『壹』 內存晶元識別
內存顆粒編號與內存品牌知識介紹
Samsung內存
具體含義解釋：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存 條的容量是128Mbits（兆數位）×16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC 內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數 據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判 定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
·「8」是內存條晶元結構，代表改內存由8顆晶元構成。(4=4顆晶元；8=8顆晶元；16=16顆晶元；32=32顆晶元)
·「2」指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·「2」代表介面類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·「B」是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。
·封裝類型用「T」表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。
·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。
·「D43」表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作溫度，一般被省略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
3、處理工藝及工作電壓：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、晶元容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
Infineon（英飛凌）
Infineon 是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為 256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存 顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）×8片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax 內存都是採用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全 是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間×4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間×8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間×4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間×8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A的內存顆粒製造，其容量計算為：64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條MicronDDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDRRAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台灣茂矽）
台 灣茂矽科技是台灣一家較大的內存晶元廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示 單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位T45可知顆粒速度為4.5ns
NANYA（南亞）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亞科技是全球第六大內存晶元廠商，也是去年台灣內存晶元商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母「S」表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。
V-DATA（香港威剛）、A-DATA（台灣威剛）、VT
內存顆粒編號為VDD8608A8A-6B H0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256M容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周
『貳』 在對存儲器晶元進行片選時，全解碼方式、部分解碼方式和線選方式各有何特點
若cpu的定址空間等於存儲器晶元的定址空間，可直接將高低位地址線相連即可，這種方式下，可用單條讀寫指令直接定址，定址地址與指令中的地址完全吻合。
若cpu的定址空間大於存儲器晶元的定址空間，可直接將高低位地址線相連即可，cpu剩餘部分高位地址線，這種方式下，可用單條讀寫指令直接定址，未連接的地址線在指令中可以以0或1出現，即有多個地址對應每個存儲器空間，可在指令中將這些位默認為零。
若cpu的定址空間小於存儲器晶元的定址空間，可將其它io口連接剩餘存儲器高位地址線，定址前，需設置好這些io口。
