⑴ 計算機內存儲器一般用什麼作為存儲介質
計算機內存中儲存器一般用ROM作為儲存介質，通電時可以存儲信息，斷電時信息消失。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
(1)微機內存儲器用的材料擴展閱讀：
ROM有多種類型，且每種只讀存儲器都有各自的特性和適用范圍。從其製造工藝和功能上分，ROM有五種類型，即掩膜編程的只讀存儲器MROM（Mask-programmedROM）、可編程的只讀存儲器PROM（Programmable ROM）、可擦除可編程的只讀存儲器EPROM（Erasable Programmable ROM）、可電擦除可編程的只讀存儲器 EEPROM（Elecrically Erasable Programmable ROM）和快擦除讀寫存儲器（Flash Memory）。
⑵ 現代計算機常用的外存儲器採用了磁性材料作為存儲介質，而內存儲器選取了什麼材料製作的集成電路作為存儲
現代計算機常用的外存儲器採用了磁性材料作為存儲介質，而內存儲器選取了半導體材料製作的集成電路作為存儲。
⑶ 為什麼當前計算機內存儲器使用的是一種具有信息存儲能力的磁性材料 這句話是錯的
因為一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導體存儲器，微型機的內存都採用半導體存儲器,
而現在磁芯存儲器已被微型集成電路塊上的半導體存儲器所取代
半導體存儲器就是用半導體集成電路完成的
我們也知道計算機存儲的時候只有0和1,為什麼呢?因為半導體集成電路是將晶體管，二極體等等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，「集成」在一塊半導體單晶片上，從而完成特定的電路或者系統功能。
說簡單點就像控制開關一樣,所以並不是將信息存儲到什麼磁性材料上
⑷ 內存用的是什麼材料做的
做內存用的晶元主要材料是半導體硅;
內存基板用的聚乙稀，基板上的線路用的金屬，好點用銅，不好的用鋁；
⑸ 計算機內存儲器一般用什麼作為存儲介質
計算機內存中儲存器一般用ROM作為儲存介質。
隨機存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
(5)微機內存儲器用的材料擴展閱讀
RAM的特點為：
1、隨機存取
所謂「隨機存取」，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。
當RAM處於正常工作時，可以從RAM中讀出數據，也可以往RAM中寫入數據。與ROM相比較，RAM的優點是讀/寫方便、使用靈活，特別適用於經常快速更換數據的場合。
2、易失性
當電源關閉時，RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。
RAM的工作特點是通電後，隨時可在任意位置單元存取數據信息，斷電後內部信息也隨之消失。
3、對靜電敏感
正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。
4、訪問速度
現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。
5、需要刷新（再生）
現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電後代表1（二進制），未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。
刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
⑹ 在微型計算機中，內存儲器，通常採用...存儲器
在微型計算機中，內存儲器，通常採用半導體存儲器。
一個完整的微型計算機系統包括硬體系統和軟體系統兩大部分。硬體系統由運算器、控制器、存儲器（ 含內存、外存和緩存）、各種輸入輸出設備組成，採用「 指令驅動」方式工作。
半導體存儲器特點是體積小，速度快，有電可存，無電清空，即電腦在開機狀態時內存中可存儲數據，關機後將自動清空其中的所有數據。
(6)微機內存儲器用的材料擴展閱讀
半導體存儲器技術指標主要有：
1. 存儲容量：存儲單元個數M×每單元位數N。
2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間。
3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間。
4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）。
5. 功耗：動態功耗、靜態功耗。
⑺ 內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型
◆存儲晶元（IC）的分類：
內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。
還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。
RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。
由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。
⑻ 微型計算機的內存儲器,通常採用( )材料
半導體mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。 雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。 場效應管的名字也來源於它的輸入端（稱為gate）通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
⑼ 微型計算機中的數據存儲器和程序存儲器通常都用什麼半導體存儲器來承擔
數據存儲器基本上都是SRAM，程序存儲器用ROM，可以長期保存。數據是不用保存的，掉電丟失也可以，但是要求讀寫速度快，這是SRAM的特點。