㈠ 根據不同的存儲方式主存儲器和輔助存儲器分別分為哪兩種
存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，
主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。
外存儲器是CPU不能直接訪問的存儲器，它需要經過內存與CPU及I/O設備交換信息，用於長久地存放大量的包括暫不使用的程序和數據。
因此硬碟與光碟、U盤一樣屬於輔助存儲器。
㈡ 儲存器的工藝特徵
隨機存儲器對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器(寫入速度和讀出速度可以不同)。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式(如8k×8位)。存儲器技術特點分析，這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛(見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器)。
只讀存儲器用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。存儲器技術特點分析，其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活(見半導體只讀存儲器)。
串列存儲器的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。存儲器技術特點分析，砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
㈢ 存儲器的關鍵為什麼是半導體工藝和材料科學
現在存儲器無非是半導體或者金屬絡合物/高分子材料混合作為儲存介質，在同樣材料和大小下下，越精細的設計和加工工藝能儲存更多的信息。
反之，在相同設計和加工工藝下，不同材料儲存的信息容量也是不同的。所以。開發新材料也是重要的一點。
㈣ 存儲器的簡介
存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備，它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。在計算機中採用只有兩個數碼「0」和「1」的二進制來表示數據。記憶元件的兩種穩定狀態分別表示為「0」和「1」。日常使用的十進制數必須轉換成等值的二進制數才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字元，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。
存儲器：存放程序和數據的器件
存儲位：存放一個二進制數位的存儲單元，是存儲器最小的存儲單位，或稱記憶單元
存儲字：一個數（n位二進制位）作為一個整體存入或取出時，稱存儲字
存儲單元：存放一個存儲字的若干個記憶單元組成一個存儲單元
存儲體：大量存儲單元的集合組成存儲體
存儲單元地址：存儲單元的編號
字編址：對存儲單元按字編址
位元組編址：對存儲單元按位元組編址
定址：由地址尋找數據，從對應地址的存儲單元中訪存數據。
以存儲體（大量存儲單元組成的陣列）為核心，加上必要的地址解碼、讀寫控制電路，即為存儲集成電路；再加上必要的I/O介面和一些額外的電路如存取策略管理，則形成存儲晶元，比如手機中常用的存儲晶元。得益於新的IC製造或晶元封裝工藝，現在已經有能力把DRAM和FLASH存儲單元集成在單晶元里。存儲晶元再與控制晶元（負責復雜的存取控制、存儲管理、加密、與其他器件的配合等）及時鍾、電源等必要的組件集成在電路板上構成整機，就是一個存儲產品，如U盤。從存儲單元（晶體管陣列）到存儲集成電路再到存儲設備，都是為了實現信息的存儲，區別是層次的不同。
㈤ 存儲器晶元生產線與CPU生產線的區別
主要是工藝精度不一樣的，存儲器的就是多大納米的工藝都能用它，因為存儲器這個概念比較大，屬於啥都有的，啥類型的都有，屬於基礎元器件類生產線了，內存條子用，U盤用的快閃記憶體，主板上的的CMOS等等，現在只要是電子產品就到處都在用，而這些地方需求的存儲要求都不同，工藝要求也高低不一樣的，所以，是生產線，就能找來自己可以乾的活。
CPU生產線，屬於半導體里的細分了，NO1級別的，頂級的存在，不是其他低工藝生產先造不了，而是成本決定的，晶元設計的時候都會有對應的工藝考量要求，換次工藝，圖就要重新優化畫一次，對於IC這類高競爭行業，CPU敢這么干，就等於燒錢，等你改完了，可能你的CPU也過時了。另外，單片晶硅出產的顆粒越多成本越低，高製造成本逼著廠家用最貴的NO1生產線造CPU，只有量大才能有生路，用次代線，一次除不了多少貨，成本直接就能虧死的。所以，CPU的生產線從來都是NO1級別的1代線，低工藝的次代線都不會考慮的。
㈥ 半導體存儲器分為哪兩種
半導體存儲器分為隨機讀寫存儲器和只讀存儲器。
半導體存儲器的分類從製造工藝的角度可把半導體存儲器分為雙極型、CMOS型、HMOS型等；從應用角度上可將其分為兩大類：隨機讀寫存儲器（RAM），又稱隨機存取存儲器；只讀存儲器（ROM）。
1、只讀存儲器（ROM）
只讀存儲器在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入的存儲器，其中又可以分為以下幾種。