當存在多片存儲器，且希望節省cpu的io口時，需要外加解碼電路。比如說，存儲器地址線為13根，共8片存儲器，可用74ls138連接cpu的高3位地址線，74ls38的8位輸出分別連接8片存儲器，讀寫時，定址地址與指令中的地址完全吻合。
上一種情況中，若希望簡化外圍電路，也可用其餘埠的8個io分別連接8片存儲的片選，其定址方式與第三種情況類似。
『叄』 內存條 怎麼看晶元識別大小 詳細�0�3
內存條 怎麼看晶元識別大小 我們在攢電腦的時候一般只是注意內存的容量和內存的性能指標，例如 DDR266 DDR333 之類的。但是你知道嗎，同樣的內存根據他的品牌，出廠時間以及批號不同，它具有著不同的性能和穩定性，本文將著重和您探討不同品牌內存之間的性能和穩定性的差異以及同品牌但批號不同的內存的性能差異。另外，本文還將重點涉及內存的制假和售假的方法。將向您徹底揭露正品內存和深圳「油條」的鑒別方法。(什麼是油條？這里不賣豆漿，下文中將相信向您講授油條的做法) 鑒於SDRAM 已經走到了生命的盡頭，即將完全脫出市場，RDRAM 應用不廣DDRII 內存還未量產。所以本文將只涉及市場主流的DDR 內存。 我們先來說一下內存的基本知識，歸納成一句話就是：什麼是內存？ 內存就是隨機存貯器（Random Access Memory，簡稱為 RAM）。RAM 分成兩大類：靜態隨機存儲器，即Static RAM（SRAM）和動態隨機存儲器，Dynamic RAM （DRAM），我們經常說的「系統內存」就是指後者，DRAM。 SRAM 是一種重要的內存，它的用途廣泛，被應用在各個領域。SRAM 的速度非常快，在快速讀取和刷新時可以保持數據完整性，即保持數據不丟失。SRAM 內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據，為了實現這種結構，SRAM 的電路結構非常復雜，往往要採用大量的晶體管來構造寄存器以保留數據。採用大量的晶體管就需要大量的硅，因此就增加了晶元的面積，無形中增加了製造成本。製造相同容量的SRAM 比DRAM 的成本貴許多，因此，SRAM 在PC 平台上就只能用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。而我們所說的「系統內存」使用的應該是DRAM。由於SRAM 的成本昂貴，其發展受到了嚴重的限制，目前僅有少量的網路伺服器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM 的應用比SRAM 要廣泛多了。DRAM 的結構較SRAM 要簡單許多，它的內部僅僅由一個MOS 管和一個電容組成，因此，無論是集成度、生產成本以及體積， DRAM 都比SRAM 具有優勢。目前，隨著PC 機的不斷發展，我們對於系統內存的要求越來越大，隨著WindowXP 的推出，軟體對於內存的依賴更加明顯：在 WindowsXP 中，專業版至少需要180MB 內存以上，而在實際使用中，128MB 才能保證系統正常運行。因此，隨著PC 的發展，內存的容量將不斷擴大，速度也會不斷提升。 好了，下面我們在來說一下內存的速度問題。我們選擇內存的速度，決定於你選用CPU 的前端匯流排，例如你用的是P4A 那你不需要用DDR400 才能滿足3.2G 帶寬得需要因為P4A 的前端匯流排是400MHZ，普通得DDR266 能夠提供2。1GB 的帶寬，此種內存適用於ATHLONXP 低頻以及毒龍等中低端配置.已經不在主流市場之內。DDR333 能夠提供2.7GB 的內存帶寬適用於AMD166MHZ 外頻的巴頓處理器。而DDR400 內存以及DDR433 DDR450 內存將能夠提供3.2GB 以上的內存帶寬，主要應用在INTEL 高端的P4C P4E 上以及ATHLON64 上面。當然，上文所述的僅僅是能夠滿足硬體系統的最低要求，由於p4 的前端匯流排的提高,內存和CPU 之間瓶頸問題已經十分嚴重,新的內竄技術必將產生.例如我們後面簡要介紹到的雙通道DDR 和未來的DDR 內存.當然,如果您擁有一顆像毒龍1.6G， ATHLONXP1800+(b0 1.5V 低壓版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴頓 2500+這樣的具有極品超品潛力的 CPU 那麼我推薦您購買高一個性能檔次的內存，例如Athlon2000+配合DDR333 的內存，這樣基本所有的巴頓2000+都可以超到 2500+使用，市場上的假2500+就是用2000+超頻而來的。 在WINXP 系統的實際應用中，我們提出一個不規范的公式 內存容量〉內存速度〉內存類型 也就是說 就算是SD256M 內存也比128M 的 DDR400 系統速度快，在選購內存的時候，我們建議XP 系統應該配備384M 以上的內存，才能保證系統的快速運行。 下面我們在來說說內存的品牌差異 熟悉電腦的朋友們都知道，我們經常用到的內存品牌有：海盜船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 雜牌中用的顆粒編號較多的是EACH 的以及 KingsMAN KingRAM 等等。海盜船內存主要用於伺服器，我們大家在購買電腦的時候，在資金比較寬裕的情況下，我們推薦Kingstone 的VALUERAM 盒裝內存，以及宇詹盒裝內存（建議購買英飛凌顆粒的）這兩種內存提供內存的終身質保，大家完全可以放心使用，如果資金不是很寬裕，建議購買HY 的內存，經實踐證明HY 的內存的兼容性在所有的內存中首屈一指。但是，HY 的內存假貨泛濫，關於其造假及售假方法將在下文中提到。如果你要購買HY 的內存，那我建議您一定要買富豪代理或者金霞代理的盒裝正品。如果貪圖便宜選擇散裝條子，那就要考考您的眼力了。基本上，我們不推薦您購買雜牌內存，雜牌內存在使用壽命和質保上都不能令人滿意，最後說一下Kingmax 內存我們之所以不推薦，就是因為Kingmax 內存與某些主板的兼容性不是很好但其自身的品質和性能絕對也是一流的。