⑴ ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區別是什麼
1、ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據。
2、RAM分為兩大類：SRAM和DRAM。
SRAM為靜態RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。
DRAM為動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。RAM價格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
(1)紫外光存儲器怎樣寫程序擴展閱讀：
存儲器的概念很廣，在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
參考資料：存儲器 網路
⑵ 又能讀又能寫、且存取速度快的村儲器是什麼
這個叫隨機存取存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。
當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。
(2)紫外光存儲器怎樣寫程序擴展閱讀
現代ram依靠電容器來存儲數據。電容充電子表1（二進制），不充電代表0。由於電容器或多或少地存在泄漏，如果不進行特殊處理，數據將逐漸丟失。刷新是指周期性地讀取電容器的狀態，然後根據原始狀態對電容器進行充電，以彌補失去的電荷。刷新的需要解釋了ram的波動性。
dram利用電容電荷存儲原理來存儲信息。電路簡單，集成度高。由於任何一個電容器都有泄漏電流，當電容器充電時，電容器在一段時間內放電會導致電荷的丟失，從而導致存儲信息的丟失。
⑶ 有關存儲器的問題~
存儲器分為內存儲器(簡稱內存或主存)、外存儲器(簡稱外存或輔存)。外存儲器一般也可作為輸入/輸出設備。計算機把要執行的程序和數據存入內存中，內存一般由半導體器構成。半導體存儲器可分為三大類:隨機存儲器、只讀存儲器、特殊存儲器。
RAM
RAM是隨機存取存儲器(Random
Access
Memory)，其特點是可以讀寫，存取任一單元所需的時間相同，通電是存儲器內的內容可以保持，斷電後，存儲的內容立即消失。RAM可分為動態(Dynamic
RAM)和靜態(Static
RAM)兩大類。所謂動態隨機存儲器DRAM是用MOS電路和電容來作存儲元件的。由於電容會放電，所以需要定時充電以維持存儲內容的正確，例如互隔2ms刷新一次，因此稱這為動態存儲器。所謂靜態隨機存儲器SRAM是用雙極型電路或MOS電路的觸發器來作存儲元件的，它沒有電容放電造成的刷新問題。只要有電源正常供電，觸發器就能穩定地存儲數據。DRAM的特點是集成密度高，主要用於大容量存儲器。SRAM的特點是存取速度快，主要用於調整緩沖存儲器。
ROM
ROM是只讀存儲器(Read
Only
Memory)，它只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是由廠家一次性寫放的，並永久保存下來。ROM可分為可編程(Programmable)ROM、可擦除可編程(Erasable
Programmable)ROM、電擦除可編程(Electrically
Erasable
Programmable)ROM。如，EPROM存儲的內容可以通過紫外光照射來擦除，這使它的內可以反復更改。
特殊固態存儲器
包括電荷耦合存儲器、磁泡存儲器、電子束存儲器等，它們多用於特殊領域內的信息存儲。
此外，描述內、外存儲容量的常用單位有:
①位/比特(bit):這是內存中最小的單位，二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特，在電腦中，一個比特對應著一個晶體管。
②位元組(B、Byte):是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特，即1
Byte=8bit。
③千位元組(KB、Kilo
Byte):電腦的內存容量都很大，一般都是以千位元組作單位來表示。1KB=1024Byte。
④兆位元組(MB
Mega
Byte):90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組(MB)為單位。1
