『壹』 人類到目前為止的歷史存進電腦後內存總共多少
人類到目前為止的歷史存進電腦後內存總共多少？
根據你所描述的問題的內容的具體的情況來看。人類到目前為止的歷史存進電腦和內存總共多少？這個純凈電腦後的內存總共多少的看你存儲的。內容的信息是多少是詳細的內容還是說？大概的內容，如果大概的內容的話，那是非常非常的少的，根本就占不了什麼內存，就算是個人的。一個很小的內存卡都可以儲存下來的。如果你描述的非常非常的詳細的話，把所有的事情發生的事情知道的事情通通的描述。心情內存儲存的話，那麼現有的內存都不夠純。因此呀，你說所說的歷史存進電腦後應該是指。嗯，世界歷史又是一個歷史的概念的。情況加一部分的詳細的歷史情況。那麼這樣的情，歷史的純凈，電腦也沒有。呃，多少的內存基本上就是說把目前人類書籍。而歷史書籍的內容存進電腦，那是絕對存的下的。嗯，也就是幾個cp而已，或者說幾個。即而已。其實你要存進電腦裡面應該是有選擇的呃進行存儲的。所以你所表明的這個人類到目前為止的歷史，曾經電腦和綠的是多少呢？必須。框定這個歷史的范圍才能夠確定啊曾經電腦後到底需要多少內存？但是如果說把所有的內存知道的人，歷史的詳細情況存進去的話呃，理論上也是能夠沉得下的，因為即便是目前是呃的內存存不下，那也沒有關系呀。人類的目前可以繼續的製造內存條可以繼續的儲存吶。你最大量的增加內存的儲存量的，所以說呃任何的律師都能存的進去的。目前，所發生的。歷史的情況都能存進去的。
『貳』 U盤的發展史
來歷：一種說法是： U盤使用USB介面，所以叫U盤。
其次呢：國內這種產品是中國深圳朗科公司開發的，申請了專利叫 優盤，後來其他的廠家為了避免版權的問題，使用諧音 U盤。
發展史：追溯快閃記憶體檔發展的歷史，快閃記憶體檔應該是在2000年首次面市，當時全球共有5家企業擁有自有快閃記憶體檔品牌的銷售，這5家主要是以色列的M－system、新加坡Track、朗科優盤、魯文易盤和韓國FlashDriver。但這五家推出的產品是有區別的，M－system、track、優盤以及Flashdriver的第一代快閃記憶體檔在各種操作系統下都必須要安裝驅動程序才可使用，這並沒有實現快閃記憶體檔真正的「移動存儲」的特點，而且當時這些廠家推出的快閃記憶體檔價格非常高，朗科優盤的16M產品就賣到了1000左右。魯文推出的第一代快閃記憶體檔———易盤就具有「無驅」功能。無驅是指用戶除了在Windows98／SE操作系統外，其他的win�dows2000、windowsxp等操作系統下都無需驅動程序，易盤可即插即用，讓用戶真正地實現移動存儲。
隨著無驅型易盤面市，其他品牌也緊接其後，朗科的第二代優盤也推出了無驅功能。隨著消費者對快閃記憶體檔的認知度提高，消費者對快閃記憶體檔功能的需求也日益增多。魯文公司在2002年初就推出了具有「無驅、啟動、硬加密」功能三項功能於一體的「三合一」型易盤。此三合一易盤是指易盤除了具有無驅功能，還具有啟動系統功能，可將易盤做為系統啟動盤來啟動系統，這項功能使得軟盤沒有存在的意義了；值得一提的是「硬加密」功能，此功能使得易盤具有私密性，用戶必須鍵入正確的密碼方可使用易盤，這樣可以防止用戶私密性的資料被其他人竊取。易盤已不僅僅具有存儲功能，而具有了更多的個性化特色。
快閃記憶體萬舸爭流的時代已經到來，迅速擴張的快閃記憶體市場需求和一擁而上瓜分市場份額的廠商群雄割據，新產品和技術層出不窮。今年7月份，魯文存儲推出了集「無驅、啟動、硬加密、防寫、隨身郵、PC鎖、壓縮存儲、保密碟、雙重殺毒」9項功能於一體的「九合一」易盤。快閃記憶體檔在中國的歷史不過區區兩年，她所走過的歷程是一個挖掘、引領用戶需求的道路。最初的研究開發人員，是懷著為用戶提供一個能存儲更大容量工具的初衷，這才有了閃盤的出現；現在，閃盤的功能越來越豐富，價格也開始貼近個人用戶，今後閃盤將向著個性化方向邁進。雖然現在，仍有很多人對閃盤比較陌生，不過有理由相信，只要是符合用戶需求，閃盤的明天必將更好
『叄』 內存的顆粒封裝: FBGA 同BGA 是什麼區別 謝謝
兼容性沒有影響，FBGA要比BGA的封裝好！這是一個時代，已經淘汰了！內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP這些都成為歷史了.