我們希望您在購買的時候一定要試試，看有沒有兼容性問題。 下面我們來說一下相同品牌內存的選購。讓我來為大家解讀一些品牌內存的顆粒編號含義： HY XX X XX XX XX X X X X X - XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12 這個是市場上流行的現代內存的標號。對應位置上1:不用我說你也看出來了當然是代表HY 生產的顆粒嘍 2：內存晶元類型：5D ：DDR SDRAMS 3：工藝與工作電壓V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：晶元容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 晶元結構（數據寬度）4：X4（數據寬度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK 數量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O 界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：晶元內核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等級： 空白 :普通 L :低能耗 10：封裝形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200 我們再來看一下Kingstone 內存的標號方法. kvr *** X ** * c* / *** 1 2 3 4 5 6 7 8 1.KVR 代表kingston value RAM 2.外頻速度3.一般為X 4.64 為沒有ECC；72 代表有ECC5.有S 字元表示筆記本專用內存，沒有S 字元表示普通的台式機或是伺服器內存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符號8.內存的容量 我們以金士頓ValueRAM DDR 內存編號為例：編號為ValueRAM KVR400X64C25/256 這條內存就是。金士頓ValueRAM 外頻400MHZ 不帶有ECC 校驗的CAS=2.5 的256M 內存 我想通過以上的方法，更能方便大家對於內存的理解和選購。接下來我在強調一些有關內存的常見問題： 1. 內存的單面與雙面，單Bank 與雙Bank 的區別？ 單面內存與雙面內存的區別在於單面內存的內存晶元都在同一面上，而雙面內存的內存晶元分布在兩面。而單Bank 與雙Bank 的區別就不同了。Bank 從物理上理解為北橋晶元到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優劣主要取決於它的晶元組。不同的晶元組所支持的Bank 是不同的。如Intel 82845 系列晶元組支持4 個Bank，而SiS 的645 系列晶元組則能支持6 個Bank。如果主板只支持4 個Bank，而我們卻用6 個Bank 的話，那多餘的2 個Bank 就 白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。 2. 內存的2-2-3 通常是什麼意思？ 這些電腦硬體文章經常出現的參數就是在主板的BIOS 裡面關於內存參數的設置了。通常說的2-2-3 按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP 為RAS 預充電時間，數值越小越好；tRCD 是RAS 到CAS 的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS 的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。 3.內存的雙通道技術和單通道有什麼不同？ 什麼是雙通道DDR 技術呢？需要說明的是，它並非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2 條D D R 內存共同使用，數據並行傳輸的技術。雙通道DDR 技術的優勢在於，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P 4 處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端匯流排的P 4 A 處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端匯流排的P4B 處理器更是達到了4.3G B/s，而 P4C 處理器更是達到了 800MHZ 前端匯流排從而需要 6. 4 G 的內存帶寬。但是目前除了I850E 支持的R ambus P C10 66 規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333 本身僅具有2.7G B/s 的帶寬。DDR400 也只能提供3.2G /s 的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400 的內存，理論上提供2 倍DDR400 的帶寬。將從而根本的解決了CPU 和內存之間的瓶頸問題。 4.DDR-Ⅱ和現在的DDR 內存有什麼不同？ DDR-II 內存是相對於現在主流的DDR-I 內存而言的，它們的工作時鍾預計將為 400MHz 或更高。主流內存市場將從現在的DDR-333 產品直接過渡到DDR-II。 