㈠ mate20pro主板存儲晶元壞了
建議提前備份好手機中的數據（QQ、微信等第三方應用需單獨備份）並攜帶保修憑證前往附近的華為客戶服務中心進行維修，華為客戶服務中心地址信息查詢方法如下：
1、打開我的華為APP，點擊服務 > 到店維修（服務APP查詢路徑為：點擊到店維修，或者快捷服務的更多 > 點擊到店維修 > 選擇城市/輸入地址）。
2、通過電腦登錄華為消費者業務網站 > 導航欄的服務支持 > 查找服務店 > 輸入省份/城市/縣區。
您也可以通過下方鏈接進行查詢：客戶服務中心預約服務寄修服務
溫馨提示：可提前與華為客戶服務中心電話溝通確認營業時間。如果附近華為客戶服務中心較遠，可以選擇寄修服務。
㈡ u盤存儲晶元壞了怎麼恢復
解決方案：
1.U盤晶元壞幾種情況：
一是控制晶元燒壞，二是存儲晶元燒壞，三是介面短路
2.在晶振啟振的情況下，介面沒開路，插入PC，沒任何反應，可以判斷主控壞
3.能識別U盤，但是格式不了，就是快閃記憶體壞
4.晶元未燒損，恢復軟體可恢復U盤里的文件
㈢ CPU開蓋後如何裸DIE安裝
這就看你的散熱器了，如果是直觸式銅管，那就還是需要加一個蓋子，我開了蓋試過直接安散熱器，效果很不理想，因為晶元的面積太小，只接觸的到一根熱管。最後我還是把原來的蓋子加在了晶元和散熱器之間，溫度還是有所改善的，因為開蓋之後更換了晶元和蓋子之間的硅脂
如果是全銅底座就可以直接塗了硅脂之後安到CPU上，動作要輕，不然把晶元壓壞了
㈣ 使用熱風槍拆、焊MP3存儲晶元
MP3的存儲晶元基本都是表貼的。在使用熱風槍拆焊時要按如下方法操作：
1、用熱風槍對著要拆的晶元吹，記住要讓晶元均勻受熱，且溫度要控制在40到60度之間。
2、等晶元熱度上來後，用小攝子輕輕挑動晶元就拆下來了。
3、把晶元拆下後要清理一下每個引腳的焊點，不能存在短路，沒有焊錫的要適當鍍一些。
4、把晶元按方位輕輕放在拆下來的位置處，注意每個焊點要與引腳相對應。
5、用熱風槍對著放好的晶元吹，溫度和受熱要控制好，等熱度上來後，用攝子等工具輕輕按壓晶元就可以了。
6、檢查一下就沒有虛焊與漏焊，如有用平板電烙鐵再補焊一下，大功告成。
㈤ 金士頓u盤拆解方法
DIY&分享—GravityShare
U盤，由於其小巧便於攜帶、存儲容量大、價格便宜、性能可靠等優勢成為電腦周邊使用頻率最高的設備之一。
U盤，全稱USB快閃記憶體檔，英文名「USB flash disk」。它是一種使用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，通過USB介面與電腦連接，實現即插即用。
這次我們拆解一款32G的U盤一探其內部組成。
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G01
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G02
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P01 32G U盤
播放下面視頻觀看最直接的拆解過程：
V01 製作過程
圖文部分↓
一、拆解准備
1、材料工具准備
1、U盤(32G) 1 個
2、美工刀1 把
3、其他工具等等
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P02 拆解主角
二、拆解過程分享
取下U盤的蓋子，由於塑料殼子四周是採用超聲波焊接的方式固定的，所以用美工刀在殼子的四周割開一條縫隙：
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P03 取下蓋帽
對於這種超聲波焊接的方式，優點是焊接速度快，焊接強度高、密封性好，但是缺點也有：一次性焊接，後續開蓋維修等麻煩，拆開後難以重新固定：
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P04 拆開蓋子
取出電路板，體積非常小，電路板厚度小：
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P05 取出板子
PCB的頂層有兩個IC晶元，一個是主控制器，另一塊是快閃記憶體晶元：
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P06 頂層
PCB底層也有一塊快閃記憶體晶元以及貼片的LED指示燈：
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P07 底層
藉助放大鏡來看晶元表面的絲印信息：
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P08 放大
控制器晶元為UP23N：
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P09 UP23N
快閃記憶體晶元上面無任何絲印，估計是16G NAND Flash晶元：
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P10 頂層Flash