fbga 是塑料封裝的bga bga=球柵陣列封裝技術。該技術的出現便成為CPU、主板南、北橋晶元等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。但BGA封裝佔用基板的面積比較大。雖然該技術的I/O引腳數增多，但引腳之間的距離遠大於QFP，從而提高了組裝成品率。而且該技術採用了可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能。另外該技術的組裝可用共面焊接，從而能大大提高封裝的可靠性；並且由該技術實現的封裝CPU信號傳輸延遲小，適應頻率可以提高很大。
BGA封裝具有以下特點：
I/O引腳數雖然增多，但引腳之間的距離遠大於QFP封裝方式，提高了成品率
雖然BGA的功耗增加，但由於採用的是可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善電熱性能
信號傳輸延遲小，適應頻率大大提高
組裝可用共面焊接，可靠性大大提高
『肆』 生物質顆粒歷史進程是什麼
顆粒是什麼？
顆粒燃料在世界各地變得越來越重要，是可再生的、清潔燃燒及成本穩定的家庭供暖選擇。它是可再生的生物質產品—通常是廢棄木材。歐洲和美國數以百萬計的人使用木屑顆粒供熱，用於獨立式爐具，壁爐、熔爐和鍋爐。顆粒可用於工業應用和發電，作為熱電聯產項目中煤的替代或補充品。也可在學校和監獄等大場所使用木屑顆粒燃料供熱。世界各地製造顆粒，其跨境交易十分活躍。總之，顆粒燃料是將數以百萬計的廢棄物轉化為能量的一種方式。
薪材、木屑顆粒、木片、廢紙以及許多其他的農副產品都能夠被用於能源生產，都屬於生物質燃料。生物質最引人注目的是它的可再生性。顆粒燃料顯著的一致性和燃料效率產生一小部分微粒排放。顆粒燃燒器配備了所有固體燃料燃燒器最低的顆粒物排放。加以農業適當管理，生物質幾乎是無限的，而且已證明與化石燃料相比，生物質的價格更具穩定性。
顆粒歷史
·歐洲瑞典
使用生物質顆粒用於能源生產可以追溯到上世紀70年代，在能源危機後，尋求化石燃料的替代品。在這個時候，用於生產動物飼料顆粒的技術已被改進，以適用於更緻密的木質材料。瑞典是這個行業的先行者之一，由於其突出的木材產業、增加能源獨立的願望和環境保育的承諾。
瑞典木屑顆粒的生產計劃在1970年後期啟動，決定在穆拉建一個顆粒廠。該工廠於1982年11月開始生產，不久後就出現問題了，因為成本遠遠高於預算。設備是將燃油鍋爐改為顆粒燃料鍋爐。但是效率很低，不僅僅是因為顆粒質量很差。第一年的原料主要是樹皮。顆粒灰分含量通常是2.5-17％。穆拉工廠於1986年倒閉。
1984年在Vårgårda建了一間顆粒廠，於1989年倒閉。該廠的最後一個所有者是Volvo集團。在1987年，建於Kil的第一間乾燥物料制粒廠，被設計為年產量為3000噸。這家工廠仍然在運作，是瑞典歷史最悠久的商業化工廠。
在90年代初，瑞典政府想出了礦物燃料征稅的提案。此時它也限制二氧化碳的排放量。在短期內，燃燒化石燃料變得無利可圖，隨之生物燃料進入填補能源缺口。這是一個轉折點，標志著木屑顆粒的使用開始快速增長。
歐洲其他地方也出現了類似的清潔能源計劃。其結果是，使歐洲成為生物質顆粒消費的領航者。顆粒可以通過卡車運送交付，直接存放在住宅的存儲區域，類似於加油站進汽油的方式。除了住宅供熱，越來越多的歐洲發電廠使用生物質顆粒發電，以及其它工業應用。
·北美洲
在上世紀80年代中期已經出現了木屑顆粒燃料行業，隨著住宅木屑顆粒爐的推廣。此設備是能夠減少顆粒物排放，遠低於美國環境保護局（EPA）對柴灶排放新要求，為消費者提供自動化和便利的木材供暖方式。顆粒爐的銷量在90年代初迅速增加，在1994年達到頂峰。後來因天然氣灶出現，增長逐漸趨於平緩。顆粒燃料銷售量遵循住宅顆粒爐的需求曲線。在此期間，住宅用途佔95％左右，其餘為工業用途。
1984年，在美國太平洋西北地區經營了兩家顆粒廠。大多數顆粒廠為小公司所有。然而，最近建成許多大型顆粒以應對歐洲不斷上升的需求，歐洲已成為加拿大和美國主要的顆粒出口目的地。
使用的原料通常是木屑。刨花和木片比較少使用。這個行業是由許多獨立的工廠組成，其唯一的業務是顆粒生產，這些工廠也是其它木材加工公司的一部分。這些獨立的企業在公開市場上購買原材料，往往是更大的生產商。
木屑顆粒行業是由一間間廠緩慢發展起來的。許多工廠需要6-18個月的調整規范期。啟動階段時間長是由於多種因素，包括：原材料變化、設計不當和工程，使用破舊或尺寸不合適的設備和缺乏經驗的管理人員和生產工人的一部分。盡管如此，隨著行業的逐漸成熟，條件不斷改善，企業在進入這個行業之前，一般會提前做研究調查，設備/工程公司提供更好的整體工廠設計和安裝，改善裝備，藉助其他顆粒生產商提供信息和協助。
除了大型的顆粒生產廠，也有一些是個體戶，特別是在農村地區大家自行用小型機械生產顆粒。這是一種自給自足的方式，滿足周邊地區用戶需求，也是一種從現成的廢料中獲得經濟效益的方法。
河北浩瀚農牧機械製造有限公司
『伍』 求助！！關於DRAM的發展史
作為PC不可缺少的重要核心部件——內存，它伴隨著DIY硬體走過了多年歷程。從286時代的30pin SIMM內存、486時代的72pin SIMM 內存，到Pentium時代的EDO DRAM內存、PII時代的SDRAM內存，到P4時代的DDR內存和目前9X5平台的DDR2內存。內存從規格、技術、匯流排帶寬等不斷更新換代。不過我們有理由相信，內存的更新換代可謂萬變不離其宗，其目的在於提高內存的帶寬，以滿足CPU不斷攀升的帶寬要求、避免成為高速CPU運算的瓶頸。那麼，內存在PC領域有著怎樣的精彩人生呢？下面讓我們一起來了解內存發展的歷史吧。
一、歷史起源——內存條概念
如果你細心的觀察，顯存（或緩存）在目前的DIY硬體上都很容易看到，顯卡顯存、硬碟或光碟機的緩存大小直接影響到設備的性能，而寄存器也許是最能代表PC硬體設備離不開RAM的，的確如此，如果沒有內存，那麼PC將無法運轉，所以內存自然成為DIY用戶討論的重點話題。
在剛剛開始的時候，PC上所使用的內存是一塊塊的IC，要讓它能為PC服務，就必須將其焊接到主板上，但這也給後期維護帶來的問題，因為一旦某一塊內存IC壞了，就必須焊下來才能更換，由於焊接上去的IC不容易取下來，同時加上用戶也不具備焊接知識（焊接需要掌握焊接技術，同時風險性也大），這似乎維修起來太麻煩。
因此，PC設計人員推出了模塊化的條裝內存，每一條上集成了多塊內存IC，同時在主板上也設計相應的內存插槽，這樣內存條就方便隨意安裝與拆卸了內存的維修、升級都變得非常簡單，這就是內存「條」的來源
小帖士：內存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暫存數據及指令。我們可以同時寫數據到RAM 內存，也可以從RAM 讀取數據。由於內存歷來都是系統中最大的性能瓶頸之一，因此從某種角度而言，內存技術的改進甚至比CPU 以及其它技術更為令人激動。
二、開山鼻祖——SIMM 內存
在80286主板發布之前，內存並沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對於當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟體程序的處理需要。不過隨著軟體程序和新一代80286硬體平台的出現，程序和硬體對內存性能提出了更高要求，為了提高速度並擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了前面我們所提到的「內存條」概念。
在80286主板剛推出的時候，內存條採用了SIMM（Single In-lineMemory Moles，單邊接觸內存模組）介面，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖）。
隨後，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了（如圖3），72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由於其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了.
