⑴ 靜態內存和動態內存有什麼區別，那個好一點
我們一般說的內存都是動態的.SDR DDR等.
在CPU內部的緩存都是靜態的.SRAM.這種內存速度快.價格昂貴.
內存的物理實質是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。內存按存儲信息的功能可分為只讀存儲器ROM（Read Only Memory）、可改寫的只讀存儲器EPROM（Erasable Progrmmable ROM）和隨機存儲器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用於存放固定的程序。EPROM和一般的ROM不同點在於它可以用特殊的裝置擦除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。RAM就是我們平常所說的內存，主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息。它的存儲單元根據具體需要可以讀出，也可以寫入或改寫。一旦關閉電源或發生斷電，其中的數據就會丟失。現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵級電容來記憶信息的。由於電容上的電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態RAM。另外，內存還應用於顯卡，音效卡及CMOS等設備中，用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。
動態RAM按製造工藝的不同，又可分為動態隨機存儲器（Dynamic RAM）、擴展數據輸出隨機存儲器（Extened Data Out RAM）和同步動態隨機存儲器（Sysnchromized Dynamic RAM）。
⑵ 我想問一下集成電路目前的現狀，希望有專業人士不吝賜教，大致介紹一下目前比較前沿的發展情況。
目前我國人工智慧、汽車電子、物聯網、5G等現代科技行業的發展都離不開集成電路的支持，換言之，集成電路是目前我國科技發展的核心零部件，因此我國政府高度重視集成電路的發展，出台了多項政策支持集成電路行業。尤其是在經濟發達的長三角和泛珠三角區域，上海、廣東等城市擁有強大的經濟和人才優勢，在「十四五」期間形成了集成電路集群化發展的趨勢。
1、集成電路滲透到我國各個行業
集成電路是我國科技發展的重要組成部分，也是我國各行各業實現智能化、數字化的基礎。目前我國集成電路滲透到我國各個行業，例如工業機器人、5G網路建設、汽車電子以及計算機等重要科技領域，可以說集成電路是我國科技發展的基石，集成電路技術發展到位，我國才能夠在科技領域不受制於人。
綜合來看，集成電路行業的發展對於我國工業智能化、5G網路、汽車電子、計算機等關鍵領域的發展起著至關重要的作用，但目前由於我國尚未完全突破集成電路的技術壁壘，到至我國對集成電路的進口依賴較為明顯，未來在《中國智造2025》以及《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》的支持下，我國集成電路的發展會越來越好。
除國家層面外，我國經濟較為發達的省份也在不停的摸索集成電路的發展，目前在長三角和泛珠三角地區已形成了集成電路發展的集群效應。
—— 更多數據請參考前瞻產業研究院《中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》
⑶ 21世紀發明 集成電路發明歷史 用途
發明史：
1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑； 1950年：結型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；
1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（ULSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進入市場；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機存儲器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,採用0.6μm工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。
用途：
4N35/4N36/4N37 "光電耦合器 "
AD7520/AD7521/AD7530/AD7521 "D/A轉換器 "
AD7541 12位D/A轉換器
ADC0802/ADC0803/ADC0804 "8位A/D轉換器 "
ADC0808/ADC0809 "8位A/D轉換器 "
ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC0838 "8位A/D轉換器 "
CA3080/CA3080A OTA跨導運算放大器
CA3140/CA3140A "BiMOS運算放大器 "
DAC0830/DAC0832 "8位D/A轉換器 "
ICL7106,ICL7107 "3位半A/D轉換器 "
ICL7116,ICL7117 "3位半A/D轉換器 "
ICL7650 "載波穩零運算放大器 "
ICL7660/MAX1044 "CMOS電源電壓變換器 "
ICL8038 "單片函數發生器 "
ICM7216 "10MHz通用計數器 "
ICM7226 "帶BCD輸出10MHz通用計數器 "
ICM7555/7555 CMOS單/雙通用定時器
ISO2-CMOS MT8880C DTMF收發器
LF351 "JFET輸入運算放大器 "
LF353 "JFET輸入寬頻高速雙運算放大器 "
LM117/LM317A/LM317 "三端可調電源 "
LM124/LM124/LM324 "低功耗四運算放大器 "
LM137/LM337 "三端可調負電壓調整器 "
LM139/LM239/LM339 "低功耗四電壓比較器 "
LM158/LM258/LM358 "低功耗雙運算放大器 "
