、虛擬現實、火星殖民等「天頂星 科技 」逐步由科幻變成現實的過程，讓生活在這個時代的人類無限的憧憬和興奮。所有這些 科技 的實現，無一不是依託更強的算力、更大的存儲。
「運算」+「存儲」構成了人類「科幻」未來的必由之路。
而事實上，從過去到現在，存儲一直是構成了信息技術發展的重要基石之一，各國以及各大公司，在存儲領域的爭斗從未停歇，甚至存儲領域的能力直接影響到了相關國家信息技術發展的進程。
存儲史：也是信息 科技 的爭斗史
翻閱存儲產業的 歷史 ，是一個行業乃至國家信息產業興衰起伏的發展史，從美國、日本、韓國，存儲產業輪番發展與壯大，隨之而來的是存儲晶元技術的飛速進步，與國家信息產業的突飛猛進。
存儲產業的發源地：美國
上世紀50年代，由美國政府牽頭，軍方作為主要采購商，大力發展存儲等集成電路產業，美國一躍成為世界電子信息產業的霸主。藍色巨人IBM、無冕之王Intel都在當時賺到了存儲領域的第一桶金，從而逐漸發展壯大，獨霸一方。
美國IBM公司生產的KeyPunch 031型打孔卡數據記錄裝置
其實，美國IBM公司最早就是靠生產打孔卡數據機起家。1932年，美國IBM公司發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器 — 磁鼓存儲器，採用電磁感應原理進行數據記錄。磁鼓非常笨重，像個兩三米長的巨型滾筒，但磁鼓的存儲容量也只有幾K而已，售價極其昂貴。
1949年，一個叫王安的中國人，在哈佛大學發明了磁芯存儲器，嗅覺敏銳的IBM公司聞風而來，邀請他擔任技術顧問，並購買磁芯器件。到1956年，王安將磁芯存儲器的專利權，以50萬美元賣給IBM公司。磁芯存儲器是繼磁鼓之後，現代計算機存儲器發展的第二個里程碑。直至1970年代初，世界90%以上的電腦，還在採用磁芯存儲器。
Intel在成立之初，就制定了研製晶體管存儲晶元的方向。1969年，Intel推出了64bit容量的靜態隨機存儲器（SRAM）晶元C3101，1970年10月，推出了首款可以大規模生產的1K 動態隨機存儲器（DRAM）晶元C1103，使得每bit（比特）存儲只要1美分，它標志著DRAM內存時代的到來。到1974年，Intel占據了全球83%的DRAM市場份額。
整個1970年代，存儲的王者是美國的存儲廠商，而到了1980年代，日本廠商的存儲時代到了。
存儲產業大發展：日本崛起
70年代，日本跟隨著美國的發展路徑，通過從美國購買核心技術，舉國發展存儲等電子信息產業，NEC、日立、富士通、爾必達、東芝等企業先後崛起，與美國企業德州儀器，莫斯泰克，美光等大殺一方。
為打破存儲技術壁壘，在1976年，由日本通產省牽頭，以日立（Hitachi）、三菱（Mitsubishi）、富士通（Fujitsu）、東芝（Toshiba）、NEC這五大公司作為骨幹，聯合多家日本研究所，組建「VLSI聯合研發體」，攻堅超大規模集成電路DRAM的技術難關。
到了1980年，日本VLSI聯合研發體宣告完成為期四年的「VLSI」項目，實現了多項研發的成果。各企業的技術整合，保證了DRAM量產良率高達80%，遠超美國的50%，構成了壓倒性的總體成本優勢，從而一舉奠定了當時日本在DRAM市場的霸主地位。
雖然在1980年，日本研製的DRAM產品，只佔全球銷量的30%，美國公司佔到60%。但是到了1985年局勢已經完全倒轉。
日本的經濟也隨著半導體產業的繁榮開始騰飛。
由於日本廉價DRAM的大量傾銷，美光被迫裁員，不得已只得向美國政府尋求幫助。而Intel，連續虧損數個季度，DRAM市場份額僅剩下1%。當時，Intel的年銷售額為15億美元，虧損總額卻高達2.6億美元，被迫關閉了7座工廠，並裁減員工。瀕臨死亡的Intel，被迫全面退出DRAM市場，轉型發展CPU，並由此獲得新生。日本電子企業、 汽車 企業的兇猛攻勢，最終引爆了美日兩國的經濟戰爭。
漁翁得利後發制人：韓國半導體借存儲產業騰飛
日美兩國在存儲晶元領域的競爭，快速拉高了對技術、資金的要求，兩國的經濟戰爭又給了韓國半導體產業發展的機會。
80年代，韓國產業聯盟，四大財閥三星、現代、LG和大宇全力進攻存儲產業。韓國政府全力配合，採取了金融自由化政策，松綁融資環境，讓韓國各個財閥能夠輕易調動資金，投入到存儲產業競爭中。同樣的套路，三星在起步初期從美國和日本購買技術，砸重金扶持自有技術和產業。
1992年三星完成全球第一個64M DRAM研發；1994年三星將研發成本提升至9億美元，1996年三星完成全球第一個1GB DRAM（DDR2）研發。至此，韓國企業在存儲晶元領域一直處於世界領跑者地位。
從1983年三星正式宣布進軍存儲器產業，到1992年末三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內存製造商，三星走過了艱難的10年。
從此之後，三星在其後連續蟬聯了近30年世界第一，韓國的經濟也隨之騰飛，實現了向高 科技 引導型經濟的轉型。韓國持續在存儲晶元領域發力，長期保持著世界第一存儲晶元生產大國的地位。目前全球三大存儲器公司，韓國獨占兩席，最近甚至就連英特爾的3D NAND快閃記憶體業務也都賣給了韓國的SK。
