當前位置:首頁 » 服務存儲 » 什麼是存儲卡數據
擴展閱讀
webinf下怎麼引入js 2023-08-31 21:54:13
堡壘機怎麼打開web 2023-08-31 21:54:11

什麼是存儲卡數據

發布時間: 2022-02-09 20:32:59

A. 內存卡的儲存數據的原理

存儲原理,還是要從EPROM和EEPROM說起。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去,然後重新寫入。其基本單元電路(存儲細胞)如下圖所示,常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路,簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似,是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區,通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中,與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0,浮空柵極帶電後(譬如負電荷),就在其下面,源極和漏極之間感應出正的導電溝道,使MOS管導通,即表示存入0。若浮空柵極不帶電,則不形成導電溝道,MOS管不導通,即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似,它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵,前者稱為第一級浮空柵,後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極,使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓,第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應,使電子注入第一浮空柵極,即編程寫入。若使VG為負電壓,強使第一級浮空柵極的電子散失,即擦除。擦除後可重新寫入。

快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示,與EEPROM類似,也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄,作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同,在第二級浮空柵加以正電壓,使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應,把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除,因此各單元的源極聯在一起,這樣,快擦存儲器不能按位元組擦除,而是全片或分塊擦除。 到後來,隨著半導體技術的改進,快閃記憶體也實現了單晶體管(1T)的設計,主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵,

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0,無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣,寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。

寫入時只有數據為0時才進行寫入,數據為1時則什麼也不做。寫入0時,向柵電極和漏極施加高電壓,增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來,電子就會突破氧化膜絕緣體,進入浮動柵。

讀取數據時,向柵電極施加一定的電壓,電流大為1,電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態(數據為1)下,在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓,源極和漏極之間由於大量電子的移動,就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態(數據為0)下,溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後,很難對溝道產生影響。

B. 儲存卡存儲數據原理

儲存卡也可以叫做快閃記憶體主要分為NOR Flash和NAND Flash兩種,兩種快閃記憶體的原理有所不同,下面介紹的就是這兩種快閃記憶體運作的基本原理。
NOR Flash
快閃記憶體將數據存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內,在單階存儲單元(Single-level cell, SLC)設備中,每個單元只存儲1比特的信息。而多階存儲單元(Multi-level cell, MLC)設備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲1比特以上的數據。
快閃記憶體的每個存儲單元類似一個標准MOSFET, 除了晶體管有兩個而非一個閘極。在頂部的是控制閘(Control Gate, CG),如同其他MOS晶體管。但是它下方則是一個以氧化物層與周遭絕緣的浮閘(Floating Gate, FG)。這個FG放在CG與MOSFET通道之間。由於這個FG在電氣上是受絕緣層獨立的, 所以進入的電子會被困在裡面。在一般的條件下電荷經過多年都不會逸散。當FG抓到電荷時,它部分屏蔽掉來自CG的電場,並改變這個單元的閥電壓(VT)。在讀出期間。利用向CG的電壓,MOSFET通道會變的導電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定(而該單元的VT受到FG上的電荷控制)。這股電流流過MOSFET通道,並以二進制碼的方式讀出、再現存儲的數據。在每單元存儲1比特以上的數據的MLC設備中,為了能夠更精確的測定FG中的電荷位準,則是以感應電流的量(而非單純的有或無)達成的。
邏輯上,單層NOR Flash單元在默認狀態代表二進制碼中的「1」值,因為在以特定的電壓值控制閘極時,電流會流經通道。經由以下流程,NOR Flash 單元可以被設置為二進制碼中的「0」值。
1. 對CG施加高電壓(通常大於5V)。
2. 現在通道是開的,所以電子可以從源極流入汲極(想像它是NMOS晶體管)。
3. 源-汲電流夠高了,足以導致某些高能電子越過絕緣層,並進入絕緣層上的FG,這種過程稱為熱電子注入。
由於汲極與CG間有一個大的、相反的極性電壓,藉由量子穿隧效應可 以將電子拉出FG,所以能夠地用這個特性抹除NOR Flash單元(將其重設為「1」狀態)。現代的NOR Flash晶元被分為若干抹除片段(常稱為區扇(Blocks or sectors)),抹除操作只能以這些區塊為基礎進行;所有區塊內的記憶單元都會被一起抹除。不過一般而言,寫入NOR Flash單元的動作卻可以單一位元組的方式進行。
雖然抹寫都需要高電壓才能進行,不過實際上現今所有快閃記憶體晶元是藉由晶元內的電荷幫浦產生足夠的電壓,所以只需要一個單一的電壓供應即可。

