㈠ c8051F340往內部flash寫一個位元組需要多少時間呢不包括擦除的時間，時鍾24M
參 數 條 件 最小值 典型值 最大值 單 位
擦除時間 24 MHz系統時鍾 10 15 20 ms
寫入時間 24 MHz系統時鍾 40 55 70 µs
㈡ flash內存條與ddr的區別
區別1：不同的功耗和發熱：flash快閃記憶體模塊消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基礎上降低了能耗和發熱。
區別2：工作頻率較高：flash存儲模塊能耗較高。由於降低了能耗，DDR可以獲得更高的工作頻率，在一定程度上彌補了延遲時間較長的缺點。
區別3：數據處理不一樣：快閃記憶體模塊數據刪除不是基於單個位元組，而是基於固定塊。塊大小通常為256Kb到20MB，快閃記憶體是一種電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）。DDR內存顆粒大多為16M X 32bit，搭配中高端屬顯卡常用的128MB顯存便需8顆較為合適。
區別4：通用性不同：快閃記憶體模塊廣泛應用於大多數電子設備中。由於DDR的針腳和封裝等關鍵特性沒有改變，所以顯卡的顯示核心和公共版本設計相對高端，也比較少見。
(2)flash存儲時間花費擴展閱讀：
在嵌入式系統中，內存（SDRAM或DDR）可以作為文件系統的存儲介質。當存儲器斷電時，它不能保持原始數據不變。因此，基於內存的文件系統只能是臨時文件系統，可以用來保存臨時文件，而不是需要永久記錄的文件。其優點是內存中只有動態變化，系統不會產生垃圾。
目前內存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM介面控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM介面控制器。兩者最大的區別是DDR-SDRAM至少比SDRAM快一倍，意味著如果讀取一個文件需要兩秒鍾，那麼使用DDR可能需要不到一秒鍾的時間。
Flash是嵌入式系統中最常用的文件系統存儲介質。nor和NAND有兩種類型。也不能直接讀取flash，但寫入是通過塊而不是位元組完成的。而不是直接寫，它需要由命令控制；NAND flash也就是說，它不允許直接讀寫。讀寫都是通過塊來完成的，需要通過命令來控制。
相比之下，nor的讀取速度比NAND快，NAND的單位密度也比nor高，即單個IC NAND flash可以有4GB（位元組）的存儲空間，nor flash最多隻能有1GB（位）。NAND flash通常有壞塊，所以文件系統的設計比較復雜（壞塊需要處理）。應該注意的是，關閉快閃記憶體電源可以防止文件丟失。
㈢ FLASH和EEPROM的區別
FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按位元組操作，二者定址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占晶元面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM麻煩的多，所以更「人性化」的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有FLASH，EEPROM在運行中可以被修改，而FLASH在運行時不能修改，EEPROM可以存儲一些修改的參數，Flash中存儲程序代碼和不需要修改的數據，所謂的Flash是用來形容整個存儲單元的內容可以一次性擦除。所以，理論上凡是具備這樣特徵的存儲器都可以稱為Flash memory。EEPROM裡面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，現在大家所講的Flash memory實際上分為兩大類，一類是Floating Gate Debice，一類是Charge Trapping Debice，這里的分類標准主要是program與crase的機制不同。
一：FLASH和EEPROM的區別
1:相同點是兩者都能掉電存儲數據
2：不同點是：
A：FALSH寫入時間長，EEPROM寫入時間短。
B：FLASH擦寫次數少（10000次），EEPROM次數多（1000000次）
二：單片機的數據存儲器不能用FLASH，因為：
1：FLASH有一定的擦除，寫入次數，一般的單片機的FLASH擦除寫入次數的標稱值是10000次。
2：FLASH寫入數據需要比較長的時間，大約需要4-6ms，而且寫FLASH需要加上9V的高壓，麻煩。
三：至於EEPROM，可以作為數據存儲器，但是單片機如atmegal28，一般用RAM作為數據存儲器，因為EEPROM工藝復雜，成本高，適合於存儲掉電保護的數據，而這類數據往往不需要太多，所以一般的單片機都沒在內部集成EEPROM，需要的時候可以讓單片機外掛24C01一類的串列EEPROM。
區別：
1、 FLASH按扇區操作，EEPROM則按位元組操作
2、 FLASH寫入時間長，EEPROM寫入時間短
3、 FLASH擦寫次數少（10000次），EEPROM次數多（1000000次）
4、 FLASH的電路結構簡單，成本低，EEPROM工藝復雜，成本高
㈣ stm32中flash寫入時間有多長
寫入比較快16us每個位元組，擦除時間非常長，大概擦除16K需要200ms
㈤ flash 存儲器 擦除 寫入 讀出最快時間是多少
這要看存儲器型號，一般擦除>100毫秒，寫入幾個到幾十毫秒，讀取是微秒級