Ⅰ 日立的旗下公司
日立環球存儲科技公司 創立於2003年，它是基於IBM和日立就存儲科技業務進行戰略性整合而創建的。存儲業務是日立的五項核心業務之一，引進先進的技術及雄厚的資金是其業務發展及利潤增長的重要因素。公司著眼於通過提供適用於辦公室、途中以及家中的大容量存儲產品使用戶們全面感受數字化的生活方式。日立環球存儲科技公司專注於迅速地發展硬碟驅動器的適用范圍，使其跨越傳統的計算機應用環境的界限，延伸至電子消費產品及其它新興產品。
公司會繼承IBM和日立譽滿全球的研究開發技術並將其合共80年的硬碟專業技術發揚光大。憑借雄厚、專注的研發技術及開發方面的投資，日立環球存儲科技公司將激勵和引領存儲科技未來的發展方向。
在硬碟市場中，日立環球存儲科技公司至誠為客戶提供以客戶為本並一應俱全的全方位服務。通過世界級的運營模式、務實的頂尖技術知識，及完善的客戶支持服務架構，讓該公司的產品及服務質量達到驕人的水準。
在產品類別方面，日立環球存儲科技公司提供了一系列業界領先的產品組合，包括1英寸、2.5英寸及3.5英寸硬碟存儲設備及方案，以迎合不同市場的需要。 由四個產品業務部門及一個內部業務部門組成：
● 台式機硬碟日立環球存儲科技公司提供多種不同選擇的台式機硬碟，可滿足傳統及先進的台式機應用程序的需求，如多媒體、視頻串流、立體圖像及數碼相片等。該公司將善用旗下的豐富專業技術知識，以延續其獲獎無數的Deskstar在創意技術及性能卓越上的模範傳統。
● 移動電子產品硬碟 ─日立環球存儲科技公司擁有在業界中最廣泛的移動存儲產品線，包括業界首張高性能、大容量的1英寸硬碟。微型硬碟 (Microdrive)提供的容量點由340MB至1GB，性能強於市場中其它同類型產品，而其每兆位元組的成本價格也明顯比競爭對手的低。此硬碟為全球最輕薄小巧並且性能卓越的1英寸硬碟，重量比一節2A電池還要輕。微型硬碟專為外型小巧但需要特大容量的應用環境而設計，如數碼相機、PDA、MP3。
● 伺服器硬碟 - 日立環球存儲科技還提供一套完整的伺服器硬碟產品，其在10000及15000RPM系列產品中也有較高的市場佔有率。旗下的Ultrastar 伺服器硬碟系列為數據密集的應用程序提供高容量數據處理表現，也為許多高端介面提供用戶支持。
● 新興市場 - 日立環球存儲科技的新興市場業務主要是負責為消費者提供各種解決方案，它通過不斷地研究和開發使硬碟驅動器更廣泛地應用於傳統IT產業以外的領域。它的另一個任務則是促進和培育新的硬碟驅動器市場，將其應用於與消費者緊密聯系的產品，從而締造更多商機並促進業務的增長。
● 磁頭/碟片 - 日立環球存儲科技研發及生產自己的硬碟磁頭及碟片。從而能夠有效地控制並管理產品的品質與設計開發，使其產品的發展步伐緊跟客戶的需求。
2009-11-10
日立環球存儲科技公司（Hitachi GST）今天宣布交付第五代7200轉筆記本電腦硬碟。這款2.5英寸的日立7K500硬碟產品具有500GB的容量和3Gb/sSATA介面，專為筆記本電腦、游戲和專業外部存儲應用而設計。日立7K500集引領業界的高性能、大容量和耐用性為一體，是多任務處理、游戲以及其它圖形處理的理想裝備。新一代日立7K500是同類產品中運行最快的硬碟設備，與前一代1相比，提高了56%的容量，應用性能增強16%。此外，它還提供同類產品中最佳的抗震能力，最佳的性能表現和出色的電池續航能力。
2010年1月26日
繼2009年9月在中國推出SimpleTOUGH 和SimpleDRIVE mini兩款產品後，全球最受認可和信賴的品牌之一，日立環球存儲科技公司（HitachiGST）今天宣布在中國推出日立X攜帶型硬碟。日立X攜帶型硬碟是專為那些尋求以最方便可靠、經濟實惠的方式來存儲和保護數碼照片、音樂、視頻和文檔等數據內容的用戶而設計的。
日立環球存儲科技公司亞太區副總裁朱紹仁表示：「對數字內容進行備份至關重要，因此我們始終以『讓所有計算機用戶都擁有一台外部硬碟驅動器』為目標不斷努力。日立X攜帶型硬碟提供性能可靠、具有競爭力的價格的解決方案，憑借強大的存儲能力幫助用戶存儲和備份其所需要的任何數字內容，並隨時隨地使用這些內容，無論是在辦公環境、家中還是在路上。日立公司致力於開發持續創新、激動人心的存儲解決方案，在日新月異的數字世界裡滿足消費者不斷變化的各種需求。」