新基建，發力存儲正當時
時間來到21世紀，中國經歷了近30年的改革開放，從一窮二白逐步邁入小康 社會 。新的經濟發展需要新的產業動能驅動，產業升級的窗口期打開了，是中國出場的時候了。2014年，籌備許久的《國家集成電路產業發展推進綱要》和國家大基金先後落地，中國的存儲產業得到了騰飛的助力，徐徐拉開大幕。
存儲是未來新基建的「糧食」，5G基礎設施和數據中心的建設，都離不開存儲。在紫光集團等國內晶元巨頭的帶領下，中國的存儲產業將迎來關鍵的發展階段。
2016年6月13日，合肥長鑫由合肥產投牽頭成立，主攻DRAM方向。
2016年7月26日，紫光集團聯合多方成立長江存儲，首個快閃記憶體生產線在武漢建設，一期投資240億美元，一號廠房於2017年9月封頂。
2017年，紫光集團旗下長江存儲研發成功32層三維快閃記憶體晶元，打破了存儲晶元國產化零的突破；2019年64層快閃記憶體晶元宣布研發成功，
2018年4月11日，長江存儲開始搬入機台設備，在當年4季度量產32層三維快閃記憶體，2019年9月，長江存儲宣布其64層三維快閃記憶體啟動量產。到了2020年4月，長江存儲宣布全球首款128層 QLC三維快閃記憶體研發成功，實現了跨越式的發展，中國存儲技術第一次跟上了世界主流存儲技術步伐。。
在內存DRAM領域，合肥長鑫在2017年開始投資建設DRAM工廠，2019年底宣布DDR4 DRAM和LPDDR4 DRAM晶元研發成功。
長江存儲 X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
合肥長鑫投資建設DRAM工廠
不過， 現有 壟斷的存儲市場並不歡迎新進的玩家，存儲大廠三星，SK 海力士和美光壟斷了全球90%以上的市場份額，全球存儲大廠的產能規模是國內公司的幾十倍，技術比國內公司領先好幾代，國內公司在資金、規模和技術任何一項都不佔優勢，長途可謂漫漫。
然而，存儲市場巨大，產值巨大，經濟帶動效用巨大。2019年，全球存儲市場超過1000億美金，國內存儲市場超過500億美金，單一月產能10萬片的存儲器製造工廠投資額就需要100億美金，這也決定了存儲產業 「配得上」國家新基建的這樣的規模和力度。
在過去的幾十年裡，中國成為世界上最耀眼的「明星」，取得了舉世無雙的發展。當前，中國的鐵路、公路和基礎設施建設等傳統的「基建」項目在經過幾十年的高速發展後，已經屹立在「世界之巔」。
可以說，我們正從傳統的不斷縮小的「衣食住行等物質需求」向不斷增大的「交流、溝通、計算和存儲等信息需求」轉變。
「傳統基建」靠的是鋼筋+水泥，「新基建」靠的是計算+存儲。新基建，發力存儲正當時。
在當前的市場環境下，在新舊動能切換的關鍵時期，發力存儲產業正當時。
Ⅷ 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
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理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
Ⅸ ddr4內存什麼時候出 在DDR4內存有什麼
DDR，又稱雙倍速率SDRAM
。Dual
Data
Rate
SDRAM
DDR
SDRAM
是一種高速CMOS動態隨機訪問的內存。美國JEDEC
的固態技術協會於2000
年6
月公布了雙數據速率同步動態存儲器(DDR
SDRAM)規范，JESD79
由於它在時鍾觸發沿的上下沿都能進行數據傳輸，所以即使在1333MHz的匯流排頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s
。DDR
不支持3.3V
電壓的LVTTL
，而是支持2.5V
的SSTL2標准，它仍然可以沿用現有SDRAM
的生產體系，製造成本比SDRAM
略高一些，但遠小於Rambus的價格。DDR存儲器代表著未來能與Rambu
相抗衡的內存發展的一個方向。DDR4與以前的內存介面不兼容，需要主板支持DDR4內存類型。
Ⅹ 求世界上的著名內存供應商
1.現代
個人認為，原廠現代和三星內存是目前兼容性和穩定性最好的內存條，其比許多廣告吹得生猛的內存條要來得實在得多，此外，現代"Hynix（更專業的稱呼是海力士半導體Hynix Semiconctor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內存所普遍採用的內存晶元。目前，市場上比劃超值的現代高頻條有現代原廠DDR500內存，採用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內存晶元，其性價比很不錯。
2.金士頓
作為世界第一大內存生產廠商的Kingston，其金士頓內存產品在進入中國市場以來，就憑借優秀的產品質量和一流的售後服務，贏得了眾多中國消費者的心。
不過Kingston雖然作為世界第一大內存生產廠商，然而Kingston品牌的內存產品，其使用的內存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產品，更多的則是現代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內存顆粒。