DDR-II 內存將採用0.13 微米工藝， 容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB，位元組架構為X8、X18、X36，讀取反應時間為2.5 個時鍾周期 (此段由於SOHU 禁詞限制，發不了） 最後，我將為大家講授內存的造假售假方法。（以下文字未經內存廠商證實，僅僅為筆者長時間的經驗積累，不承擔相應的法律責任，特此聲明） 現在的假貨內存主要集中在HY 普通條子和某些大廠內存（例如這段時間沸沸揚揚的Kingmax）上面。這裡面，大廠的內存條比較容易識別，一般來講，大廠盒裝的正品內存在他的內存顆粒或者PCB 上都會有廠商的鐳射防偽標簽，內存標簽清晰，字體規范，Kingmax 等品牌內存還帶有800 免費的防偽咨詢電話，現場打電話就可以辨別內存的真偽。因為大廠的內存價格相對透明，因此你在 購買內存的時候只要不貪圖便宜，就應該可以買到正品大廠內存。而現在最難鑒別的就是HY 的內存，據筆者調查，現在市場上50%以上的HY 散裝內存都是假貨，但是，假貨也分檔次。比較有「良心」的假貨就是我們通常所說的 REMARK（打磨）最常見的就是將HY 的內存顆粒表面用有機溶劑清洗，再標上更高內存性能的編號，例如將DDR266 的內存打磨成DDR333 的內存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax 等大廠的內存出售，謀取利益。這樣的內存在容量上沒有問題，但是因為一般都是在超標准頻率下使用，必然導致系統的不穩定。這種內存一般很好辨別，只要用手搓內存顆粒表面，用指甲刮，就能輕易的將表面的字跡去除，從而辨別真假。但是，一些手段比較高明的造假者，做出來的內存表面進行了特殊處理，讓你不能夠輕易的抹除字跡。對於這種內存，就要考考您的眼力了。一般說來，正品的內存字跡都是激光「刻」印在內存顆粒上的，會在內存顆粒上留下痕跡，打磨內存的奸商必然覆蓋這些痕跡，看上去字體不是那麼的規范，字的大小也不是很一致。字體的邊角不夠圓滑。辨別類似的內存，就需要一些久經殺場的老鳥了。下面我將告訴大家一種最為狠毒的制假方法，那就是本文開頭提到的「油條」了。我先簡要講述一下此種內存的製作「工藝」。這種內存主要生長在我國南部省份，以深圳為甚。首先，不法奸商用極其低廉的價格（1000 元人民幣一噸）收購國外運來的洋垃圾，或者是在中國市場上幾乎可以不計成本的收購已經燒掉或者損壞的內存條，將這些內存放到一個大油鍋裡面煮，去掉焊錫，清除焊點和內存表面的字跡。然後用香蕉水（劇毒，有強烈刺激氣味）進行清洗。然後，挑出相同的晶元重新焊在 PCB 上，再標上內存編號進行銷售，這樣的內存千條采購價格以256M 為例只有 120 元左右。可以說相當具有「性價比」，從而成為不法奸商們手中的「極品」以牟取暴利。這種內存可以說是性能和穩定性皆無。但是，我們不得不佩服中國人的制假方法，他們把這種內存做的和HY 內存一模一樣，只是內存PCB 顏色看上去有些許的不均勻。但是，這種內存基本上還是很好辨別，大家在購買內存的時候，不要只看內存的表面字跡，應該注意一下內存顆粒右下角的內存編號一般都是數字例如56787 之類的，這種內存由於大批量處理，一般在一條內存上你會發現有2 種甚至更多種的內存顆粒只要抓住這點，基本上可以識別出這種假貨內存，另外，我們還可以聞一下內存，都會有一些餘味（香蕉水的味道） 最後，筆者奉勸您在購買內存的過程中，不要貪圖幾十元的小便宜，而為您的 系統帶來不穩定甚至導致整機的故障。希望通過本文，能夠對您在內存的選購方面有所幫助。希望大家都能夠買到穩定性能一流的內存 不同牌子的內存看法都不一樣的，我收集了一些常用品牌的內存讀法供參考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM 顆粒編號： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整個DDR SDRAM 顆粒的編號，一共是由14 組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。 顆粒編號解釋如下： 1． HY 是HYNIX 的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。 2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM） 3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28： 128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新） 5． 內存條晶元結構：（4＝4 顆晶元；8＝8 顆晶元；16＝16 顆晶元；32＝32 顆晶元） 6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 內核代號：（空白=第1 代；A=第2 代；B=第3 代；C=第4 代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝ MCP（UTC）） 12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85 度）；E=擴展溫度（-25 - 85 度）） 由上面14 條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13 等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM 內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第 13 位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L 的產品（也就是說，它只支持DDR200） 註：有的編碼沒有那麼長，但幾個根本的數字還是有的 LGS 的內存可以說是目前市場上見到的最多，也是最廣泛的內存了，所以LGS 應該首先排第一位。 