日立X攜帶型硬碟由隨附的USB2.0連接線帶動，專為不斷發展的移動世界而設計，為用戶提供一流的外部存儲體驗。同時以日立品牌享譽世界的優良品質、可靠性能以及全球頂尖的研發實力為後盾，為用戶存儲、保護數據解除一切後顧之憂。這款全新推出的日立X攜帶型硬碟在外形上與SimpleDRIVE相似，外形設計兼具時尚與現代感，但在價格上更具吸引力。
日立X攜帶型硬碟有紅、黑兩種顏色備選，現有如下型號/容量上市：日立X500攜帶型硬碟（500GB）、日立X320攜帶型硬碟（320GB）和日立X250攜帶型硬碟（250GB）。
2011年3月7日日立出售日立全球存儲技術公司
日立製作所7日宣布，將把美國的全資子公司日立全球存儲技術公司(HGST)出售給全球最大的硬碟驅動器生產商美國西部數據公司（WD）。出售金額包括現金和西部數據股份共計約43億美元。這是日本企業向海外出售業務的案例中規模較大的一起。
HGST在全球硬碟市場佔有率位居第三。日立原先准備讓其在美國上市，但因西數方面開出的收購條件優厚，日立轉變初衷決定出讓HGST全部股份。
2012年8月4日 原「日立環球存儲科技」正式被命名為HGST
隨著日立環球存儲科技的收購，日立也將名稱進行更改，原「日立環球存儲科技」正式被命名為HGST，歸屬為西部數據旗下獨立營運部門。在HGST眼中，數據是新經濟的貨幣。採用數據驅動決策，能夠將生產力提高5%，企業利潤率提高6%。也是在HGST的調查中，幾乎百分之百的受訪者認為更好的分析工具和存儲解決方案能改善商業效益（99%）， 並願意投資在新科技及解決方案以改善應用性能表現（98%）。基於此，HGST堅持在數據存儲領域進行研發，希望能夠幫助企業用戶釋放數據的力量，引領數據中心變革。 2010年，日立集團將迎來創業100周年。長期以來，日立集團在從信息通信系統、電力設備、產業機械、車輛交通設備、電梯、建築機械到電子設備、數字媒體及家用電器、醫療設備、高性能材料、物流及金融服務的廣泛領域為中國社會提供高品質的產品及服務。
早在1981年，日立就成立了日資製造業在中國大陸地區的首家合資公司，生產、銷售電視機產品。自此，「HITACHI」品牌就以其卓越的技術和品質贏得了用戶的信任與支持，深受中國廣大消費者喜愛。
如今，中國社會變化日新月異，經濟飛速發展。隨著經濟水平的不斷提高，中國社會對節能、環保技術等與建設可持續發展型社會息息相關的領域給予了高度關注，今後日立也將積極地投身於該領域。
日立立足於蓬勃發展的中國大地，以做「在中國值得信賴的合作夥伴」為目標，堅持不懈地努力奮斗，加強研究開發力量、發展節能環保事業、推動人才培養戰略，開展各種社會公益活動，為中國社會的發展做出積極貢獻。
希望大家能夠一如既往地支持和理解日立在華各領域事業及各項活動，日立也希望能夠成為您事業上值得信賴的合作夥伴。
Ⅱ pcm是什麼意思，代表什麼
PCM是Phase Change Memory的簡稱，中文名稱為相變存儲器，它利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的。
PCM是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。
原理：
一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程隻影響該電阻頂端周圍的一小片區域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區域。SET脈沖用於置邏輯1，使非晶層再結晶回到結晶態。晶態是一種低能態;因此，當對非晶態下的材料加熱，溫度接近結晶溫度時，它就會自然地轉變為晶態。
在非晶態下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由於這種狀態通常出現在RESET操作之後，我們一般稱其為RESET狀態，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高於熔點溫度，然後突然對GST淬火將其冷卻。