小帖士：72線的SIMM內存引進了一個FP DRAM（又叫快頁內存），在386時代很流行。因為DRAM需要恆電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失，其刷新頻率每秒鍾可達幾百次，但由於FP DRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度並不是很快。另外，在DRAM中，由於存儲地址空間是按頁排列，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會佔用CPU額外的時鍾周期。
三、徘徊不前——EDO DRAM內存
EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外擴充數據模式存儲器）內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO-RAM同FP DRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin並存的情況，事實上EDO 內存也屬於72pin SIMM 內存的范疇，不過它採用了全新的定址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著製作工藝的飛速發展，此時單條EDO 內存的容量已經達到4 ～16MB 。由於Pentium及更高級別的CPU數據匯流排寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。
四、一代經典——SDRAM 內存
自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板晶元組推出後，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。
第一代SDRAM 內存為PC66 規范，但很快由於Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由於SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據匯流排寬度，因此它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由於其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。
不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恆的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存。
五、曲高和寡——Rambus DRAM內存
盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM內存（稱為RDRAM內存）。與SDRAM不同的是，其採用了新一代高速簡單內存架構，基於一種類RISC(Reced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。
在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手劍，Rambus DRAM內存以高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。
盡管如此，Rambus RDRAM 內存生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR「掠奪」其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內存因出現Intel820 晶元組「失誤事件」、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平台高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內存面前。
六、再續經典——DDR內存
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是「雙倍速率SDRAM「的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鍾信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多採用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鍾上升緣傳輸。
DDR 內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代DDR200 規范並沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的內存，其後來的DDR333內存也屬於一種過度，而DDR400內存成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標准，隨後的DDR533 規范則成為超頻用戶的選擇對象。
七、今日之星——DDR2內存
隨著CPU 性能不斷提高，我們對內存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標准，加上LGA775介面的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2內存的支持，所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其介面將運行於1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標准來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667MHz等不同的時鍾頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。在AMD的Athlon 64使用DDR400內存控制器的情況下，未來對於高頻率內存的需求量可能比較小，而且DDR2內存的發展空間也將取決於AMD是否改進內存控制器。
根據摩爾定理，只要DIY硬體在更新換代，內存規格也將不斷更替，比如目前的DDR3有望取代現有的DDR2，而未來的FB-DIMM內存又將是另一個更好解決方案。從PC技術發展情況來看，實際上內存的發展，也代表了DIY硬體領域的發展歷史，同時它也牽動並影響者整個DIY硬體技術的不管革新……
『陸』 世界第一大內存顆粒生產商是三星，金士頓還是閃迪
三星是目前世界第一大內存顆粒生產廠商，後面應該是鎂光、海力士（以前叫現代）。金士頓、閃迪更本就不生產內存顆粒，金士頓就是組織內存廠商，閃迪也就生產快閃記憶體顆粒吧。
『柒』 RAMBUS內存的RAMBUS 歷史
Rambus公司創建於1990年三月，創始人是兩位出身於名牌大學的值得尊敬的先生：畢業於伊利諾斯大學的 Mike Farmwald 博士和畢業於斯坦福大學的 Mark Horowitz 博士。說實話，公司一開始不過是間不起眼的普通微電子公司。就像業界里的無數普通小公司一樣，99%的這種小公司不是瀕臨 倒閉就是被大公司兼並。同樣，Rambus公司從創建伊始就經歷了一條布滿坎坷的發展道路，盡管起初沒有人會想到它會掀起驚濤駭浪。
公司創建一個月後，也就是1990年4月，公司提出了一項關於發明Rambus工藝的專利的申請。申請並不讓人滿意，但是在1990年當時美國專利制度的特性就是如此：在最初的版本之後所有後來的繼續努力和關於Rambus的專利申請都被認為是失敗的。讓我們記住這個事實因為它是公司發展史上曾經發生過的事件中意義相當重大的一件