LGS 的內存編碼規則： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定義： 1、GM 代表LGS 公司。 2、72 代表SDRAM。 3、V 代表3V 電壓。 4、內存單位容量和刷新單位：其中：16：16M，4K 刷新；17：16M，2K 刷新； 28：128M，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M，8K 刷新；66：64M，4K 刷新。 5、數據帶寬：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、晶元組成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O 界面：一般為1 8、產品系列：從A 至F。 9、功耗：空白則是普通，L 是低功 10、封裝模式：一般為T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K （10NS[一說15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（現代HYUNDAI） 現代是韓國著名的內存生產廠，其產品在國內的佔用量也很大。 HY 的編碼規則： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定義： 1、HY 代表現代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工藝：空白則是5V，V 是3V。 4、內存單位容量和刷新單位：16：16M4K 刷新；64：64M，8K 刷新；65：64M， 4K 刷新；128：128M， 8K 刷新；129：128M，4K 刷新。 5、數據帶寬：40：4 位，80：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、晶元組成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O 界面：一般為0 8、產品線：從A－D 系列 9、功率：空白則為普通，L 為低功耗。 10、封裝：一般為TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100， CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做為韓國著名的電器廠商，三星的重要性不必多說，在內存方面，三星的產量 雖然不及上兩者大，但是三星一直專注於高品質、高性能的產品。三星的標識不是很容易的就可以讀出來，而且三星的產品線較全，所以品種非常多，此處僅供普通SDRAM 參考。 SEC 編碼規則： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM 代表SEC 三星，此處編碼一般均為4。 2、數據帶寬：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 3、一般均為S 4、這個數乘以S 前邊的位數就是內存的容量。 5、一般均為0 6、晶元組成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O 界面：一般為0 8、版本號 9、封裝模式：一般為T：TSOP 10、功耗：F 低耗，G 普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON 美凱龍） 美凱龍是美國著名的計算機生產商，同時也是一家計算機設備製造商，其內存的產品聞名全美國，被廣泛的機器所採用。美凱龍內存的品質優異，但價格較韓國的產品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT 代表美凱龍MICRON 2、48 代表SDRAM。 3、一般為LC：普通SDRAM 4、此數與M 後位數相乘即為容量。 5、一般為M 6、位寬：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 7、AX 代表write Recovery(twr)，A2 則代表twr=2clk 8、TG 代表TSOP 封裝模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X 為從A到E：讀取的周期分別是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 較好），10：10NS 10、如有L 則為低功耗，空白則為普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的著名的微電子生產廠，其內存雖然在市場上佔有量不大，但品質還是不錯的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM 代表日立。 2、52 代表SDRAM，51 則為EDO 3、容量 4、位寬：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般為5 6、產品系列：A－F 7、功耗：L 為低耗，空白則為普通 8、TT 為TSOP 封裝模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西門子） 西門子是德國最大的產業公司，其產品包羅萬向，西門子的電子產品也是歐洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西門子的內存產品多為台灣的OEM 廠商製造的，產品品質還算不錯。