底層時紅色貼片LED：
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P11 LED
快閃記憶體晶元上有白色絲印，但是看不清任何信息：
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P12 底層Flash
拆解到此結束：
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P13 拆解完成
最後來一場大合照：
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P14 拆解合影
三、拆解原理分析
由於看不到快閃記憶體晶元的信號，網上找到關於UP23N的晶元應用原理圖，大體上設計的方向是：主控制器+Flash晶元：
㈥ 晶元開蓋後怎麼讀程序
沒加密的話，用串口ISP軟體就可以讀回來，如果加密了，不解密是不可能了。。
㈦ CPLD晶元解密的簡介
CPLD（Complex Programmable Logic Device）是Complex PLD的簡稱，一種較PLD為復雜的邏輯元件，是一種用戶根據各自需要而自行構造邏輯功能的數字集成電路。其基本設計方法是藉助集成開發軟體平台，用原理圖、硬體描述語言等方法，生成相應的目標文件，通過下載電纜（「在系統」編程）將代碼傳送到目標晶元中，實現設計的數字系統。
CPLD只是能裝載程序晶元的其中一個類。能燒錄程序並能加密的晶元還有DSP，MCU，，AVR，ARM等，也有專門設計有加密演算法用於專業加密的晶元或設計驗證廠家代碼工作等功能晶元，該類晶元業能實現防止電子產品復制的目的。
結構分類及解密技術
1．邏輯單元陣列（LCA），包括邏輯快、互連陣列和I/O塊
2．復合CPLD結構，包括邏輯塊和互連矩陣開關
CPLD具有編程靈活、集成度高、設計開發周期短、適用范圍寬、開發工具先進、設計製造成本低、對設計者的硬體經驗要求低、標准產品無需測試、保密性強、價格大眾化等特點，可實現較大規模的電路設計，因此被廣泛應用於產品的原型設計和產品生產(一般在10,000件以下)之中。
幾乎所有應用中小規模通用數字集成電路的場合均可應用CPLD器件。CPLD器件已成為電子產品不可缺少的組成部分，它的設計和應用成為電子工程師必備的一種技能。
任何一款CPLD晶元從理論上講，攻擊者均可利用足夠的投資和時間使用以上方法來攻破，這是系統設計者應該始終牢記的基本原則。因此，作為電子產品的設計工程師非常有必要了解當前CPLD單片機攻擊的最新技術，做到知己知彼，心中有數。
侵入型CPLD晶元解密的第一步是揭去晶元封裝（簡稱「開蓋」有時候稱「開封」，英文為「DECAP」，decapsulation）。有兩種方法可以達到這一目的：第一種是完全溶解掉晶元封裝，暴露金屬連線。第二種是只移掉硅核上面的塑料封裝。
晶元上面的塑料可以用小刀揭開，晶元周圍的環氧樹脂可以用濃硝酸腐蝕掉。熱的濃硝酸會溶解掉晶元封裝而不會影響晶元及連線。該過程一般在非常乾燥的條件下進行，因為水的存在可能會侵蝕已暴露的鋁線連接（這就可能造成解密失敗）。
接著在超聲池裡先用丙酮清洗CPLD單片機以除去殘余硝酸，並浸泡。
最後一步是尋找保護熔絲的位置並將保護熔絲暴露在紫外光下。一般用一台放大倍數至少100倍的顯微鏡，從編程電壓輸入腳的連線跟蹤進去，來尋找保護熔絲。若沒有顯微鏡，則採用將晶元的不同部分暴露到紫外光下並觀察結果的方式進行簡單的搜索。操作時應用不透明的紙片覆蓋晶元以保護程序存儲器不被紫外光擦除。將保護熔絲暴露在紫外光下5～10分鍾就能破壞掉保護位的保護作用，之後，使用簡單的編程器就可直接讀出程序存儲器的內容。
㈧ 存儲晶元的操作方式
對存儲行業而言，存儲晶元主要以兩種方式實現產品化：
1、ASIC技術實現存儲晶元
ASIC(專用集成電路)在存儲和網路行業已經得到了廣泛應用。除了可以大幅度地提高系統處理能力，加快產品研發速度以外，ASIC更適於大批量生產的產品，根椐固定需求完成標准化設計。在存儲行業，ASIC通常用來實現存儲產品技術的某些功能，被用做加速器，或緩解各種優化技術的大量運算對CPU造成的過量負載所導致的系統整體性能的下降。
2、FPGA 技術實現存儲晶元
FPGA（現場可編程門陣列）是專用集成電路（ASIC）中級別最高的一種。與ASIC相比，FPGA能進一步縮短設計周期，降低設計成本，具有更高的設計靈活性。當需要改變已完成的設計時，ASIC的再設計時間通常以月計算，而FPGA的再設計則以小時計算。這使FPGA具有其他技術平台無可比擬的市場響應速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多數工具以微微秒-百億分之一秒計算）的特性。同時，廠商可對FPGA功能模塊和I/O模塊進行重新配置，也可以在線對其編程實現系統在線重構。這使FPGA可以構建一個根據計算任務而實時定製軟核處理器。並且，FPGA功能沒有限定，可以是存儲控制器，也可以是處理器。新一代FPGA支持多種硬體，具有可編程I/O，IP（知識產權）和多處理器芯核兼備。這些綜合優點，使得FPGA被一些存儲廠商應用在開發存儲晶元架構的全功能產品。