LM193/LM293/LM393 "低功耗雙電壓比較器 "
LM201/LM301 通用運算放大器
LM231/LM331 "精密電壓—頻率轉換器 "
LM285/LM385 微功耗基準電壓二極體
LM308A "精密運算放大器 "
LM386 "低壓音頻小功率放大器 "
LM399 "帶溫度穩定器精密電壓基準電路 "
LM431 "可調電壓基準電路 "
LM567/LM567C "鎖相環音頻解碼器 "
LM741 "運算放大器 "
LM831 "雙低雜訊音頻功率放大器 "
LM833 "雙低雜訊音頻放大器 "
LM8365 "雙定時LED電子鍾電路 "
MAX038 0.1Hz-20MHz單片函數發生器
MAX232 "5V電源多通道RS232驅動器/接收器 "
MC1403 "2.5V精密電壓基準電路 "
MC1404 5.0v/6.25v/10v基準電壓
MC1413/MC1416 "七路達林頓驅動器 "
MC145026/MC145027/MC145028 "編碼器/解碼器 "
MC145403-5/8 "RS232驅動器/接收器 "
MC145406 "RS232驅動器/接收器 "
MC145407 "RS232驅動器/接收器 "
MC145583 "RS232驅動器/接收器 "
MC145740 DTMF接收器
MC1488 "二輸入與非四線路驅動器 "
MC1489 "四施密特可控線路驅動器 "
MC2833 "低功率調頻發射系統 "
MC3362 "低功率調頻窄頻帶接收器 "
MC4558 "雙運算放大器 "
MC7800系列 "1.0A三端正電壓穩壓器 "
MC78L00系列 0.1A三端正電壓穩壓器
MC78M00系列 "0.5A三端正電壓穩壓器 "
MC78T00系列 3.0A正電壓穩壓器
MC7900系列 1.0A三端負電壓穩壓器
MC79L00系列 0.1A三端負電壓穩壓器
MC79M00系列 0.5A三端負電壓穩壓器
Microchip "PIC系列單片機RS232通訊應用 "
MM5369 3.579545MHz-60Hz 17級分頻振盪器
MOC3009/MOC3012 "雙向可控硅輸出光電耦合器 "
MOC3020/MOC3023 "雙向可控硅輸出光電耦合器 "
MOC3081/MOC3082/MOC3083 "過零雙向可控硅輸出光電耦合器 "
MOC8050 "無基極達林頓晶體管輸出光電耦合器 "
MOC8111 "無基極晶體管輸出光電耦合器 "
MT8870 "DTMF雙音頻接收器 "
MT8888C DTMF 收發器
NE5532/NE5532A "雙低雜訊運算放大器 "
NE5534/SE5534 "低雜訊運算放大器 "
NE555/SA555 "單時基電路 "
NE556/SA556/SE556 "雙時基電路 "
NE570/NE571/SA571 "音頻壓縮擴展器 "
OP07 "低電壓飄移運算放大器 "
OP27 "低噪音精密運算放大器 "
OP37 "低噪音高速精密運算放大器 "
OP77 "低電壓飄移運算放大器 "
OP90 "精密低電壓微功耗運算放大器 "
PC817/PC827/PC847 "高效光電耦合器 "
PT2262 "無線遙控發射編碼器晶元 "
PT2272 "無線遙控接收解碼器晶元 "
SG2524/SG3524 "脈寬調制PWM "
ST7537 "電力線數據機電路 "
TDA1521 2×12W Hi-Fi 音頻功率放大器
TDA2030 14W Hi-Fi 音頻功率放大器
TDA2616 2×12W Hi-Fi 音頻功率放大器
TDA7000T FM 單片調頻接收電路
TDA7010T FM 單片調頻接收電路
TDA7021T FM MTS單片調頻接收電路
TDA7040T "低電壓鎖相環立體聲解碼器 "
TDA7050 "低電壓單/雙聲道功率放大器 "
TL062/TL064 "低功耗JFET輸入運算放大器 "
TL071/TL072/TL074 "低雜訊JFET輸入運算放大器 "
TL082/TL084 JFET 寬頻高速運算放大器
TL494 "脈寬調制PWM "
TL594 "精密開關模式脈寬調制控制 "
TLP521/1-4 "光電耦合器 "
TOP100-4 TOPSwitch 三端PWM開關電源電路
TOP200-4 TOPSwitch 三端PWM開關電源電路
TOP209/TOP210 TOPSwitch 三端PWM開關電源電路
TOP221-7 TOPSwitch-Ⅱ 三端PWM開關電源電路
TOP232-4 TOPSwitch-FX 五端柔韌設計開關電源電路
TOP412/TOP414 TOPSwitch 三端PWM DC-DC 開關電源
ULN2068 1.5A/50V 4路達林頓驅動電路
ULN2803 500mA/50V 8路達林頓驅動電路
ULN2803/ULN2804 線性八外圍驅動器陣列
VFC32 "電壓—頻率/頻率—電壓轉換器 "
常用ic資料2
AD711 高精度、底價格、高速 BiFET 運放
CA3130 15MHz, BiMOS 運放 with MOSFET Input/CMOS Output
LH0032 Ultra Fast FET-輸入 單運放
LF351 Wide B與門width JFET 輸入 單運放
LF411 Low Offset, Low Drift JFET 輸入 單運放
LM108 高精度、單運放
LM208 高精度、單運放
LM308 高精度、單運放
LM833 雙 音頻 運放, 低噪音
LM358 雙 運放
LM359 雙, 高速, Programmable, Current Mode (Norton) Amplifier
LM324 QUADRUPLE 運放
LM391 音頻 Power Driver
LM393 雙 Differential Comparator
NE5532 雙 音頻 運放, 低噪音
NE5534 Single 音頻 運放, 低噪音
OP27 低噪音、高精度、高速 運放
OP37 低噪音、高精度、高速 運放
TL071 Single JFET-輸入 運放 , 低噪音
TL072 雙 JFET-輸入 運放 , 低噪音
TL074 Quad JFET-輸入 運放 , 低噪音