Kingston的高頻內存有採用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內存等，其分屬ValueRam系列（經濟型）和HyperX系列。
HyperX系列
Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston 500MHz的HyperX超頻內存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，採用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC晶元，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。
3.利屏
利屏是進來新近崛起的一個內存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮舊金山。公司致力於研發、生產和銷售利屏LPT極限高端內存條產品。公司擁有一支技術過硬的產品研發團隊和足跡遍及中、外的專業銷售隊伍。產品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以"超頻之神"的美譽。
另外還有Kinghourse，NANYA，Micron等品牌，都是不錯的選擇，這里就不一一贅述了。
"利屏"眼鏡蛇DDR400系列內存也是專門為追求性能的玩家所設計，它採用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內存，它採用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。
而利屏的高端極限內存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構，每條內存的表面均有銅質散熱片進行散熱及確保運行的穩定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。
4.勤茂
勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內存，採用CSP技術封裝—這款，勤茂DDR433內存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數不錯。此外，內存外麵包裹著金黃色內存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內存顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。
5.Kingmax 勝創
成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。
通過嚴格的質量控制和完善的研發實力，勝創科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業中最優秀的企業建立了合作夥伴關系。公司以不斷創新的設計工藝和追求完美的信念生產出了高性能的尖端科技產品，不斷向移動計算領域提供價廉物美的最出色的內存模組。
在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內存產品的高速時代，也奠定了Kingmax在內存領域領先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現在的500，Kingmax始終保持著領先的位置，繼續引領著內存發展的方向。說到KingMax內存，就不能不說到它獨特的 "TinyBGA" 封裝技術專利——作為全球領先的DRAM生產廠商，勝創科技在1997年宣布了第一款基於TinyBGA封裝技術的內存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術能以同樣的體積大小封裝3倍於普通技術所達到的內存容量。同時，勝創科技還研製了為高端伺服器和工作站應用設計的1GB StackBGA模組、為DDR應用設計的FBGA模組以及為Rambus RIMM應用設計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。
Kingmax勝創推出的低價版的DDR433內存產品，該產品採用傳統的TSOP封裝內存晶元，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處於同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內存產品，其性能和其它廠家的同類產品大同小異。
6.Corsair（海盜旗）
