A. 在計算機中什麼是內存存取時間和存儲周期
存取時間，指的是CPU讀或寫內存內數據的過程時間。
以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。
存儲周期：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間
內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快。
(1)器件存儲周期擴展閱讀
存儲器的兩個基本操作為「讀出」與「寫入」，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為「取數時間TA」。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為「存儲周期TMC」。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。
其中存儲單元(memory location)簡稱「單元」。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，並按一定順序編號，稱為「地址」。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字，則稱為「字」。
字的長度，即字所包含的位數，稱為「字長」。如以位元組來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入，雖經反復使用，仍保持不變。如須寫入新內容，則原內容被「沖掉」，而變成新寫入的內容。
B. 存儲周期是指
存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間
體現主存的速度 （納秒ns）
存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-3ms=10-6s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快，但價格也便隨之上升。在選配內存時，應盡量挑選與CPU系統匯流排時鍾周期相匹配的內存條
存儲周期，通常用訪問周期T（又稱存取周期、存取時間等）表示。
存儲系統的存儲周期與命中率H的關系非常大。
命中率：可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的概率，它一般用模擬實驗的方法得到。選擇一組有代表性的程序，在程序執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2，然後代入下面的（3－1）關系式計算。
·······（3－1）
整個存儲系統的訪問周期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問周期T1，T2和命中率H來表示：
T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）
當命中率H→1時，T→T1，即存儲系統的訪問周期T接近於速度比較快的M1存儲器的訪問周期T1。
C. 存儲器讀寫的工作周期是指什麼
存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。
位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(byte)。當一個數作為一個整體存入或取出時，這個數叫做存儲字。存儲字可以是一個位元組，也可以是若干個位元組。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。
為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。
存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內，各個存儲單元的內容可通過指令隨機訪問，這樣的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。
因於結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。
存儲器的主要技術指標
存儲器的特性由它的技術參數來描述。
一、存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。主存儲器的容量是指用地址寄存器(MAR)產生的地址能訪問的存儲單元的數量。如N位字長的MAR能夠編址最多達2N個存儲單元。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。
二、存儲周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存儲周期一般為100ns-200ns。
三、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。
四、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標
D. 存儲周期是指
存儲周期，是指主存儲器兩次啟動操作之間需要的最小時間間隔，也稱之為主存儲器周期時間。
存儲周期具有以下特點：
1、存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間體現主存的速度；
2、存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫；
3、存儲周期，通常用訪問周期T表示；
4、存儲系統的存儲周期與命中率H的關系非常大。
E. 一般電子廠的物料儲存期限標准
1、電子元器件有效儲存期為：12個月
2、塑膠件有效儲存期為：6個
3、五金件有效儲存期為：12個月
4、包裝材料有效儲存期為：6個月
5、成品的有效儲存期為：6個月
儲存條件：倉庫須通風、通氣、通光、干凈、整潔、保持空氣流通，下雨天應關好門窗，以保證物料乾燥，防止受潮，倉庫內物料以常溫(5℃-35℃，相對濕度量45%-85%)環境儲存。
(5)器件存儲周期擴展閱讀：
儲存注意事項：
1、儲存應遵循三原則:防火、防水、防壓；定位、定量、定點，先進先出。
2、物料上下疊放時要做到上小下大，上輕下重。
3、物料須檢驗合格品方可入庫，嚴禁品質未檢驗材料的入庫，免檢產品除處。
4、易受潮物料，嚴禁直接擺放於地上，應放貨架或卡板上進行隔離。
5、呆廢料必須分開儲存,並作定期提報處理。
6、晚上下班前應關好門窗及電源。(特別是貴重物品下班前應特別檢查)
參考資料來源：網路-物料管理
參考資料來源：網路-物資儲存規劃
參考資料來源：網路-電子工業
F. 最近在整理庫存物料，有許多電子物料放置時間都比較長了，想知道電子元件的儲存周期是多久
電子元件的存儲周期和儲存環境密切相關,溫度,濕度,是否密封包裝.
電阻,陶瓷電容保存周期最長,只要焊點沒有氧化,都可以使用,一般可以保存5年-10年.
電解電容,涉及電解液乾涸問題,一般可以保存3年-5年.
IC除了特殊要求(例如潮敏等)室內乾燥環境下一般可以保存3年.