TL081 Single JFET-輸入 運放
TL082 雙 JFET-輸入 運放
TL084 Quad JFET-輸入 運放
TLC271 LinCMOS..PROGRAMMABLE LOW-POWER 運放
TLC272 LinCMOS.... PRECISION 雙 運放
TLC274 LinCMOS.... PRECISION QUAD 運放
MN3004 512 STAGE 低噪音 BBD
L165 3A POWER 運放 (20W)
LM388 1.5W 音頻 功率放大
LM1875 20W 音頻 功率放大
TDA1516BQ 24 W BTL or 2 x 12 w 立體聲 汽車用 功率放大器
TDA1519C 22 W BTL or 2 X 11 W 立體聲 功率放大
TDA1563Q 2 x 25 W high efficiency car radio 功率放大
TDA2002 單聲道、功率放大 8W [NTE1232]
TDA2005 雙 功率放大 20W
TDA2004 10 + 10W STEREO 立體聲 汽車用 功率放大器
TDA2030 Single 功率放大 14W
STK4036 II 模塊電路, AF PO, 雙 電源 50W
STK4036 XI 模塊電路, AF PO, 雙 電源 50W
STK4038 II AF 功率放大 60 W
STK4040 II AF 功率放大 70 W
STK4040 XI AF 功率放大 70 W
STK4042 II AF 功率放大 80 W
STK4042 XI AF 功率放大 80 W
STK4044 II 模塊電路, AF 功率放大、單聲道 100W
STK4044 II 模塊電路, AF 功率放大、單聲道 100W
STK4046 XI 模塊電路, AF 功率放大、單聲道 120W
STK4048 XI 模塊電路, AF 功率放大、單聲道 150W
STK4050 V 模塊電路, AF 功率放大、單聲道 200W
LM3914 10-Step Dot/Bar顯示驅動器, Linear scale
LM3915 10-Step Dot/Bar顯示驅動器, Logarithmic scale
LM3916 10-Step Dot/Bar顯示驅動器
UAA180 LED driver Light or light spot display operation for max. 12 emitting diodes
CA3161E BCD to Seven Segment Decoder/Driver
CA3162E A/D Converter for 3-Digit Display
ICL7136 3 1/2 Digit LCD, Low Power Display, A/D Converter
LM1800 PLL Stereo Decoder [NTE743]
CA3090P Stereo Multiplex Decoder (Comp.to NTE789 From NTE)
MC1310P FM Stereo Demolator (Comp. to NTE801 From NTE)
555 時鍾
556 雙 555
MN3101 時鍾/ 驅動
XR2206 Monolithic Function Generator
4N25 6-PIN 光電晶體管 OPTOCOUPLERS
4N26
4N27
4N28
4N35 6-PIN 光電晶體管 OPTOCOUPLERS
4N36
4N37
78xx 系列 3端穩壓器 +5V 到 +24V1A
78Lxx 系列 3端穩壓器 +5V 到 +24V 0.1A
78Mxx 系列 3端穩壓器 +5V 到 +24V 0.5A
78Sxx 系列 3端穩壓器 +5V 到 +24V 2A
79xx 系列 3端負電壓穩壓器 -5V 到 -24V 1A
79Lxx 系列 3端負電壓穩壓器 -5V 到 -24V 0.1A
LM117 +1.2V...+37V 1.5A 正電壓可調穩壓器
LM217 +1.2V...+37V 1.5A 正電壓可調穩壓器
LM317 +1.2V...+37V 1.5A 正電壓可調穩壓器
LM137 -1.2V...-37V 1.5A 負電壓可調穩壓器
LM237 -1.2V...-37V 1.5A 負電壓可調穩壓器
LM337 -1.2V...-37V 1.5A 負電壓可調穩壓器
LM138 +1.2V --32V 5-安培 可調
LM338 +1.2V -- 32V 5-安培 可調
LM723 高精度可調
L200 2 A / 2.85 to 36 V.可調
74LS00 Quad 2-Input 與非門
74LS04 Hex 反相器
74LS08 Quad 2 input 與門
74LS10 Triple 3-Input 與非門
74LS13 SCHMITT TRIGGERS 雙 門/HEX 反相器
74LS14 SCHMITT TRIGGERS 雙 門/HEX 反相器
74LS27 TRIPLE 3-INPUT NOR 門
74LS30 8-Input 與非門
74LS32 Quad 2 input OR
74LS42 ONE-OF-TEN DECODER
74LS45 BCD to Decimal Decoders/Drivers
74LS47 BCD to 7 seg decoder/driver
74LS90 Decade 與門 Binary 記數器
74LS92 Divide by 12 記數器
74LS93
Binary 記數器
74LS121 Monostable multivibrator
74LS154 4-Line to 16-Line Decoder/Demultiplexer
74LS192 BCD up / down 記數器
74LS193 4 bit binary up / down 記數器
74HC237 3-to-8 line decoder/demultiplexer with address latches
74LS374 3-STATE Octal D-Type Transparent Latches 與門 Edge-Triggered Flip-Flops