像許多內存廠家一樣，當時的Rambus公司並不是JEDEC的成員。該組織的48個 成員中的一個（准確的說是第42個成員公司）正致力於設計新的DRAM類型的規格，不過進展非常緩慢。 Rambus公司的代表首次出席JC-42 會議是在1990年年末，而正式加入JEDEC組織是一直到了1992年7月。那時，Rambus公司已經贏得了一些名望：當年3月的時候，它的新型Rambus DRAM已經得到日本富士通公司、東芝公司和NEC公司的認可。
Rambus公司引起人們的注意並是來自於它們自己技術標准，而是當年公司在四次JEDEC會議上投票反對批准通過SDRAM標准 （當時的整個局勢對於Rambus非常有利：任天堂公司宣布它們將在新的游戲主機上採用RDRAM技術）。事情變的更加有趣了，因為JEDEC條例要求其成員公開 其專利技術－－這樣這項技術才有可能得到JEDEC的批准成為所有成員都遵循的標准。1995年9月Rambus公司在沒有做出任何解釋的情況下拒絕表決有關SyncLink和RamLink技術的決議。其實原因很簡單：Rambus公司當時已經取得了這兩項技術的專利權。
因為JEDEC的條令同Rambus公司的商業計劃是有所抵觸的，條例要求 成員在組織內部公開其技術規范，但是Rambus並不想這樣做。在有關SDRAM方面的專利，Rambus也保持了沉默：它還沒有得到它們。現在我們從公司的商業計劃 的一段話找到了這個沉默的原因，是1992年6月12日寫的：
「（我們相信）Sync DRAM侵犯了我們申請的專利；我們可以對Sync DRAM涉及我們的專利權的部分提出申請。然後我們可以從Sync DRAM製造廠商那裡得到專利金[酬金和版稅]。我們的行動計劃是在92年第三季度前確定 申請，然後到92年第四季度警告Sync DRAM製造廠商。」
所以，在1992－1995年間，公司出席JC-42會議，盡管它並不會正常的被允許那樣做，在聚會上使用每一個機會來宣揚其這個思想和觀念。Rambus公司希望取得一個屬於公司專利的大規模標准，不過在實現之前它不會告訴任何人。
在恰當的時機到來之前不要告訴任何人。這一段將是我們整個故事中最激動人心的部分。1996年6月，Rambus提交給JEDEC一封信，表明公司退出該組織。信的大意是「我們退出並不再繳費，因為我們的商業發展計劃不適合JEDEC組織有關尊重專利權的政策。順便說一句，我們已經得到了專利：專利號XXX」。一句話也沒涉及SDRAM。確實當時PC66/100規格的小樣已經完成了，有的晶元廠家已經開始投產了。
到這時，Rambus立足已穩，對於RDRAM發展成為一個穩定的盈利途徑充滿了信心。我們沒有機會掌握詳細資料，但是無論如何，1996年11月，在經過了幾年的談判之後，Intel公司同Rambus公司簽署了一些協議來共同致力於將Direct Rambus DRAM發展成為一項廣泛承認的標准規范。這種內存類型由兩家公司共同協作開發。 協議特別規定，Intel公司要在隨後兩年後推出支持 DRDRAM 內存的晶元組，也就是在1998年底前推出這樣的晶元組產品。
營利 當然是促成Intel公司同Rambus達成這筆交易的最大原因，此外還有一個方面值得一提：Intel公司始終認為Direct DRAM是現有的內存類型中最理想的內存技術，始終認為它可以憑借這個技術輕而易舉的贏得市場。
話說從頭，退回到革命年代。在處理器市場上，Intel用Socket-370介面接替了Slot-1介面。在顯卡領域，Intel公司用AGP取代 了PCI，盡管後者前者同樣都是開放。顯然，向著新型內存過渡是勢在必行的了。
Slot 1介面的Pentium III和Socket370 Pentium III
當時業界面臨著在Double Data Rate DRAM和SyncLink DRAM之間進行選擇的局面，這兩種內存規格實際上在1996年 就已經基本就緒了。在1997年，大的內存生產廠家開始著手設計DDR DRAM內存顆粒，SLDRAM 協會也隨之成立，Micron公司積極的 推廣這種內存規范。內存生產廠家認為在現有基礎和架構發展上，比Intel公司只是追求性能的做法更好。後來的情形也的確是DDR佔了上風並主宰了市場， 目前SLDRAM相關的技術已經被用於開發DDR-II上。當然，過多的談論這些不免有些事後諸葛的味道。
簡單的來說，1996年11月Intel公司選擇了DR RDAM並宣稱這種內存類型將要取代PC100 SDRAM。如果我們回憶一下當時的全部情形－當時市場上只有PC100類型內存，Intel公司關於DR DRAM的預言給人留下深刻的印象－我們應該贊同這種內存類型能夠全面的取得領先地位。每個人都還記得Intel公司在PC100的發展過程中起到的主導地位。這是Rambus當年在股票市場上大獲成功的原因，在最初的幾日里取得98%的漲幅。是的，事實上沒有人會懷疑它的價值。 在微處理器論壇上Intel和Rambus公司宣布將會於1999年聯手將這項技術投放市場。這只限於具有1.6GB/s帶寬的800MHz DR DRAM。它們允諾到時RIMM模組的容量會在32MB到1GB之間，而物理特性和發熱量同SDRAM相當。它們還驕傲的宣稱，絕大多數內存廠商向它們申請並得到了這種技術的許可。
大獲全勝，真正意義上的勝利！LG Semicon, Samsung, Mitsubishi－幾乎全部的廠家都選擇了DR DRAM。當然，它們已經習慣了這樣。產品多樣化是業界的常事，某個公司不同時期生產不同類型的內存也是司空見慣。當然，沒人願意錯過一項有前景的新 技術，也許今後能主宰市場。同樣，沒有人打算把全部身家都投入到DR DRAM上去：對DR DRAM大唱贊歌的公司同時也在發展DDR DRAM或者SLDRAM工藝，甚至兩者都有。 Intel的老對手開始發放K7處理器許可證，對於OEM廠商來說到了抉擇的時刻。此時，AMD並不想把K7的前途維系於某種類型的內存上。此時，Rambus公司的一個副總裁宣稱DR DRAM將成為業界內存規范，因為此時一些業界巨頭如IBM和康柏的名詞已經出現在了許可名單的列表中。
一個月以後，在Comdex 98 Fall會上，Intel展示了運用了DR DRAM內存的家用電腦。然而，演示游戲卻是Forsaken－－這款游戲對於內存帶寬並沒有多高的要求。Rambus公司也承認其在延遲時間方面存在問題，不過其聲稱問題已經解決了，而且強調即使其DR DRAM時鍾周期之間的等待時間是10ns，這比其它的規格的內存都要快。
受合同限制，Intel公司雖然也對那些新工藝懷有濃厚興趣，只能盡力支持Rambus，並在財政上激勵內存製造廠商。Micron公司收到5億美元，三星1億美元，與NEC和東芝的談判也取得進展。Rambus公司許諾在1999年上半年開始DR DRAM的大規模生產，所以1999下半年問世的i820主板會直接帶動i820基礎的計算機的大規模生產高潮。
那是天堂里最後的日子。隨即RDRAM暴露出來的問題使得i820晶元組一再的延期，大部分重要的製造廠商根本不能確認是否要生產新型內存。我想你可能不記得S-RIMM了，那是Intel的一項建議來應付預期的DR DRAM晶元缺乏。那是一個電源轉接RIMM模塊來獲得3.3V電壓，這樣才能允許在印刷電路板上使用PC100 SDRAM內存晶元。 這個期間，VIA挑頭的企業聯盟把賭注都壓在PC133 SDRAM上，它們一直不懈的在做著針鋒相對的競爭。
內存模組生產商一再宣稱：「到年底市場需求將肯定到來，我們不知道需要會 有多麼高，但希望做好准備」。因此，它們不斷的在模組測試上投資，試圖戰勝競爭者。連接器和頻率發生器製造廠商都做好准備等待六月的開始，顯示晶元和顯卡製造商計劃在i820六月份投放市場之後大量生產新型的AGP 4x產品。Rambus公司的上市股票達到了最高價：109-15/16美元。 一月
即使在黃金時期也存在問題。特別是在年初 DR DRAM 的設計遠非完美。 其實，DR DRAM技術中介面的內涵要比晶元設計更加重要。製造廠商要投產這種內存需要徹底的另起爐灶，無法在現有設備上改造。DR DRAM技術遭到了工作站和伺服器 廠商抵制，因此沒有廠商生產這個領域的rambus晶元組。這種情況使得Intel公司不得不開發能支持DDR DRAM內存的伺服器晶元組。價格昂貴 卻還有一些解決不了的問題，估計沒有人願意使用這種內存，雖然Intel也推出了支持Rambus的i840，但是這款晶元組最高只能支持2GB容量的內存－－伺服器廠商絕不是小孩子那樣的容易糊弄。
