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怎麼製作存儲器

發布時間: 2022-12-29 19:34:13

A. word怎麼做以儲存器為核心的計算機結構圖

操作如下:
1、選擇SmartArt圖形類型。這一步就是先把最初的組織結構圖創建出來,啟動一個新的文檔。在文檔中輸入「計算器組織機構圖」,字型大小設置為「一號」單擊「插入」「SmartArt」,彈出「選擇SmartArt圖形」對話框,在該對話框左側列表中選擇「層次結構」,在中間區域選擇「表層次結構」,右側我們可以看他的一些說明,點擊確定,這樣我們就做好了最初的組織機構圖
2、設置機構圖的布局。我們可以根據需要改變一些布局;單擊「設計」我們就可以看見基本欄中間區域「更改布局」我們在這里選擇「組織結構圖」
3、這會默認的圖形可能還不符合我們的要求,我們選中第一行的矩形圖形,然後單擊「設計」「添加形狀」按鈕,在下拉菜單中選擇「添加助理」選項
4、上一步是在第二行添加。我們這一步是在第三行添加圖形。選中第一行的矩形圖形,然後單擊「設計」「添加形狀」按鈕,在下拉菜單中選擇「在下方添加形狀」選項,這樣新形狀就會出現在第三行裡面。
5、在組織結構圖中添加文字。設置好布局後,就可以添加文字了,選中第一行矩形,確定插入點在其中,輸入「儲存器」,再輸入的時候,字體會自動調節大小。按照同樣的方法,依次輸入相關的內容。
6、改變組織結構圖的形狀。為了區別對待不同層次的關系,我們可以選擇相應圖形的形狀;我們單擊「格式」「更改形狀」在出現的下拉表中,我們選擇想要的圖形。
7、按照第七步中方法,我們更改第二行和第三行的圖形,最後我們的結構圖就製作完成了

B. 我想在單位做一個存儲的伺服器怎麼做呀

做一個FTP伺服器,在裡面設置許可權,在那天電腦上建立各部門的登陸賬號,然後讓他們點運行連接就行了
http://wenku..com/view/9423b34d2b160b4e767fcf79.html這裡面有FTP的架設方法。
許可權的設置就直接給每個部門設置一個空文件夾,起好該部門的名字,在文件夾的許可權上加入該部門的用戶,只保留ADMIN和這個部門的用戶其他全刪,這樣他們就只能進入自己部門的文件夾了

C. 區域網內文件存儲量大,如何做一個計算機進行硬碟存儲

  1. 如果都用同一個目錄,伺服器上建立文件夾,並共享給everyone,並給完全控制許可權。客戶端「映射網路驅動器」,添加「\ip地址共享名」即可。

  2. 如果每個人一個目錄互不幹涉,伺服器上要給每個人建立一個用戶,每個人建立一個文件夾,並分配一一對應的共享許可權。客戶端還是「映射網路驅動器」,方法同上,共享名應該每人一個不一樣,用分配到的賬號密碼登錄即可。

  3. 區域網(Local Area Network,LAN)是指在某一區域內由多台計算機互聯成的計算機組。一般是方圓幾千米以內。區域網可以實現文件管理、應用軟體共享、列印機共享、工作組內的日程安排、電子郵件和傳真通信服務等功能。區域網是封閉型的,可以由辦公室內的兩台計算機組成,也可以由一個公司內的上千台計算機組成。

  4. 硬碟是電腦主要的存儲媒介之一,由一個或者多個鋁制或者玻璃制的碟片組成。碟片外覆蓋有鐵磁性材料。

D. 如何搭建一個區域網文件存儲伺服器

最簡單的辦法:
找一台機器,把其中一個文件夾做成共享,guest許可權全開,然後將該文件夾映射驅動器到每個人的電腦上,在他們的電腦上顯示的就是一個本地硬碟一樣。熟練一點的10分鍾搭建完畢。
但是這個有個問題,區域網內每個人都能下載和修改文件,對文件安全性存在一定隱患。但是這個滿足基本的存儲和共享是沒有問題的。
復雜一點的辦法:
搭建專業伺服器,不管是windows還是linux伺服器都有專業的ftp伺服器,網上搜一下什麼教程啥的都出來了,但是這個不熟練的話,得花些時間搞定。但是這個對文件安全性絕對有保障,控制也更嚴格,容易管理。

E. 如何製作一個簡易電能存儲器

大容量,高品質電容可以的。其它的除了電池還真沒有見過。

F. 內存是怎麼製作的

1. 內存的工作原理
顯然,內存指的是PC中常見的內存條,這一類內存屬於動態隨機訪問存儲器 DRAM (Dynamic Random Access Memory), 它的基本存儲單元非常簡單易懂,由一個N型場效應晶體管(NMOS FET)和一個電容組成。在這里可以把晶體管看成一個理想的開關。 當NMOS晶體管打開時,檢測電容放電造成的電壓改變就是讀取0/1的過程,向電容注入不同電荷就是寫入過程;NMOS晶體管關閉時,電荷保存在電容上,處於存儲狀態。
DRAM的優勢在於其結構簡單,面積小,所以在同樣面積內可以塞入更多存儲單元,存儲密度高,現在內存條的容量都頂得上多年前的硬碟了。大家可以自己算算一根2Gb的內存裡面有多少這樣的單元。 缺點則是:
1. 每次讀取都是破壞性的,電容放電後電荷就尼瑪沒有了啊,所以還要重新寫入一遍啊!!!
2. 電容還尼瑪會漏電啊,一般寫入後幾十個微秒之後就漏得沒法檢測了(現在的電容一般是25pF),整個陣列都要不停的刷新,就是把已經存儲的內容讀一次再寫進去,期間什麼都不能做啊!!!
3. 電容太小導致很多問題,比如速度不能太快啊,會被宇宙粒子打到然後就尼瑪中和了啊 ( Soft error ) !!!!
4. 沒有電的時候存儲的內容就丟掉了,這直接導致大量停電導致的文檔丟失等杯具。。。。。
(使得存儲器能夠在無電時保留信息,台灣人施敏大師和一個韓國人發明了快閃記憶體Flash memory。半導體業已經貢獻過兩個諾貝爾物理學獎:晶體管和集成電路,施敏怕是這個行業中僅存的還有機會拿獎的人,他的合作者早早掛了甚至連專利費都沒拿多少。)
2. 如何用半導體工藝製作以上的電路?
DRAM製造工藝是通用的集成電路製作工藝的子集,這個問題就可以轉化為「集成電路是如何製造的?」而這個問題就比較復雜了,我爭取用「蓋樓」這個大家都能理解的例子講清楚。
集成電路從其橫切面來看,是分層的,基本使用同種材料實現類似功能,層與層之間通過通孔(via)做電學連接。
這一結構其實很像一座樓房,晶元製造的過程也有點像蓋樓的過程,非常簡化的步驟如下:
1. 設計圖,也就是晶元的版圖(layout);版圖是一幅分層的俯視圖,包含了每一層的物理形狀信息和層與層間的位置連接關系。版圖被轉化成掩模(mask),每張掩模則是某一層的俯視圖,一顆晶元往往有幾十張掩模。晶元的每層是被同時製作的,就像蓋樓是必須3樓蓋好才能蓋4樓。(本來想放一些自己手頭上的版圖和掩模給大家看看,涉及版權等問題,有興趣的同學自己搜吧)
2. 平整土地。這個沒什麼說的,絕大部分晶元都是從平整的芯圓(wafer)開始的,要對芯圓進行清洗啊什麼的
3. 地基和底層。這是在製造過程中最關鍵最復雜的一步,因為所有重要的有源器件(active device)如晶體管都是在電路的最底層。 首先要劃線(光照Photolithography)界定哪裡要挖掉哪裡要保留,然後挖坑(ecthing刻蝕),在需要的地方做固化(離子注入Ion Implantation),蓋牆鋪管道什麼的(化學沉積和物理沉積CVD&PVD)等等。具體步驟十分復雜,往往需要十幾張掩模才能完成,不過大家可以自行腦補一座大樓怎麼從地上長出來的。
4. 高層。較高的層就相對簡單了,還是劃線決定(光照Photolithography)哪裡要做牆或柱子,哪裡是空間,再沉積金屬把這些東西長出來。這些層次基本都是銅或鋁金屬連接,少有復雜器件。
5. 封頂。做一層金屬化合物固化保護,當然要把連接點(PAD)露出來。
6. 清洗,切割。 這一步蓋樓是沒有的。。。。一塊300毫米直徑的晶圓上可能有成百上千塊晶元,像切蛋糕一樣切下來。
7. 封裝。 有點像外立面裝修,然後給整座樓通水通電通氣。一塊小小的硅晶元就變成了我們經常看到的樣子,需要的信號和電源被連接到一個個焊球或針腳上。封裝是一門很大的學問,對晶元的電氣性能影響巨大。

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