『壹』 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種
動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。
『貳』 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念
RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。
『叄』 什麼是動態存儲器的定時刷新
動態刷新是指定期存放「1」的電容重新充電以補充泄路通路放掉的電荷。
也有表達刷新是指周期性的對電容執行讀出再寫入的操作。
『肆』 動態隨機存儲器為什麼要進行刷新
dram的存儲單元是用的電容的充放電來表示01的，如果電容有點表示為1，沒有電表示為0.但是因由於電容會通過電阻放電，隨著時間推移會造成1變成0，因此刷新的工作是將數據讀出來再寫進去，相當於重復給電容重復充電，保證數據不丟失。
『伍』 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種
動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。
『陸』 DRAM需要刷新。SRAM不需要刷新。這里的刷新是什麼意思
刷新是指給儲存數據的電容重新充電，因為sram是用晶體管存數據所以不用刷新
『柒』 存儲器的刷新有幾種方式何謂「死時間」
1. 集中式刷新：刷新方式為前面的時間一直進行讀取操作，後面的時間進行刷新。例如：對64*64的矩陣刷新，存取周期是0.5us，刷新周期為2ms
存取一次的時間=刷新一次的時間，那麼刷新完64行需要的時間為：64*0.5=32us，說明這32us里不能進行讀寫操作
2. 分散式刷新：它擴大了讀寫周期，也就是說讀一次需要時間為0.5us的話，那麼一次的讀寫周期為1us，因為它包含了刷新用的0.5us。
3. 非同步式刷新：它將每一行的刷新都分開來，也就是說只要在規定的時間完成對每一行一次的刷新就行了，(2ms/64)間隔進行一次刷新,這里的2ms是規定的，因為DRAM要求，至少2ms更新所有行一次。
不與固定相作用的組分的保留時間。死時間（dead time）,從進樣到惰性氣體峰出現極大值的時間稱為死時間.