二月
與Intel和Rambus最初的樂觀估計相反，好運不再站在它們這邊，真正的問題在稍後的時間里暴露無疑。到二月份完全轉運了， 傳言說僅支持600MHz DR DRAM的Camino Lite晶元組會在六月問世。三星表示已經預先計劃好了，日立則表示：「我們對600MHz DR DRAM一無所知」。 後來，我們在11月份才看到了600MHz DR DRAM，並且計劃大量用於PC。
隨即春季IDF召開，就在一年以前，IDF'97正式宣布DR DRAM，各個廠商在過去的一年內為此做了大量的工作，但是成果呢？因為技術問題和內存廠商低的生產能力，i820的上市推遲了三個月，直到9月份。 當時每生產四個頻率發生器只有一個符合其規格，同時八個內存廠商里只有五個宣布支持這種新型內存，而且幾乎沒有一家廠商的內存模組通過了認證。 用戶也發現唯一支持DR DRAM內存的晶元組並不是那麼好，為此Intel推出了支持133MHz的i815晶元組，無疑，這是權宜之計。
更慘的是i820+DR DRAM的組合受到了猛烈的批評，發熱量大、不穩定、與SDRAM相比昂貴的成本和專利使用費用。在這個月，威盛正式宣布成立一個研發團隊來開發PC133，其實這個研究小組在一月中旬就已經投入工作了。
三月
又一個打擊緊隨而至。月底，公眾了解到Intel基於DR DRAM設計的 晶元產品存在bug：MTH對由MTH匯流排信號的同步開關引起的主板/系統噪音過於敏感。該問題表現為在操作時發生間歇性的系統重啟或死機。由於這一噪音敏感問題在極端的條件下有可能導致數據破壞。
四月
Intel開始很快的丟失市場份額。Intel試圖通過提高內存帶寬來召回大家的關注，於是通過了一個過渡性的700MHz DR DRAM規范。這是一個可行的步驟，既然行業內的每個人都對600MHz DR DRAM沒興趣，而800MHz又可能對製造廠家來說要求過於高了。當然，在進行了幾年的研發，在最終的產品發布之前的半年內又進行了如此多的改變，我們不可能稱之為穩定的設計。但是Intel和Rambus公司仍然宣稱不管有多大的困難，i820/DR DRAM將要在九月份問世。 但是DR DRAM依然被諸多問題所困擾。三星依然堅定的站在Intel/Rambus這一邊，它一再告訴每個人PC133 SDRAM不過是孩子的玩具，而128bit DR DRAM晶元市場1999年預計將達到5千萬片。但是與此同時三星公司卻仍然在供應PC133。
在這個期間，Intel的部分官員也對於Rabus的堅決立場有了松動。Paul Otellini，Intel架構事業群副主管曾經這么說過：「我不認為Rambus是必須的，沒有它我們依然可以使用133MHz匯流排」。那麼如果能使用，Intel為什麼不使用呢？幾個月之後，Intel終於邁出了這一步。
四月底－五月初
威盛公司推出它的Apollo Pro133晶元組，沒有理會Intel揮舞的GTL+許可證並聲稱它不能適用133MHz系統匯流排。為了發出最後的通牒，Intel公司的一個推廣事務部以所有可能和莫須有的罪名來控告威盛公司。起訴當天又撤消了，因為這僅僅是一個警告。 同期，矽統公司發布SiS630晶元組,其支持AGP 4x、UltraDMA/66、133MHz系統匯流排和PC133 SDRAM內存。
Apollo Pro133晶元組北橋
五月
Intel推出了錯誤百出的i810晶元組。威盛則繼續生產Apollo Pro133。內存製造商 則繼續改進工藝，比如縮小DR DRAM晶元尺寸，並開始生產PC133 SDRAM晶元。到9月份，i820面世的時候，大部分製造廠商已經開始採用0.20微米 製程。當然AGP 4x顯卡雖然已經出現，但是支持這種模式的平台並不多。RIMM模組連接器的廠商開始增大它們的生產量，它們都擁有每月生產80萬件能力的設備，並且在九月份完全可以滿足實現150萬需求的需要，這些廠商都滿懷希望，現在的苦心經營到時候會有滿意的回報。
看起來很熟悉，不是么？是的，這和我們在12月到1月份看到的情況是一致的。同樣的匆忙，同樣的最後的准備，同樣的希望成為第一批提供為i820配套的產品。只不過當時這些公司投資是因為相信Intel公司許諾六月份將大量生產i820，而現在，變成9月份。
在這個月，Intel已經推出了A1版本的i820晶元組。主板製造商一直認為它是一款並不成熟的晶元組，而且設計和測試晶元組需要的設備花費不菲，大部分製造商並不具備這樣的設備條件。台灣廠商的情況遠不能讓人樂觀。由於Rambus的情形十分的不明朗，所以內存製造商仍然繼續生產DDR DRAM和開發128, 256, 512MB甚至 1GB內存顆粒。而且已經推出了128MB樣品。當時的情形是內存廠商已經准備好開始大量生產DDR DRAM，只需要等待支持它的晶元組的推出，i820/DRDRAM的情況卻正相反。
六月
AMD宣布將 對於DRDRAM的支持推遲一年，同時將主要精力轉向PC100和PC133。另一方面，有消息說IBM公司不打算在它們當年的計算機里使用DR DRAM，這重挫了Rambus公司和Intel公司的股價。第二天，IBM公司發言人譴責新聞記者撒謊，並確認IBM將使用DR DRAM，至少是在其高端個人電腦中使用。
兩天後，在Computex'99上，威盛展出它的Apollo Pro133——首款採用133MHz系統匯流排的PC主板晶元組。同時展出的還有許多基於Apollo Pro133晶元的主板：ASUS、Gigabyte、MSI的產品。SiS, ALi和Reliance公司也同樣預計將很快 推出它們的PC133晶元組。多數分析人士認為PC133是向DDR DRAM過渡的橋梁而非Direct Rambus DRAM。
Intel公司也開始頻頻暗示它們對於PC133 SDRAM的興趣，如果 真的需要它並不不會排斥它。如果這種標准將被廣為接受，為什麼不應用呢？Intel花費了5個月的時間才得出這樣的結論。關於這個問題的最後決議將在九月份的IDF上做出。 從此，Intel決定用自己來取代威盛。
Intel的所有客戶接到一封信稱威盛支持133MHz系統匯流排的晶元組超越了威盛頭一年11月份 從Intel所得到的許可范圍。Intel公司表示可以忽略威盛已經送到客戶手中的晶元組樣品的事實，但是這種情況絕對不能再次出現。看上去警告並沒有起到作用，大約10天之內Intel公司收回了威盛的許可證並控告威盛罪名包括違反合同、侵犯專利權、負面的廣告和不公平競爭。同時把專利許可授予了ALi公司。威盛准備維護自己權益。我們已經知道它們的維權方式：公司的頭並沒有在矽谷浪費時間，而且同國家半導體進行了卓有成效的談判。
Intel仍然在致力於完善i820。B0版本比前一個版本有了些許改進，B1版本 也沒有避免遭受批評的命運。盡管i820晶元組仍處於開發階段，戴爾公司發布了支持DR DRAM內存新的工作站系列：Precision 220、420、 620,預計九月上市 －－這算是給了Intel一劑強心針。
七月
Intel終於可以給客戶帶來一些好消息 ，它展示幾款由台灣主板大廠開發的基於i820晶元組的主板，其中包括了一款可以運行的ASUS主板。當Intel公司繼續完善晶元組的時候，威盛正式發布Apollo Pro133晶元組並開始批量出貨。
八月
相當的平靜，然後九月終於到來了。
九月
在九月的第一天開幕的Intel開發論壇上，Intel再次展出一個採用800MHz DR DRAM的系統，並宣布將在2000年初大量生產支持PC133的晶元組。Dell公司所做的有關DR DRAM vs. PC100 SDRAM的測試數據表明兩種內存類型在應用軟體性能上沒有太大的差異。i820上市兩周前，測試數據出現在各種各樣的網站。後來隨著驅動程序的改進，測試結果也明顯的改善。 ASUS、AOpen、ABIT、Chaintech 公司都公開它們基於i820的主板規格。