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB 代表西門子 2、39S 代表SDRAM 3、容量 4、位寬：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般為0 6、產品系列 7、一般為T 8、L 為低耗，空白為普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10： 10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本專業的計算機及外部設備製造商，他的內存產品主要是供應OEM 商，市場上僅有少量零售產品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81 代表富士通的SDRAM 2、PC100 標準的多為F，普通的內存為1 3、容量 4、位寬：4：位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 5、晶元組成：22：2BANK，42：4BANK 6、產品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS （CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（東芝） 東芝是日本著名的電器製造商，其在高端領域也有產品，例如計算機產品及通訊衛星等等。TOSHIBA 的內存產品在市場上見到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC 代表東芝 2、59S 代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位寬：04：4 位，08：8 位，16：16 位，32：32 位 5、產品系列：A－B 6、FT 為TSOP 封裝模式 7、空白為普通，L 為低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽車製造公司，因其多元化發展，所以在IT 業和家電業也有產品，三菱的微集成電路技術不同一般，所以其在內存領域也佔有一席之地，因為速度、品質優異，而成為INTEL 的PII／PIIICPU 的緩存供應商。普通 SDRAM 方面，因為較貴，所以市場上少見。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2 代表三菱產品 2、I／O 界面。一般為V 3、容量 4、一般為S，說明是SDRAM 5、位寬：2：4 位，3：8 位，4：16 位 6、一般為0 7、產品系列 8、TP 代表TSOP 封裝 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白為普通，L 為低耗。
『肆』 U盤晶元怎麼才能看出是原裝的和白片的和黑片,請高手指點一下,謝謝了!!!
計算機里保留的,直接拉上來了.
目前市面上到處都在流傳SLC快閃記憶體、MLC快閃記憶體、黑片、白片，REMARK片搞的好多人雲里霧里，不知所措，，我現在在這里向大家稍微作一點解釋。
白片：按照行內的默認規則就是質量稍好的，容量偏差不大的，因為生產廠家檢測容量不夠而廢棄的，
黑片：按照行內的默認規則就是質量很差的，快閃記憶體的容量偏差很大或者明顯存在其它質量缺陷的
REMARK片：有的不良廠家為了達到某種目的，將買回來的黑片或者白片重新打字，或者將回收的舊晶元重新檢測一下容量，把原來的晶元型號打磨掉，按照重新檢測出來的實際容量重新打上假型號
SLC快閃記憶體：即單層式儲存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星電子、Hynix、美光（Micron）以及東芝都是此技術使用者
MLC快閃記憶體：多層式儲存（Multi Level Cell；MLC)，目前有東芝、Renesas、三星使用，英飛凌（Infineon）與Saifun Semiconctors合資利用NROM技術所共同開發的多位儲存（Multi Bit Cell；MBC）。MLC是英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功的，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating Gate，快閃記憶體存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（Level）的電荷，透過內存儲存的電壓控制精準讀寫，假設以4種電壓控制、1個晶體管可存取2bits的數據，若是控制8種電壓就可以存取3 bits的數據，使Flash 的容量大幅提升，類似Rambus的QRSL技術，通過精確控制Floating Gat上的電荷數量，使其呈現出4種不同的存儲狀態，每種狀態代表兩個二進制數值（從00到11）。
三星與東芝這兩家Flash(快閃記憶體)製造商長期統治著快速增長 的NAND Flash市場。其中三星屬於最大的玩家，不斷採用先進工藝尺寸，以維持競爭優勢。本次主要對這兩家公司的最新快閃記憶體進行比較，同時也兼顧與Hynix、美光和英特爾等公司的比照。
從歷史來看，三星將研發重點集中在了單層單元(SLC)上。SLC架構中每個快閃記憶體單元只能存儲1個比特的信息。而東芝在轉向先進工藝技術方面同樣積極，不過其競爭優勢在於多層單元(NAND快閃記憶體方面的設計經驗和能力。MLC快閃記憶體在每個存儲單元存儲2個比特的信息，使得東芝可在給定面積的矽片上存儲更多的比特信息，並在存儲器尺寸既定的情況下降低生產成本。因此，盡管東芝在工藝技術上可能落後於三星，但在裸片密度上仍是領跑者。
