① 半導體存儲器分哪兩類，區別是什麼
半導體存儲器可區分為揮發性和非揮發性存儲器兩大類。揮發性的如DRAM和SRAM，若其供應電源關閉，將會喪失所儲存的信息。相比之下，非揮發性存儲器卻能在電源供應關閉時保留所儲存的信息。
② 存儲晶元包括
存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。按照不同的技術，存儲器晶元可以細分為EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存儲器技術是一種不斷進步的技術，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，因為開發新技術的初衷就是為了消除或減弱某種特定存儲器產品的不足之處。
例如，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的一個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。 盡管目前非揮發性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。
生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在其它非揮發性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，未來必將有更多更新的存儲器晶元技術不斷涌現。
③ NVRAM是什麼
NVRAM（ Non-Volatile Random Access Memory） 是非易失性隨機訪問存儲器，指斷電後仍能保持數據的一種RAM。
如果通俗地解釋非易失性存儲器，那就是指斷電之後，所存儲的數據不丟失的隨機訪問存儲器。
1.隨機訪問存儲器（Random Access Memory，RAM），斷電之後信息就丟失了。
2.NVRAM可以隨機訪問。因此有些解釋中，說Flash是屬於NVRAM，是不準確的。因為從嚴格意義上來說，Flash分有兩種：nand flash和nor flash。其中的nor屬於是可以隨機訪問的，而nand flash不是真正的隨機訪問，屬於順序訪問（serial access）。
(3)非揮發性存儲器市場擴展閱讀:
與普通儲存器的區別
一些的方案如NVDIMM，就是拿普通的內存條加電容和flash，斷電以後可以提供保護，機制都是一樣的，形態不一樣。NVRAM的優勢一個是容量大，再一個NVRAM佔用PCIE槽，而不是佔用DIMM槽。
NV DIMM有很多劣勢需要BIOS支持，NV DIMM插到主板上跟其他的內存怎麼區分，BIOS需要區分開，應用需要區分開。混插的時候就比較難，OS要改，要分清楚哪一塊內存有斷電保護的。
再有就是需要硬體的支持，DRAM支持，以及額外支持NV DIMM插槽，這塊更多牽扯到主板，最嚴重的是NVDIMM佔用CPU周期內存，影響應用軟體。
NVRAM 里有一個專門移動數據的處理器，會代替CPU把數據移動到NVRAM里。如果用DIMM的話，沒有人做這件事的，只能靠CPU從普通的DIMM讀出來再寫到NV DIMM裡面。所以CPU耗費大量的周期去拷貝數據很不劃算。
④ flash sram eeprom nvram這些都是個神馬啊 看不懂它們的區別 有沒有哪位大神能用活生生的比喻能解釋下的
RAM: Random Access Memory 隨機存儲器
SRAM: Static RAM 靜態隨機存儲器，特徵：無需動態刷新的存儲器
以上兩種屬於揮發性存儲器，掉電後，數據丟失。
NVRAM Non-Volatie RAM 非揮發性存儲器，特徵：掉電後數據不會丟失的存儲器。
EEPROM Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 電可擦除可編程只讀存儲器
Flash 全稱： Flash EEPROM， 象閃電一樣具有快速擦寫功能的電可擦除可編程只讀存儲器，簡稱快閃記憶體。
⑤ 內存晶元的種類有哪些
愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。
內存晶元有哪些種類
存儲器分類
簡稱：Cache
標准：Cache Memory
中文：高速緩存
高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器
(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不
需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，
必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如
Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為
L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。
簡稱：DDR
標准：Double Date Rate
中文：雙倍數據傳輸率
DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統
使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取
內存(SDRAM)好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM
technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to
perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
簡稱：DIMM
標准：Dual in Line Memory Mole
中文：雙直列內存條
DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一
種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分
為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含
緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各
種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。
簡稱：DRAM
標准：Dynamic Random Access Memory
中文：動態隨機存儲器
一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異
在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據
則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。
簡稱：ECC
標准：Error Checking and Correction)
在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改
正。
簡稱：EDO DRAM
標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO動態隨機存儲器
EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取
效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期
CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。
簡稱：EEPROM
標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：電子抹除式只讀存儲器
非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同
時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參
數。
這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數
據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。
簡稱：EPROM
標准：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只讀存器
非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統
(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。
這種存儲器不支持再線修改數據。
簡稱：Flash
標准：Memory
中文：閃爍存儲器
非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再
線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。
Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。
簡稱：FeRAM
標准：Ferroelectric random access memory
中文：鐵電存儲器
ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile
memory that combines high-performance and low-power operation with the ability
to retain data without power.
FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and
eliminates the need for a battery
簡稱：MRAM
標准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性隨機存儲器
磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel
junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon
(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達
1015，讀寫時間可達70nS，
簡稱：RAM
標准：Random Access Memory
中文：隨機存儲器
隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指
令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤
(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔
助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打
印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的
速度越快。
簡稱：RDRAM
標准：Rambus DRAM
中文：Rambus動態隨機存儲器
這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會
間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然
RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機
存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達
600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬
(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。
簡稱：ROM
標准：Read Only Memory
中文：只讀存儲器
只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀
取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一
個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多
用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提
供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確
認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer
circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
簡稱：SDRAM
標准：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步動態隨機存儲器
SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊
(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處
理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是
大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。
簡稱：SIMM
標准：Single In-Line Memory Mole
中文：單直列內存模塊
內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的
接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取
(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為
72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，
因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。
簡稱：SRAM
標准：Static Random Access Memory
中文：靜態隨機存儲器
SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組
成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造
成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。
簡稱：VCM SDRAM
標准：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虛擬信道存儲器
1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組
(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉
將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加
強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料
後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual
Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面
的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與
日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於
VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運
⑥ 什麼是揮發性存儲器非揮發性存儲器呢
揮發性和非揮發性存儲器跟掉電丟失與否有關。前者為掉電數據丟失。
RAM為隨機存取存儲器，理論上斷電後數據全丟失，但是非揮發性RAM內置了一個電源，有個檢測系統是否掉電的電路，當監測到掉電時，即接通內部電源以確保時間保持和內存數據不受破壞。這相當於沒有掉電，即RAM的數據也沒丟失。
⑦ 什麼叫"非揮發"存儲器
化肥會揮發
非化肥會非揮發