C. 存儲卡上個種數據代表什麼義意

也沒有太多的數據吧?一個是容量,當前大多單位為G;另外一個讀寫速度指標,CLASS等級。

D. 什麼是存儲卡

現在主要的存儲卡類型很多,主要有小型快閃記憶體卡(CF卡—compact flash),智慧卡(SM卡—smart media)和記憶棒(MS卡—Memory Stick),xD圖像卡、以及多媒體卡(MMC卡—MultiMedia Card)和安全數字卡(SD卡—Secure Digital)等。下面我們來逐一介紹:
1.CF卡
CF卡是最早推出的存儲卡,也是大家都比較青睞的存儲卡。CF卡得以普及的原因很多,其中比較重要的一點就是物美價廉。比起其他數碼存儲卡,CF卡單位容量的存儲成本差不多是最低的,速度也比較快,而且大容量的CF卡比較容易買到。
我們可以接觸的到CF卡分為CF Type I/CF Type II兩種類型。由於CF存儲卡的插槽可以向下兼容,因此TypeII插槽既可以使CF TypeII卡 又可以使用CF Type I卡;而Type I插槽則只能使用CF Type I卡,而不能使用CF Type II卡,朋友們在選購和使用的時候一定要注意。
2.SD卡
SD卡體積小巧,廣泛應用在數碼相機上,是由日本的松下公司、東芝公司和SanDisk公司共同開發的一種全新的存儲卡產品,最大的特點就是通過加密功能,保證數據資料的安全保密。SD卡在外形上同MultiMedia Card卡保持一致,並且兼容MMC卡介面規范。不過注意的是,在某些產品例如手機上,SD卡和MMS卡是不能兼容的。SD 卡在售價方面要高於同容量的MultiMedia Card卡。
3.MS卡
在5年前,索尼公司生產了它自己的快閃記憶體記憶卡,就是記憶棒—Memory Stick。其應用於索尼公司出的數碼產品,掌上電腦、MP3、數碼相機、數碼攝像機等等數碼設備。由Memory Stick所衍生出來的Memory Stick PRO和Memory Stick DUO也是索尼記憶棒向高容量和小體積發展的產物。
4.SM卡
SM卡最早是由東芝公司推出的,它僅僅是將存儲晶元封裝起來,自身不包含控制電路,所有的讀寫操作安全依賴於使用它的設備。盡管由於結構簡單可以做得很薄,在便攜性方面優於CF卡,但兼容性差是其致命之傷,一張SM卡一旦在MP3播放器上使用過,數碼相機就可能不能再讀寫。其市場表現已呈龍鍾之態,不會再有更多新的設備支持它。
5.MMC卡
MMC卡是由Sandisk和西門子於1997年聯手推出的,它普及還沾了點SD卡的光。後來推出的SD卡標准中保留了設備對MMC卡的兼容,就是說雖然使用MMC卡的設備無法使用SD卡,而使用SD卡的設備卻可以毫無障礙地使用MMC卡,在某些時候使得MMC順利成為SD卡的代替品。MMC卡的大小和SD基本一樣,比SD卡要薄一點,不過在讀取速度上還是SD強。因此價格也是MMC比較便宜。

6.xD圖像卡
xD圖像卡是繼上面幾種存儲卡而後生的存儲卡產品,是由富士膠卷和奧林巴斯光學工業為SM卡的後續產品成功開發的產品。它的特點是集體積更小、容量更大於一身,xD圖像卡設計只有一張郵票那麼大,未來圖像存儲能力高達令人驚嘆的8GB。
存儲卡的使用
一般產品用什麼樣的存儲卡也和公司的合作政策有關系。比如有些產品只支持自己公司出的存儲卡,像Sony和PanaSonic那樣;有些產品則支持多種類型的存儲卡,以更好的方便用戶,博得更多用戶群的喜愛。不過大致也有一定的方向,我們來綜合說說吧:
數碼相機:
1.索尼的數碼相機不用當然就是用自己的存儲卡Memory Stick或者Memory Stick PRO了,這個毫無異議;
2.松下的數碼相機也是用SD卡;
3.佳能以前是用比較廉價的CF卡,不過慢慢地也向體積細小的SD卡靠攏了;
4.在xD卡沒出來以前,奧林巴斯和富士的數碼相機是採用SM卡作為存儲卡的,不過奧林巴斯和富士合作開發出xD卡後,毫無疑問,都一起拋棄了前途昏暗的SM卡,xD卡就自然是它的存儲介質了。
5.柯尼卡美能達在去年開始合並,在合並以前,柯尼卡的數碼相機是採用MS/SD/MMC雙插槽的設計,美能達則是採用SD/MMC卡的,在合並後,柯尼卡美能達的數碼相機都是採用SD/MMC卡為存儲介質。
6.三星是比較後續的數碼相機廠商,因此其對存儲卡並沒有一個很明確的定向使用,有支持SD/MS的,也有支持CF/SD的。
7.至於其他大廠,例如柯達、賓得、卡西歐等品牌都採用的是SD卡作為介質,就不一一解說了,因為基本的方向都是朝著方便輕巧發展,自然是SD卡為主了。