東芝的MLC快閃記憶體已經歷經數代，其中包括新近發布的採用70nm工藝的8Gb快閃記憶體。2005年，東芝曾採用90nm技術與三星的73nm技術展開肉搏。東芝90nm MLC快閃記憶體的比特密度為29Mb/mm2，遠遠高於三星73nm快閃記憶體的25.8Mb/mm2的比特密度。
在存儲密度固定時，東芝甚至擁有比三星更小的裸片尺寸。例如，東芝90nm工藝生產的4Gb NAND快閃記憶體的 裸片尺寸為138mmsup>2，與之相比，三星73nm工藝生產的4Gb NAND快閃記憶體尺寸則為156mmsup>2。這使得東芝在成本方面更具競爭力。在用於文件存儲方面，NAND快閃記憶體不可避免地面臨價格戰，我們也常常 聽到，只有價格領導者才會贏得iPod設計中標。
雖然MLC在某些方面獲得相當的認可，但如今對快閃記憶體晶元的狂熱需求模糊了業界的視線。存儲卡製造商需要價格低廉的晶元，但他們也需要穩定 的供貨。正是基於這個原因，據報道，去年Kingston已就購買SLC晶元作為第二貨源與三星進行了商談。他們商討該協議時，全然不顧MLC方案的成本 比SLC要低30%。
長期以來，三星都在鼓吹SLC而非MLC型NAND快閃記憶體， 不過2004年和2005年該公司提交給國際固態電路大會(ISSCC)上提交的MLC技術論文，標志著該公司的觀點發生了變化。雖然在三星的網站上仍舊 沒有任何有關MLC快閃記憶體的營銷信息，但該公司的確已生產出了4Gb MLC NAND快閃記憶體晶元。雖然我們已對該晶元的樣品進行了分析，但要在市場中找到其樣品仍舊非常困難。其裸片尺寸是156mm2，同東芝採用90nm工藝的MLC型4Gb NAND快閃記憶體相比，還是大了18mm2，因此要能與東芝相匹敵，三星在其下一代NAND MLC技術上還需要改進。
除了三星，Hynix等其他存儲器製造商也在向MLC快閃記憶體邁進。雖然東芝憑借多年的技術積累而在MLC技術上占據優勢，但英特爾與美光科技的合資企業IM Flash也有能力結合英特爾MLC技術與美光的NAND快閃記憶體，從而在MLC型NAND快閃記憶體領域迅猛發展。
MLC快閃記憶體技術並非沒有不足，實際上，在採用先進工藝生產MLC快閃記憶體方面困難重重。隨著快閃記憶體技術的演進，在浮動柵(floating gate)中存儲的電荷總量減少了，使得檢測存儲的信息變得更加困難，尤其是對MLC晶元而言，它需要識別四個電壓值，而非兩個。盡管如此，據報道，東芝 在70nm工藝中能夠保證採用與90nm技術相同的代碼糾錯方案。這顯示該公司並沒有放慢MLC技術縮放的步伐，最少是就現在而言。
此外，與SLC快閃記憶體相比，MLC快閃記憶體在可靠性方面存在不足。雖然對於消費者而言，可靠性不是他們關注的核心問題，但在其它消費市場卻顯然是一個弊端。
三星正准備推出採用65nm工藝的4Gb SLC NAND快閃記憶體，其尺寸比採用73nm工藝的器件稍為緊湊。由此引發的問題是：在工藝縮放方面是否已經無計可施了？
如果實際情況真的如此，那麼情況顯得對東芝更為有利，因為目前它已經生產出70nm工藝的MLC快閃記憶體。作為權宜之計，三星轉向65nm工藝 的晶元或許能夠立馬同東芝的90nm MLC競爭。但是東芝的70nm工藝8Gb MLC技術已取得重大成就，實現了56.5Mb/mm2的比特密度，比三星65nm工藝31.3Mb/mm2的額定比特密度要高出80%。一些並非出自東芝公司的報告暗示，該公司將會跨過65nm工藝，直接轉到50-60nm線寬的16Gb快閃記憶體。當然，在成功實現低於65nm線寬的工藝，仍有一些技術障礙有待克服。
圖：東芝在90nm工藝中採用自校準單元架構
快閃記憶體器件的工藝縮放並非易事，過去業界曾多次出現過快閃記憶體走向終結的預言。然而國際半導體技術路線圖(ITRS)顯示，在32nm工藝節點出現之前，在所有賭注似乎仍然都壓在快閃記憶體而非任何新型替換品上。
有必要使在每個單元中所存儲的比特數翻番，使得浮動柵技術繼續前進，而這很可能推動快閃記憶體首個替代物面市，諸如相變存儲器(PCM)。但是目 前快閃記憶體供應商首先必須克服現有的縮放挑戰，其中包括這樣一些關鍵領域：單元校準(cell alignment)、隧道氧化層、多晶硅層間介電質(interpoly dielectirc)、相鄰單元耦合和高壓晶體管設計。
縮放挑戰
隨著晶元尺寸縮小，改進圖層之間的校準頗受關注。更小的晶元需要更低的操作電壓，反過來也推動了更薄隧道電介質的需求，以將電荷傳輸至浮動柵或傳輸出浮動柵，但問題是，電介層較薄的話，可靠性就較低。
在先進的工藝尺寸中，一個浮動柵的活動區域對存儲單元晶體管的影響較小，但從控制到浮動柵的耦合比例需要保持恆定。所以，需要更薄的多晶硅層間介電質(IPD)。
在有兩種介電質情況下，介電常數更高(higher-k)的材料能減少有效電荷厚度，同時具有更大的物理厚度，並能維護更高的可靠性。然而，採用新型材料會給自身帶來挑戰，存儲單元封裝得更加緊密，會增加風險，導致一個浮動柵上的電荷會影響相鄰存儲單元的操作。
最後，快閃記憶體的操作依賴於較高電壓來寫入或擦除存儲單元。需要在給定矽片面積條件且無損存儲單元效率的條件下，設計和應用能夠轉換電壓的控制晶體管。
東芝的新型晶元集成了很多有趣的特性。當然，基本的存儲單元結構已經縮降至90nm以下。東芝在90nm工藝上引入了完全自校準存儲單元， 並且繼續用於70nm工藝。隧道和多晶硅層間介電質同樣降低了。為了減少干擾，對浮動柵的高度也作了優化。MLC技術在這方面需要更多關注，因為要從存儲 單元中讀出4個狀態，所以感應(sensing)邊界更小。
在存儲列陣方面，東芝轉而採用新型的溝槽蝕刻工藝處理來實現淺槽隔離(STI)。70nm工藝中更小的間距要求東芝使用兩個溝槽深度。存 儲陣列深度對隔離性能的要求較低，以便快閃記憶體單元能夠排列得更加密集。控制晶體管——特別是那些用於控制寫入/刪除電壓的晶體管，需要更好的電壓隔離特性。 所以，他們要更深一些。
溝槽填充方式也發生了改變；現在使用一種新型沉積材料進行兩步處理。在90nm工藝中，採用鎢(tungsten)觸點來代替多晶硅。也許最顯著的一個創新是採用了一種新穎的電容器結構。