74LS390 雙 DECADE 記數器 雙 4-STAGE BINARY 記數器
4001 Quad 2-input NOR 門
4002 雙 4-input NOR 門
4007 雙 Complementary Pair 與門 反相器
4011 Quad 2-Input NOR Buffered
4013 雙 D-Type Flip-Flop
4016 Quad Analog Switch/Quad Multiplexer
4017 Decade 記數器/Divider
4022 Divide-by-8 記數器/Divider with 8 Decoded Outputs
4023 Triple 3-input 與非門
4025 Triple 3-input NOR 門
4026 DEC. COUN./DIVIDER WITH DECODED 7-SEG. DISPLAY OUTPUTS
4028 BCD to Decimal Decoder
4029 Binary/Decade Up/Down 記數器
4040 12-Stage Ripple-Carry Binary
4046 Phase-Locked Loop
4051 Single 8-Channel Analog
4052 Differential 4-Channel Analog
4053 Triple 2-Channel Multipl/Demul
4054 顯示驅動
4055 顯示驅動
4056 顯示驅動
4060 14-Stage Ripple-Carry Binary C
4066 Quad Bilateral Switch
4067 Cmos Analog Multiplexer / Demultiplexer [266kb]
4068 8-input 與非門
4069 Hex 反相器
4071 Quad 2-input OR 門
4072 雙 4-input OR 門
4075 Triple 3-input OR 門
4081 Quad 2-Input 與門 門
4082 雙 4-input 與門 門
4093 Quad 2-Input Schm.Trigger
4511 BCD-to-7-Segment Latch Decade Driver
4518 雙 BCD 記數器
⑷ 儲存信息的集成電路如何儲存信息
音樂集成電路內部是rom，只能讀出不能寫入。
語音集成電路內部一般是eeprom（電寫入電擦除），可以重復寫入。但還要加一個模擬-數字轉換。就是輸入模擬信號，轉化成數字信號存儲，再轉化成模擬信號輸出。
儲存信息的集成電路有rom（只讀），prom（一次寫入），eprom（電寫入紫外擦除），eeprom（電寫入電擦除），等。詳細資料可以在網路上查啊，很全的。呵呵
⑸ 信息技術設備用於存儲是什麼
存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
存儲器的主要功能是存儲程序和各種
數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備，它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。在計算機中採用只有兩個數碼「0」和「1」的二進制來表示數據。記憶元件的兩種穩定狀態分別表示為「0」和「1」。日常使用的十進制數必須轉換成等值的二進制數才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字元，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。只介紹動態存儲器的工作原理。
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
⑹ 計算機中的靜態RAM和動態RAM有什麼區別
區別：動態RAM會周期性的刷新，靜態RAM不進行刷新
1、靜態RAM，指SRAM：只要有供電，它保存的數據就不會丟失，且為高速存儲器，如CPU中的高速緩存（cache）
2、動態RAM，指DRAM：有供電，還要根據它要求的刷新時間參數，才能保持存儲的數據不丟失，如電腦中的內存條
拓展：
1、靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失。
2、DRAM，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
⑺ 晶元是如何儲存信息的
晶元儲存信息的原理如下：
對動態存儲器進行寫入操作時，行地址首先將RAS鎖存於晶元中，然後列地址將CAS鎖存於晶元中，WE有效，寫入數據，則寫入的數據被存儲於指定的單元中。
對動態存儲器進行讀出操作時，CPU首先輸出RAS鎖存信號，獲得數據存儲單元的行地址，然後輸出CAS鎖存信號，獲得數據存儲單元的列地址，保持WE=1，便可將已知行列地址的存儲單元中數據讀取出來。
(7)集成電路動態存儲擴展閱讀
主存儲器的兩個重要技術指標：
讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續啟動兩次獨立的存儲器操作（如讀操作）所必需的時間間隔。
存儲容量：通常用構成存儲器的位元組數或字數來計量。
地址匯流排用於選擇主存儲器的一個存儲單元，若地址匯流排的位數k，則最大可定址空間為2k。如k=20,可訪問1MB的存儲單元。數據匯流排用於在計算機各功能部件之間傳送數據。控制匯流排用於指明匯流排的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。
主存儲器分類：
按信息保存的長短分：ROM與RAM。
按生產工藝分：靜態存儲器與動態存儲器。
靜態存儲器（SRAM）：讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩沖存儲器。動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢，集成度高，生產成本低，多用於容量較大的主存儲器。
⑻ 什麼叫集成電路、集成模塊
一、概述