在晶態下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。一般稱其為SET狀態，在SET操作中，材料的溫度上升高於再結晶溫度但是低於熔點溫度，然後緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。
以上內容參考：網路-PCM
Ⅲ 相變存儲器的發展歷史
二十世紀五十年代至六十年代，Dr. Stanford Ovshinsky開始研究無定形物質的性質。
無定形物質是一類沒有表現出確定、有序的結晶結構的物質。
1968年，他發現某些玻璃在變相時存在可逆的電阻系數變化。
1969年，他又發現激光在光學存儲介質中的反射率會發生響應的變化。
1970年，他與他的妻子Dr. Iris Ovshinsky共同建立的能量轉換裝置（ECD）公司，發布了他們與Intel的Gordon Moore合作的結果。
1970年9月28日在Electronics發布的這一篇文章描述了世界上第一個256位半導體相變存儲器。
近30年後，能量轉換裝置（ECD）公司與MicronTechnology前副主席Tyler Lowery建立了新的子公司Ovonyx。
在2000年2月，Intel與Ovonyx發表了合作與許可協議，此份協議是現代PCM研究與發展的開端。
2000年12月，STMicroelectronics（ST）也與Ovonyx開始合作。
至2003年，以上三家公司將力量集中，避免重復進行基礎的、競爭的研究與發展，避免重復進行延伸領域的研究，以加快此項技術的進展。
2005年，ST與Intel發表了它們建立新的快閃記憶體公司的意圖，新公司名為Numonyx。
在1970年第一份產品問世以後的幾年中，半導體製作工藝有了很大的進展，這促進了半導體相變存儲器的發展。
同時期，相變材料也愈加完善以滿足在可重復寫入的CD與DVD中的大量使用。
Intel開發的相變存儲器使用了硫屬化物（Chalcogenides），這類材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。
Numonyx的相變存儲器使用一種含鍺、銻、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被稱為GST。
現今大多數公司在研究和發展相變存儲器時都都使用GST或近似的相關合成材料。
大部分DVD-RAM都是使用與Numonyx相變存儲器使用的相同的材料。
2011年8月31日，中國首次完成第一批基於相變存儲器的產品晶元。
2015年，《自然·光子學》雜志布了世界上第一個或可長期存儲數據且完全基於光的相變存儲器。
Ⅳ ge2sb2te5怎麼讀 在線等謝謝各位大神
我猜這是一種化合物，是相變存儲器的關鍵部分，相變材料主要是硫系化合物合金材料，其中，G eSbTe 體系被認為是最成熟的材料體系， 而Ge2Sb2Te5（GST）是目前公認的最適合的相變材料。可以按照普通化合物念，5碲2銻化鍺。
Ⅳ HGST硬碟中文名是什麼
2012年8月4日 - 隨著日立環球存儲科技的收購，日立現在也將名稱進行更改，原「日立環球存儲科技」正式被命名為HGST，歸屬為西部數據旗下獨立營運部門。
HGST品牌的前身是日立硬碟，即日立環球存儲科技公司（Hitachi GST）。HITACHI日立集團是全球最大的綜合跨國集團之一，台式電腦硬碟，筆記本硬碟都有生產。於2002年並購IBM硬碟生產事業部門。2011年3月7日日立宣布出售日立全球存儲技術公司給全球著名的硬碟驅動器生產商美國西部數據公司。
(5)摻雜gst相變存儲材料擴展閱讀：
日立硬碟命名方式:
合並了IBM硬碟事業部後的新日立硬碟更像原來的IBM硬碟。IDE的硬碟依然是桌面之星和移動之星系列，而市面上常見的日立IDE硬碟包括7200rpm的騰龍五代（Hitachi Deskstar 180GXP）和騰龍四代（Hitachi Deskstar 120GXP）。