掩膜ROM，利用掩膜工藝製造，一旦做好，不能更改，因此只適合於存儲成熟的固定程序和數據。工廠大量生產時，成本很低。
可編程ROM，簡稱PROM，由廠商生產出的空白存儲器，根據用戶需要，利用特殊方法寫入程序和數據，但是只能寫一次，寫入後信息固定的，不能更改。
光擦除PROM，簡稱EPROM，這種存儲器編寫後，如果需要擦除可用紫外線燈製造的擦除器照射20分鍾左右，使存儲器復原用戶可再編程。
電擦除PROM，簡稱EEPROM，顧名思義可以通過電來進行擦除，這種存儲器的特點是能以位元組為單位擦除和改寫，而且不需要把晶元拔下插入編程器編程，在用戶系統即可進行。
Flash Memory，簡稱快閃記憶體。它是非易失性存儲器，在電源關閉後仍能保持片內信息，與EEPROM相比，快閃記憶體存儲器具有成本低密度大的優點。
2、隨機讀寫存儲器（RAM）
分為兩類：雙極型和MOS型兩種。雙極型RAM，其特點是存取速度快，採用晶體管觸發器作為基本存儲電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於高速緩存存儲器（Cache）MOS RAM，其特點是功耗低，密度大，故大多採用這種存儲器。
SRAM：存儲原理是用雙穩態觸發器來做存儲電路，狀態穩定，只要不掉電，信息就不會丟失，優點是不用刷新，缺點是集成度低。DRAM：存儲原理是用電容器來做存儲電路，優點是電路簡單，集成度高，缺點是由於電容會漏電需要不停地刷新。
㈦ 當前存儲器系統的發展概況
發展趨勢
存儲器的發展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業表現得尤為淋漓盡致。隨著半導體製造工藝的發展，主流閃速存儲器廠家採用0�18μm，甚至0.15μm的製造工藝。藉助於先進工藝的優勢，Flash Memory的容量可以更大：NOR技術將出現256Mb的器件，NAND和AND技術已經有1Gb的器件；同時晶元的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，Flash Memory已經變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了攜帶型產品的發展。
另一方面，新技術、新工藝也推動Flash Memory的位成本大幅度下降：採用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的Flash Memory將突破1MB 1美元的價位，使其具有了取代傳統磁碟存儲器的潛質。
世界閃速存儲器市場發展十分迅速，其規模接近DRAM市場的1/4，與DRAM和SRAM一起成為存儲器市場的三大產品。Flash Memory的迅猛發展歸因於資金和技術的投入，高性能低成本的新產品不斷涌現，刺激了Flash Memory更廣泛的應用，推動了行業的向前發展。
㈧ 半導體存儲器分為:RAM和ROM 可是書上說半導體存儲器是易失性的 那ROM為什麼不是易失性的和工藝有關么
RAM（隨即存儲器）原理是通過二極體上電流的導通表示1和0，沒有電流當然就沒有信號了。
早期rom（只讀存儲器）是直接把信號燒錄到電路里，只能讀不能寫。後來的可編程的PROM和EPROM都是通過物理手段改變線路而非電流
㈨ 鐵電存儲器的技術特點
首先要說明的是鐵電存儲器和浮動柵存儲器的技術差異。現有快閃記憶體和EEPROM都是採用浮動柵技術，浮動柵存儲單元包含一個電隔離門，浮動柵位於標准控制柵的下面及通道層的上面。浮動柵是由一個導電材料，通常是多晶元硅層形成的 (如圖2所示)。浮動柵存儲單元的信息存儲是通過保存浮動柵內的電荷而完成的。利用改變浮動柵存儲單元的電壓就能達到電荷添加或擦除的動作，從而確定存儲單元是在 」1」或「0」 的狀態。但是浮動柵技術需使用電荷泵來產生高電壓，迫使電流通過柵氧化層而達到擦除的功能，因此需要5-10ms的擦寫延遲。高寫入功率和長期的寫操作會破壞浮動柵存儲單元，從而造成有限的擦寫存儲次數（例如：快閃記憶體約十萬次，而EEPROM則約1百萬次)。
鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，是採用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結晶體，如圖3所示。當一個電場被施加到鐵晶體管時，中心原子順著電場停在低能量狀態I位置，反之，當電場反轉被施加到同一鐵晶體管時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動並停在另一低能量狀態II。大量中心原子在晶體單胞中移動耦合形成鐵電疇，鐵電疇在電場作用下形成極化電荷。鐵電疇在電場下反轉所形成的極化電荷較高，鐵電疇在電場下無反轉所形成的極化電荷較低，這種鐵電材料的二元穩定狀態使得鐵電可以作為存儲器。
特別是當移去電場後，中心原子處於低能量狀態保持不動，存儲器的狀態也得以保存不會消失，因此可利用鐵電疇在電場下反轉形成高極化電荷，或無反轉形成低極化電荷來判別存儲單元是在 」1」或 「0」 狀態。鐵電疇的反轉不需要高電場，僅用一般的工作電壓就可以改變存儲單元是在 」1」或 「0」 的狀態；也不需要電荷泵來產生高電壓數據擦除，因而沒有擦寫延遲的現象。這種特性使鐵電存儲器在掉電後仍能夠繼續保存數據，寫入速度快且具有無限次寫入壽命，不容易寫壞。所以，與快閃記憶體和EEPROM 等較早期的非易失性內存技術比較，鐵電存儲器具有更高的寫入速度和更長的讀寫壽命。