所有這些改進加在一起，相當於一個大小僅為0.020μm2的物理單元，換言之，保存1個比特信息僅需0.010μm2。相比較而言，三星的73nm技術保存1個比特信息則需要0.021μm2，而三星的65nm 4Gb器件保存1比特信息預計要0.017μm2。
體系架構上的改進
東芝的70nm NAND快閃記憶體還包括一些架構上的改變，包括焊盤布局和排列結構的調整，旨在減小裸片面積。東芝的焊盤設計是單面的，也就是說所有的焊盤都位於晶元的一邊。 這與其它大多數NAND快閃記憶體大相徑庭，後者上下兩面都分布著焊盤。
焊盤全部移到裸片的一邊就不再需要兩面都設計焊盤條，晶元尺寸隨之減小。為了獲得單面布局的最大好處，對陣列結構作一些變動，從而能有效地訪問晶元的上部或在晶元的邊上遠離焊盤的存儲單元，並為其供電。為了更大程度地減小晶元尺寸，東芝還將改變了其冗餘管理方案。
在單個存儲地址存儲2個比特的信息，要求感應電路能夠分辨出四個電壓等級的差別。自然地，要讀取存儲單元信息的感應放大器需要進行優化，從而為與單層感應相比所存在的較低的雜訊裕量提供補償。接下來的事情，就是為四個不同等級的電荷編程。
東芝選擇了步步為營的方法，其中包括運行一系列「即編程即驗證」的循環，直到獲得期望的程序狀態。 我們的分析檢查了用來寫入四個狀態的時序和電壓。
實際上，該方法是東芝的快閃記憶體合作夥伴Sandisk所開發出來的，並授權東芝採用其專利編程方法。東芝與Sandisk在MLC晶元的研發和生產上已經合作多年。毫不奇怪，兩家公司都積極申請與MLC技術相關的方法、電路和結構方面的專利。
然而，我們卻驚奇地發現，三星在MLC領域的專利申請也相當積極。2002年三星和Sandisk之間達成了一項交叉授權協議，雙方在2009年之前不會提起任何專利爭端。不過，如果三星被捲入MLC價格戰，問題也許會再次提上日程。
也許僅是巧合，ITRS計劃轉向每單元4比特存儲的時間也是2009年。既然有關MLC知識產權的爭端還沒有最後掀起，那麼現在還很難說誰更強。
盡管有這些比較，三星始終還是NAND快閃記憶體市場的佼佼者，並且極具競爭力。雖然東芝依靠在MLC技術上的積累，東芝獲得了些許優勢，但三星已被證明是一個鬥志頑強、勇往直前的對手。讓我們拭目以待：在未來幾年中，為了追趕MLC技術，三星會不懈努力。
三星和東芝還承受著後來者的壓力，如Hynix公司，後者於2004年2月開始發售其首批NAND產品，就非常成功地從DRAM轉向到閃 存。2005年Hynix利潤增加了525%，並且與兩個領軍公司爭奪市場份額。同時，英特爾與美光的合資又誕生了一個強有力的市場競爭者，而英飛凌也開 始顯示出令人鼓舞的利潤增長。
這些公司使得NAND市場的競爭更加激烈；但是至少在目前，三星和東芝仍然是市場和技術的領先者。
對於我們消費者而言，最關心的就是產品的質量問題，因此，網上流傳很多說法，好像只有使用SLC快閃記憶體的產品才是質量好的產品，其實不盡然，產品的質量好壞第一個關節是採用的物料的好壞，第二個關節是廠家是否在生產過程中偷工減料。這兩者都是很重要的。再其次，就是產品的成熟程度，一般剛推出來的產品一般都會存在一些不為人知的問題，只能靠以後的不斷改進才能使產品日趨完善
隨著MP3、MP4控制晶元的更新換代和軟體控制技術的更新，克服了很多難關，目前對於MLC快閃記憶體晶元的架駑能力已經很成熟了，再加上MLC快閃記憶體生產技術的改進，因此目前很多廠家（包括IPOD）都採用MLC快閃記憶體用於消費類數碼產品的生產，尤其是大容量的數碼產品，非它不可！
『伍』 儲存晶元id識別正常能壞嗎
晶元會壞,主要如下幾種原因,經常與帶磁的物品放在一起,導致消磁;表面劃痕,以及使用頻率過高,表面磨損。
存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。
存儲晶元技術主要集中於企業級存儲系統的應用，為訪問性能、存儲協議、管理平台、存儲介質，以及多種應用提供高質量的支持。隨著數據的快速增長，數據對業務重要性的日益提升，數據存儲市場快速演變。從DAS、NAS、SAN到虛擬數據中心、雲計算，無不給傳統的存儲設計能力提出極大挑戰。
對於存儲和數據容災，虛擬化、數據保護、數據安全（加密）、數據壓縮、重復數據刪除、自動精簡配置等功能日益成解決方案的標准功能。用更少的資源管理更多的數據正在成為市場的必然趨勢。然而，以上提及的這些優化功能都需要消耗大量的CPU資源。如何快速實現多功能的產品化進程，保證優化後系統的高性能，是存儲晶元發展的市場驅動力。
存儲晶元能夠快速實現把各項存儲功能都整合到一個單一晶元上，保證優化後系統的高性能，此優勢將會使存儲晶元逐步被視為在線存儲、近線存儲和異地容災的理想技術平台。
『陸』 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼
按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。
從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。
微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。
標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。
SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。
晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。
但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。
混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。