日立的系列名十分易懂，最前面的Deskstar 代表硬碟系列「桌面之星」，除了桌面之星外，日立還有面向高端存儲市場的SCSI硬碟Ultrastar系列和面向移動存儲市場的「移動之星」TravelStar系列產品。
緊接系列名之後的是該系列硬碟的最高容量，例如騰龍四代名稱是120GXP，那就代表該系列中最高容量為120GB，同理，40GV即代表該系列中最高容量為40GB。最後的兩個或三個字母代表硬碟的轉速，GXP表示是7200rpm的，而GV表示是5400rpm的。
Ⅵ 相變存儲器的工作原理
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。
在非晶態下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由於這種狀態通常出現在RESET操作之後，一般稱其為RESET狀態，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高於熔點溫度，然後突然對GST淬火將其冷卻。冷卻的速度對於非晶層的形成至關重要。非晶層的電阻通常可超過1兆歐。
在晶態下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。由於這種狀態通常出現在SET操作之後，我們一般稱其為SET狀態，在SET操作中，材料的溫度上升高於再結晶溫度但是低於熔點溫度，然後緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。晶態是一種低能態；因此，當對非晶態下的材料加熱，溫度接近結晶溫度時，它就會自然地轉變為晶態。
典型的GST PCM器件結構頂部電極、晶態GST、α/晶態GST、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程隻影響該電阻頂端周圍的一小片區域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區域。擦除/RESET脈沖比寫/SET脈沖要高、窄和陡峭。SET脈沖用於置邏輯1，使非晶層再結晶回到結晶態。
Ⅶ 相變存儲OUM是什麼
相變存儲器(OUM)
奧弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年發表了第一篇關於非晶體相變的論文，創立了非晶體半導體學。一年以後，他首次描述了基於相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態呈現不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態和晶態分別代表「0」和「1」來存儲數據。後來，人們將這一學說稱為奧弗辛斯基電子效應。相變存儲器是基於奧弗辛斯基效應的元件，因此被命名為奧弗辛斯基電效應統一存儲器(OUM)，如圖2所示。從理論上來說，OUM的優點在於產品體積較小、成本低、可直接寫入(即在寫入資料時不需要將原有資料抹除)和製造簡單，只需在現有的CMOS工藝上增加2~4次掩膜工序就能製造出來。
OUM是世界頭號半導體晶元廠商Intel公司推崇的下一代非易失性、大容量存儲技術。Intel和該項技術的發明廠商Ovonyx
公司一起，正在進行技術完善和可製造性方面的研發工作。Intel公司在2001年7月就發布了0.18mm工藝的4Mb
OUM測試晶元，該技術通過在一種硫化物上生成高低兩種不同的阻抗來存儲數據。2003年VLSI會議上，Samsung公司也報道研製成功以Ge2Sb2Te5(GST)為存儲介質，採用0.25mm工藝制備的小容量OUM，工作電壓在1.1V，進行了1.8x109
讀寫循環，在1.58x109循環後沒有出現疲勞現象。
不過OUM的讀寫速度和次數不如FeRAM和MRAM，同時如何穩定維持其驅動溫度也是一個技術難題。2003年7月，Intel負責非易失性存儲器等技術開發的S.K.Lai還指出OUM的另一個問題：OUM的存儲單元雖小，但需要的外圍電路面積較大，因此晶元面積反而是OUM的一個頭疼問題。同時從目前來看，OUM的生產成本比Intel預想的要高得多，也成為阻礙其發展的瓶頸之一。