PDA:
1.索尼的PDA還是用自己的存儲卡Memory Stick或者Memory Stick PRO。
2.惠普、DELL、PALMONE等品牌是主要以SD卡為主要的存儲介質,也有SD/CF雙卡設計。
3.華碩、ACER、東芝等品牌也是以CF為主要的存儲介質,也有SD/CF雙卡設計的。

E. 內存卡是怎麼存數據的

SD卡存儲卡,是用於手機、數碼相機、攜帶型電腦、MP3和其他數碼產品上的獨立存儲介質,一般是卡片的形態,故統稱為「存儲卡」,又稱為「數碼存儲卡」、「數字存儲卡」、「儲存卡」等。存儲卡具有體積小巧、攜帶方便、使用簡單的優點。同時,由於大多數存儲卡都具有良好的兼容性,便於在不同的數碼產品之間交換數據。近年來,隨著數碼產品的不斷發展,存儲卡的存儲容量不斷得到提升,應用也快速普及。

F. 內存卡是怎樣存儲數據的

存儲卡是一種固態產品,也就是工作時沒有 運 動部件。存儲卡採用快閃記憶體(flash)技術,是一種穩定的存儲解決方案,不需要電池來維持其中存儲的數據。對所保存的數據來說,存儲卡比傳統的磁碟驅動器安全性和保護性都更高;比傳統的磁碟驅動器及Ⅲ型PC卡的可靠性高5到10倍,而且存儲卡的用電量僅為小型磁碟驅動器的5%左右。存儲卡工作時一般採用邏輯定址方式,它沒有磁頭和磁軌的轉換操作,因此在訪問連續扇區時,操作速度比磁碟的物理定址方式速度快。

G. 關於手機存儲卡數據

你把存儲卡拔出來用讀卡器試試~一般來說是不會有這個問題的,存儲卡不可能因為這樣一摔就壞掉的~

H. SIM卡主要存儲用戶的哪些數據

而sim卡存儲的數據可分為四類:第一類是固定存放的數據。這類數據在me(mobile
equipment)被出售之前由sim卡中心寫入,包括國際移動用戶識別號(imsi)、鑒權密鑰(ki)等;第二類是暫時存放的有關網路的數據。如位置區域識別碼(lai)、移動用戶暫時識別碼(tmsi)、禁止接入的公共電話網代碼等;第三類是相關的業務代碼,如個人識別碼(pin)、解鎖碼(puk)、計費費率等;第四類是電話號碼簿,是手機用戶隨時輸入的電話號碼。不是全部都一樣

I. 什麼叫存儲卡有哪些類別各有什麼來歷

存儲卡(Memory card)簡稱:SD卡存儲卡,是用於手機、數碼相機、攜帶型電腦、MP3和其他數碼產品上的獨立存儲介質,一般是卡片的形態,故統稱為「存儲卡」,又稱為「數碼存儲卡」、「數字存儲卡」、「儲存卡」等。

存儲卡具有體積小巧、攜帶方便、使用簡單的優點。同時,由於大多數存儲卡都具有良好的兼容性,便於在不同的數碼產品之間交換數據。


大致分為五大類別:

第一類:MMC系列

SM(Smart Media)卡是由東芝公司在1995年11月發布的Flash Memory存貯卡,三星公司在1996年購買了生產和銷售許可,這兩家公司成為主要的SM卡廠商。SmartMedia卡也是市場上常見的微存貯卡,一度在MP3播放器上非常的流行。