Ⅰ 怎樣把文件存到u盤里
1.方法一：選中文檔後，右鍵單擊滑鼠，此時在文檔的旁邊出現菜單列表選項。
2.在諸多選項當中找到發送到選項並點擊該選項，這時在剛才列表選項的基礎上出現二級選項，在該選項列表中找到u盤並點擊選擇即可。
3.方法二：當u盤與電腦連接成功，電腦會出現打開u盤的提示並顯示u盤的可用存儲空間，點擊進入u盤存儲空間中。
4.移動滑鼠左鍵單擊選中文檔，左鍵單擊該文件不放手並將該文件拖動到u盤界面中，然後再松開滑鼠即可。
拓展資料：
U盤是USB(universal serial bus)盤的簡稱，據諧音也稱「優盤」。U盤是快閃記憶體的一種，故有時也稱作閃盤。U盤與硬碟的最大不同是，它不需物理驅動器，即插即用，且其存儲容量遠超過軟盤，極便於攜帶。
U盤集磁碟存儲技術、快閃記憶體技術及通用串列匯流排技術於一體。USB的埠連接電腦，是數據輸入/輸出的通道；主控晶元使計算機將U盤識別為可移動磁碟，是U盤的「大腦」；U盤Flash（快閃記憶體）晶元保存數據，與計算機的內存不同，即使在斷電後數據也不會丟失；PCB底板將各部件連接在一起，並提供數據處理的平台。
Ⅱ u盤是怎麼把數據存儲進去的
U盤設計
「USB快閃記憶體檔」（以下簡稱「U盤」）是基於USB介面、以快閃記憶體晶元為存儲介質的無需驅動器的新一代存儲設備。U盤的出現是移動存儲技術領域的一大突破，其體積小巧，特別適合隨身攜帶，可以隨時隨地、輕松交換資料數據，是理想的移動辦公及數據存儲交換產品。
U盤的結構基本上由五部分組成：USB埠、主控晶元、FLASH（快閃記憶體）晶元、PCB底板、外殼封裝。
U盤的基本工作原理
USB埠負責連接電腦，是數據輸入或輸出的通道；主控晶元負責各部件的協調管理和下達各項動作指令，並使計算機將U盤識別為「可移動磁碟」，是U盤的「大腦」；FLASH晶元與電腦中內存條的原理基本相同，是保存數據的實體，其特點是斷電後數據不會丟失，能長期保存；PCB底板是負責提供相應處理數據平台，且將各部件連接在一起。當U盤被操作系統識別後，使用者下達數據存取的動作指令後，USB移動存儲盤的工作便包含了這幾個處理過程。
通用串列匯流排（Universal serial Bus）是一種快速靈活的介面，
當一個USB設備插入主機時，識別出USB設備是一個支持Bulk-Only傳輸協議的海量存儲設備。這時應可進行Bulk-Only傳輸方式。在此方式下USB與設備之間的數據傳輸都是通過Bulk-In和Bulk-Out來實現的。在這種傳輸方式下，有三種類型數據在USB和設備傳送，它們是命令塊包（CBW），命令執行狀態包（CSW）和普通數據包。CBW是主機發往設備的命令。
格式如下：其中dCBWSignature的值為43425355h,表示當前發送的是一個CBW。
DCBWDataTransferLength：表示這次CBW要傳送數據長度。
BmCBWFlags：表示本次CBW是讀數據還是寫數所BBWCBLength：表示命令的長度。 CBWCB：表示本次命令內容。也即是SCSI命令。
當設備從主機收到CBW塊以後，它會把SCSI命令從CBW中分離出來，然後根據要求執行，執行的結果又以CSW的形式發給主機。 CSW的格式如下：
其中dCSWSignature的值為53425355h,表示當前發送的是一個CSW。 DCSWTag：必須和CBW中dCBWTag一樣。
DCSWDataResie：還要傳送的數據。
BCSWStatue：命令執行狀態，命令正確執行時，為0。
由於USB設備硬體本身的原因，它會使USB匯流排
Ⅲ U盤是如何存儲數據的
快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲）。是SCM（半導體存儲器）的一種。
早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。
RAM（隨機存取存儲），是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM（動態）和SRAM（靜態）兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM（同步動態RAM），它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電（刷新）以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存（cache）上。
PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。
Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。
MSM（磁表面存儲）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。
ODM（光碟存儲）和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。
Ⅳ U盤是如何存儲信息的
u盤是靠快閃記憶體晶元存儲信息的.快閃記憶體晶元類似內存晶元,但掉電後仍可保存數據(內存晶元掉電後數據自動消失),快閃記憶體晶元通後控制晶元進行地址定址,一個完整的u盤包括存儲晶元和控制晶元