如同晴天霹靂：在i820上市一周前，Micron公司宣布將在它們生產的個人電腦中首選Apollo Pro133A而不是i820晶元組 。它們稱 高性價比更加具有吸引力。如Micron公司所言，在典型商業應用軟體上兩者性能差距只有約2-3%。Micron公司是唯一的 按照常規進行判斷並做出決定的大型個人電腦製造商，而其餘的廠家都迷信於Intel。
它們（聽從Intel的傢伙）付出了昂貴的代價。幾天後Intel再次推遲i820上市，原因是一個未考慮到的設計錯誤：第三RIMM插槽存在故障，即使這個插槽不被使用（內存 位錯誤）。據估計，這導致主板製造商損失100萬i820主板產品。假設每一個主板的價值是100美元，那麼總損失將達到1億美元！當時內存製造商已經不對DR DRAM太感興趣了，因為SDRAM的價格 不斷增長（我們在談論1999年秋天！），而現在它們完全丟掉了對DR DRAM哪怕最小的興趣。它們開始把生產線轉向製造64MB SDRAM。是啊，它們必須彌補每一片為DR DRAM而獻身失去價值的矽片造成的損失。 DR DRAM並沒有為Rambus帶來一分錢的利潤，同時業內卻選擇了PC133 SDRAM並生產 了數以百萬計的這種晶元么。面對這種情況，Rambus決定收取許可費用。於是，在2000年開始的時候，Rambus發布了一個出人意料的公告：PC100/133 和DDR SDRAM都是基於它——Rambus的專利，所以所有的內存製造商必須支付 授權費用。費用的總和，按照一些官方說法，高的驚人。
看起來Rambus 的人更像是生意人而非工程師，因為它們的在法律上和經濟領域的舉動是完美的。它們輕易的利用了與之對抗的公司的弱點。東芝是首家做出讓步的公司，2000年6月16正式從Rambus處得到SDRAM的生產許可。因為東芝為新的Sony PlayStation 2配套生產RDRAM，經受不起許可證的取消。 這是Rambus全面失敗的一年，堪稱它的滑鐵盧。三月，法官Robert Pain裁決Rambus和Infineon之間的訴訟， 原告沒有能夠提出證據證明它所起訴的Infineon侵犯了其SDRAM專利權。從此以後一切都明朗化了：Anglo-Saxon法主要是依靠判例，所以首個判決結果稍後將左右正在進行的那些訴訟的審判。
事實的確如此。Rambus還起訴了Hyndai(現在是Hynix)和Infineon， 這兩家公司反訴了Rambus。審判過程也許要持續上幾年，但是從司法角度來看：Rambus輸了。 Rambus輸了，但是它也贏了。站在不同的角度來看，眾說紛紜。
從經濟的角度來看，Rambus很明顯是贏了，盡管不想事先預想的收入那麼豐厚。Intel公司不惜一切代價要生產規范的Pentium 4主板（支持DDR內存），只能選擇賠償Rambus。2001年9月，它們簽署了一個合同，內容是Intel必須連續五年內每季度支付給Rambus公司500-800萬美元！
從市場的角度來看，i820晶元組是徹底的失敗！i850/i850E的情況還不那麼明朗，因為它們是目前唯一能滿足採用533MHz FSB的Pentium 4處理器高帶寬需求的，同時由於採用了0.13微米製造工藝DR DRAM價格也開始下降 －－不過，Intel公司已經推出開始支持PC2700 DDR的晶元組，它們提供使用雙通道PC800 DR DRAM內存相似的內存帶寬。 這個故事是很具有教育意義的，能有助於我們了解計算機市場的一些法則。所謂的法則就是由於經濟上的效力，開放的架構是首要的。Intel和Rambus兩家妄圖用它們的方式來引領市場事實證明是失敗的。Intel公司並不是科技市場的絕對權威領導者。可能它是業界最有實力的公司，但是市場不會盲從於它，市場永遠追隨性價比。想把一個不起眼的產品強加給市場任誰也無能為力。
『捌』 內存顆粒必爾達 海力士哪個好謝謝 hp品牌機的話也一樣嗎
那麼，作為業內人士，試答之。
爾必達是日本企業，海力士是韓國企業；在大陸市場上流通的爾必達/海力士顆粒均是台灣或者大陸代工。
你問那種顆粒要好，相當於在問哪個企業的設計和製程優秀。這個問題太復雜，建議作為消費者不用糾結。因為內存產品確實相當成熟，而且絕大多數廠商都包個3、5年甚至終生。爾必達和海力士均是歷史很久的大廠，都有自己的研發能力。所以，作為消費者來說，並不需要去區分那麼復雜和細微的差別。
hp等品牌電腦所使用的內存，一般來說，是級別較高的（相對於賣給一般消費者的），級別較高是指他們的測試更嚴格，標准更高，也就是說性能更可靠。但並不指標稱容量和頻率的區別，所謂的較高是同質產品下的比較。但因為內存的質保作的很到位，所以這一點點的區別也不在話下。因為對於內存廠家來說，之所以使用更高級別的送往品牌廠商，只是為了規避自身的麻煩。
『玖』 內存條的發展史！
內存發展史
在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞彙，這將有助於我們加強對內存的理解。
RAM就是RandomAccessMemory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種StaticRAM（靜態隨機存貯器）和DynamicRAM（動態隨機存貯器）。
SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它採用的矽片面積相當大，製造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。隨著Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）後，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在行動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終於為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網路伺服器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。
DRAM，顧名思義即動態RAM。DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一隻MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合製造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和非同步內存。區分的標準是看它們能不能和系統時鍾同步。內存控制電路（在主板的晶元組中，一般在北橋晶元組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。在SDRAM之前的EDO內存就採用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒錶示。當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為匯流排標准時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鍾頻率的SDRAM。DRAM的分類FPDRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恆電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。它的刷新頻率每秒鍾可達幾百次，但由於FPDRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度並不是很快。另外，在DRAM中，由於存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會佔用CPU額外的時鍾周期。