Corsair（海盜旗）是一家較有特點的內存品牌，其內存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內存，其在DDR400下，可以穩定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和定址時間縮短為原來的一半，這款內存並不比一些DDR500產品差，而且Corsair為這種內存提供終身保修。
而Corsair DDR500內存採用Hynix晶元，這款XMS4000能穩定運行在DDR500，並且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。
7.Apacer（宇瞻）
在內存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注於內存模組行銷，並已經成為全球前四大內存模組供應商之一。據權威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產品銷量與目在前國內排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對於品牌宣傳一直比較低調，精力更多投入到產品研發生產而不是品牌推廣當中。
最近，宇瞻相應推出的"宇瞻金牌內存"系列。宇瞻金牌內存產品線特別為追求高穩定性、高兼容性的內存用戶而設計。宇瞻金牌內存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基於現有最新的DDR內存技術標准設計而成，經過ISO 9002認證之工廠完整流程生產製造。採用20微米金手指高品質6層PCB板，每條內存都覆蓋有美觀精質的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統檢測後，採用高速SMT機台打造，經過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，並經過全球知名系統及主板大廠完全兼容性測試，品質與兼容性都得到最大限度的保證。
宇瞻的DDR500內存（PC4000內存）採用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質相當不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內存顆粒方面，這款內存採用了三星的內存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標准工作電壓2.6V+-0.1V，標准運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。
8.金邦
金邦(Geil)科技股份有限公司是世界上專業的內存模塊製造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內存品牌，並以中文命名的產品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內市場，在極短的時間內達到行業銷量遙遙領先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內存品牌，首推"量身訂做"系列產品，使計算機進入最優化狀態。在聯合電子設備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下，率先推出第一支"DDR400"並成功於美國上市。
金邦高性能、高品質和高可靠性的內存產品，引起業界和傳媒的廣泛關注。在過去幾年中，金邦內存多次榮獲國內權威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩奪國內存儲器市場佔有率三強。
金邦的Geil Platinum系列的DDR500內存（PC4000），採用TSOPII封裝，使用了純銅內存散熱片，可較妥善的解決內存的散熱問題。採用六層低電磁干擾PCB板設計；單條容量256MB，在內存晶元上做了整體打磨並上打上了Geil的印記，"號稱"使用了4ns的內存晶元，但仍可以看出其是採用Hynix的內存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內存參數方面這是默認為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產品。
9.威剛（ADATA）
威剛的高頻內存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價格適宜的DDR500產品，CAS值為3，其沒有使用散熱片，在晶元上的標簽顯示了Adata ID號。
10.OCZ
OCZ的高頻內存在市場上也越來越常見，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3晶元，採用改良的散熱片，標上有OCZ ID號及標准速度，其可以達到DDR500的水準，在DDR400/500下其CAS值均為2.5，還算不錯。
尚卻g－skill，infineon等品牌的資料，望大家能補充！