集成電路（integrated circuit，港台稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。
集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。
它在電路中用字母「IC」（也有用文字元號「N」等）表示。
[編輯本段]二、集成電路的分類
（一）按功能結構分類
集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大類。
模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。
（二）按製作工藝分類
集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。
膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。
（三）按集成度高低分類
集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路。
（四）按導電類型不同分類
集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路.
雙極型集成電路的製作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單，功耗也較低，易於製成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。
（五）按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。
（六）按應用領域分
集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。
(七)按外形分
集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用於大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型.
[編輯本段]三、集成電路發展簡史
1.世界集成電路的發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；
1950年：結型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；
1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（ULSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進入市場；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機存儲器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,採用0.6μm工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。
2.我國集成電路的發展歷史
我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在「治散治亂」的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。
[編輯本段]四、集成電路的封裝種類
1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 採用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上晶元封裝，是裸晶元貼裝技術之一，半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
9、DFP(al flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(al in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(al tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一，在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元，並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜，成本高，現在基本上不怎麼使用 。預計 今後對其需求會有所增加。
26、LOC(lead on chip)
晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶元上方的一種結構，晶元 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，晶元用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chip mole)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標准QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定製 品，市場上不怎麼流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，現在已經 普 及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面 積小 於QFP。 日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板 。是 比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑
⑼ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。