其介面多為72線的SIMM類型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，其介面方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDODRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步於系統時鍾頻率的。SDRAM內存訪問採用突發（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現有的標准動態存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鍾同步所有的地址數據和控制信號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鍾進行刷新。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在非同步控制基礎上的。系統在使用這些非同步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應非同步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時(一個時鍾周期10ns)，每執行一次數據存取，即需要等待4個時鍾周期！而使用SDRAM，由於其同步特性，則可避免這一時。SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鍾速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。SDRAM的速度至少不能慢於系統的時鍾速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鍾周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鍾周期。用數字表示如下：4-1-1-1。順便提一下BEDO（BurstEDO）也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的晶元組支持SDRAM，由於INTEL的市場領導地位幫助SDRAM成為市場的標准。
DRAMR的兩種介面類型DRAM主要有兩種介面類型，既早期的SIMM和現在的標准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryMole的簡寫，即單邊接觸內存模組，這是486及其較早的PC機中常用的內存的介面方式。在更早的PC機中（486以前），多採用30針的SIMM介面，而在Pentium中，應用更多的則是72針的SIMM介面，或者是與DIMM介面類型並存。DIMM是DualIn-LineMemoryMole的簡寫，即雙邊接觸內存模組，也就是說這種類型介面內存的插板的兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，但由於是雙邊的，所以一共有84×2=168線接觸，故而人們經常把這種內存稱為168線內存，而把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。DRAM內存通常為72線，EDO-RAM內存既有72線的，也有168線的，而SDRAM內存通常為168線的。新的內存標准在新的世紀到來之時，也帶來了計算機硬體的重大改變。計算機的製造工藝發展到已經可以把微處理器（CPU）的時鍾頻率提高的一千兆的邊緣。相應的內存也必須跟得上處理器的速度才行。現在有兩個新的標准，DDRSDRAM內存和Rambus內存。它們之間的競爭將會成為PC內存市場競爭的核心。DDRSDRAM代表著一條內存逐漸演化的道路。Rambus則代表著計算機設計上的重大變革。從更遠一點的角度看。DDRSDRAM是一個開放的標准。然而Rambus則是一種專利。它們之間的勝利者將會對計算機製造業產生重大而深遠的影響。
RDRAM在工作頻率上有大幅度的提升，但這一結構的改變，涉及到包括晶元組、DRAM製造、封裝、測試甚至PCB及模組等的全面改變，可謂牽一發而動全身。未來高速DRAM結構的發展究竟如何？
Intel重新整裝再發的820晶元組，是否真能如願以償地讓RDRAM登上主流寶座？PC133SDRAM：PC133SDRAM基本上只是PC100SDRAM的延伸，不論在DRAM製造、封裝、模組、連接器方面，都延續舊有規范，它們的生產設備相同，因此生產成本也幾乎與PC100SDRAM相同。嚴格來說，兩者的差別僅在於相同製程技術下，所多的一道「篩選」程序，將速度可達133MHz的顆粒挑選出來而已。若配合可支持133MHz外頻的晶元組，並提高CPU的前端匯流排頻率（FrontSideBus）到133MHz，便能將DRAM帶寬提高到1GB/sec以上，從而提高整體系統性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM）或稱之為SDRAMⅡ，由於DDR在時鍾的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料，從而使得實際帶寬增加兩倍，大幅提升了其性能／成本比。就實際功能比較來看，由PC133所衍生出的第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬），不僅在InQuest最新測試報告中顯示其性能平均高出Rambus24.4％，在Micron的測試中，其性能亦優於其他的高頻寬解決方案，充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM設計與以往DRAM很大的不同之處在於，它的微控制器與一般內存控制器不同，使得晶元組必須重新設計以符合要求，此外，數據通道介面也與一般內存不同，Rambus以2條各8bit寬（含ECC則為9bit）的數據通道（channel）傳輸數據，雖然比SDRAM的64bit窄，但其時鍾頻率卻可高達400MHz，且在時鍾的上升和下降沿都能傳輸數據，因而能達到1.6GB／sec的尖峰帶寬。
各種DRAM規格之綜合比較數據帶寬：從數據帶寬來看，傳統PC100在時鍾頻率為100MHz的情況下，尖峰數據傳輸率可達到800MB／sec。若以先進0.25微米線程製造的DRAM，大都可以「篩選」出時鍾頻率達到133MHz的PC133顆粒，可將尖峰數據傳輸率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及晶元組能配合，就可提高整體系統性能。此外，就DDR而言，由於其在時鍾上升和下降沿都能傳輸數據，所以在相同133MHz的時鍾頻率下，其尖峰數據傳輸將可大幅提高兩倍，達到2.1GB／sec的水準，其性能甚至比現階段Rambus所能達到的1.6GB／sec更高。
傳輸模式：傳統SDRAM採用並列數據傳輸方式，Rambus則採取了比較特別的串列傳輸方式。在串列的傳輸方式之下，資料信號都是一進一出，可以把數據帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時鍾頻率（400MHz），但這也形成了模組在數據傳輸設計上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個模組損壞、或是形成斷路，便會使整個系統無法正常開機。因此，對採用Rambus內存模組的主機板而言，便必須將三組內存擴充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（ContinuityRIMMMole；C-RIMM），純粹用來提供信號的串接工作，讓數據的傳輸暢通。模組及PCB的設計：由於Rambus的工作頻率高達400MHz，所以不管是電路設計、線路布局、顆粒封裝及記憶模組的設計等，都和以往SDRAM大為不同。以模組設計而言，RDRAM所構成的記憶模組稱之為RIMM（RambusInMemoryMole），目前的設計可採取4、6、8、12與16顆等不同數目的RDRAM顆粒來組成，雖然引腳數提高到了184隻，但整個模組的長度卻與原有DIMM相當。另外，在設計上，Rambus的每一個傳輸信道所能承載的晶元顆粒數目有限（最多32顆），從而造成RDRAM內存模組容量將有所限制。也就是說，如果已經安裝了一隻含16顆RDARM顆粒的RIMM模組時，若想要再擴充內存，最多隻能再安裝具有16顆RDARM的模組。另外，由於RDARM在高頻下工作將產生高溫，所以RIMM模組在設計時必須加上一層散熱片，也增加了RIMM模組的成本。
