⑴ 在下列出的四種儲存器中,易失性儲存器是
選A，RAM是隨機存取記憶體，它相當於PC機上的移動存儲，用來存儲和保存數據的。不過當電源關閉時RAM是不能保存數據的
ROM是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失。
PROM是一種可以用程序操作的只讀內存。最主要特徵是只允許數據寫入一次，如果數據輸入錯誤只能報廢。
CD-ROM就不用說了吧
⑵ 指出下列存儲器哪些是易失性的哪些是非易失性的哪些是讀出破壞性的哪些是非讀出破壞性的
動態RAM，靜態RAM，cache是易失性的
ROM,磁碟，光碟是非易失性的
⑶ 半導體存儲器分為:RAM和ROM 可是書上說半導體存儲器是易失性的 那ROM為什麼不是易失性的和工藝有關么
RAM（隨即存儲器）原理是通過二極體上電流的導通表示1和0，沒有電流當然就沒有信號了。
早期rom（只讀存儲器）是直接把信號燒錄到電路里，只能讀不能寫。後來的可編程的PROM和EPROM都是通過物理手段改變線路而非電流
⑷ 什麼是易失性存儲器什麼是非易失性存儲器
易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，裡面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬碟等外存。
⑸ 半導體存儲器的分類
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。 可分為：靜態和動態兩種。
其
⑹ 半導體存儲器有哪些
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
⑺ 常用半導體存儲器有哪幾類各有什麼特點
ROM、EPROM、SRAM、DRAM...
分類、特點，微機原理的書上，寫的很清楚。
樓主找本書看看，即可。
⑻ 常見的非易失性存儲器有哪幾種
常見的非易失性存儲器有以下幾種：
一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）
其內部有行列式的鎔絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。
二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。
四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
五、快閃記憶體：Flash memory
是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。
⑼ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。