Ⅰ 請問SSD中快閃記憶體顆粒TLC和MLC有什麼區別它們分別能寫多少數據謝謝大家！！！
在U盤、SSD等固態存儲產品中，快閃記憶體晶元顆粒是核心，其關乎產品成本、壽命以及速度。快閃記憶體晶元顆粒主要有三種類型，分別為SLC、MLC、TLC，三者之間的區別，如下。
slc、mlc、tlc快閃記憶體晶元顆粒區別介紹
SLC = Single-Level Cell
，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；
MLC = Multi-Level
Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命
TLC =
Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。
Ⅱ 怎樣看快閃記憶體顆粒大小
你這個是三星960EVO嗎？
如果是，有評測說快閃記憶體顆粒是48層TLC V-NAND快閃記憶體顆粒，具體型號為K90KGY8S7E。單顆容量125GB
Ⅲ 什麼叫內存顆粒
參考網址：
http://bbs.cfanclub.net/read.php?tid-19387.html
內存編號識別解讀
Samsung
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
現代的mBGA封裝的顆粒
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
Mosel（中國台灣茂矽）
中國台灣茂矽科技是中國台灣一家較大的內存晶元廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位T45可知顆粒速度為4.5ns
NANYA（南亞）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亞科技是全球第六大內存晶元廠商，也是去年中國台灣內存晶元商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母「S」表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。
V-DATA（香港威剛）、A-DATA（中國台灣威剛）、VT
威剛科技是中國台灣的實力品牌，擁有三條SMT生產線和應產能調節的五條外包生產線，月產能約九十萬條DRAM模塊。
V－DATA（可以說它是A－DATA的廉價版本）
內存顆粒編號為VDD8608A8A-6B H0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256M容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周
A－DATA
這是A－DATA的DDR500
EilteMT（中國台灣晶豪電子）
中國台灣晶豪電子是中國台灣5大內存晶元廠商之一，它近年來發展迅速，主要中國大陸顯卡商採用它的顆粒較多。這顆顯存編號為-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表顯存的速度為5.5ns，對應的運行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封裝日期為99年第48周；第二行中的3232表示容量為32/8=4MB，數據帶寬為32bit
這顆顯存編號為M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示單顆是128/8＝16MB，8、9位表示位寬16bit，最後的-4T表示速度為4ns。EtronTech（中國台灣鈺創科技）
中國台灣鈺創科技為最近興起的存儲晶元領域里的一顆新星，它的內存顆粒被各大顯卡產商大量採用，品質性能都非常不錯。這顆顯存編號為EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(鈺創)顯存，65代表容量為64/8=8MB，16代表數據帶寬為16bit。T代表工作電壓為2.5V，S代表種類為DDR SDRAM。4.5代表顯存速度為4.5ns，額定工作頻率為230MHz。
Ⅳ 什麼是U盤存儲顆粒
找個不用的u盤 自己的u盤也行 慢點拆 中間有縫 慢慢掰開 就看到了 一個黑色的顆粒 在一個小線路板上
Ⅳ 快閃記憶體顆粒與內存顆粒的區別
快閃記憶體是利用了快閃記憶體技術的非易失性存儲顆粒，一般用於SD卡，TF卡，U盤等小型存儲設備。內存是系統運行時暫時保存文件的隨機存儲驅動器，是易失性的，也就是只有通電狀況下才能保存，完全是兩種技術。
Ⅵ 內存顆粒怎麼看
內存條是由電路板（PCB板） 內存顆粒SPD晶元（有八針因腳的黑色晶元，主要是用來紀錄內存的工作電壓 工作頻率CLS時序 生產廠家等信息的晶元） 貼片式電容和金手指組成的，內存條上偶數個大的方塊形狀的晶元就是內存顆粒，內存一般由8個（單面）和16個（雙面）顆粒組成的。內存廠商又分為晶圓廠商（專業製造內存顆粒）和模組廠商（專業采購顆粒組裝和生產成品及測試等）。
為了防止買到被打磨過的內存，我們在選購時可以通過以下幾點來判斷。
第一，看內存顆粒上的編碼是否清晰銳利，各顆粒上的編號是否一致。再用力搓一下編碼看是否掉色脫落.
第二，選用優質PCB板的內存。PCB板作為內存的根基，購買時應該選擇做工精良、用料厚實的產品，同時也需要選擇金手指較厚實的內存。
第三，不可忽視的SPD(Serial Presence Detect串列偵測)晶元。SPD是一顆8Pin的小晶元，一般是1個容量為256位元組(2Kbit)的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫可編程只讀存儲器晶元)。SPD
的作用是記錄內存的速度、容量、電壓等參數信息，當開機時PC的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息，如果沒有
SPD或者其中的信息錯誤，則會出現死機、不兼容等現象。因此，選購內存時一定不能選擇缺少SPD晶元的產品。
第四，用料和做工同樣重要。有了優質的顆粒、PCB板和SPD晶元後，將他們焊接在一起的製作工藝也顯得十分重要。不合格的焊料和焊接技術會產生大量的「虛焊」，一般肉眼看不出有任何不妥，但在使用一段時間後便會逐漸氧化接著脫焊。因此除了選購知名品牌的內存外，選擇售後服務完善的品牌也非常重要。
Ⅶ 固態硬碟快閃記憶體顆粒分哪幾類
分為三種顆粒，MLC,TLC,SLC
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。
拓展資料：
硬碟是電腦主要的存儲媒介之一，由一個或者多個鋁制或者玻璃制的碟片組成。碟片外覆蓋有鐵磁性材料。
硬碟有固態硬碟(SSD 盤，新式硬碟)、機械硬碟(HDD 傳統硬碟)、混合硬碟(HHD 一塊基於傳統機械硬碟誕生出來的新硬碟)。SSD採用快閃記憶體顆粒來存儲，HDD採用磁性碟片來存儲，混合硬碟(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬碟和快閃記憶體集成到一起的一種硬碟。絕大多數硬碟都是固定硬碟，被永久性地密封固定在硬碟驅動器中。
磁頭復位節能技術:通過在閑時對磁頭的復位來節能。
多磁頭技術:通過在同一碟片上增加多個磁頭同時的讀或寫來為硬碟提速，或同時在多碟片同時利用磁頭來讀或寫來為磁碟提速，多用於伺服器和資料庫中心。
Ⅷ SSD中快閃記憶體顆粒TLC和MLC有什麼區別它們分別能寫多少數據
slc、mlc、tlc快閃記憶體晶元顆粒區別介紹
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。
Ⅸ 內存顆粒、快閃記憶體顆粒的區別
快閃記憶體是利用了快閃記憶體技術的非易失性存儲顆粒，一般用於sd卡，tf卡，u盤等小型存儲設備。內存是系統運行時暫時保存文件的隨機存儲驅動器，是易失性的，也就是只有通電狀況下才能保存，完全是兩種技術。