MB=1024KB。
⑤吉位元組(GB、Giga
Byte):目前市場流行的微機的硬碟已經達到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等規格。1GB=1024MB。
⑥太位元組(TB、Tera
byte):1TB=1024GB。
(三)輸入/輸出設備
輸入設備是用來接受用戶輸入的原始數據和程序，並將它們變為計算機能識別的二進制存入到內存中。常用的輸入設備有鍵盤、滑鼠、掃描儀、光筆等。
輸出設備用於將存入在內存中的由計算機處理的結果轉變為人們能接受的形式輸出。常用的輸出設備有顯示器、列印機、繪圖儀等。
(四)匯流排
匯流排是一組為系統部件之間數據傳送的公用信號線。具有匯集與分配數據信號、選擇發送信號的部件與接收信號的部件、匯流排控制權的建立與轉移等功能。典型的微機計算機系統的結構如圖2-3所示，通常多採用單匯流排結構，一般按信號類型將匯流排分為三組，其中AB(Address
Bus)為地址匯流排;DB(Data
Bus)為數據匯流排;CB(Control
Bus)控制匯流排。
(五)微型計算機主要技術指標
①CPU類型:是指微機系統所採用的CPU晶元型號，它決定了微機系統的檔次。
②字長:是指CPU一次最多可同時傳送和處理的二進制位數，安長直接影響到計算機的功能、用途和應用范圍。如Pentium是64位字長的微處理器，即數據位數是64位，而它的定址位數是32位。
③時鍾頻率和機器周期:時鍾頻率又稱主頻，它是指CPU內部晶振的頻率，常用單位為兆(MHz)，它反映了CPU的基本工作節拍。一個機器周期由若干個時鍾周期組成，在機器語言中，使用執行一條指令所需要的機器周期數來說明指令執行的速度。一般使用CPU類型和時鍾頻率來說明計算機的檔次。如Pentium
III
500等。
④運算速度:是指計算機每秒能執行的指令數。單位有MIPS(每秒百萬條指令)、MFLOPS(秒百萬條浮點指令)
⑤存取速度:是指存儲器完成一次讀取或寫存操作所需的時間，稱為存儲器的存取時間或訪問時間。而邊連續兩次或寫所需要的最短時間，稱為存儲周期。對於半導體存儲器來說，存取周期大約為幾十到幾百毫秒之間。它的快慢會影響到計算機的速度。
⑥內、外存儲器容量:是指內存存儲容量，即內容儲存器能夠存儲信息的位元組數。外儲器是可將程序和數據永久保存的存儲介質，可以說其容量是無限的。如硬碟、軟盤已是微機系統中不可缺少的外部設備。迄今為止，所有的計算機系統都是基於馮·諾依曼存儲程序的原理。內、外存容量越大，所能運行的軟體功能就越豐富。CPU的高速度和外存儲器的低速度是微機系統工作過程中的主要瓶頸現象，不過由於硬碟的存取速度不斷提高，目前這種現象已有所改善。
⑷ 我在做一個關於單片機的畢業設計，是關於大巴通過紅外線自動報站的！
單片機內部結構（一）
單片機的內部究竟有哪些部分組成的，它們都有些什麼作用呢？讓我們先來了解其中的ROM存儲器：
一．半導體存儲器ROM
1．幾個基本概念
上一課我們講到了把編譯後的指令下載到單片機後這條指令一定在單片機內的某個地方，那麼它究竟在哪裡呢？原來它就放在一個叫程序存儲器的地方，英文名稱ROM（全稱為Read Only Memory），叫只讀存儲器。它是一個什麼東西呢？在討論這個問題之前，讓我們先來看幾個物理現象：（1）數和物理現象的關系 不知大家是否還記得，在學習數字電路時我們曾用一盞燈的亮和滅來表示電平的高和低，即用「1」來表示高電平，用「0」來表示低電平，如果現在有兩盞燈那它會有幾種狀態呢？
0 0 0 1 1 0 1 1 兩盞燈的組合就是四種狀態：00，01，10，11。如此看來燈的亮和滅這種物理現象同數字確實有著某種聯系，如果我們把它們按一定的規律排列好，那麼電平的高或低就可以用數字來表了，換句話說：不同的數字可以代表不同數量燈的電平高或低。比如：
0000，0001，0010，0011，0100，0101，0110，0111，1000，1001，1010，1011，1100，1101，1110，1111這十六種組合就可以代表四盞燈的狀態，能理解嗎？
（2）位及位元組的含義
在單片機中，一盞燈（實際上是一根線）我們稱它為一位，它有兩種狀態（「0」或「1」），分別應電平的高或低，它是單片機最基本的數量單位，用BIT來表示。8盞燈（八根線）有256種狀態，這8盞燈（也就是8位）我們把它稱為一個位元組，用BYTE表示。至於為什麼要怎麼規定，這就不需要你我操心了，我們只要記住就可以了。那麼單片機是如何來儲存這些數字所代表的位元組的狀態的呢？接著往下看：