顆粒的封裝：DRAM封裝技術從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現在主流SDRAM的模組來看，除了勝創科技首創的TinyBGA技術和樵風科技首創的BLP封裝模式外，絕大多數還是採用TSOP的封裝技術。
隨著DDR、RDRAM的陸續推出，將內存頻率提高到一個更高的水平上，TSOP封裝技術漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設計上的要求。從Intel力推的RDRAM來看，採用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會採取相同或不同的BGA封裝方式。盡管RDRAM在時鍾頻率上有了突破性的進展，有效地提高了整個系統性能，但畢竟在實際使用上，其規格與現階段主流的SDRAM有很大的差異，不僅不兼容於現有系統晶元組而成了Intel一家獨攬的局面。甚至在DRAM模組的設計上，不僅使用了最新一代的BGA封裝方式，甚至在電路板的設計上，都採取用了8層板的嚴格標准，更不用說在測試設備上的龐大投資。使得大多數的DRAM及模組廠商不敢貿然跟進。
再說，由於Rambus是個專利標准，想生產RDRAM的廠商必須先取得Rambus公司的認證，並支付高額的專利費用。不僅加重了各DRAM廠商的成本負擔，而且它們擔心在制定未來新一代的內存標准時會失去原來掌握的規格控制能力。
由於RIMM模組的顆粒最多隻能為32顆，限制了Rambus應用，只能用在入門級伺服器和高級PC上。或許就PC133而言，在性能上無法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技術後，其數據帶寬可達到2.1GB／sec，不僅領先Rambus所能達到的1.6GB／sec標准，而且由於其開放的標准及在兼容性上遠比Rambus高的原故，估計將會對Rambus造成非常大的殺傷力。更何況台灣在威盛與AMD等聯盟的強力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼風喚雨，也成了未知數。至少，在低價PC及網路PC方面，Rambus的市場將會很小。
結論：盡管Intel採取了種種不同的策略布局及對策，要想挽回Rambus的氣勢，但畢竟像Rambus這種具有突破性規格的產品，在先天上便存在有著諸多較難克服的問題。或許Intel可以藉由更改主機板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM與RDRAM共同存在的過渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式來解決技術面上的問題。但一旦涉及規模量產成本的控制問題時，便不是Intel所能一家獨攬的，更何況在網路趨勢下的計算機應用將愈來愈趨於低價化，市場需求面是否對Rambus有興趣，則仍有待考驗。 在供給方面，從NEC獨創的VCMSDRAM規格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大廠對Rambus支持態度已趨保守的情況來看，再加上相關封裝及測試等設備上的投資不足，估計年底之前，Rambus內存模組仍將缺乏與PC133甚至DDR的價格競爭力。就長遠的眼光來看，Rambus架構或許可以成為主流，但應不再會是主導市場的絕對主流，而SDRAM架構（PC133、DDR）在低成本的優勢，以及廣泛的應用領域，應該會有非常不錯的表現。相信未來的DRAM市場，將會是多種結構並存的局面。
具最新消息，可望成為下一世代內存主力的RambusDRAM因晶元組延遲推出，而氣勢稍挫的情況之下，由全球多家半導體與電腦大廠針對DDRSDRAM的標准化，而共同組成的AMII（、）陣營，則決定積極促進比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600與PC2100DDRSDRAM規格的標准化，此舉使得RambusDRAM與DDRSDRAM的內存主導權之爭，邁入新的局面。全球第二大微處理器製造商AMD，決定其Athlon處理器將採用PC266規格的DDRSDRAM，而且決定在今年年中之前，開發支持DDRSDRAM的晶元組，這使DDRSDRAM陣營深受鼓舞。全球內存業者極有可能將未來投資的重心，由RambusDRAM轉向DDRSDRAM。
綜上所述，今年DDRSDRAM的發展勢頭要超過RAMBUS。而且DDRSDRAM的生產成本只有SDRAM的1.3倍，在生產成本上更具優勢。未來除了DDR和RAMBUS外還有其他幾種有希望的內存產品，下面介紹其中的幾種：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步鏈接內存)：SLDRAM也許是在速度上最接近RDRAM的競爭者。SLDRAM是一種增強和擴展的SDRAM架構，它將當前的4體（Bank）結構擴展到16體，並增加了新介面和控制邏輯電路
。SLDRAM像SDRAM一樣使用每個脈沖沿傳輸數據。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel「虛擬信道」是加裝在內存單元與主控晶元上的內存控制部分之間，相當於緩存的一類寄存器。使用VC技術後，當外部對內存進行讀寫操作時，將不再直接對內存晶元中的各個單元進行讀寫操作，而改由VC代理。VC本身所具有的緩存效果也不容小覷，當內存晶元容量為目前最常見的64Mbit時，VC與內存單元之間的帶寬已達1024bit。即便不考慮前/後台並列處理所帶來的速度提升，光是「先把數據從內存單元中移動到高速的VC中後再由外部進行讀寫」這一基本構造本身就很適於提高內存的整體速度。每塊內存晶元中都可以搭載復數的VC，64Mbit的產品中VC總數為16個。不但每個VC均可以分別對應不同的內存主控設備（MemoryMaster，此處指CPU、南橋晶元、各種擴展卡等等），而且在必要時，還可以把多個VC信道捆綁在一起以對應某個佔用帶寬特別大的內存主控設備。因此，在多任務同時執行的情況下，VC-SDRAM也能保證持續地進行高效率的數據傳輸。VC-SDRAM還有一個特點，就是保持了與傳統型SDRAM的管腳兼容，廠家不需要重新進行主板布線設計就能夠使主板支持它。不過由於它與傳統型SDRAM控制方式不同，因此還需要得到控制晶元組的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的晶元組有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。
『拾』 DDR內存條的顆粒是什麼
哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來.前面老的封裝方式，就不說了，都成了歷史。
就簡單介紹一下CSP吧，CSP是我們的明日之星，大家都知道，封裝面積與晶元的面積比越接近1：1越完美，那麼CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的晶元，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍
內存編碼含義
Samsung
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz