A. 存儲器簡單模型怎麼看
你先打開設置菜單。在設置裡面找到對應的功能選項！
B. 大數據的預測功能是增值服務的核心
大數據的預測功能是增值服務的核心
從走在大數據發展前沿的互聯網新興行業，到與人類生活息息相關的醫療保健、電力、通信等傳統行業，大數據浪潮無時無刻不在改變著人們的生產和生活方式。大數據時代的到來，給國內外各行各業帶來諸多的變革動力和巨大價值。
最新發布的報告稱，全球大數據市場規模將在未來五年內迎來高達26%的年復合增長率——從今年的148.7億美元增長到2018年的463.4億美元。全球各大公司、企業和研究機構對大數據商業模式進行了廣泛地探索和嘗試，雖然仍舊有許多模式尚不明朗，但是也逐漸形成了一些成熟的商業模式。
兩種存儲模式為主
互聯網上的每一個網頁、每一張圖片、每一封郵件，通信行業每一條短消息、每一通電話，電力行業每一戶用電數據等等，這些足跡都以「數據」的形式被記錄下來，並以幾何量級的速度增長。這就是大數據時代帶給我們最直觀的沖擊。
正因為數據量之大，數據多為非結構化，現有的諸多存儲介質和系統極大地限制著大數據的挖掘和發展。為更好地解決大數據存儲問題，國內外各大企業和研究機構做了許許多多的嘗試和努力，並不斷摸索其商業化前景，目前形成了如下兩種比較成熟的商業模式：
可擴展的存儲解決方案。該存儲解決方案可幫助政府、企業對存儲的內容進行分類和確定優先順序，高效安全地存儲到適當存儲介質中。而以存儲區域網路（SAN）、統一存儲、文件整合/網路連接存儲（NAS）的傳統存儲解決方案，無法提供和擴展處理大數據所需要的靈活性。而以Intel、Oracle、華為、中興等為代表的新一代存儲解決方案提供商提供的適用於大、中小企業級的全系存儲解決方案，通過標准化IT基礎架構、自動化流程和高擴展性，來滿足大數據多種應用需求。
雲存儲。雲存儲是一個以數據存儲和管理為核心的雲計算系統，其結構模型一般由存儲層、基礎管理、應用介面和訪問層四層組成。通過易於使用的API，方便用戶將各種數據放到雲存儲裡面，然後像使用水電一樣按用量進行收費。用戶不用關心數據的存儲介質、網路狀況以及安全性的管理，只需按需向提供方購買空間。
源數據價值水漲船高
在紅紅火火的大數據時代，隨著數據的累積，數據本身的價值也在不斷升值，這種情況很好地反應了事物由量變到質變的規律。例如有一種罕見的疾病，得病率為十萬分之一，如果從小樣本數據來看非常罕見，但是擴大到全世界70億人，那麼數量就非常龐大。以前技術落後，不能將該病情數字化集中研究，所以很難攻克。但是，我們現在把各種各樣的數據案例搜集起來統一分析，我們很快就能攻克很多以前想像不到的科學難題。類似的例子，不勝枚舉。
正是由於可以通過大數據挖掘到很多看不見的價值，源數據本身的價值也水漲船高。一些掌握海量有效數據的公司和企業找到了一條行之有效的商業路徑：對源數據直接或者經過簡單封裝銷售。在互聯網領域，以Facebook、twitter、微博為代表的社交網站擁有大量的用戶和用戶關系數據，這些網站正嘗試以各種方式對該源數據進行商業化銷售，Google、Yahoo!、網路[微博]等搜索公司擁有大量的搜索軌跡數據以及網頁數據，他們可以通過簡單API提供給第三方並從中盈利；在傳統行業中，中國聯通[微博]（3.44, 0.03, 0.88%）、中國電信[微博]等運營商擁有大量的底層用戶資料，可以通過簡單地去隱私化，然後進行銷售盈利。
各大公司或者企業通過提供海量數據服務來支撐公司發展，同時以免費的服務補償用戶，這種成熟的商業模式經受住了時間的考驗。但是對於任何用戶數據的買賣，還需處理好用戶隱私信息，通過去隱私化方式，來保護好用戶隱私。
預測是增值服務的核心
在大數據基礎上進行深度挖掘，所衍生出來的增值服務，是大數據領域最具想像空間的商業模式。大數據增值服務的核心是什麼？預測！大數據引發了商業分析模式轉變，從過去的樣本模式到現在的全數據模式，從過去的小概率到現在的大概率，從而能夠得到比以前更准確的預測。目前形成了如下幾種比較成熟的商業模式。
個性化的精準營銷。一提起「垃圾簡訊」，大家都很厭煩，這是因為本來在營銷方看來是有價值的、「對」的信息，發到了「錯」的用戶手裡。通過對用戶的大量的行為數據進行詳細分析，深度挖掘之後，能夠實現給「對」的用戶發送「對」的信息。比如大型商場可以對會員的購買記錄進行深度分析，發掘用戶和品牌之間的關聯。然後，當某個品牌的忠實用戶收到該品牌打折促銷的簡訊之後，一定不是厭煩，而是欣喜。如優捷信達、中科嘉速等擁有強大數據處理技術的公司在數據挖掘、精準廣告分析等方面擁有豐富的經驗。
企業經營的決策指導。針對大量的用戶數據，運用成熟的數據挖掘技術，分析得到企業運營的各種趨勢，從而給企業的決策提供強有力的指導。例如，汽車銷售公司，可以通過對網路上用戶的大量評論進行分析，得到用戶最關心和最不滿意的功能，然後對自己的下一代產品進行有針對性的改進，以提升消費者的滿意度。
總體來說，從宏觀層面來看，大數據是我們未來社會的新能源；從企業微觀層面來看，大數據分析和運用能力正成為企業的核心競爭力。深入研究和積極探索大數據的商業模式，對企業的未來發展有至關重要的意義。
C. 數據在系統中存儲方式的是什麼模型
物理模型
在管理信息系統中，物理模型：描述的是對象系統「如何做」、「如何實現」系統的物理過程。
在數據倉庫中的含義 總的來說，數據倉庫的結構採用了三級數據模型的方式，即概念模型、邏輯模型、物理模型。 物理模型：構建數據倉庫的物理分布模型，主要包含數據倉庫的軟硬體配置，資源情況以及數據倉庫模式。
D. 存儲模型的Coherence和Consistency的區別
用consistency。 conformity，它的詞條的意思是：一致，符合。 而consistency表示的意思是：連接，結合，一致性，連貫性。 對比二者，可以分辨出來，我在翻譯的時候，也比較過二者。鑒於你是想說「產品的一致性比較好
E. 12、存儲模型2（操作系統筆記）
我們將虛擬存儲技術和頁式存儲管理方案結合起來得到了虛擬頁式存儲管理系統。具體有兩種方式，一是請求調頁，二是預先調頁。以 cpu 時間和磁碟換取昂貴內存空間，這是操作系統中的資源轉換技術。
通常，頁表項是硬體設計的。
為什麼要鎖定頁面？
又稱頁面淘汰演算法。最佳演算法-->先進先出-->第二次機會-->時鍾演算法-->最近未使用-->最近最少使用-->最不經常使用-->老化演算法-->工作集-->工作集時鍾
在先進先出演算法的基礎上進行該機而來的，此演算法按照先進先出演算法選擇某一頁面，檢查其訪問位 R ，如果為 0 ，則置換該頁；如果為 1 ，則給第二次機會，並將訪問位置零，並將其從鏈頭取下放到鏈尾。
在第二次機會演算法中當給某個頁面第二次機會的時候，將其訪問位置零，然後將其掛到鏈尾，這都是需要開銷的，於是我們改進為時鍾演算法。
選擇最後一次訪問時間距離當前時間最長的一頁並置換，即置換未使用時間最長的一頁。
即 Not frequently Used ，選擇訪問次數最少的頁面置換
例子：
要求：
計算應用 FIFO、LRU、OPT 演算法時的缺頁次數
應用 FIFO、LRU 頁面置換演算法
應用OPT頁面置換演算法
例子：系統給某進程分配 m 個頁框，初始為空頁面訪問順序為
1 2 3 4 1 2 5 1 2 3 4 5 ，採用 FIFO 演算法，計算當 m=3 和 m=4 時的缺頁中斷次數。
結論： m=3 時，缺頁中斷九次； m=4 時，缺頁中斷十次。注意： FIFO 頁面置換演算法會產生異常現象（ Belady 現象），即：當分配給進程的物理頁面數增加時，缺頁次數反而增加。
缺頁越多，系統的性能越差，這稱為顛簸（抖動）：虛存中，頁面在內存與磁碟之間頻繁調度，使得調度頁面所需的時間比進程實際運行的時間還多，這樣導致系統效率急劇下降，這種現象稱為顛簸或抖動。
例子：
分配了一個頁框，頁面大小為 128 個整數，矩陣 A(128 x 128) 按行存放。
如果能為進程提供與活躍頁面數相等的物理頁面數，則可減少缺頁中斷次數，這是由 Denning 提出的。
F. 存儲期和存儲天數一樣嗎
一樣的。存儲期和存儲天數是一樣。
存儲期是指產品的最長保存期限。超過保存日期的產品失去了原產品的特徵和特性，喪失了產品原有的使用價值，從這個意義上說，保存日期的最後那天，也稱為產品的失效日期。
G. 存儲系統
計算機對存儲器的要求是容量大，速度快，成本低。為了解決這三方面的矛盾，計算機採用多級存儲體系結構，即cache，主存和外存。cpu能直接發你給我內存（cache， 主存），但不能直接訪問外存。存儲器的技術指標有存儲容量，存取時間，存儲周期，存儲器帶寬。
廣泛使用的SRAM和DRAM都是半導體隨機讀寫存儲器，前者速度比後者快，按集成度不如後者高。二者的有點是體積小，可靠性高，價格低廉，缺點是斷電後不能保存信息。只讀存儲器和閃速存儲器正好彌補了SRAM和DRAM的缺點，即使斷電後也能保存原先使用的數據，特別是閃速存儲器能提供高性能，低功耗，高可靠性以及瞬時啟動能力，因而有可能使現有的存儲器體系結構發生重大變化。
雙埠存儲器和多模塊交叉存儲器屬於並行存儲器結構。前者採用空間並行技術，後者採用時間並行技術。
相聯存儲器不是按地址而是按內容訪問的存儲器，在cache中用來存放地址表，在虛擬存儲器中用來存放段表，頁表和快表。在這兩種應用中，都需要快速查找。
cache是一種告訴緩存存儲器，是為了解決CPU和內存之間速度不匹配而採用的一項重要的硬體技術，並且發展為多節cache體系，指令cache和數據cache分設體系。要求cache的命中率接近於1.主存於cache的地址映射有全相連，直接，組相連三種方式。其中組相連方式是前兩者的折中方案，適度的兼顧了兩者的優點又盡量避免其缺點，從靈活性，命中率，硬體投資來說較為理想，因而得到普遍採用。
虛擬存儲器指的是主存-外存層次，它給用戶提供了一個比實際主存空間大得多的虛擬地址空間。因此虛擬存儲器只是一個容量非常大的存儲器分邏輯模型，不是任何實際的物理存儲器，按照主存-外存層次的信息傳送單位不同，虛擬存儲器有頁式，段式，段頁式三類。
多個用戶共享主存時，系統應提供存儲保護。通常採用的方法存儲區域保護和訪問方式保護，並用硬體來實現。有些機器中提供特權指令來實現某種保護。
H. 存儲器的結構
1cpu的內部
編輯
存儲器結構
存儲器結構
第一層：通用寄存器堆
第二層：指令與數據緩沖棧
第三層：高速緩沖存儲器
第四層：主儲存器（DRAM）
第五層：聯機外部儲存器（硬磁碟機）
第六層：離線外部儲存器（磁帶、光碟存儲器等）
這就是存儲器的層次結構~~~ 主要體現在訪問速度~~~
2工作特點
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存儲器結構
存儲器結構① 設置多個存儲器並且使他們並行工作。本質：增添瓶頸部件數目，使它們並行工作，從而減緩固定瓶頸。
② 採用多級存儲系統，特別是Cache技術，這是一種減輕存儲器帶寬對系統性能影響的最佳結構方案。本質：把瓶頸部件分為多個流水線部件，加大操作時間的重疊、提高速度，從而減緩固定瓶頸。
③ 在微處理機內部設置各種緩沖存儲器，以減輕對存儲器存取的壓力。增加CPU中寄存器的數量，也可大大緩解對存儲器的壓力。本質：緩沖技術，用於減緩暫時性瓶頸。
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
3具體結構分類
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根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲
存儲器結構
存儲器結構單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72PIN或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
存儲器結構
存儲器結構06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，
存儲器結構
存儲器結構投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
4組成元件分類
編輯
ROM內存又分為以下五種：
存儲器結構
存儲器結構1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上
存儲器結構
存儲器結構的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。
5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
I. 存儲器的簡單模型應該怎麼看
存儲器的簡單模型是由這個存儲器的硬體設施，也就是說主板上面這些小型的電路元件組成的，所以我們如果只是看錶面，根本就看不出來這個簡單模型。
J. 西門子PLC報警
嚴重錯誤將導致S7-200停止執行程序。依據錯誤的嚴重性，一個致命錯誤會導致S7-200無法執行某個或所有功能。處理致命錯誤的目標是使S7-200進入安全狀態，S7-200由此可以對存在的錯誤條件的相關詢問作出響應。
當檢測到致命錯誤時，S7--200執行以下任務：
進入STOP模式
點亮SF/DIAG (紅色)LED指示燈和停止LED指示燈
斷開輸出
這種狀態將會持續到錯誤清除之後。在主菜單中使用菜單命令PLC >信息可查看錯誤代碼。
從S7--200上可讀到的致命錯誤代碼及其描述：
錯誤代碼 描述
0000 無致命錯誤
0001 用戶程序校驗和錯誤
0002 編譯後的梯形圖程序校驗和錯誤
0003 掃描看門狗超時錯誤
0004 永久存儲器失效
0005 永久存儲器上用戶程序校驗和錯誤
0006 永久存儲器上組態參數(SDB0)校驗和錯誤
0007 永久存儲器上強制數據校驗和錯誤
0008 永久存儲器上預設輸出表值校驗和錯誤
0009 永久存儲器上用戶數據DB1校驗和錯誤
000A 存儲器卡失靈
000B 存儲器卡上用戶程序校驗和錯誤
000C 存儲卡組態參數(SDB0)校驗和錯誤
000D 存儲器卡強制數據校驗和錯誤
000E 存儲器卡預設輸出表值校驗和錯誤
000F 存儲器卡用戶數據DB1校驗和錯誤
0010 內部軟體錯誤
0011 比較觸點間接定址錯誤
0012 比較觸點浮點值錯誤
0013 程序不能被該S7-200理解
0014 比較觸點范圍錯誤