2．半導體存儲器的工作原理
存儲器就是用來存放數據的地方，它其實是利用電平的高或低來存放數據的，也就是說，它實際上存放的是電平的高或低的狀態，而不是我們所習慣上認為的「1234」這樣的數字。那它是如何工作的呢？一個存儲器就象一個小抽屜，一個小抽屜里有8個小盒子每個小盒子用來存放1位「電荷」，電荷通過與它相連的電線傳進來或釋放掉，至於電荷在小盒子里是怎樣存放的，這就不用我們操心了，您可以把電線想像成水管，小盒子里的電荷就象是水，那就好理解了存儲器中的1個小抽屜我們把它稱之為1個「單元」，相當於1個位元組，而1個小盒子就相當於1位。有了這么一個構造，我們就可以開始存放數據了，比如我們要放進一個數據「00011010」，我們只要把第2號、第4號和第5號小盒子里存滿電荷，而其它小盒子里的電荷給放掉就行了。可是問題又出來了，一個存儲器有好多相同的單元，線是並聯著的（看D7-D0），在放入電荷的時候，會將電荷放入所有的位元組單元中，而釋放電荷的時候，會把每個單元中的電荷都放掉，這樣的話，不管存儲器有多少個位元組單元，都只能放同一個數，這當然不是我們所希望的。因此，我們要在結構上稍作變化，看上面的圖，在每個單元上有根線與解碼器相連，我想要把數據放進哪個單元，就通過解碼器給哪個單元發一個信號，由解碼器的通過這根線把相應的開關打開，這樣電荷就可以自由地進出了。那麼這樣是不是就能隨意地向存儲器寫入或者讀出數據了呢？其實還不能，當我們向存儲器寫入數據時，必須先把這個開關切換到寫入端；而要讀出數據時，就得先把開關切換到讀出端；而片選端則是為了區分不同的存儲器設置的。
3．半導體存儲器的解碼
簡單介紹一下：我們知道，1根線可以代表2種狀態；2根線可以代表4種狀態；3根線可以代表8種；256種狀態又需要幾根線代表？8根線，所以一片6264存儲器我們只需要16根線就可以了。
4．存儲器的選片及匯流排的概念 至此，解碼的問題解決了，讓我們再來關注另外一個問題：送入每個位元組的8根線又是從什麼地方來的呢？它就是從單片機的外部引腳上接過來的，一般這8根線除了接一個存儲器之外，還要接其它的器件，這樣問題又出來了，這8根線既然不是存儲器和單片機之間專用的，如果總是將某個單元接在這8根線上，就不行了，比如這個存儲器單元中的數值是「FFH」，另一個存儲器的單元是「00H」，那麼這根線到底是處於高電平，還是低電平？豈不是要打架看誰歷害了？所以我們必須讓它們分離。辦法當
然也簡單，當外面的線接到集成電路的引腳上來後，不直接接到各單元去，中間再加一組開關就行了。這組開關就是前面提到的控制器（看前面的圖），平時我們讓開關打開著，如果確實是要向這個存儲器中寫入數據，或要從存儲器中讀出數據，再讓開關切換到相應的位置就行了。這組開關由三根引線選擇讀控制端、寫控制端和片選端，要將數據寫入，先由控制器選中該片，然後發出相應的寫信號，開關切換到相應的位置，並將傳過來的數據（電荷）寫入片中；如果要讀信號，先選中該片，然後發出讀信號，開關也切換到相應的位置上，數據就被送出去了；另外讀和寫信號還同時受到解碼器的控制，由於選端的不同，所以雖有讀或寫信號，但沒有片選信號，所以另一個存儲器就不會「誤會」而開門，造成沖突，那麼會不會同時選中兩個存儲器呢？只要是設計好的系統就不會，因為它是由計算機來控制的，如
果真的出現同時選中兩個存儲器的話，那就是電路出故障了。
如此看來，存儲器要想寫入或者讀出數據還真是不簡單，不過好在這些都是由計算機自動完成的，不需要我們去操心。從上面的介紹中我們已經看到，用來傳遞數據的8根線（51單片機是8根）並不是專用的，而是很多器件大家共用的，所以我們把它們稱之為數據匯流排（匯流排英文名為BUS），即公交道，誰都可以走；而16根地址線（51單片機共有16根地址線，這些以後會講解，這里不必死記硬背）也是連在一起的，我們把它們稱之為地址匯流排，
5．半導體存儲器的分類