G. 存儲器周期（Memory Cycle）
主存儲器（ Main memory ）是一種讀/寫存儲器（ read/write memory ），它允許以所謂的（ in what is known as ）存儲周期來檢索(讀取)（ retrieved (read) ）和存儲(寫入)（ stored (written) ）數據。
存儲器周期（ The memory cycle ）包括通過讀/寫操作或通過單獨的讀和寫操作（ by separate read and write operations. ）從存儲器中讀出數據和/或將數據寫到存儲器中（ reading the data out of memory and/or writing the data into memory ）。
存儲器周期基於用於從存儲器讀取數據和/或將數據寫入存儲器（ reading and/or writing data from and into memory ）的固定（恆定）時間段（ fixed (constant) time periods ）。
一旦（ As soon as ）啟動（ initiated ）讀和/或寫操作，幾乎同時發生地址轉換（ address translation occurs ），然後開始（ begin ）一個或多個讀和/或寫周期。
在讀或寫周期開始之前必須發生的最重要的過程之一是內存地址轉換（ memory address translation ）。
將內存視為從 地址 0 開始到請求者（ CPU or IO(C) ）可用的最大內存地址的一系列內存位置。
接收或發送郵件使用類似的概念（ uses a similar concept ）。在接收或發送郵件之前，信封（ envelope ）上必須有地址。
內存使用相同的原理（ uses the same principle ）。
存儲器邏輯（ Memory logic ）標識要從存儲器中讀取或寫入存儲器字（ a memory word ）的存儲器地址。存儲器地址可以是整個存儲器地址范圍（ 0 到最大值 ）中的任何一個。
為了識別期望的存儲器地址，存儲器邏輯使用被指定為地址寄存器（ the address register ）的寄存器和/或翻譯器或解碼器（ translators or decoders ）。
存儲器邏輯從 CPU 或 I/O 接收邏輯地址（ logical address ），並將其臨時存儲在地址寄存器（ the address register ）中，然後將其轉換為可以讀取或寫入的物理地址（ physical address ）。
地址寄存器和/或轉換器（ The address register and/or translator ）識別（ identifies ）從中讀取或寫入位的確切位置（ the exact location ）。
地址寄存器或轉換器的內容標識存儲器地址（ the memory address ）。
存儲器邏輯旨在（ is designed to ）根據其使用的存儲器類型（ type of memory ）進行選擇。
它可以被設計為識別單個存儲器 pcb （ a single memory pcb ）的存儲器地址，或者可以被設計為識別位於四個或更多存儲器模塊之一（ one of four or more memory moles ）中的地址。
如存儲器的體系結構中所述（ As stated in the architecture of memory ），包含在存儲器地址中的字（ the word ）可以是一個或多個位（ one or more bits ），大多數計算機具有的字至少具有8位，某些字的長度最多為128位。
從內存讀取和/或寫入的變體（ variations ）可以包括字的上半部分或下半部分（ include the upper or lower half of the word ），或給定計算機設計范圍內（ within the design of a given computer ）的任何其他變體。根據指令類型（ instruction types ）和程序的不同而不同。
同樣，如果將一台計算機標識為 8 位計算機 （ an 8-bit computer ），並且讀或寫操作需要 16 位字 （ a 16-bit word is required for a read or write operation ），則必須使用兩個連續的內存地址（ two consecutive memory addresses ）來完成該操作（ to complete the operation ）。
還有許多其他變體。您計算機的指令集（ the instruction repertoire set of your computer ）和技術手冊（ the technical manual ）將提供有關計算機內存操作和限制的詳細信息（ details of your computer』s memory operations and limitations ）。
這是內存地址轉換（ memory address translation ）的兩個示例（ two examples ）。
對於第一個示例，請參考圖 6-6。
它顯示一個 4 位的存儲器地址（ it shows a 4-bit memory address ）。
內存地址寄存器或轉換器（ The memory address register or translator ）包含16 8 ，如下所示：
H. 電子元器件的儲存時間是多久
跟溫度，濕度和包裝的密封性都有關系。其中，濕度和密封性主要影響可焊性。 表面氧化對插座和開關等機械接觸的器件影響非常大，尤其是帶金手指的高頻插座。對於其他直插件影響要小些，這類器件要氧化的相當嚴重才會影響焊接。對應貼片件而言，引腳越小，表面氧化的影響越大。IC引腳氧化可以用清洗劑清洗或者手工補焊，但是這種處理很繁瑣，工藝性比較差。BGA如果焊點氧化，有可能會需要重新植球。 民用級一般是3到5年，這個時間是指其可以可靠使用的時間。 電阻和陶瓷電容放的久些。 集成度高的IC，放的要短些，因為集成度越高，原子的熱運動對特性的影響越大，時間久了熱擴散會破壞IC的內部結構。 電解電容放的時間也比較短，時間久了電解液會幹掉。