第一課中我們提到過，89C51是一種帶Flash ROM的單片機，什麼是Flash ROM？它到底是一種什麼東西呢？ROM我們已經知道，是只讀存儲器，所謂只讀，從字面上理解那就是只可以從裡面讀出數據，而不能寫進去，它類似於我們的書本，發到我們手裡之後，我們只能讀裡面的內容，不可以隨意更改書本上的內容。ROM就是單片機中用來存放程序的地方，前面我們下載到單片機的指令就放在這個地方。講到這里大家也許會感到困惑，既然ROM是只讀存儲器，那麼指令又是如何進入其中的呢？其實所謂的只讀只是針對正常工作情況下而言，也就是在使用這塊存儲器的時候，而不是指製造這塊晶元的時候，只要讓存儲器滿足一定的條件就能把數據預先寫進去，這個道理也很好理解，書本拿到我們手裡是不能改了，但當它還是原材料--白紙的時候，我們完全可以由印刷廠把內容印上去嘛。前面的編程就是這么回事！Flash ROM是一種快速存儲式只讀存儲器，這種程序存儲器的特點就是既可以電擦寫，而且掉電後程序還能保存，編程壽命可以達到幾千至幾萬次，所以我們的實驗系統是可以反復燒寫的，您盡管使用。目前新型的單片機都採用這種程序存儲器；當然，除了這種程序存儲器外，還有兩種早期的程序存儲器產品，簡單介紹一下：PROM EPROM和EEPROM，PROM稱之為可編程只讀存儲器，就象我們的練習本，買來的時候是空白的，可以寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能寫一次，要是寫錯了，就報廢了，習慣上我們把帶這種程序存儲器的單片機稱為OTP型單片機，如果您的產品批量生產，又要求價格比較低的話，帶這種程序存儲器的單片機是非常合適的；EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器，它裡面的內容寫上去之後，如果覺得不滿意，可以用一種特殊的方法去掉後重寫，就是用紫外線照射，紫外線就象「消字靈」，可以把字去掉，然後再重寫，當然消的次數多了，也就不靈光了，所以這種晶元可以擦除的次數也是有限的——幾百次吧，電腦上的BIOS晶元採用的就是這種結構的存儲器；EEPROM，前一種存儲器的擦寫要用紫外線，而這種存儲器可以直接用電擦寫，比較方便數據的改寫，它有點類似於FLASH存儲器，但比FLASH存儲器速度要慢，現在新型的外部擴展存儲器都是都是這種結構。
了解了ROM，讓我們再來簡單講講另一種存儲器，叫隨機存取存儲器，也叫內存，英文縮寫為RAM（Random Access Memory），它是一種既可以隨時改寫，也可以隨時讀出裡面數據的存儲器，類似於我
們上課用的黑板，可以隨時寫東西上去，也可以用黑板擦隨時擦掉重寫，它也是單片機中重要的組成部分，單片機中有很多的功能寄存器都與它有關。
二．本課總結
本課主要講述了單片機的兩種半導體存儲器—只讀存儲器ROM和隨機存儲器RAM的工作原理，它們是單片機的重要組成部分，了解它的內部結構對我們學習單片機是很有幫助的。不過如果您一時對本課的內容還無法搞得很明白，也沒有關系，隨著學習的深入，我們還會慢慢地講解相應的基礎知識，可千萬不要放棄喲？我在沒有學會單片機之前也是如此囫圇吞棗的。
單片機內部結構（二）
一．LED燈閃爍的實驗程序
我們要讓LED1不斷的閃爍，就象大海中用的航標燈。怎樣才能讓LED1不斷的閃爍呢？實際上就是讓它亮幾秒，再滅幾秒，也就是讓P1.0交替地輸出高電平或低電平，按照前面所學的知識，我們寫出下面的程序：CLR P1.0；
SETB P1.0；編譯後下載到單片機？
這里有兩個問題：首先計算機執行指令的速度很快，執行完第1條指令後LED1是滅了，但在極短的時間內又去執行第2條指令，LED1又亮了，我們根本無法看到燈曾經滅過；第二個問題是當執行完第2條指令後，不會再去執行第1條指令了，因為單片機執行指令的過程是一條一條地順序執行的。
如何解決這兩個問題呢？我們可以作如下的設想：第一，執行完第1條指令後讓單片機延時一段時間（幾秒或零點幾秒），然後再去執行第2條指令，這樣就可以看到LED1曾經滅過了；第二，讓單片機執行完全部指令後再返回去執行第1條指令，如此不斷的循環就可以達到我們的要求了。
實驗程序如下：
主程序
MAIN:SETB P1.0 ;
（1）
LCALL DELAY ;
（2）
CLR P1.0 ;
（3）
LCALL DELAY ;
（4）
LJMP MAIN ;
（5）
子程序
DELAY:MOV R7,#250 ;
（6）
D1:MOV R6,#250 ;
（7）
D2:DJNZ R6,D2 ;
（8）
DJNZ R7,D1 ;
（9）
RET ;
（10）
END .
（11）
還記得軟體的使用方法嗎？調試，寫入源代碼，編譯，下載到單片機，看看是不是我們想要的結果??
在分析這段程序之前，先來說明幾個標點符號的意義：
1.分號在這里起一個分隔符的作用，表示這條指令到此為止；
2.括弧內的數字在這里是為了解釋程序用的，實際的編譯過程中是沒有意義的，也就是說沒有也是一樣的，只是為了程序的可讀性更強，我們一般會在分號的後面加上程序的注釋文字（後面我們會用到）；
3.特別?：程序中的標點符號只能在英文狀態下輸入，當使用中文輸入時，必須切換到半形狀態，不然編譯軟體會出錯。接下來我們分析一下這段程序：按照我們的要求，第1條，讓燈滅，第2條應該是延時，第3條是讓燈亮，第4條和第2條一樣也應該是延時，第5條應當返回去執行第1條指令。看一下上面的程序，第1條我們已經懂了，是讓LED1滅，第2條和第4條我們等一下討論，第5條是LJMP MAIN，LJMP是一條指令，意思是轉移，轉移到什麼地方去呢？看一下LJMP後面跟著什，是MAIN，什麼地方有MAIN，在第1條指令的開頭就是MAIN，所以第5條指令的意思就是跳轉到MAIN（即第1條指令處繼續執行），如此一來，就不斷地重復執行這些指令。那麼MAIN又是什麼意思呢？它實際上是我們為這段程序起的
一個名稱，專業術語叫標號，既然是一個名稱那可不可以用mcu，CHINA等等的其他名字呢？當然可以，這完全取決於您的需要（?：不過也有一些是不能採用的，我們以後再講）。再來分析第2條和第4條指令，看看它們是如何實現延時的？
LCALL DELAY，LCALL也是一條指令，這條指令叫做調用子程序指令，看看LCALL後面跟著的是什麼--DELAY，哪裡有DELAY，在第6條指令的開頭，很顯然這也是一個標號，這條指令的作用就是當執行到這條指令時就轉去執行LCALL後面標號所在處的程序，如果在執行程序時遇到RET指令（RET叫返回指令），就返回到LCALL指令的下面一條（即第3條指令）處繼續執行，在第9條指令後確實有RET指令，那麼在執完第2條指令後就應該去執行第6.7.8.9條指令，之後遇到第10條指令：RET，執行完這條指令後就回去執行第3條指令，將P1.0清零，也就是讓LED1亮，然後再去執行第4條指令，執行完後又回到6.7.8.9.10
條指令，最後執行第5條指令：LJMP MAIN，也就是我們剛才說的跳轉到第1條，將P1.0置位，就是LED1
滅掉。如此周而復始，LED1就不斷的閃爍。好好理解這段文字，務必把它搞清楚！！！
從標號DELAY處（即第6條）開始到RET的這一段指令我們稱之為子程序，它是一段延時程序，至於延時多長時間，我們會在以後的課程中學習。程序的最後一條是END，它不是指令，它只是告訴編譯軟體整個程序到此結束了，它叫「偽指令」。在大家以後的編程中，寫完程序都要加上這一條。
在上面的程序中我們知道了從標號DELAY開始的子程序是一段延時程序，那麼它又是如何工作的呢？在了解它的工作過程之前我們必須先知道其中的一些符號，就從R7開始吧，它是單片機內部的一個重要組成部分，叫工作寄存器，什麼是工作寄存器？下面我們就來講解這個問題：
二．工作寄存器
上一課我們已經講過，在單片機中有許多的功能寄存器和半導體存儲器RAM有關，那麼工作寄存器又屬於哪一部分呢？它是用來干什麼的呢？要搞清楚這個問題，讓我們先從日常生活中的一個例子說起，如我們要做一道數學題123+456，您會馬上得出答案：579，接下來再看一道題：
123+456+789，要你馬上得出答案就不那麼容易了，通常我們會怎麼做呢？一般總是先把123+456的結果
579寫在一張紙上，然後再算579+789=1368，這1368就是我們想要的最終結果，而579隻是為了得到最終結果而暫時記下來的中間結果，單片機中做運算和我們生活中做運算一樣，也需要把中間結果放在某個地方，那麼計算機把它放在哪兒呢？前面我們提到的ROM（只讀存儲器）中，不行！因為ROM是用來存放程序的，它只能寫進去，能讀出來（再次提醒一下，這只是相對而已），所以只能放在單片機的另一個區域—RAM中（即隨機存取存儲器）中。R7就是RAM區域中劃出的一部分。知道了R7，接下來讓我們來分析一下這段子程序（延時程序）。
三．LED燈閃爍程序子程序的分析
首先看第6條，MOV R7，#250，這也是一條指令，意思是傳遞數據。我們知道在日常生活中，要傳遞一件東西就必須要有一個傳遞者，一個接受者和被傳遞的東西，那麼在單片機中是怎麼區分它們的呢？在這條指令中，R7是接受者，250就是要傳遞的東西（單片機中要傳遞的東西當然是數字了），這
里傳遞者被省略了（順便提一下，並不是每條指令都能省略的，事實上大部分的指令都要有傳遞者）
，這樣一來，這條指令的意思也很清楚了：就是把250這個數傳遞給R7這個工作寄存器（也就是把250個數送入R7中），這樣執行完這條指令後R7中的值就應該是250，我們可以用DUBG8051這個軟體來驗證一下，看是不是符合。講到這里，不知大家注意沒有，在250這個數的前面有個#，它是什麼意思呢？這個#就說明250是一個被傳遞的數的本身，而不是傳遞者。看懂了MOV R7，#250，那麼MOV R6，#250也應該很清楚了。
接著看第8條DJNZ R6，D2，這又是另一條指令，我們來看一下DJNZ後面跟著什麼，一個是R6，一個是D2，R6我們已經知道了，再找一下D2，D2在本行的開頭，我們已經學過，它是標號。那麼這條指令是怎麼執行的呢？它的執行過程是這樣的：它將後面的值（即工作寄存器R6中的值）減1，然後查一下這個值是否等於「0」，如果等於「0」就往下執行，如果不等於「0」就轉移，轉移到什麼地方去呢？大家應該明白了，實際上這條指令的執行結果就是在原地轉250次；當R6中的值等於「0」之後，程序就去執行第9條指令，也就是DJNZ R7，D1，大家自行分析一下這條指令的結果（是不是轉去執行MOV R6，#250，同時R7中的值減1），這段子程序的最終執行結果就是DJNZ R6，#250這條指令被 16 執行了250*250=62500次，執行這么多次干嗎？就是為了延時。
單片機內部結構（三）
1．時序的由來
已經知道單片機執行指令的過程就是順序地從ROM（程序存儲器）中取出指令一條一條的順序執行，然後進行一系列的微操作控制，來完成各種指定的動作。它在協調內部的各種動作時必須要有一定的順序，換句話說，就是這一系列微操作控制信號在時間上要有一個嚴格的先後次序，這種次序就是單片機的時序。就好比學校上課時用的電鈴，為了保證課堂秩序，學校就必須在鈴聲的統一協調下安排各個課程和活動。那麼單片機的時序是如何規定的呢？接著往下看：
2．時序的周期
計算機每訪問一次存儲器的時間，我們把它稱為一個機器周期，它是一個時間基準，就象我們日常生活中使用的秒一樣，計算機中一個機器周期包括12 個振盪周期，什麼是振盪周期？一個振盪周期是多少時間？振盪周期就是振盪源的周期，也就是我們使用的晶振的時間周期，一個12M 的晶振，它的時間周期是多少，如果電子技術學得好的朋友應該不難算出（T=1/f），也就是1/12 （微秒），那麼使用12M 晶振的單片機，它的一個機器周期就應該等於12*1/12（微秒），也就是1μS。
在MCS-51 系列單片機中，有些指令只要一個機器周期，而有些指令則需要兩個或三個機器周期，另外還有兩條指令需要4 個機器周期，這也不難理解，你在家擦地板的話總比擦桌子的時間要長，不過我可是大男子主義，從來不做家務的。開句玩笑！！！如何衡量指令執行時間的長短？我們就要用到一個新的概念：指令周期—即執行一條指令所需的機器周期，INTEL 公司規定了每一條指令執行的機器周期，當然這不需要我們非把它記住，不過在這里DJNZ 指令我們是要記住的，它是雙周期指令，執行一次需要兩個機器周期，即2μS。（12M 晶振的話），回到我們上一課的實驗，延時的時間就應該算出來了吧，是62500*2μS=125000μS，也就是125mS 。這么大的數字也就0.125S，怪不得LED1 閃爍的這么快。二．單片機的時鍾電路，單片機是在一定的時序控制下工作的，那麼時序和時鍾又有什麼關系呢？時鍾是時序的基礎，單片機本身就如同一個復雜的同步時序電路，為了保證同步工作方式的實現，電路就要在唯一的時鍾信號控制下按時序進行工作。那麼單片機內的時鍾是如何產生的呢？
1． 內部時鍾電路
在MCS-51 單片機的內部有一個高增益的反相放大器，其輸入端為引腳XTL1（19），輸出端為XTL2
我們只要在外部接上兩個電容和一個晶振，就能構成一個穩定的自激振盪器，它的內部電路的工作原理就不介紹了，這里主要講一下電容和晶振的選擇，看上面的圖，晶振的大小與單片機的振盪頻率有關，我們到串列介面時再詳細講解，電容的大小影響著振盪器振盪的穩定性和起振的快速性，通常選擇10-30P 的瓷片電容或校正電容；另外在設計電路時，晶振和電容應盡可能的靠近晶元，以減少PCB 板的分布電容保證振盪器振盪工作的穩定性，提高系統的抗干擾能力
2． 外部時鍾電路
除了內部時鍾方式外，單片機還可以採用外部引入時鍾的振盪方式，什麼時候需要採用外部時鍾方式呢？當我們的系統由多片單片機組成時，為了保證各單片機之間時鍾信號的同步，就應當引入唯一的公用的外部脈沖信號作為各單片機的振盪脈沖，此時應將XTAL2 懸空不用，外部脈沖信號由XTAL1 引入，如上右圖所示，外部信號的高低電平持續時間應大於20mS，
⑸ 能夠用紫外光擦除rom中程序的只讀存儲器稱為
EPROM。能夠用紫外光擦除rom中程序的只讀存儲器稱為EPROM，EPROM由以色列工程師DovFrohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元—即非易失性的（非揮發性），它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。
⑹ 能夠用紫外光擦除ROM中程序的只讀存儲器稱為什麼拜託各位了 3Q
EPROM
⑺ 存儲器 CPU連接圖
ROM是一種半導體內存，其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失。例如早期的個人電腦如Apple
II或IBM
PC
XT/AT的開機程序（操作系統）或是其他各種微電腦系統中的軔體（Firmware）。
只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。英文簡稱ROM。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定
，斷電後所存數據也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。除少數品種的只讀存儲器（如字元發生器）可以通用之外，不同用戶所需只讀存儲器的內容不同。為便於使
用和大批
量
生產
，進一步發展了可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程序只讀存儲器（EPROM）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）。EPROM需用紫外光長時間照射才能擦除，使用很不方便。20世紀
80
年代制出的
EEPROM
，克服了EPROM的不足，但集成度不高
，價格較貴。於是又開發出一種新型的存儲單元結構同
EPROM
相似的快閃記憶體
。其集成度高、功耗低
、體積小
，又能在線快速擦除
，因而獲得飛速發展，並有可能取代現行的硬碟和軟盤而成為主要的大容量存儲媒體。大部分只讀存儲器用金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管製成。
⑻ 請問下哈!!電可擦除式ROM和紫外線ROM的意思
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM有兩種，一種是不帶窗口的，其特性和PROM類似，在專用編程器上只能寫入一次，如果寫錯了，晶元只能報廢，這種晶元在各種顯卡、音效卡和以前的解壓卡上都能見到（如^10030901c^所示就是S3375顯卡上的這種EPROM晶元）。另一種EPROM是指帶窗口的EPROM（也是我們大家常見的那種），這種EPROM晶元有一個很明顯的特徵：在正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，一旦紫外線透過該孔照射內部晶元，就可以擦除其中的數據。當然，完成晶元擦除的操作也可以用專門的EPROM擦除器（^10030901d^）。要向EPROM內寫入資料必須用專門的編程器，同時必須要加一定的編程電壓（范圍在12V～24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如^10030901e^所示的27C020（8×256K）是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到紫外線照射而使資料受損。
4.EPROM雖然已具備了可重復寫入的能力，但要藉助EPROM擦除器和專用編程器進行擦除和寫入程序，很不方便。這時，EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦除可編程ROM）（^10030901f^）應運而生了。EEPROM的擦除不需要藉助其他設備，它是用電子信號來修改內容的，而且是以Byte為最小修改單位，寫入數據時不必將內部資料全部洗掉，而且只要通過廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫晶元內部的內容，徹底擺脫了EPROM 擦除器和編程器的束縛。但EEPROM屬於雙電壓晶元，在寫入數據時，仍要加一定的編程電壓。正由於EEPROM晶元的雙電壓特性，採用該晶元的BIOS具有良好的防毒功能（當把主板上防BIOS寫入的跳線開關撥至「ON」位置，並給晶元加上相應的編程電壓，就可以方便地升級BIOS；反之，把跳線開關撥至「OFF」位置，防止CIH類病毒對BIOS晶元進行非法修改），所以至今仍有不少主板採用EEPROM作為BIOS晶元。
講到BIOS的工作原理，我們先來介紹一下BIOS系統的兩類載體：EPROM和EEPROM的相關知識。EPROM——可擦除可編程只讀存儲器，從外觀上可以看見，在晶元的中央有一個透明的小窗口，紫外線光即是通過這個小窗口將晶元上保存的信息擦除掉的，因為在日光和熒光中都含有紫外線，因此，我們通常用一塊不透明的標簽將已保存了信息的EPROM晶元的紫外線窗口封住。當然，寫入EPROM晶元時，我們首先必須先用紫外線擦除器將EPROM中的信息清除掉，使它變為空的晶元後才能進行寫操作，應該說明的是這里「空晶元」的「空」並非我們通常意義上的「空白」，而是此時晶元內部變為全「1」信息，因此，晶元的寫入原理實際上是將指定位置上的「1」改為「0」。到這里，有的朋友一定想問：既然日光和熒光均含有紫外線，為什麼我們不讓EPROM晶元在這些光線下暴露一段時間來擦除呢？要知道，完全擦除一塊EPROM中的內容，在日光下至少要一周，在室內熒光下至少要三年了！而且隨著晶元容量的增大，時間也得相應拉長。EEPROM是電可擦除可編程只讀存儲器。在平常情況下，EEPROM與EPROM一樣是只讀的，需要寫入時，在指定的引腳加上一個高電壓即可寫入或擦除，而且其擦除的速度極快！通常EEPROM晶元又分為串列EEPROM和並行EEPROM兩種，串列EEPROM在讀寫時數據的輸入／輸出是通過2線、3線、4線或SPI匯流排等介面方式進行的，而並行EEPROM的數據輸入／輸出則是通過並行匯流排進行的。另外還有一種EEPROM即是我們現在主板上常見到的FLASH ROM——閃速存儲器，其讀寫速度更快，更可靠，而且可以用單電壓進行讀寫和編程，為攜帶型設備的在線操作提供了極大的便利，也因此廣泛應用 撲慊�靼逕稀?br> 通常，486以及486檔次以下電腦的BIOS晶元基本上均是EPROM晶元，而586以及PⅡ、PⅢ檔次的BIOS晶元基本上均是EEPROM。另外我們也可以從BIOS晶元上的型號來識別：像27C010、27C512等以「27」打頭的晶元均是EPROM，而28C010、29C010、29C020、29C040等，均為EEPROM，其中28C010是128K×8，即1M比特並行EEPROM，29C010是128K×8（1M比特）、29C020是256K×8（2M比特）、29C040是512K×8（4M比特）的FLASH ROM。串列EEPROM在計算機主板上較少見，而提供這些晶元的廠家多為MX、WINBOND、ATMEL等廠家。應注意的是：不同廠家生產的晶元命名方式不同。以上介紹的晶元是以ATMEL公司的產品為例。
⑼ 簡述只讀存儲器和隨機存儲器的區別
1、作用不同
只讀存儲器的主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入／輸出的驅動程序及引導操作系統。隨機存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快。
2、二者的特點不同
ROM存儲器只能讀，它只允許在生產出來之後有一次寫的機會，數據一旦寫入則不可更改。它另外一個特點是存儲器掉電後裡面的數據不丟失。RAM可以隨時讀和寫，並且在斷電以後保存在上面的數據會自動消失。
(9)紫外光存儲器怎樣寫程序擴展閱讀
只讀存儲器（ROM）的類型
1、PROM（可編程只讀存儲器），可由用戶編程。一旦編程，其中的數據和指令將無法更改。
2、EPROM（可擦可編程只讀存儲器），可以重新編程。要從中擦除數據，請將其暴露在紫外線下。要對其重新編程，請擦除所有先前的數據。
3、EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器），可以通過施加電場來擦除數據，而無需使用紫外線。我們只能擦除晶元的一部分。
⑽ 存儲器讀寫是什麼意思
問題一：讀寫是什麼意思 讀寫。如果是指電腦類。通常是指對存儲器的的數據的讀出（把存儲器的數據讀出來）與寫入（把要存儲的數據寫入存儲器）。
問題二：存儲器的讀寫過程是什麼樣的？ 首頁 采購專區 供應專區 技術資料 環保電子 商情資訊 我的B2BIC
5.1 存儲器系統基本知識
作者： 時間： 2008-04-10 來源：
5.1.1存儲器的分類
按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。
這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。
按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）
1.只讀存儲器（ROM）
ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：
(1)掩模工藝ROM
這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。
(2)可一次性編程ROM（PROM）
為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。
(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）
可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。
(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）
這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦寫ROM（flash ROM）
E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。
2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）
讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。
(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。
(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MO......>>
問題三：存儲器的讀寫 20分 RAM、硬碟、光碟、儲蓄器
問題四：按內容訪問的存儲器是什麼 相聯存儲器是一種按內容訪問的存儲器，每個存儲單元有匹配電梗，可用於cache中查找數據，整個存儲器陣列同時進行數據的匹配操作。
問題五：4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的 1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址績線在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了
問題六：讀寫平台是什麼意思 現代的內存儲器多半是半導體存儲器，採用大規模集成電路或超大規模集成電路器件。內存儲器按其工作方式的不同，可以分為隨機存取存儲器（簡稱隨機存儲器或RAM）和只讀存儲器（簡稱ROM）
問題七：手機儲存和內置儲存是什麼意思 5分 手機存儲，就是指手機的「內置存儲」與「外置存儲」。外置就是我們用戶加上去的所謂擴展的D卡，4G，8G,等。總之除SD卡，就是手機的內置存儲，一般手機只有幾百兆，好的手機可能大些，這生產廠家在工廠做了的，我們不能改變的。
問題八：存儲讀取數據的緩沖區是什麼意思 緩沖區: 讀取的數據暫時存放的位置,便於後續處理
起始偏移量: 從什麼位置開始存儲, 如果緩沖區的數據位null, 起始偏移量為0;如果緩沖區已經有數據並且要把心的數據追加到原數據之後, 那麼就要找到第一個為null的數據, byte的初始值是0
阻塞: 在這個方法操作緩沖區時, 不能被其他的非同步線程調用
希望能幫助你
問題九：幾種存儲器讀寫速度關系 存儲器大體分為兩種：只讀存儲器ROM和隨機存儲器RAM。ROM用得比較多的是NANDFLASH和NOR FLASH，寫入速度NAND比NOR快，讀取速度NOR比NAND快。隨機存儲器分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM），速度是SR暢M>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.
問題十：cpu對存儲器的讀寫操作是按什麼進行的?是地址嗎? 記得微機原理這本書有詳細的解釋的，應該是根據邏輯地址and物理地址去讀寫數據的